CN113257681B - 引线框制造工艺 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 135
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
引线框制造工艺,涉及引线框技术领域,包括第一次线路转移、电镀、第二次线路转移、蚀刻等步骤,第一次线路转移时,铜板反面的感光膜的保护膜保留,从而保护铜板反面的感光膜在第一次线路转移、电镀等步骤不被破坏,继而继续在第二次线路转移及蚀刻步骤中使用,从而减少至少1张感光膜的消耗,降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及引线框技术领域。
背景技术
引线框是芯片封装过程中使用的一种重要部件。QFN(Quad Flat No-leadsPackage,方形扁平无引脚封装),表面贴装型封装之一,该封装所使用的引线框,在制作过程中一般是先电镀、后蚀刻的,电镀前,需要对铜板正反两面贴感光膜,通过曝光显影的方式将电镀线路转移到铜板正面的感光膜上,为了在电镀过程中保护铜板反面,对铜板正面的感光膜进行线路转移的过程中,会将铜板反面的感光膜全部曝光,以在显影过程中全部保留从而覆盖铜板反面,电镀完成后退膜。蚀刻前,在对铜板正反两面贴感光膜,通过曝光显影的方式将蚀刻线路转移到两面感光膜上,然后对铜板进行蚀刻,蚀刻完成后退膜。在这个过程中,需要使用至少4张感光膜,感光膜的消耗较高,成本较高。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种引线框制造工艺,可减少感光膜的消耗,降低成本。
为实现上述目的,本发明提供以下技术方案。
1、引线框制造工艺,包括以下步骤:
第一次线路转移:在铜板正面、反面贴感光膜,将电镀线路通过曝光显影的方式转移到铜板正面的感光膜,保留铜板反面的感光膜的保护膜;
电镀:继续保留铜板反面的感光膜的保护膜,然后对铜板正面进行电镀;
第二次线路转移:在铜板正面再次贴感光膜,将蚀刻线路通过曝光显影的方式转移到铜板正面和反面的感光膜;
蚀刻:对铜板进行蚀刻。
本发明的引线框制造工艺,针对某些引线框产品(例如适用于QFN封装的引线框)仅单面电镀的特点,在转移电镀线路时,保留铜板反面的感光膜的保护膜,让保护膜在进行第二次线路转移之前保护铜板反面的感光膜,因此在进行第一次线路转移时,不需要对铜板反面的感光膜全部曝光,让该感光膜可以继续在第二次线路转移时使用,与现有技术相比,可减少至少1张感光膜的消耗,降低成本。
2、根据技术方案1所述的引线框制造工艺,在电镀步骤之后、第二次线路转移步骤之前还包括以下步骤:
粗化:电镀后退除铜板正面的感光膜,对铜板正面进行粗化处理。
现有技术中,如需单面粗化,在电镀之后需退膜重新贴膜再进行粗化处理。而本发明因为铜板反面的感光膜未撕除其保护膜,所以可以不需要重新贴膜,利用该感光膜保护铜板反面,电镀后退除铜板正面的感光膜后即可对铜板正面进行粗化处理,进一步提高了铜板反面的感光膜的使用效率,进一步减少材料的消耗,节约成本。
3、根据技术方案1所述的引线框制造工艺,第一次线路转移步骤具体为:在铜板反面贴感光膜,然后对铜板正面进行粗化处理,再在铜板正面贴感光膜,然后将电镀线路通过曝光显影的方式转移到铜板正面的感光膜,显影过程中保留铜板反面的感光膜的保护膜。进一步提高了铜板反面的感光膜的使用效率,进一步减少材料的消耗,节约成本。
4、根据技术方案1所述的引线框制造工艺,蚀刻步骤之后还包括以下步骤:
缺陷处理:退除感光膜之前,去除电镀层的悬空部分。
蚀刻之后,如果蚀刻线路对位不够准确,或者蚀刻量有偏差,可能会使电镀层所在的铜板被蚀刻掉,从而造成电镀层部分悬空,在后续的引线框转运、芯片封装过程中,可能会导致电镀层脱落或芯片产品漏电,因而在蚀刻后退除感光膜之前,去除电镀层的悬空部分,避免出现上述问题。
5、根据技术方案4所述的引线框制造工艺,缺陷处理步骤具体为:退除感光膜之前,检测电镀层有无悬空部分,若有,则去除电镀层的悬空部分。
6、根据技术方案1所述的引线框制造工艺,第一次线路转移步骤中,在铜板正面的感光膜曝光电镀线路的同时,对铜板反面的感光膜曝光形成保护边框,保护边框沿铜板边缘设置。第一次线路转移过程中,显影时显影液能接触到铜板反面的感光膜的侧面,从而会对铜板反面的感光膜的侧面有一定的侵蚀,进而影响第二次线路转移时铜板背面的感光膜的完整性,如侵蚀得比较严重,可能会让铜板反面的感光膜报废,需更换才能进行第二次线路转移。因此在铜板正面的感光膜曝光电镀线路的同时,对铜板反面的感光膜曝光形成保护边框,保护边框沿铜板边缘设置,可在第一次线路转移过程中显影时保护铜板背面的感光膜,避免显影液侵蚀其侧面。
7、根据技术方案1所述的引线框制造工艺,电镀步骤之后、第二次线路转移步骤之前还包括以下步骤:
单面退膜:将铜板正面朝下,使用退膜液向上喷淋铜板正面以退除铜板正面的感光膜。
常规的退膜方法是浸泡后喷淋,铜板浸泡在退膜液中,退膜液溶解已经被光照反应的感光膜。由于退膜液更容易溶解感光膜未曝光的部分,如果采用这种做法,铜板背面的感光膜容易被破坏,因此将铜板正面朝下,并使用退膜液向上喷淋铜板正面来退膜,可以避免铜板反面的感光膜被破坏。
8、根据技术方案7所述的引线框制造工艺,单面退膜步骤中,使用退膜液向上喷淋铜板正面时,在铜板侧方设置遮挡件,以防止退膜液被喷射到铜板上方后回落到铜板反面。
9、根据技术方案1所述的引线框制造工艺,第一次线路转移步骤中,在铜板正面的感光膜上曝光电镀线路的同时在铜板反面的感光膜上曝光蚀刻线路;第二次线路转移步骤中,在铜板正面再次贴感光膜后,仅在铜板正面的感光膜上曝光蚀刻线路。这是另一种选择,铜板反面的蚀刻线路,既可以在第一次线路转移时曝光,也可以在第二次线路转移时曝光。
附图说明
图1为引线框的结构示意图。
图2为采用本发明的引线框制造工艺制造图1所示的引线框过程中图1中A-A截面在电镀及以前各步骤的结构示意图。
图3为采用本发明的引线框制造工艺制造图1所示的引线框过程中图1中A-A截面在电镀以后各步骤的结构示意图。
图4为采用本发明的引线框制造工艺制造图1所示的引线框过程中图1中A-A截面在蚀刻后出现电镀层悬空情况的结构示意图。
图5为使用块状铜板采用本发明的引线框制造工艺制造引线框过程中制作的保护边框的结构示意图。
图6为使用卷材铜板采用本发明的引线框制造工艺制造引线框过程中制作的保护边框的结构示意图。
附图标记包括:
引线框1,电镀层2,铜板3,功能区31;
感光膜4,保护膜41,感光部分42,遮蔽部分43,保护边框44。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明创造作详细说明。
图1所示为一种引线框的结构,本实施例以该种引线框1为例说明本发明的引线框制造工艺,本发明的工艺的应用方位不限于图1所示的引线框1。
图1所示的引线框1,在连接柱(也称为脚仔)上需要电镀形成电镀层2,通常是镀银或镍钯金。以铜板3作为原材料,下面介绍应用本发明的引线框制造工艺。
首先进行第一次线路转移。
如图2a所示,在铜板3正面、反面贴感光膜4,感光膜4包括两层,一层为感光部分42,另一层为保护膜41,本实施例的感光膜4为感光干膜。对于需要对正面进行粗化处理的引线框产品,可先贴铜板3反面的感光膜4,然后对铜板3正面进行粗化处理,之后再在铜板3正面贴上感光膜4。
如图2b所示,铜板3正反面均贴上感光膜4后,将电镀线路通过曝光的方式转移到铜板3正面的感光膜4上,被曝光的感光膜4的感光部分42中有一部分发生反应转变为遮蔽部分43,进一步地,如图5、图6所示,也可同时对铜板3反面的感光膜4进行曝光,形成沿铜板3边缘设置的保护边框44,保护边框44与遮蔽部分43均为感光膜4的感光部分42被特定波长的光照射后转变而来的。如果使用块状的铜板3作为原料,保护边框44沿铜板3的4条边缘设置;如果使用卷材铜板3作为原料,保护边框44沿铜板3的2条边缘设置。图5、图6中,功能区31为设计制成引线框1的区域,通常一块铜板3设计制成多个引线框1。
如图2c所示,第一次曝光后,撕除铜板3正面的感光膜4的保护膜41,保留铜板3反面的感光膜4的保护膜41,然后显影,将电镀线路完全转移到铜板3正面的感光膜4上,露出铜板3正面需要被电镀形成电镀层2的区域。如在第一次曝光时在铜板3反面的感光膜4上曝光形成了保护边框44,在该次显影时,保护边框44可保护铜板3反面的感光膜4的侧面,避免该感光膜4的侧面被侵蚀。
然后进行电镀。
在第一次线路转移后,铜板3正面需要形成电镀层2的部分露出来了,其余部分被铜板3正面的感光膜4的遮蔽部分43遮住了。如图2d所示,此时进行电镀,即可在铜板3正面露出铜板3的区域形成电镀层2。
如图2e所示,电镀形成电镀层2后,进行单面退膜,退除铜板3正面的感光膜4的遮蔽部分43,为保护铜板3反面的感光膜4,将铜板3正面朝下,使用退膜液向上喷淋铜板3正面,以此退除铜板3正面的感光膜4。进一步地,单面退膜步骤中,使用退膜液向上喷淋铜板3正面时,在铜板3侧方设置遮挡件,以防止退膜液被喷射到铜板上方后回落到铜板3反面。在另一个实施例中,单面退膜后,也可对铜板3正面进行粗化处理,此时铜板3背面的感光膜4仍被保留保护着铜板3背面,做单面粗化处理时非常方便,不必再另外贴膜。粗化处理是让铜板3表面更粗糙,由于很细微,因此图中未示出粗化步骤的铜板3结构变化。
然后进行第二次线路转移。
如图3a所示,在铜板3正面再次贴上感光膜4。然后通过曝光显影的方式将蚀刻线路转移到铜板3正面和反面的感光膜4上,如图3b、图3c所示。
然后进行蚀刻。
如图3d所示,进行第二次线路转移将蚀刻线路转移后,即进行蚀刻。
如图3e所示,蚀刻完成后退除铜板3正反两面的感光膜4的遮蔽部分43,即得到图1所示的引线框1产品。
在其他实施例中,如果两次线路转移过程中对位不够准确(例如使用精度较低的曝光机),或者蚀刻过程未得到精确控制,在蚀刻后就可能出现电镀层2部分悬空的情况,如图4所示,电镀层2下方所附的铜板3部分被蚀刻,从而使得电镀层2的一部分悬空,图4所示的状态对应图3d的状态。此时,在蚀刻完成后,还需进行缺陷处理,缺陷处理有两种选择:一是退除感光膜4之前,去除电镀层2的悬空部分,在此之前不进行检测,无论实际有无出现电镀层2悬空的情况均进行去除操作;二是退除感光膜4之前,先检测电镀层2有无悬空部分,如果有,则去除电镀层2的悬空部分。该两种选择的区别是是否先检测电镀层2有无悬空部分,可依实际情况选择。
在其他实施例中,第一次线路转移时,在铜板3正面的感光膜4上曝光电镀线路的同时在铜板3反面的感光膜4上曝光蚀刻线路,第二次线路转移时,在铜板3正面再次贴感光膜4后,仅在铜板3正面的感光膜4上曝光蚀刻线路。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明创造的技术方案,而非对本发明创造保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明创造作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明创造的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明创造技术方案的实质和范围。
Claims (8)
1.引线框制造工艺,其特征是,包括以下步骤:
第一次线路转移:在铜板正面、反面贴感光膜,将电镀线路通过曝光显影的方式转移到铜板正面的感光膜,同时对铜板反面的感光膜曝光形成保护边框,保护边框沿铜板边缘设置,保留铜板反面的感光膜的保护膜;
电镀:继续保留铜板反面的感光膜的保护膜,然后对铜板正面进行电镀;
第二次线路转移:在铜板正面再次贴感光膜,将蚀刻线路通过曝光显影的方式转移到铜板正面和反面的感光膜;
蚀刻:对铜板进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,在电镀步骤之后、第二次线路转移步骤之前还包括以下步骤:
粗化:电镀后退除铜板正面的感光膜,对铜板正面进行粗化处理。
3.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,第一次线路转移步骤具体为:在铜板反面贴感光膜,然后对铜板正面进行粗化处理,再在铜板正面贴感光膜,然后将电镀线路通过曝光显影的方式转移到铜板正面的感光膜,显影过程中保留铜板反面的感光膜的保护膜。
4.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,蚀刻步骤之后还包括以下步骤:
缺陷处理:退除感光膜之前,去除电镀层的悬空部分。
5.根据权利要求4所述的引线框制造工艺,其特征是,缺陷处理步骤具体为:退除感光膜之前,检测电镀层有无悬空部分,若有,则去除电镀层的悬空部分。
6.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,电镀步骤之后、第二次线路转移步骤之前还包括以下步骤:
单面退膜:将铜板正面朝下,使用退膜液向上喷淋铜板正面以退除铜板正面的感光膜。
7.根据权利要求6所述的引线框制造工艺,其特征是,单面退膜步骤中,使用退膜液向上喷淋铜板正面时,在铜板侧方设置遮挡件,以防止退膜液被喷射到铜板上方后回落到铜板反面。
8.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,第一次线路转移步骤中,在铜板正面的感光膜上曝光电镀线路的同时在铜板反面的感光膜上曝光蚀刻线路;第二次线路转移步骤中,在铜板正面再次贴感光膜后,仅在铜板正面的感光膜上曝光蚀刻线路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110511758.1A CN113257681B (zh) | 2021-05-11 | 2021-05-11 | 引线框制造工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110511758.1A CN113257681B (zh) | 2021-05-11 | 2021-05-11 | 引线框制造工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113257681A CN113257681A (zh) | 2021-08-13 |
CN113257681B true CN113257681B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=77222703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110511758.1A Active CN113257681B (zh) | 2021-05-11 | 2021-05-11 | 引线框制造工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113257681B (zh) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
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Effective date of registration: 20231127 Address after: Room 511, Building 1, No. 29, Guangming Road, Dongcheng Street, Dongguan City, Guangdong Province, 523000 Patentee after: Yingtong Micro Semiconductor Technology (Dongguan) Co.,Ltd. Address before: 515200 No. 5, Xiyi tujiaozhai, Huicheng Town, Huilai County, Jieyang City, Guangdong Province Patentee before: Lin Yinghong |
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