CN112831809A - 一种引线框架加工方法 - Google Patents

一种引线框架加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112831809A
CN112831809A CN202011614467.7A CN202011614467A CN112831809A CN 112831809 A CN112831809 A CN 112831809A CN 202011614467 A CN202011614467 A CN 202011614467A CN 112831809 A CN112831809 A CN 112831809A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
processing method
electroplating
silver
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202011614467.7A
Other languages
English (en)
Inventor
杨章特
王龙涛
宋江
陈琳
朱兴富
张阔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Jiexin Semiconductor Materials Co ltd
Original Assignee
Guangdong Jiexin Semiconductor Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Jiexin Semiconductor Materials Co ltd filed Critical Guangdong Jiexin Semiconductor Materials Co ltd
Priority to CN202011614467.7A priority Critical patent/CN112831809A/zh
Publication of CN112831809A publication Critical patent/CN112831809A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports

Abstract

本发明提供一种引线框架加工方法，包括如下步骤：S1：在料带表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后形成电镀区域；S2：进行电镀，在所述电镀区域镀银，退膜后形成镀银半成品；S3：对所述镀银半成品进行加工得到引线框架成品。本发明提供的引线框架加工方法采用先电镀再加工的方式，可以避免工艺上的浪费。

Description

一种引线框架加工方法
【技术领域】
本发明涉及电镀技术领域，尤其涉及一种引线框架加工方法。
【背景技术】
引线框架加工方法作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架加工方法，是电子信息产业中重要的基础材料。
相关技术中，引线框架的加工方法通常是先将料带加工形成单个的引线框架，然后再对引线框架进行电镀，在电镀过程中靠模板上的胶粒来遮挡电镀药水，最终使得没有被遮挡的部分就根据电镀电解原理镀上电镀层。胶粒的软硬和皮带轮的软硬，始终没法做到完全没有背漏和侧漏，形成次品，造成工艺上的浪费。
因此，有必要提供一种引线框架加工方法来解决上述问题。
【发明内容】
本发明针对上述要解决的技术问题，提供一种先电镀再加工的引线框架加工方法。
本发明提供一种引线框架加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在料带表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后形成电镀区域；
S2：进行电镀，在所述电镀区域镀银，退膜后形成镀银半成品；
S3：对所述镀银半成品进行加工得到引线框架成品。
优选的，所述步骤S3中“加工”为蚀刻加工或冲制加工。
优选的，所述步骤S3中“加工”为蚀刻加工，所述步骤S3具体为：
S31：在所述镀银半成品表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后得到蚀刻区域；
S32：在所述蚀刻区域蚀刻形成穿孔，退膜后得到所述引线框架成品。
优选的，所述步骤S1及步骤S2中的曝光采用全自动连续滚轮式曝光机完成，曝光模具的顶面和底面需要设置至少四个靶标，以方便抓点定位，曝光的对位精度为0.007mm。
优选的，所述料带为铜材料或者铁镍材料。
优选的，所述步骤S1之前还包括如下步骤：
S0：对所述料带依次进行化学除油、水洗、酸中和以及热水洗，然后进行干燥。
与相关技术相比，本发明提供的引线框架加工方法中采用先对料带进行电路再进行加工的方式，如果电镀不合格，可以直接摒除不合格的产品，不需要进行后续的加工流程，可以节省工艺。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本发明提供的引线框架加工方法的步骤流程图；
图2为本发明实施方式中提供的引线框架加工方法的工艺流程图。
【具体实施方式】
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1及图2，本发明提供了一种引线框架加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在料带表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后形成电镀区域；
S2：进行电镀，在所述电镀区域镀银，退膜后形成镀银半成品；
S3：对所述镀银半成品进行加工得到引线框架成品。
优选的，所述料带为铜材料或者铁镍材料。所述步骤S1及步骤S2的曝光采用全自动连续滚轮式曝光机完成，曝光模具的顶面和底面需要设置至少四个靶标，以方便抓点定位，曝光的对位精度为0.007mm。全自动连续滚轮式曝光机的光源最好为激光头发出的激光。
优选的，所述步骤S1之前还包括如下步骤：
S0：对所述料带依次进行化学除油、水洗、酸中和以及热水洗，然后进行干燥。
该步骤为料带的前期处理步骤，可以有效去除料带上附着的杂质，避免影响后续的电镀工艺。
所述步骤S3中“加工”为蚀刻加工或冲制加工。具体的，在本实施方式中，所述步骤S3中“加工”为蚀刻加工，所述步骤S3具体为：
S31：在所述镀银半成品表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后得到蚀刻区域；
S32：在所述蚀刻区域蚀刻形成穿孔，退膜后得到所述引线框架成品。
可以理解的是，本发明提供的技术方案中，通过先电镀再加工的方式，先任意选择需要用的功能面进行电镀，再利用其它的工艺来加工形成引线框架，从工艺的前端进行出发，可以从根本上解决引线框架背漏和侧漏的问题，当电镀不合格时，可以直接选择剔除不合格的料带半成品，不需要再进行后续的加工工艺，避免了工艺上的浪费。同时，需要注意的是，采用的是先电镀后加工的方式，在后续加工中，需要对电镀的银面进行保护，避免银面划伤。
同时对于电镀来说，可以任意选择功能面进行，不会受到产品结构的影响，可以一定程度上节约材料。
与相关技术相比，本发明提供的引线框架加工方法中采用先对料带进行电路再进行加工的方式，如果电镀不合格，可以直接摒除不合格的产品，不需要进行后续的加工流程，可以节省工艺。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种引线框架加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在料带表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后形成电镀区域；
S2：进行电镀，在所述电镀区域镀银，退膜后形成镀银半成品；
S3：对所述镀银半成品进行加工得到引线框架成品。
2.根据权利要求1所述的引线框架加工方法，其特征在于，所述步骤S3中“加工”为蚀刻加工或冲制加工。
3.根据权利要求2所述的引线框架加工方法，其特征在于，所述步骤S3中“加工”为蚀刻加工，所述步骤S3具体为：
S31：在所述镀银半成品表面覆盖一层光阻干膜并选择性曝光，显影后得到蚀刻区域；
S32：在所述蚀刻区域蚀刻形成穿孔，退膜后得到所述引线框架成品。
4.根据权利要求1所述的引线框架加工方法，其特征在于，所述步骤S1及步骤S2中的曝光采用全自动连续滚轮式曝光机完成，曝光模具的顶面和底面需要设置至少四个靶标，以方便抓点定位，曝光的对位精度为0.007mm。
5.根据权利要求1所述的引线框架加工方法，其特征在于，所述料带为铜材料或者铁镍材料。
6.根据权利要求3所述的引线框架加工方法，其特征在于，所述步骤S1之前还包括如下步骤：
S0：对所述料带依次进行化学除油、水洗、酸中和以及热水洗，然后进行干燥。
CN202011614467.7A 2020-12-31 2020-12-31 一种引线框架加工方法 Withdrawn CN112831809A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011614467.7A CN112831809A (zh) 2020-12-31 2020-12-31 一种引线框架加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011614467.7A CN112831809A (zh) 2020-12-31 2020-12-31 一种引线框架加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112831809A true CN112831809A (zh) 2021-05-25

Family

ID=75925710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011614467.7A Withdrawn CN112831809A (zh) 2020-12-31 2020-12-31 一种引线框架加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112831809A (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183441A (ja) * 1993-12-21 1995-07-21 Sony Corp リードフレームの製造方法
KR20050091923A (ko) * 2004-03-11 2005-09-16 주식회사 코오롱 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 인쇄회로기판 및리드프레임의 제조방법
CN101314832A (zh) * 2008-07-15 2008-12-03 科威（肇庆）半导体有限公司 铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法
CN102799070A (zh) * 2012-08-27 2012-11-28 珠海市能动科技光学产业有限公司 双层涂布的负性光致抗蚀干膜
CN103209546A (zh) * 2013-04-03 2013-07-17 遂宁市广天电子有限公司 一种负片直接蚀刻线路的制作方法
CN203932096U (zh) * 2011-02-18 2014-11-05 3M创新有限公司 柔性发光半导体装置以及用于支承并电连接发光半导体装置的柔性制品
US20160181122A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-23 Texas Instruments Incorporated Making a flat no-lead package with exposed electroplated side lead surfaces
CN106521583A (zh) * 2016-11-22 2017-03-22 宁波康强电子股份有限公司 一种引线框架的电镀方法
CN106547174A (zh) * 2016-12-19 2017-03-29 浙江欧视达科技有限公司 全自动双面曝光机
CN108389805A (zh) * 2018-04-28 2018-08-10 长电科技（滁州）有限公司 一种高可靠性平面凸点式封装方法及封装结构
CN110908251A (zh) * 2019-12-23 2020-03-24 浙江欧视电科技有限公司 全自动连线阻焊led曝光机设备
CN110970385A (zh) * 2019-12-28 2020-04-07 广东先捷电子股份有限公司 一种新型smd封装结构的引线框架
CN111785701A (zh) * 2020-07-24 2020-10-16 宁波康强电子股份有限公司 一种预电镀镍钯金引线框架及其制备方法
CN111863764A (zh) * 2020-07-24 2020-10-30 宁波康强电子股份有限公司 一种预电镀引线框架及其制备方法
CN111913366A (zh) * 2020-07-27 2020-11-10 嘉善福广电子科技有限公司 一种高速连续自动曝光机

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183441A (ja) * 1993-12-21 1995-07-21 Sony Corp リードフレームの製造方法
KR20050091923A (ko) * 2004-03-11 2005-09-16 주식회사 코오롱 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 인쇄회로기판 및리드프레임의 제조방법
CN101314832A (zh) * 2008-07-15 2008-12-03 科威（肇庆）半导体有限公司 铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法
CN203932096U (zh) * 2011-02-18 2014-11-05 3M创新有限公司 柔性发光半导体装置以及用于支承并电连接发光半导体装置的柔性制品
CN102799070A (zh) * 2012-08-27 2012-11-28 珠海市能动科技光学产业有限公司 双层涂布的负性光致抗蚀干膜
CN103209546A (zh) * 2013-04-03 2013-07-17 遂宁市广天电子有限公司 一种负片直接蚀刻线路的制作方法
US20160181122A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-23 Texas Instruments Incorporated Making a flat no-lead package with exposed electroplated side lead surfaces
CN106521583A (zh) * 2016-11-22 2017-03-22 宁波康强电子股份有限公司 一种引线框架的电镀方法
CN106547174A (zh) * 2016-12-19 2017-03-29 浙江欧视达科技有限公司 全自动双面曝光机
CN108389805A (zh) * 2018-04-28 2018-08-10 长电科技（滁州）有限公司 一种高可靠性平面凸点式封装方法及封装结构
CN110908251A (zh) * 2019-12-23 2020-03-24 浙江欧视电科技有限公司 全自动连线阻焊led曝光机设备
CN110970385A (zh) * 2019-12-28 2020-04-07 广东先捷电子股份有限公司 一种新型smd封装结构的引线框架
CN111785701A (zh) * 2020-07-24 2020-10-16 宁波康强电子股份有限公司 一种预电镀镍钯金引线框架及其制备方法
CN111863764A (zh) * 2020-07-24 2020-10-30 宁波康强电子股份有限公司 一种预电镀引线框架及其制备方法
CN111913366A (zh) * 2020-07-27 2020-11-10 嘉善福广电子科技有限公司 一种高速连续自动曝光机

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5702583A (en) Method for selectively electroplating apertured metal or metallized products
CN112831809A (zh) 一种引线框架加工方法
KR100243369B1 (ko) 연속적인 리드프레임 제조방법
KR100231836B1 (ko) 리드프레임의 식각방법
JP7059139B2 (ja) 半導体素子搭載用基板の製造方法
CN113257681B (zh) 引线框制造工艺
US6540927B2 (en) Semiconductor packaging part and method producing the same
KR100243373B1 (ko) 리드 프레임 제조방법
KR20020061389A (ko) 리드프레임 제조방법
JPH03177059A (ja) 部分メッキ付リードフレームの製造方法
JP2002260753A (ja) バンプ付きシートの製造方法
JPH09199654A (ja) リードフレームの加工方法およびリードフレーム
JP3655029B2 (ja) 電着レジスト皮膜の露光方法
CN116153791A (zh) 一种ic载板涨铜柱工艺
KR100203331B1 (ko) 리드프레임의 제조방법
KR100530754B1 (ko) 연속적인 리드프레임 제조방법
JP2784352B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP5787319B2 (ja) リードフレーム製造用マスク、および、これを用いたリードフレームの製造方法
JP3743215B2 (ja) Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法および製造装置
KR100348164B1 (ko) 스퀴지를 이용한 리드프레임의 도금형성방법
JPS61208245A (ja) 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法
JPH01147848A (ja) Ｉｃ用リードフレームの製造方法
JP3018216B2 (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPH0864751A (ja) リードフレームの製造方法
KR20030094694A (ko) 무전해 니켈도금층을 갖는 범프 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210525