JP3289081B2 - 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の電鋳製リー
ドフレームの製造方法に関する。
ドフレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置のリード
フレームを電鋳で製造する技術は、たとえば、特開平３
−１６３８５７号公報で公知であり、そこでは、図２の
ようなチップ載置部４の周囲に多数本のリードピン６を
有する形のリードフレーム１を、図３の（Ａ）に示すよ
うに電鋳母型１０の表面に電鋳した後、同図の（Ｂ）に
示すようにリードフレーム１を電鋳母型１０から剥離す
るようになっている。
フレームを電鋳で製造する技術は、たとえば、特開平３
−１６３８５７号公報で公知であり、そこでは、図２の
ようなチップ載置部４の周囲に多数本のリードピン６を
有する形のリードフレーム１を、図３の（Ａ）に示すよ
うに電鋳母型１０の表面に電鋳した後、同図の（Ｂ）に
示すようにリードフレーム１を電鋳母型１０から剥離す
るようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前出の従来
例ではリードフレーム１に相当する電着層１５は電鋳母
型１０の表面状態をそのまま写し取るため、その母型１
０の表面粗さがリードフレーム１の表面粗さとなる。し
かしながら、リードフレーム１の表面（電鋳母型側）の
仕上がり具合（面粗度）は各種要求に応じて種々異な
り、これに応じるべく電鋳母型１０の表面を研摩して面
粗度をある一定以下もしくはそれ以上に調整することを
要求される場合があるが、この面粗度の厳しい要求に応
えることは難しく、自ずと限界がある。
例ではリードフレーム１に相当する電着層１５は電鋳母
型１０の表面状態をそのまま写し取るため、その母型１
０の表面粗さがリードフレーム１の表面粗さとなる。し
かしながら、リードフレーム１の表面（電鋳母型側）の
仕上がり具合（面粗度）は各種要求に応じて種々異な
り、これに応じるべく電鋳母型１０の表面を研摩して面
粗度をある一定以下もしくはそれ以上に調整することを
要求される場合があるが、この面粗度の厳しい要求に応
えることは難しく、自ずと限界がある。
【０００４】また、リードフレーム１を電鋳母型１０か
ら剥がす時、微細ピッチのリードピンの変形を防止する
うえでリードフレーム１に対して電鋳母型１０側を変形
させて両者を剥離させることが好ましいが、電鋳製品面
であるリードフレーム１の厚さに対して電鋳母型１０の
厚さが厚い為、電鋳母型１０の変形時に機械的な力がー
ドフレーム１に加わってリードピン６を変形させやす
く、リードピン６・６間のピッチが狂ったり、リードピ
ン６の高さ方向にばらつきが生じて不良品が頻発しやす
い。リードピン６、特にインナーリード部分は片持ち状
態に形成されているため、電鋳母型１０を変形させて剥
がす方法においてもリードピン６の先端が変形しやす
い。特に、ＩＣおよびＬＳＩの高集積化に伴い多ピン
化、細ピッチ化を図った高精度のリードフレームにおい
ては、こうしたリードピン６の変形が顕著に生じやす
く、また僅かな変形でも致命的欠陥となってしまう。本
発明の目的は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置のリード
フレームの表面粗度の調整の容易化、並びにその剥離時
の変形防止を図る点にある。
ら剥がす時、微細ピッチのリードピンの変形を防止する
うえでリードフレーム１に対して電鋳母型１０側を変形
させて両者を剥離させることが好ましいが、電鋳製品面
であるリードフレーム１の厚さに対して電鋳母型１０の
厚さが厚い為、電鋳母型１０の変形時に機械的な力がー
ドフレーム１に加わってリードピン６を変形させやす
く、リードピン６・６間のピッチが狂ったり、リードピ
ン６の高さ方向にばらつきが生じて不良品が頻発しやす
い。リードピン６、特にインナーリード部分は片持ち状
態に形成されているため、電鋳母型１０を変形させて剥
がす方法においてもリードピン６の先端が変形しやす
い。特に、ＩＣおよびＬＳＩの高集積化に伴い多ピン
化、細ピッチ化を図った高精度のリードフレームにおい
ては、こうしたリードピン６の変形が顕著に生じやす
く、また僅かな変形でも致命的欠陥となってしまう。本
発明の目的は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置のリード
フレームの表面粗度の調整の容易化、並びにその剥離時
の変形防止を図る点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、電鋳母型１
０の表面に電鋳により第１電着層１１を形成する工程
と、第１電着層１１の表面に、ＩＣやＬＳＩなどの半導
体装置のリードフレーム１のパターンに対応するフォト
レジスト膜１４を形成する工程と、第１電着層１１のフ
ォトレジスト膜１４で覆われていない表面に、電鋳によ
り第２電着層１５を、第１電着層１１の厚みが第２電着
層１５の厚みよりも薄くなるようにして形成する工程
と、電鋳母型１０から第２電着層１５を第１電着層１１
ごと剥離する工程と、第２電着層１５から第１電着層１
１を剥離する工程とからなることを特徴とする。
０の表面に電鋳により第１電着層１１を形成する工程
と、第１電着層１１の表面に、ＩＣやＬＳＩなどの半導
体装置のリードフレーム１のパターンに対応するフォト
レジスト膜１４を形成する工程と、第１電着層１１のフ
ォトレジスト膜１４で覆われていない表面に、電鋳によ
り第２電着層１５を、第１電着層１１の厚みが第２電着
層１５の厚みよりも薄くなるようにして形成する工程
と、電鋳母型１０から第２電着層１５を第１電着層１１
ごと剥離する工程と、第２電着層１５から第１電着層１
１を剥離する工程とからなることを特徴とする。
【０００６】
【作用】第１電着層１１の面粗さは、該電着層形成用の
浴への光沢剤の添加量の増減あるいは無添加により、ま
たは電流密度を変える、という浴の組成状態を調整する
ことで自由にコントロールすることができ、従ってリー
ドフレーム１に相当する第２電着層１５の表面粗度の調
整が容易となる。第１電着層１１と第２電着層１５を一
体に積層した状態のままでこれを電鋳母型１０から剥が
すことにより、リードフレーム１に相当する第２電着層
１５の変形を無くすることができる。
浴への光沢剤の添加量の増減あるいは無添加により、ま
たは電流密度を変える、という浴の組成状態を調整する
ことで自由にコントロールすることができ、従ってリー
ドフレーム１に相当する第２電着層１５の表面粗度の調
整が容易となる。第１電着層１１と第２電着層１５を一
体に積層した状態のままでこれを電鋳母型１０から剥が
すことにより、リードフレーム１に相当する第２電着層
１５の変形を無くすることができる。
【０００７】
【実施例】図２は本発明の対象とする電鋳製ＩＣリード
フレームを多数連ねた状態で示しており、その一つのリ
ードフレーム１はリード足部領域２と、これを囲む形の
枠部領域３とからなり、リード足部領域２にはその中央
にチップ載置部４が形成されるとともに、この周囲に４
本のタブリード５と多数本（例えば、４００本）のイン
ナーリードおよびアウターリードからなるリードピン６
が形成されている。枠部領域３にはボンディング装置の
順送り機構にセッティングされるためのセッティング孔
７が送り方向に所定ピッチで形成されている。
フレームを多数連ねた状態で示しており、その一つのリ
ードフレーム１はリード足部領域２と、これを囲む形の
枠部領域３とからなり、リード足部領域２にはその中央
にチップ載置部４が形成されるとともに、この周囲に４
本のタブリード５と多数本（例えば、４００本）のイン
ナーリードおよびアウターリードからなるリードピン６
が形成されている。枠部領域３にはボンディング装置の
順送り機構にセッティングされるためのセッティング孔
７が送り方向に所定ピッチで形成されている。
【０００８】つぎに、このようなリードフレームの電鋳
法の一例を図１の（Ａ）ないし（Ｇ）に基づき説明す
る。まず、電鋳母型１０を常套手段で表面研摩して活性
化を図る。ついで、その電鋳母型１０（３００〜５００
μ厚）をスルファミン酸ニッケル浴の電解液に浸漬して
電鋳を行う。このスルファミン酸ニッケル浴の組成とメ
ッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ４００〜５００ｇ／ｌ ホウ酸 ２５〜３５ｇ／ｌ ピット防止剤 0.４ｇ／ｌ Ｎ．Ｔ．Ｓ（第１種光沢剤） 0.１ｇ／ｌ ブチンジオール（第２種光沢剤） 0.０１ｇ／ｌ以
上 ｐＨ 4.５〜5.０ 浴温 ５０℃ 電流密度 ２〜５Ａ／ｄｍ2 以上の浴にて電鋳を行うことにより、図１の（Ａ）に示
すように、電鋳母型１０の表面に第１電着層１１を形成
する。この第１電着層１１の厚みは後述するリードフレ
ーム１に相当する第２電着層１５の厚みよりも薄く、例
えば、第２電着層１５の厚みを１００〜１５０μ程度に
する場合、第１電着層１１の厚みは１０〜３０μ厚程度
にする。このように光沢ニッケル浴で形成された第１電
着層１１の表面は電鋳母型１０の表面以上の光沢を出す
ことができた。
法の一例を図１の（Ａ）ないし（Ｇ）に基づき説明す
る。まず、電鋳母型１０を常套手段で表面研摩して活性
化を図る。ついで、その電鋳母型１０（３００〜５００
μ厚）をスルファミン酸ニッケル浴の電解液に浸漬して
電鋳を行う。このスルファミン酸ニッケル浴の組成とメ
ッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ４００〜５００ｇ／ｌ ホウ酸 ２５〜３５ｇ／ｌ ピット防止剤 0.４ｇ／ｌ Ｎ．Ｔ．Ｓ（第１種光沢剤） 0.１ｇ／ｌ ブチンジオール（第２種光沢剤） 0.０１ｇ／ｌ以
上 ｐＨ 4.５〜5.０ 浴温 ５０℃ 電流密度 ２〜５Ａ／ｄｍ2 以上の浴にて電鋳を行うことにより、図１の（Ａ）に示
すように、電鋳母型１０の表面に第１電着層１１を形成
する。この第１電着層１１の厚みは後述するリードフレ
ーム１に相当する第２電着層１５の厚みよりも薄く、例
えば、第２電着層１５の厚みを１００〜１５０μ程度に
する場合、第１電着層１１の厚みは１０〜３０μ厚程度
にする。このように光沢ニッケル浴で形成された第１電
着層１１の表面は電鋳母型１０の表面以上の光沢を出す
ことができた。
【０００９】ついで、この第１電着層１１を付けた電鋳
母型１０を上記浴より引き上げ、同図の（Ｂ）に示すご
とく第１電着層１１の表面に、例えばネガタイプのフォ
トレジスト１２を均一に塗布して乾燥する。ついで、そ
のレジスト１２の上に同図の（Ｃ）に示すごとく上記リ
ードフレーム１のリード足部領域２および枠部領域３の
パターンに対応するネガタイプフイルム１３を密着さ
せ、焼き付け、現像、乾燥の各処理を行って、同図の
（Ｄ）に示すごとくリードフレーム１のパターンに対応
するフォトレジスト膜１４を形成する。勿論、上記フォ
トレジスト１２としては、ネガタイプのものに代えて、
ポジタイプのものであってもよい。
母型１０を上記浴より引き上げ、同図の（Ｂ）に示すご
とく第１電着層１１の表面に、例えばネガタイプのフォ
トレジスト１２を均一に塗布して乾燥する。ついで、そ
のレジスト１２の上に同図の（Ｃ）に示すごとく上記リ
ードフレーム１のリード足部領域２および枠部領域３の
パターンに対応するネガタイプフイルム１３を密着さ
せ、焼き付け、現像、乾燥の各処理を行って、同図の
（Ｄ）に示すごとくリードフレーム１のパターンに対応
するフォトレジスト膜１４を形成する。勿論、上記フォ
トレジスト１２としては、ネガタイプのものに代えて、
ポジタイプのものであってもよい。
【００１０】ついで、このフォトレジスト膜１４が形成
された電鋳母型１０を、別のスルファミン酸ニッケル浴
または硫酸銅浴に移して電鋳を行う。この場合のスルフ
ァミン酸ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ４００〜５００ｇ／ｌ ホウ酸 ２５〜３５ｇ／ｌ ｐＨ 4.５〜5.０ 浴温 ５０℃ 電流密度 １〜５Ａ／
ｄｍ2
された電鋳母型１０を、別のスルファミン酸ニッケル浴
または硫酸銅浴に移して電鋳を行う。この場合のスルフ
ァミン酸ニッケル浴の組成とメッキ条件を次に示す。 スルファミン酸ニッケル ４００〜５００ｇ／ｌ ホウ酸 ２５〜３５ｇ／ｌ ｐＨ 4.５〜5.０ 浴温 ５０℃ 電流密度 １〜５Ａ／
ｄｍ2
【００１１】硫酸銅浴の組成とメッキ条件を次に示す。 硫酸銅 ２００〜２５０ｇ／ｌ 硫酸 ３０〜１００ｇ／ｌ 浴温 ２０〜３０℃ 電流密度 １〜１０Ａ／ｄｍ2
【００１２】上記のスルファミン酸ニッケル浴または硫
酸銅浴にて電鋳を行うことにより、同図の（Ｅ）に示す
ごとく第１電着層１１のフォトレジスト膜１４で覆われ
ていない表面に、第２電着層１５を形成する。この第２
電着層１５がリードフレーム１に相当する。この厚みは
１００〜１５０μ程度とする。
酸銅浴にて電鋳を行うことにより、同図の（Ｅ）に示す
ごとく第１電着層１１のフォトレジスト膜１４で覆われ
ていない表面に、第２電着層１５を形成する。この第２
電着層１５がリードフレーム１に相当する。この厚みは
１００〜１５０μ程度とする。
【００１３】この第２電着層１５の電鋳後、フォトレジ
スト膜１４を除去し、同図の（Ｆ）に示すごとく電鋳母
型１０から第２電着層１５を第１電着層１１ごと剥離す
る。第２電着層１５を第１電着層１１と一体層にしたま
ま剥離するため、第２電着層１５たるリードフレーム
１、特にリードピン６は第１電着層１１に密着した状態
で保護され、変形が加えられることなく剥がすことがで
きた。
スト膜１４を除去し、同図の（Ｆ）に示すごとく電鋳母
型１０から第２電着層１５を第１電着層１１ごと剥離す
る。第２電着層１５を第１電着層１１と一体層にしたま
ま剥離するため、第２電着層１５たるリードフレーム
１、特にリードピン６は第１電着層１１に密着した状態
で保護され、変形が加えられることなく剥がすことがで
きた。
【００１４】最後に、同図の（Ｇ）に示すごとく第１電
着層１１を第２電着層１５に対し鋭角に曲げ変形させて
第２電着層１５から剥離する。この時は、第１電着層１
１は鋭角に曲げ変形させ、しかも第２電着層１５よりも
極端に薄いため、第２電着層１５、特にリードピン６部
分にも機械的な力が加わりにくく、その変形防止に有利
である。かくして、図２に示すごときリードフレーム電
鋳製品が得られる。
着層１１を第２電着層１５に対し鋭角に曲げ変形させて
第２電着層１５から剥離する。この時は、第１電着層１
１は鋭角に曲げ変形させ、しかも第２電着層１５よりも
極端に薄いため、第２電着層１５、特にリードピン６部
分にも機械的な力が加わりにくく、その変形防止に有利
である。かくして、図２に示すごときリードフレーム電
鋳製品が得られる。
【００１５】このようにして得られたリードフレーム１
の表面は、第１電着層１１の光沢表面と同様の光沢を出
すことができた。このリードフレーム１の表面の光沢度
合いは第１電着層１１を形成する光沢ニッケル浴へのブ
チンジオールあるいはその他の光沢剤の添加量を変化さ
せることにより種々変更できる。また、電流密度を変化
させることによってもリードフレーム１の表面のち密さ
を任意に変更できる。
の表面は、第１電着層１１の光沢表面と同様の光沢を出
すことができた。このリードフレーム１の表面の光沢度
合いは第１電着層１１を形成する光沢ニッケル浴へのブ
チンジオールあるいはその他の光沢剤の添加量を変化さ
せることにより種々変更できる。また、電流密度を変化
させることによってもリードフレーム１の表面のち密さ
を任意に変更できる。
【００１６】上記実施例において、図１の（Ｇ）の剥離
工程の後に、更に、電鋳製品たるリードフレーム１を表
面研摩し、その後リン酸液浴などで電解研摩してバリ取
りや電着応力を緩和することでリードフレーム１の厚み
の均一化を図る、という工程を加えることもできる。
工程の後に、更に、電鋳製品たるリードフレーム１を表
面研摩し、その後リン酸液浴などで電解研摩してバリ取
りや電着応力を緩和することでリードフレーム１の厚み
の均一化を図る、という工程を加えることもできる。
【００１７】上記実施例とは逆に、光沢剤を添加しない
無光沢ニッケル浴により第１電着層１１を形成すれば、
第２電着層１５の表面粗度が粗くなり、例えばＩＣチッ
プ等とのワイヤーボンディング時に接着強度を高める場
合に好適なものとなる。
無光沢ニッケル浴により第１電着層１１を形成すれば、
第２電着層１５の表面粗度が粗くなり、例えばＩＣチッ
プ等とのワイヤーボンディング時に接着強度を高める場
合に好適なものとなる。
【００１８】高い電流密度からの電着物たるリードフレ
ーム１は低い電流密度からのものよりも結晶がち密（光
沢面粗さが細かくなる）になってビッカース硬度が上が
る。このため、粘性を必要とするプレス加工を必要とす
るリードフレーム１を得る場合は電流密度を低めに設定
するか、浴組成を変えればよい。
ーム１は低い電流密度からのものよりも結晶がち密（光
沢面粗さが細かくなる）になってビッカース硬度が上が
る。このため、粘性を必要とするプレス加工を必要とす
るリードフレーム１を得る場合は電流密度を低めに設定
するか、浴組成を変えればよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、電鋳母型１０の表面研
摩に比べ、浴の組成状態を調整するだけで表面粗さを自
由に調整できる第１電着層１１の表面に、リードフレー
ム１に相当する第２電着層１５を剥離可能に形成するの
で、リードフレーム１の表面粗度は種々異なる各種要求
に応じて容易に調整することができる。しかも、電鋳母
型１０からリードフレーム１に相当する第２電着層１５
を変形させることなく剥がすこともでき、特に多ピン化
を図った高精度のリードフレーム１においてもその剥離
時の変形をよく防止できて有利である。
摩に比べ、浴の組成状態を調整するだけで表面粗さを自
由に調整できる第１電着層１１の表面に、リードフレー
ム１に相当する第２電着層１５を剥離可能に形成するの
で、リードフレーム１の表面粗度は種々異なる各種要求
に応じて容易に調整することができる。しかも、電鋳母
型１０からリードフレーム１に相当する第２電着層１５
を変形させることなく剥がすこともでき、特に多ピン化
を図った高精度のリードフレーム１においてもその剥離
時の変形をよく防止できて有利である。
【図１】リードフレームの電鋳工程図である。
【図２】連続状態のリードフレームの一部を切欠して示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】従来の電鋳法によるリードフレームの電鋳工
程、およびその剥離工程を示す断面図である。
程、およびその剥離工程を示す断面図である。
１ リードフレーム １０ 電鋳母型 １１ 第１電着層 １４ フォトレジスト膜 １５ 第２電着層
Claims (1)
- 【請求項１】 電鋳母型１０の表面に電鋳により第１電
着層１１を形成する工程と、 第１電着層１１の表面に、リードフレーム１のパターン
に対応するフォトレジスト膜１４を形成する工程と、 第１電着層１１のフォトレジスト膜１４で覆われていな
い表面に電鋳により第２電着層１５を、第１電着層１１
の厚みが第２電着層１５の厚みよりも薄くなるようにし
て形成する工程と、電鋳母型１０から第２電着層１５を第１電着層１１ごと
剥離する工程と、 第２電着層１５から第１電着層１１を剥離する工程とか
らなる、半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14283193A JP3289081B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14283193A JP3289081B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334083A JPH06334083A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3289081B2 true JP3289081B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=15324637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14283193A Expired - Fee Related JP3289081B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体装置の電鋳製リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289081B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7132298B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2022-09-06 | マクセル株式会社 | 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP14283193A patent/JP3289081B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH06334083A (ja) | 1994-12-02 |
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Legal Events
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