JP3380975B2 - 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電鋳製リ
ードフレームの製造方法に関する。
ードフレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のリードフレームは、エッチ
ング法や電鋳法などで、例えば、図８に示すようにダイ
パッド２の周囲に、インナーリード４とアウターリード
５からなる多数のリードピン６が狭小ピッチで並べて形
成され、そのインナーリード４の個々は片持ち状に形成
されてその先端４ａがフリー状態になっている。
ング法や電鋳法などで、例えば、図８に示すようにダイ
パッド２の周囲に、インナーリード４とアウターリード
５からなる多数のリードピン６が狭小ピッチで並べて形
成され、そのインナーリード４の個々は片持ち状に形成
されてその先端４ａがフリー状態になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記したよ
うにリードピン６の先端がフリー状態になっていると、
搬送や保管時に衝撃や振動を受けたり、他物と接触する
ことにより変形し易く、ピッチずれやリードピンどうし
の接触が生じて不良品となりやすい。とくに、近年、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩの高集積化に伴い多ピン化やそれ
ら周辺技術の高密度化によりリードピン６のピッチが数
十μｍと極度に狭小化されてくると、こうしたリードピ
ン６の変形やピッチずれなどの不具合が顕著に生じ易
い。当初から少しでもリードピン６の水平方向あるいは
垂直方向への変形やピッチずれなどが生じていると、例
えば、半導体チップ側とのワイヤーボンディング時や一
括ボンディング時に結線できない。またリードピン６の
変形やピッチずれのない良品の場合であっても、リード
ピン６・６どうし間のピッチが狭小である場合はボンデ
ィング時にリードピン６がボンディング圧でわずかでも
ずれ動いて変形すると、隣接するリードピン６・６どう
しが接触して不良となるという問題があった。
うにリードピン６の先端がフリー状態になっていると、
搬送や保管時に衝撃や振動を受けたり、他物と接触する
ことにより変形し易く、ピッチずれやリードピンどうし
の接触が生じて不良品となりやすい。とくに、近年、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩの高集積化に伴い多ピン化やそれ
ら周辺技術の高密度化によりリードピン６のピッチが数
十μｍと極度に狭小化されてくると、こうしたリードピ
ン６の変形やピッチずれなどの不具合が顕著に生じ易
い。当初から少しでもリードピン６の水平方向あるいは
垂直方向への変形やピッチずれなどが生じていると、例
えば、半導体チップ側とのワイヤーボンディング時や一
括ボンディング時に結線できない。またリードピン６の
変形やピッチずれのない良品の場合であっても、リード
ピン６・６どうし間のピッチが狭小である場合はボンデ
ィング時にリードピン６がボンディング圧でわずかでも
ずれ動いて変形すると、隣接するリードピン６・６どう
しが接触して不良となるという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、リードピンが狭小ピッチ
で並設される場合も、搬送や保管時あるいは半導体チッ
プとの結線時のリードピンの変形やピッチずれなどを防
止できる半導体装置の電鋳製リードフレームを提供する
にある。本発明の他の目的は、そのようなリードフレー
ムの製造の簡素化を図り得る製造方法を提供するにあ
る。
で並設される場合も、搬送や保管時あるいは半導体チッ
プとの結線時のリードピンの変形やピッチずれなどを防
止できる半導体装置の電鋳製リードフレームを提供する
にある。本発明の他の目的は、そのようなリードフレー
ムの製造の簡素化を図り得る製造方法を提供するにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の電
鋳製リードフレームは、図示例のように、狭小ピッチで
並設してなる多数のリードピン６・６どうし間に、電鋳
時のパターン形成に使用されるフォトレジスト膜１４を
そのまま残存させてあることを特徴とする。すなわち、
半導体装置のリードフレームを電鋳する際、従来では、
最終製品に仕上げる前にパターン形成用のフォトレジス
ト膜は除去していたが、本発明ではそのフォトレジスト
膜を除去することなく、そのまま残存させてリード補強
部材として利用するものである。
鋳製リードフレームは、図示例のように、狭小ピッチで
並設してなる多数のリードピン６・６どうし間に、電鋳
時のパターン形成に使用されるフォトレジスト膜１４を
そのまま残存させてあることを特徴とする。すなわち、
半導体装置のリードフレームを電鋳する際、従来では、
最終製品に仕上げる前にパターン形成用のフォトレジス
ト膜は除去していたが、本発明ではそのフォトレジスト
膜を除去することなく、そのまま残存させてリード補強
部材として利用するものである。
【０００６】また本発明は、多数のリードピン６を狭小
ピッチで並設する半導体装置の電鋳製リードフレームを
電鋳するに際し、まず母型１０の表面に、リードフレー
ム１のパターンに対応するフォトレジスト膜１４を形成
する工程と、ついで母型１０のフォトレジスト膜１４で
覆われていない表面に、リードフレーム１となる電着層
１５を形成する工程と、最後に電着層１５をフォトレジ
スト膜１４を付けたまま母型１０から剥離する工程とか
らなることを特徴とする。この場合、上記電着層１５の
剥離工程の次に、更にフォトレジスト膜１４を部分的に
溶解除去する工程を加えることもできる。上記フォトレ
ジスト膜１４はネガタイプまたはポジタイプのフォトレ
ジストで形成するが、ポジタイプのフォトレジストで形
成する場合は、上記フォトレジスト膜１４の部分的な溶
解除去手段として、フォトレジスト膜１４を部分的に露
光し、この露光部分のみをアルカリ溶液で溶解除去する
ことができる。
ピッチで並設する半導体装置の電鋳製リードフレームを
電鋳するに際し、まず母型１０の表面に、リードフレー
ム１のパターンに対応するフォトレジスト膜１４を形成
する工程と、ついで母型１０のフォトレジスト膜１４で
覆われていない表面に、リードフレーム１となる電着層
１５を形成する工程と、最後に電着層１５をフォトレジ
スト膜１４を付けたまま母型１０から剥離する工程とか
らなることを特徴とする。この場合、上記電着層１５の
剥離工程の次に、更にフォトレジスト膜１４を部分的に
溶解除去する工程を加えることもできる。上記フォトレ
ジスト膜１４はネガタイプまたはポジタイプのフォトレ
ジストで形成するが、ポジタイプのフォトレジストで形
成する場合は、上記フォトレジスト膜１４の部分的な溶
解除去手段として、フォトレジスト膜１４を部分的に露
光し、この露光部分のみをアルカリ溶液で溶解除去する
ことができる。
【０００７】更に本発明は、多数のリードピン６を狭小
ピッチで並設する半導体装置の電鋳製リードフレームを
電鋳するに際し、上記した電鋳工程に代えて、まず母型
１０の表面に補強板となる第１電着層１１を電着形成す
る工程と、ついで第１電着層１１の表面に、リードフレ
ーム１のパターンに対応するフォトレジスト膜１４を形
成する工程と、ついで第１電着層１１のフォトレジスト
膜１４で覆われていない表面に、リードフレーム１とな
る第２電着層１５を剥離可能に形成する工程と、ついで
第２電着層１５を第１電着層１１およびフォトレジスト
膜１４を付けたまま母型１０から剥離する工程とからな
ることを特徴する。この場合においても、上記第２電着
層１５の剥離工程の次に、更にフォトレジスト膜１４を
部分的に溶解除去する工程を加えることもできる。
ピッチで並設する半導体装置の電鋳製リードフレームを
電鋳するに際し、上記した電鋳工程に代えて、まず母型
１０の表面に補強板となる第１電着層１１を電着形成す
る工程と、ついで第１電着層１１の表面に、リードフレ
ーム１のパターンに対応するフォトレジスト膜１４を形
成する工程と、ついで第１電着層１１のフォトレジスト
膜１４で覆われていない表面に、リードフレーム１とな
る第２電着層１５を剥離可能に形成する工程と、ついで
第２電着層１５を第１電着層１１およびフォトレジスト
膜１４を付けたまま母型１０から剥離する工程とからな
ることを特徴する。この場合においても、上記第２電着
層１５の剥離工程の次に、更にフォトレジスト膜１４を
部分的に溶解除去する工程を加えることもできる。
【０００８】
【作用】隣接するリードピン６・６どうし間に残存させ
てあるフォトレジスト膜１４は、リードフレーム１の搬
送時、保管時、あるいはボンディング時にリードピン６
個々の変形、ピッチずれ、リードピン６・６どうしの接
触などを防ぐスペーサ機能あるいは補強機能を発揮す
る。
てあるフォトレジスト膜１４は、リードフレーム１の搬
送時、保管時、あるいはボンディング時にリードピン６
個々の変形、ピッチずれ、リードピン６・６どうしの接
触などを防ぐスペーサ機能あるいは補強機能を発揮す
る。
【０００９】リードピン６・６どうし間のフォトレジス
ト膜１４を部分的に溶解除去することにより、リードピ
ン６の変形やピッチずれなどを防止しつつ、リードピン
６に適度の弾性付与、および所定形状の曲げ加工を可能
にする。
ト膜１４を部分的に溶解除去することにより、リードピ
ン６の変形やピッチずれなどを防止しつつ、リードピン
６に適度の弾性付与、および所定形状の曲げ加工を可能
にする。
【００１０】補強板となる第１電着層１１を形成し、こ
の第１電着層１１とリードフレーム１となる第２電着層
１５とを一体に積層した状態のままでこれを母型１０か
ら剥がすことにより、フォトレジスト膜１４を付けたま
ま第２電着層１５をこれに変形を加えることなく剥離で
きる。また第１電着層１１は残存するフォトレジスト膜
１４とともに、リードフレーム１の搬送や保管時の変形
防止、表面保護、支持の役割を持つ保持部材として利用
できる。リードフレーム１の搬送や保管後は、実際の半
導体チップとの組み付け工程時に第１電着層１１のみ剥
離すればよい。
の第１電着層１１とリードフレーム１となる第２電着層
１５とを一体に積層した状態のままでこれを母型１０か
ら剥がすことにより、フォトレジスト膜１４を付けたま
ま第２電着層１５をこれに変形を加えることなく剥離で
きる。また第１電着層１１は残存するフォトレジスト膜
１４とともに、リードフレーム１の搬送や保管時の変形
防止、表面保護、支持の役割を持つ保持部材として利用
できる。リードフレーム１の搬送や保管後は、実際の半
導体チップとの組み付け工程時に第１電着層１１のみ剥
離すればよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明の半導体装置の電鋳製リードフレ
ームは、隣接するリードピン６・６どうし間に、電鋳時
のパターン形成に使用されるフォトレジスト膜１４をそ
のまま残存させて補強してあるので、搬送時、保管時に
おけるリードピン６の水平方向あるいは垂直方向への変
形、ピッチずれ、リードピン６・６どうしの接触を確実
に防止できるし、また半導体チップ側との結線工程作業
においてボンディング時の結線作業性に優れ、特に多ピ
ン化、ピッチ狭小化を図った高密度のリードフレームと
して顕著な効果を奏する。
ームは、隣接するリードピン６・６どうし間に、電鋳時
のパターン形成に使用されるフォトレジスト膜１４をそ
のまま残存させて補強してあるので、搬送時、保管時に
おけるリードピン６の水平方向あるいは垂直方向への変
形、ピッチずれ、リードピン６・６どうしの接触を確実
に防止できるし、また半導体チップ側との結線工程作業
においてボンディング時の結線作業性に優れ、特に多ピ
ン化、ピッチ狭小化を図った高密度のリードフレームと
して顕著な効果を奏する。
【００１２】電鋳時のパターン形成に使用されるフォト
レジスト膜１４をそのまま利用するので、電鋳後新たに
リードピン６・６どうし間にスペーサ用あるいは補強用
の手段を形成するために、例えば再度リードピン６・６
どうし間にフォトレジスト膜を形成したり、あるいはス
ペーサ用の樹脂を注入して硬化させたりするという工程
を追加する必要がなくなり、それだけ作業工程が極めて
簡略化できて有利である。
レジスト膜１４をそのまま利用するので、電鋳後新たに
リードピン６・６どうし間にスペーサ用あるいは補強用
の手段を形成するために、例えば再度リードピン６・６
どうし間にフォトレジスト膜を形成したり、あるいはス
ペーサ用の樹脂を注入して硬化させたりするという工程
を追加する必要がなくなり、それだけ作業工程が極めて
簡略化できて有利である。
【００１３】また、隣接するリードピン６・６どうし間
にフォトレジスト膜１４を残存させたまま半導体チップ
と結線し、ポッティングや樹脂等によりモールドすれ
ば、ポッティングやモールド時にリードピン６・６どう
し間に樹脂の流れ込み不足等による隙間が生ずるような
ことがなく、気密状態で封止することができて湿気の侵
入を遮断し、半導体装置の湿気による腐食、損傷を防止
できる。
にフォトレジスト膜１４を残存させたまま半導体チップ
と結線し、ポッティングや樹脂等によりモールドすれ
ば、ポッティングやモールド時にリードピン６・６どう
し間に樹脂の流れ込み不足等による隙間が生ずるような
ことがなく、気密状態で封止することができて湿気の侵
入を遮断し、半導体装置の湿気による腐食、損傷を防止
できる。
【００１４】リードピン６・６どうし間のフォトレジス
ト膜１４を部分的に溶解除去すれば、このリードピン６
のフォトレジスト膜１４の除去された部分を実装形態に
応じて所定形状に曲げることができ、また適度の弾性を
付与できて結線し易くなる。この場合、フォトレジスト
膜１４をポジタイプのフォトレジストで形成することに
より露光およびアルカリ溶液による溶解により簡易にそ
のフォトレジスト膜１４の任意の位置を除去できる。
ト膜１４を部分的に溶解除去すれば、このリードピン６
のフォトレジスト膜１４の除去された部分を実装形態に
応じて所定形状に曲げることができ、また適度の弾性を
付与できて結線し易くなる。この場合、フォトレジスト
膜１４をポジタイプのフォトレジストで形成することに
より露光およびアルカリ溶液による溶解により簡易にそ
のフォトレジスト膜１４の任意の位置を除去できる。
【００１５】電鋳に際し、予め母型１０の表面に補強板
となる第１電着層１１を形成し、この第１電着層１１の
表面にフォトレジスト膜１４を形成して電鋳すると、母
型１０からリードフレーム１となる第２電着層１５を変
形させることなく剥がすことができ、しかも残存させた
フォトレジスト膜１４とともに搬送時、保管時における
リードピン６の変形を確実に防止できて有利である。ま
た第１電着層１１と第２電着層１５との間で剥離処理を
施しておけば、搬送、保管後、実際の半導体チップとの
組み付け工程時に第１電着層１１のみを簡単に剥離する
ことができる。
となる第１電着層１１を形成し、この第１電着層１１の
表面にフォトレジスト膜１４を形成して電鋳すると、母
型１０からリードフレーム１となる第２電着層１５を変
形させることなく剥がすことができ、しかも残存させた
フォトレジスト膜１４とともに搬送時、保管時における
リードピン６の変形を確実に防止できて有利である。ま
た第１電着層１１と第２電着層１５との間で剥離処理を
施しておけば、搬送、保管後、実際の半導体チップとの
組み付け工程時に第１電着層１１のみを簡単に剥離する
ことができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明に係る半導体装置の電鋳製リー
ドフレームの一例を示す。このリードフレーム１はその
中央にダイパッド２が形成されるとともに、この周囲に
タブリード３と、インナーリード４およびアウターリー
ド５からなる多数本のリードピン６が形成されている。
外枠７にはボンディング装置の順送り機構にセッティン
グされるためのセッティング孔８が送り方向に所定ピッ
チで形成されている。隣接するリードピン６・６どうし
間には、後述する電鋳時に使用するパターン形成用のフ
ォトレジスト膜１４をそのまま残存させてある（点描で
示す箇所）。フォトレジスト膜１４は、実装形態などに
応じて図１に示すごとく全面に残存させるか、インナー
リード４の領域のみあるいは図２に示すごとくインナー
リード４の領域に部分的に残存させる。
ドフレームの一例を示す。このリードフレーム１はその
中央にダイパッド２が形成されるとともに、この周囲に
タブリード３と、インナーリード４およびアウターリー
ド５からなる多数本のリードピン６が形成されている。
外枠７にはボンディング装置の順送り機構にセッティン
グされるためのセッティング孔８が送り方向に所定ピッ
チで形成されている。隣接するリードピン６・６どうし
間には、後述する電鋳時に使用するパターン形成用のフ
ォトレジスト膜１４をそのまま残存させてある（点描で
示す箇所）。フォトレジスト膜１４は、実装形態などに
応じて図１に示すごとく全面に残存させるか、インナー
リード４の領域のみあるいは図２に示すごとくインナー
リード４の領域に部分的に残存させる。
【００１７】（実施例１）図３の（Ａ）ないし（Ｇ）は
上記リードフレームの電鋳工程図を示す。まず、図３の
（Ａ）のように、ＳＵＳ３０４などの材料からなる母型
１０の表面に、ネガタイプのフォトレジスト１２を均一
に塗布して乾燥する。フォトレジスト１２としては、例
えば、アルカリ現像タイプのドライレジストや溶剤現像
タイプのドライレジストを用い、とくにアルカリ現像タ
イプのドライレジストが作業性の点から好ましい。更に
耐熱性が要求される場合には感光性ポリイミド樹脂の使
用も考えられる。ついで、そのレジスト１２の上に同図
の（Ｂ）に示すごとく、リードフレーム１のパターンに
対応するネガタイプのフイルム１３を密着させ、焼き付
け、現像、乾燥の各処理を行って、同図の（Ｃ）に示す
ごとくリードフレーム１のパターンに対応するフォトレ
ジスト膜１４を形成する。
上記リードフレームの電鋳工程図を示す。まず、図３の
（Ａ）のように、ＳＵＳ３０４などの材料からなる母型
１０の表面に、ネガタイプのフォトレジスト１２を均一
に塗布して乾燥する。フォトレジスト１２としては、例
えば、アルカリ現像タイプのドライレジストや溶剤現像
タイプのドライレジストを用い、とくにアルカリ現像タ
イプのドライレジストが作業性の点から好ましい。更に
耐熱性が要求される場合には感光性ポリイミド樹脂の使
用も考えられる。ついで、そのレジスト１２の上に同図
の（Ｂ）に示すごとく、リードフレーム１のパターンに
対応するネガタイプのフイルム１３を密着させ、焼き付
け、現像、乾燥の各処理を行って、同図の（Ｃ）に示す
ごとくリードフレーム１のパターンに対応するフォトレ
ジスト膜１４を形成する。
【００１８】ついで、このフォトレジスト膜１４が形成
された母型１０を、スルファミン酸ニッケル浴または硫
酸銅浴に移して電鋳を行う。この場合のスルファミン酸
ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ３００〜６００ｇ／ｌ ホウ酸 ２０〜４０ｇ／ｌ ｐＨ 4.０〜4.５ 浴温 ４０〜５０℃ 電流密度 0.５〜５Ａ／ｄｍ2
された母型１０を、スルファミン酸ニッケル浴または硫
酸銅浴に移して電鋳を行う。この場合のスルファミン酸
ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ３００〜６００ｇ／ｌ ホウ酸 ２０〜４０ｇ／ｌ ｐＨ 4.０〜4.５ 浴温 ４０〜５０℃ 電流密度 0.５〜５Ａ／ｄｍ2
【００１９】硫酸銅浴の組成とメッキ条件を次に示す。
硫酸銅 ２２０〜２６０ｇ／ｌ
硫酸 ６０〜７５ｇ／ｌ
浴温 ２５〜３０℃
電流密度 ２〜５Ａ／ｄｍ2
【００２０】上記のスルファミン酸ニッケル浴または硫
酸銅浴にて電鋳を行うことにより、同図の（Ｄ）に示す
ごとく母型１０のフォトレジスト膜１４で覆われていな
い表面に、電着層１５を形成する。この電着層１５がリ
ードフレーム１となる。この厚みは８０〜１５０μ程度
とする。
酸銅浴にて電鋳を行うことにより、同図の（Ｄ）に示す
ごとく母型１０のフォトレジスト膜１４で覆われていな
い表面に、電着層１５を形成する。この電着層１５がリ
ードフレーム１となる。この厚みは８０〜１５０μ程度
とする。
【００２１】最後に、同図の（Ｅ）に示すごとく母型１
０から電着層１５をフォトレジスト膜１４ごと剥離す
る。フォトレジスト膜１４を付けたまま剥離するため、
狭小なリードピッチである場合もフォトレジスト膜１４
によるスペーサ効果によりその変形やピッチずれが加え
られることなく剥がすことができる。これにより図１に
示すごとき全面にフォトレジスト膜１４を残存させたリ
ードフレーム電鋳製品が得られる。
０から電着層１５をフォトレジスト膜１４ごと剥離す
る。フォトレジスト膜１４を付けたまま剥離するため、
狭小なリードピッチである場合もフォトレジスト膜１４
によるスペーサ効果によりその変形やピッチずれが加え
られることなく剥がすことができる。これにより図１に
示すごとき全面にフォトレジスト膜１４を残存させたリ
ードフレーム電鋳製品が得られる。
【００２２】（実施例２）図４の（Ａ）ないし（Ｇ）は
他の実施例の電鋳工程図を示す。上記電鋳工程では母型
１０の表面に直接フォトレジスト膜１４を形成したが、
この実施例では、予め母型１０の表面に補強板となる第
１電着層１１を形成し、この第１電着層１１の表面にフ
ォトレジスト膜１４を形成する点が大きく異なる。ま
ず、母型１０を常套手段で表面研摩して活性化を図る。
ついで、その母型１０（３００〜５００μ厚）をスルフ
ァミン酸ニッケル浴の電解液に浸漬して電鋳を行う。こ
のスルファミン酸ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に
示す。 スルファミン酸ニッケル ３００〜６００ｇ／ｌ ホウ酸 ２０〜４０ｇ／ｌ ピット防止剤 0.１〜1.０ｇ／ｌ Ｎ．Ｔ．Ｓ（第１種光沢剤） １〜５ｇ／ｌ ブチンジオール（第２種光沢剤）0.０１〜0.１ｇ／ｌ ｐＨ ４〜4.５ 浴温 ４０〜５０℃ 電流密度 0.５〜５Ａ／ｄｍ2 以上の浴にて電鋳を行うことにより、図４の（Ａ）に示
すように、母型１０の表面に、補強板となる第１電着層
１１を形成する。この第１電着層１１の厚みは後述する
リードフレーム１となる第２電着層１５の厚みよりも薄
く、例えば、第２電着層１５の厚みを８０〜１５０μ程
度にする場合、第１電着層１１の厚みは１０〜３０μ厚
程度にする。
他の実施例の電鋳工程図を示す。上記電鋳工程では母型
１０の表面に直接フォトレジスト膜１４を形成したが、
この実施例では、予め母型１０の表面に補強板となる第
１電着層１１を形成し、この第１電着層１１の表面にフ
ォトレジスト膜１４を形成する点が大きく異なる。ま
ず、母型１０を常套手段で表面研摩して活性化を図る。
ついで、その母型１０（３００〜５００μ厚）をスルフ
ァミン酸ニッケル浴の電解液に浸漬して電鋳を行う。こ
のスルファミン酸ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に
示す。 スルファミン酸ニッケル ３００〜６００ｇ／ｌ ホウ酸 ２０〜４０ｇ／ｌ ピット防止剤 0.１〜1.０ｇ／ｌ Ｎ．Ｔ．Ｓ（第１種光沢剤） １〜５ｇ／ｌ ブチンジオール（第２種光沢剤）0.０１〜0.１ｇ／ｌ ｐＨ ４〜4.５ 浴温 ４０〜５０℃ 電流密度 0.５〜５Ａ／ｄｍ2 以上の浴にて電鋳を行うことにより、図４の（Ａ）に示
すように、母型１０の表面に、補強板となる第１電着層
１１を形成する。この第１電着層１１の厚みは後述する
リードフレーム１となる第２電着層１５の厚みよりも薄
く、例えば、第２電着層１５の厚みを８０〜１５０μ程
度にする場合、第１電着層１１の厚みは１０〜３０μ厚
程度にする。
【００２３】ついで、この第１電着層１１を付けた母型
１０を上記浴より引き上げ、同図の（Ｂ）に示すごとく
第１電着層１１の表面に、ネガタイプのフォトレジスト
１２を均一に塗布して乾燥する。ついで、そのレジスト
１２の上に同図の（Ｃ）に示すごとく上記リードフレー
ム１のパターンに対応するネガタイプフイルム１３を密
着させ、焼き付け、現像、乾燥の各処理を行って、同図
の（Ｄ）に示すごとくリードフレーム１のパターンに対
応するフォトレジスト膜１４を形成する。
１０を上記浴より引き上げ、同図の（Ｂ）に示すごとく
第１電着層１１の表面に、ネガタイプのフォトレジスト
１２を均一に塗布して乾燥する。ついで、そのレジスト
１２の上に同図の（Ｃ）に示すごとく上記リードフレー
ム１のパターンに対応するネガタイプフイルム１３を密
着させ、焼き付け、現像、乾燥の各処理を行って、同図
の（Ｄ）に示すごとくリードフレーム１のパターンに対
応するフォトレジスト膜１４を形成する。
【００２４】ついで、このフォトレジスト膜１４が形成
された母型１０を、別のスルファミン酸ニッケル浴また
は硫酸銅浴に移して電鋳を行う。この場合のスルファミ
ン酸ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ３００〜６００ｇ／ｌ ホウ酸 ２０〜４０ｇ／ｌ ｐＨ ４〜4.５ 浴温 ４０〜５０℃ 電流密度 0.５〜５Ａ／ｄｍ2
された母型１０を、別のスルファミン酸ニッケル浴また
は硫酸銅浴に移して電鋳を行う。この場合のスルファミ
ン酸ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ３００〜６００ｇ／ｌ ホウ酸 ２０〜４０ｇ／ｌ ｐＨ ４〜4.５ 浴温 ４０〜５０℃ 電流密度 0.５〜５Ａ／ｄｍ2
【００２５】硫酸銅浴の組成とメッキ条件を次に示す。
硫酸銅 ２２０〜２６０ｇ／ｌ
硫酸 ６０〜７５ｇ／ｌ
浴温 ２５〜３０℃
電流密度 ２〜５Ａ／ｄｍ2
【００２６】上記のスルファミン酸ニッケル浴または硫
酸銅浴にて電鋳を行うことにより、同図の（Ｅ）に示す
ごとく補強板となる第１電着層１１のフォトレジスト膜
１４で覆われていない表面に、第２電着層１５を剥離可
能に形成する。この第２電着層１５がリードフレーム１
となる。この厚みは８０〜１５０μ程度とする。
酸銅浴にて電鋳を行うことにより、同図の（Ｅ）に示す
ごとく補強板となる第１電着層１１のフォトレジスト膜
１４で覆われていない表面に、第２電着層１５を剥離可
能に形成する。この第２電着層１５がリードフレーム１
となる。この厚みは８０〜１５０μ程度とする。
【００２７】この第２電着層１５の電鋳後、同図の
（Ｆ）に示すごとく母型１０から第２電着層１５をフォ
トレジスト膜１４を付けたまま、第１電着層１１ごと剥
離する。かくしてリードフレーム電鋳製品が得られる。
リードフレーム１となる第２電着層１５をフォトレジス
ト膜１４を付けたまま、しかも補強板となる第１電着層
１１と一体層にしたまま剥離するため、リードフレーム
１となる第２電着層１５は第１電着層１１に密着した状
態で保護され、変形が加えられることなく剥がすことが
できる。また、補強板となる第１電着層１１はリードフ
レームとなる第２電着層１５の搬送や保管時の保持部材
としても利用できて便利である。
（Ｆ）に示すごとく母型１０から第２電着層１５をフォ
トレジスト膜１４を付けたまま、第１電着層１１ごと剥
離する。かくしてリードフレーム電鋳製品が得られる。
リードフレーム１となる第２電着層１５をフォトレジス
ト膜１４を付けたまま、しかも補強板となる第１電着層
１１と一体層にしたまま剥離するため、リードフレーム
１となる第２電着層１５は第１電着層１１に密着した状
態で保護され、変形が加えられることなく剥がすことが
できる。また、補強板となる第１電着層１１はリードフ
レームとなる第２電着層１５の搬送や保管時の保持部材
としても利用できて便利である。
【００２８】補強板たる第１電着層１１は、リードフレ
ーム１の実装前または実装後に、同図の（Ｇ）に示すご
とく剥離する。例えば、半導体装置とのボンディング後
にその補強板たる第１電着層１１をリードフレーム１た
る第２電着層１５から剥離し、この後モールドする。こ
の補強板たる第１電着層１１の剥離に際しては、第１電
着層１１は第２電着層１５よりもきわめて薄いため、第
２電着層１５に対し鋭角に曲げて剥がすことができ、第
２電着層１５の、特にリードピン６部分にも機械的な力
が加わりにくく、その変形防止に有利である。しかも第
２電着層１５はフォトレジスト膜１４を付けたままであ
るため、これ又その変形防止上有利である。
ーム１の実装前または実装後に、同図の（Ｇ）に示すご
とく剥離する。例えば、半導体装置とのボンディング後
にその補強板たる第１電着層１１をリードフレーム１た
る第２電着層１５から剥離し、この後モールドする。こ
の補強板たる第１電着層１１の剥離に際しては、第１電
着層１１は第２電着層１５よりもきわめて薄いため、第
２電着層１５に対し鋭角に曲げて剥がすことができ、第
２電着層１５の、特にリードピン６部分にも機械的な力
が加わりにくく、その変形防止に有利である。しかも第
２電着層１５はフォトレジスト膜１４を付けたままであ
るため、これ又その変形防止上有利である。
【００２９】（実施例３）上記実施例１および実施例２
ではフォトレジストとしてネガタイプのものを使用した
が、これに代えてポジタイプのものを使用することがで
きる。図５の（Ａ）ないし（Ｇ）にポジタイプのフォト
レジストを用いての電鋳工程図を示す。まず、図５の
（Ａ）のように母型１０の表面に、ポジタイプのフォト
レジスト１２を均一に塗布して乾燥する。ついで、同図
の（Ｂ）のようにそのレジスト１２の上にリードフレー
ム１のパターンに対応するポジタイプのフィルム１３を
密着させ、焼き付け、現像、乾燥の各処理を行って、同
図の（Ｃ）のようにリードフレーム１のパターンに対応
するフォトレジスト膜１４を形成する。ついで、このフ
ォトレジスト膜１４が形成された母型１０をスルファミ
ン酸ニッケル浴などに移して電鋳を行う。この電鋳によ
り同図の（Ｄ）に示すごとく母型１０のフォトレジスト
膜１４で覆われていない表面に、リードフレーム１とな
る電着層１５を形成する。ついで同図の（Ｅ）に示すご
とく母型１０から電着層１５をフォトレジスト膜１４ご
と剥離する。ついで、同図の（Ｆ）に示すごとくフォト
レジスト膜１４の残存させたい箇所のみにマスキング１
７を施して、除去したい箇所のみを露光する。最後にそ
の露光部分のみをアルカリ溶液に浸漬することにより同
図の（Ｇ）のようにその部分的除去が簡易に行える。こ
のようにリードフレーム１のフォトレジスト膜１４が部
分的に除去されたリードピン６は適度な弾性を付与で
き、また実装形態に応じて所定の形状に曲げることがで
きてボンディングし易くなる。
ではフォトレジストとしてネガタイプのものを使用した
が、これに代えてポジタイプのものを使用することがで
きる。図５の（Ａ）ないし（Ｇ）にポジタイプのフォト
レジストを用いての電鋳工程図を示す。まず、図５の
（Ａ）のように母型１０の表面に、ポジタイプのフォト
レジスト１２を均一に塗布して乾燥する。ついで、同図
の（Ｂ）のようにそのレジスト１２の上にリードフレー
ム１のパターンに対応するポジタイプのフィルム１３を
密着させ、焼き付け、現像、乾燥の各処理を行って、同
図の（Ｃ）のようにリードフレーム１のパターンに対応
するフォトレジスト膜１４を形成する。ついで、このフ
ォトレジスト膜１４が形成された母型１０をスルファミ
ン酸ニッケル浴などに移して電鋳を行う。この電鋳によ
り同図の（Ｄ）に示すごとく母型１０のフォトレジスト
膜１４で覆われていない表面に、リードフレーム１とな
る電着層１５を形成する。ついで同図の（Ｅ）に示すご
とく母型１０から電着層１５をフォトレジスト膜１４ご
と剥離する。ついで、同図の（Ｆ）に示すごとくフォト
レジスト膜１４の残存させたい箇所のみにマスキング１
７を施して、除去したい箇所のみを露光する。最後にそ
の露光部分のみをアルカリ溶液に浸漬することにより同
図の（Ｇ）のようにその部分的除去が簡易に行える。こ
のようにリードフレーム１のフォトレジスト膜１４が部
分的に除去されたリードピン６は適度な弾性を付与で
き、また実装形態に応じて所定の形状に曲げることがで
きてボンディングし易くなる。
【００３０】リードピン６・６どうし間のフォトレジス
ト膜１４を部分的に除去する、他の方法としては、その
フォトレジスト膜１４がネガタイプのフォトレジストか
らなる場合レーザーなどで除去することができる。この
場合、リードフレーム電鋳製品がレーザーの熱の影響を
受けることのないように、光沢剤（イオウなど）の含有
率を下げたもので電鋳しておくことが望ましい。
ト膜１４を部分的に除去する、他の方法としては、その
フォトレジスト膜１４がネガタイプのフォトレジストか
らなる場合レーザーなどで除去することができる。この
場合、リードフレーム電鋳製品がレーザーの熱の影響を
受けることのないように、光沢剤（イオウなど）の含有
率を下げたもので電鋳しておくことが望ましい。
【００３１】（実施例４）実施例１または実施例３で得
られるリードフレーム１となる電着層１５が母型１０か
ら剥離される前に、その電着層１５の母型１０とは反対
側の面に、紫外線硬化性樹脂塗料などの液状レジストを
裏塗りして硬化させるか、あるいはポリイミドフィルム
やドライレジストを裏張りするなどして、図６に示すよ
うな裏打材１６を剥離可能に形成する。この裏打材１６
は、実施例２の補強板となる第１電着層１１により得ら
れる機能ほどでもないが、電着層１５の母型１０からの
剥離時や搬送、保管時のリードピン６の変形を防止する
うえで効果的である。この裏打材１６は、リードフレー
ム１の実装前又は実装後に剥離する。
られるリードフレーム１となる電着層１５が母型１０か
ら剥離される前に、その電着層１５の母型１０とは反対
側の面に、紫外線硬化性樹脂塗料などの液状レジストを
裏塗りして硬化させるか、あるいはポリイミドフィルム
やドライレジストを裏張りするなどして、図６に示すよ
うな裏打材１６を剥離可能に形成する。この裏打材１６
は、実施例２の補強板となる第１電着層１１により得ら
れる機能ほどでもないが、電着層１５の母型１０からの
剥離時や搬送、保管時のリードピン６の変形を防止する
うえで効果的である。この裏打材１６は、リードフレー
ム１の実装前又は実装後に剥離する。
【００３２】本発明では、図７の（Ａ）に示すように残
存のフォトレジスト膜１４でリードピン６・６どうしを
保持し、このリードピン６に対し半導体チップ１８の一
面に配列した接続部１９をバンプ等を介して直接、同図
の（Ｂ）のように接続するエリア・アレイ方式にも適用
できる。
存のフォトレジスト膜１４でリードピン６・６どうしを
保持し、このリードピン６に対し半導体チップ１８の一
面に配列した接続部１９をバンプ等を介して直接、同図
の（Ｂ）のように接続するエリア・アレイ方式にも適用
できる。
【００３３】通常、リードフレーム１は半導体チップと
の結線後、リードピン６・６どうしの電気的導通から解
放するためにリードピン６・６どうしをつなぐ接続部２
０（図１参照）やダイパッド２を保持するタブリード３
（同図参照）はプレス等により切り離すが、本発明のよ
うにフォトレジスト膜１４を残存させておくものにおい
ては、フォトレジスト膜１４自体でリードピン６・６ど
うしの保持やダイパッド２の保持が行えるので、前記接
続部２０やタブリード３を省略してプレス等による切り
離し工程を無くすることもできる。
の結線後、リードピン６・６どうしの電気的導通から解
放するためにリードピン６・６どうしをつなぐ接続部２
０（図１参照）やダイパッド２を保持するタブリード３
（同図参照）はプレス等により切り離すが、本発明のよ
うにフォトレジスト膜１４を残存させておくものにおい
ては、フォトレジスト膜１４自体でリードピン６・６ど
うしの保持やダイパッド２の保持が行えるので、前記接
続部２０やタブリード３を省略してプレス等による切り
離し工程を無くすることもできる。
【図１】リードフレームの平面図である。
【図２】リードフレームの他例を示す平面図である。
【図３】リードフレームの電鋳工程図である。
【図４】他の実施例を示すリードフレームの電鋳工程図
である。
である。
【図５】更に、他の実施例を示すリードフレームの電鋳
工程図である。
工程図である。
【図６】更に又、他の実施例を示すリードフレームとな
る電着層の断面図である。
る電着層の断面図である。
【図７】更に又、他の実施例を示し、（Ａ）はリードピ
ンおよび半導体チップの平面図、（Ｂ）はリードピンに
対する半導体チップの直接接続状態を示す正面図であ
る。
ンおよび半導体チップの平面図、（Ｂ）はリードピンに
対する半導体チップの直接接続状態を示す正面図であ
る。
【図８】従来例のリードフレームの平面図である。
１ リードフレーム
６ リードピン
１０ 母型
１１ 第１電着層
１４ フォトレジスト膜
１５ 第２電着層
フロントページの続き
(72)発明者 入佐 正育
福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地
九州日立マクセル株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−267546（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−267552（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/50
C25D 1/00
Claims (6)
- 【請求項１】 多数のリードピン６を狭小ピッチで並設
する半導体装置の電鋳製リードフレームを電鋳するに際
し、 母型１０の表面に、リードフレーム１のパターンに対応
するフォトレジスト膜１４を形成する工程と、 母型１０のフォトレジスト膜１４で覆われていない表面
に、リードフレーム１となる電着層１５を形成する工程
と、 電着層１５をフォトレジスト膜１４を付けたまま母型１
０から剥離する工程とからなる 半導体装置の電鋳製リー
ドフレームの製造方法。 - 【請求項２】 多数のリードピン６を狭小ピッチで並設
する半導体装置の電鋳製リードフレームを電鋳するに際
し、 母型１０の表面に、リードフレーム１のパターンに対応
するフォトレジスト膜１４を形成する工程と、 母型１０のフォトレジスト膜１４で覆われていない表面
に、リードフレーム１となる電着層１５を形成する工程
と、 電着層１５をフォトレジスト膜１４を付けたまま母型１
０から剥離する工程と、 フォトレジスト膜１４を部分的に溶解除去する工程とか
らなる 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 フォトレジスト膜１４をポジタイプのフ
ォトレジストで形成する請求項２記載の半導体装置の電
鋳製リードフレームの製造方法。 - 【請求項４】 フォトレジスト膜１４を部分的に露光
し、この露光部分を溶解除去する請求項３記載の半導体
装置の電鋳製リードフレームの製造方法。 - 【請求項５】 多数のリードピン６を狭小ピッチで並設
する半導体装置の電鋳製リードフレームを電鋳するに際
し、 母型１０の表面に、補強板となる第１電着層１１を電着
形成する工程と、 第１電着層１１の表面に、リードフレーム１のパターン
に対応するフォトレジスト膜１４を形成する工程と、 第１電着層１１のフォトレジスト膜１４で覆われていな
い表面に、リードフレ ーム１となる第２電着層１５を剥
離可能に形成する工程と、 第２電着層１５を第１電着層１１およびフォトレジスト
膜１４を付けたまま母型１０から剥離する工程とからな
る 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法。 - 【請求項６】 多数のリードピン６を狭小ピッチで並設
する半導体装置の電鋳製リードフレームを電鋳するに際
し、 母型１０の表面に、補強板となる第１電着層１１を電着
形成する工程と、 第１電着層１１の表面に、リードフレーム１のパターン
に対応するフォトレジスト膜１４を形成する工程と、 第１電着層１１のフォトレジスト膜１４で覆われていな
い表面に、リードフレーム１となる第２電着層１５を剥
離可能に形成する工程と、 第２電着層１５を第１電着層１１およびフォトレジスト
膜１４を付けたまま母型１０から剥離する工程と、 フォトレジスト膜１４を部分的に溶解除去する工程とか
らなる、 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13637394A JP3380975B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13637394A JP3380975B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321272A JPH07321272A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3380975B2 true JP3380975B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=15173652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13637394A Expired - Fee Related JP3380975B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3380975B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5565806B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-08-06 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びリードフレーム群、並びにそれらの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP13637394A patent/JP3380975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07321272A (ja) | 1995-12-08 |
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