CN110970385A - 一种新型smd封装结构的引线框架 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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Abstract
本发明提供了一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,引线框架整体包括载芯结构单元、引脚、机械定位孔、承载筋和横向连筋组成;所述载芯结构单元上分布有L型第一基岛和倒L型第二基岛,所述第一基岛和第二基岛互补啮合;通过对传统的单排阵列式改进为多排阵列式引线框架,本产品可以满足和兼容微电子产品封装制造的高可靠性、小型化、便捷化,提升半导体产业封装加工水平,促进封装设备的更新迭代,使贴装类元器件具备多功能特性,产品具备高标准化、高可靠性、高精度、高密度、高产量化和多功能化,制造周期大大缩短。
Description
技术领域
本发明涉及到半导体电子元器件的制造技术领域,具体涉及到一种新型SMD封装结构的引线框架。
背景技术
半导体集成电路元件被称为“工业之米”,但在一般情况下,用户需要的并不仅是功能齐全的裸芯片,而且还需要承接保护和载体的引线框架,引线框架具有机械支撑、电气连接、物理保护、外场屏蔽、应力缓和、散热防潮、尺寸过渡、规格化和标准化等多重功能;是一种借助于键合引线实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体芯片中都需要使用引线框架,是半导体产业中重要的基础材料。
引线框架随着集成电路等半导体电子元器件的产生而产生,伴随着半导体技术的发展而发展,随着集成电路集成度的迅速提高以及高可靠性、小型化、表面贴装化的发展,对引线框架的设计、加工、质量均提出了更高的要求,引线框架新产品的更新换代和新工艺的问世,又促进了半导体行业的发展,相应的对传统引线框架造成了一定的影响:
(1)传统SMD封装结构的引线框架大多为单排阵列式分布,不仅引线框架制造成本高昂,且单排阵列的引线框架制造框架过长,占用的耗材多,导致模具设计标准化难度大,模具设计时就要分成多个模腔来完成,产品成型时也不能保证同步完成,尤其是在高速粘片机和焊线机机物料传动系统上得不到有效应用,从而导致设备数量占用率高,造成浪费不必要的能源浪费;
(2)随着加工水平的提高、加工设备的更新迭代,SMD封装结构的引线框架逐步向着高精度、高密度、高产量的方向发展,单排阵列式的引线框架已经逐步被淘汰,其使用寿命低、模具标准化程度低、制造周期长,已经不能够满足商业效率需求。
发明内容
本发明专利就是为了克服现有同类产品制造过程中产生的引线框架精密度差、低密度、产量低下、贴片类元器件在封装时外引脚缺乏精细化、外引脚过长、过宽、过厚等缺陷和不足,向社会提供一种符合设计模具标准化、生产效率和原材料利用率高、产品封装质量好、使用寿命长、向着高精度、高密度、高产量方向发展的微电子封装引线框架。
为了解决上述的问题,本发明的优选方案是一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于:引线框架整体包括载芯结构单元、引脚、机械定位孔、承载筋和横向连筋组成;所述载芯结构单元上分布有L型第一基岛和倒L型第二基岛,所述第一基岛和第二基岛互补啮合,所述第一基岛和第二基岛分别与所述引脚连接,所述承载筋和所述载芯结构单元、引脚呈现水平共线排列,所述横向连筋上设置有用于传动的所述机械定位孔,所述机械定位孔对齐至所述承载筋上,所述引脚、承载筋均连接在所述横向连筋上。
优选的,所述载芯结构单元上的第一基岛和第二基岛分别开设有一注塑过孔,该过孔直径小于第一基岛和第二基岛宽度,过孔呈现对称分布。
进一步的,所述第一基岛、第二基岛表面镀有一层抗氧化层,其所述抗氧化层为一导电性能优越的镀银层,镀银层厚度为15±5μm,以增强芯片粘结在所述第一基岛、第二基岛上导电率。
进一步的,所述载芯结构单元采用蚀刻工艺或冲切工艺呈现4排阵列式垂直分布,每排水平共线分布有5个所述载芯结构单元,构成一个阵列单元结构,可横向阵列扩展至最少2组或以上的阵列单元结构,采用蚀刻或冲切材料为铜基、铝基或铁镍基合金构成,厚度在0.152mm,材料硬度性能在200HV以下。
更进一步的,所述引脚宽度小于所述载芯结构单元上第一基岛和第二基岛宽度。
更进一步的,所述横向连筋宽度等于所述引脚宽度。
更进一步的,所述机械定位孔直径等于所述承载筋宽度。
更进一步的,所述横向连筋上设置的机械定位孔数量等于所述承载筋数量。
本发明提供的一种新型SMD封装结构的引线框架有益效果是: 相比于现有技术,本发明对传统的单排阵列式改进为多排阵列式引线框架,通过本产品可以满足和兼容微电子产品封装制造的高可靠性、小型化、便捷化,提升半导体产业封装加工水平,促进封装设备的更新迭代,使贴装类元器件具备多功能特性,产品具备高标准化、高可靠性、高精度、高密度、高产量化和多功能化,制造周期大大缩短。
附图说明
图1是本发明产品结构示意图。
图2是本发明产品扩展示意图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明做进一步的详细解释,实施例仅做解释不用于限制本发明。
如图1至图2所示,本发明实施例提供了一种新型SMD封装结构的引线框架,引线框架整体包括载芯结构单元101、引脚102、机械定位孔103、承载筋104和横向连筋105组成;所述载芯结构单元101上分布有L型第一基岛106和倒L型第二基岛107,L型第一基岛106和倒L型第二基岛107呈互补啮合,第一基岛106和第二基岛107的末端分别与引脚102连接,承载筋104和载芯结构单元101、引脚102呈现同一水平共线排列,所述横向连筋105上设置有用于传动的机械定位孔103,机械定位孔103对齐至承载筋104上,所述引脚102、承载筋104均连接在横向连筋105上。
如图1至2所示,本实施例中所述载芯结构单元101上的分布的第一基岛106和第二基岛107分别开设有一注塑过孔108,该过孔108直径小于第一基岛106和第二基岛107宽度,过孔108呈对称分布,在产品塑封过程能有效减缓过应力导致键合金线塌陷或移位。
如图2所示,本实施例中所述第一基岛106、第二基岛107表面镀有一层抗氧化层,其抗氧化层为一导电性能优越的镀银层,镀银层厚度为15μm,以增强芯片粘结在所述第一基岛106、第二基岛107上导电率,提升芯片与外部连接器件的信号传输,降低信号延迟和滞后现象。
如图1至2所示,本实施例中所述载芯结构单元101采用蚀刻工艺呈现4排阵列式垂直分布,每排水平共线分布有5个载芯结构单元101,构成一个阵列单元结构,横向阵列扩展至5组阵列单元结构,采用的蚀刻材料为导电性能优良的铜基材料构成,引线框架整体厚度在0.152mm,材料硬度性能在200HV以下。
如图2所示,本实施例中所述引脚102宽度小于所述载芯结构单元101上第一基岛106和第二基岛107宽度,有效预防产品注塑过程中因引脚102宽度过大造成产品外观表面溢料和气密性低而导致出现气孔。
如图2所示,本实施例中所述横向连筋105宽度等于所述引脚102宽度,确保了管脚102能有效的与横向连筋105紧密连接,防止因外部应力导致引线框架的机械变形。
如图2所示,所述机械定位孔103直径等于承载筋104宽度,同宽度大小有效保证了传动过程中,传动用的勾拉装置不至于碰撞引线框架造成移位或错位,同时提高传动感应识别能力。
如图2所示,所述横向连筋105上设置有若干个机械定位孔103数量等于承载筋104数量,横向阵列扩展至5组阵列单元结构时,具备4个机械定位孔103用于传动输料,同时支撑整体的承载筋104数量共有4条。
本发明实施例所提供的一种新型SMD封装结构的引线框架的有益效果是:相比于现有技术,可通过一定阵列扩展至5组或5组以上单元结构,基岛上设置过孔有效杜绝了产品塑封过程导致溢胶和气孔,确保了基岛在塑封合模压力避免弯曲变形,满足了市场对SMD封装结构多元性的需求。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所运用的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定;对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举;凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,引线框架整体包括载芯结构单元、引脚、机械定位孔、承载筋和横向连筋组成;所述载芯结构单元上分布有L型第一基岛和倒L型第二基岛,所述第一基岛和第二基岛互补啮合;所述第一基岛和第二基岛分别与所述引脚连接,所述承载筋和所述载芯结构单元、引脚呈现水平共线排列,所述横向连筋上设置用于传动的所述机械定位孔,所述机械定位孔对齐至所述承载筋上,所述引脚、承载筋均连接在所述横向连筋上。
2.根据权利要求1所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述载芯结构单元上的第一基岛和第二基岛分别开设有一注塑过孔,该过孔直径小于第一基岛和第二基岛宽度,过孔呈对称分布。
3.根据权利要求1或2所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述第一基岛、第二基岛表面镀有一层抗氧化层,其所述抗氧化层为一导电性能优越的镀银层,镀银层厚度为15±5μm,以增强芯片粘结在所述第一基岛、第二基岛上导电率。
4.根据权利要求1所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述载芯结构单元采用蚀刻工艺或冲切工艺呈现4排阵列式垂直分布,每排水平共线分布有5个所述载芯结构单元,构成一个阵列单元结构,可横向阵列扩展至最少2组或以上单元结构,采用蚀刻或冲切材料为铜基、铝基或铁镍基合金构成,厚度在0.152mm,材料硬度性能在200HV以下。
5.根据权利要求1所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述引脚宽度小于所述载芯结构单元上第一基岛和第二基岛宽度。
6.根据权利要求1所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述横向连筋宽度等于所述引脚宽度。
7.根据权利要求1所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述机械定位孔直径等于所述承载筋宽度。
8.根据权利要求1所述的一种新型SMD封装结构的引线框架,其特征在于,所述横向连筋上设置有若干个机械定位孔数量等于所述承载筋数量。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911381250.3A CN110970385A (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种新型smd封装结构的引线框架 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN110970385A true CN110970385A (zh) | 2020-04-07 |
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ID=70036969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201911381250.3A Pending CN110970385A (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 一种新型smd封装结构的引线框架 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112831809A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 广东杰信半导体材料股份有限公司 | 一种引线框架加工方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106409806A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-02-15 | 四川富美达微电子有限公司 | 一种ic引线支架 |
CN106876361A (zh) * | 2017-04-02 | 2017-06-20 | 广东先捷电子股份有限公司 | 一种矩阵式排列的微电子封装引线框架 |
CN207705186U (zh) * | 2018-01-25 | 2018-08-07 | 广东先捷电子股份有限公司 | 一种双基岛的引线框架 |
CN208336207U (zh) * | 2018-06-26 | 2019-01-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种双基岛引线框架及其sot33-5l封装件 |
CN109256368A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-01-22 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | Sot23-x引线框架及其封装方法 |
CN109962048A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-02 | 江西芯诚微电子有限公司 | 一种带散热五引脚的集成电路封装结构 |
CN110299331A (zh) * | 2019-07-07 | 2019-10-01 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 应用于电源转换装置的多芯片封装结构及封装框架阵列 |
CN210805765U (zh) * | 2019-12-28 | 2020-06-19 | 广东先捷电子股份有限公司 | 一种新型smd封装结构的引线框架 |
-
2019
- 2019-12-28 CN CN201911381250.3A patent/CN110970385A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106409806A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-02-15 | 四川富美达微电子有限公司 | 一种ic引线支架 |
CN106876361A (zh) * | 2017-04-02 | 2017-06-20 | 广东先捷电子股份有限公司 | 一种矩阵式排列的微电子封装引线框架 |
CN207705186U (zh) * | 2018-01-25 | 2018-08-07 | 广东先捷电子股份有限公司 | 一种双基岛的引线框架 |
CN208336207U (zh) * | 2018-06-26 | 2019-01-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种双基岛引线框架及其sot33-5l封装件 |
CN109256368A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-01-22 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | Sot23-x引线框架及其封装方法 |
CN109962048A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-02 | 江西芯诚微电子有限公司 | 一种带散热五引脚的集成电路封装结构 |
CN110299331A (zh) * | 2019-07-07 | 2019-10-01 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 应用于电源转换装置的多芯片封装结构及封装框架阵列 |
CN210805765U (zh) * | 2019-12-28 | 2020-06-19 | 广东先捷电子股份有限公司 | 一种新型smd封装结构的引线框架 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112831809A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 广东杰信半导体材料股份有限公司 | 一种引线框架加工方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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