CN103887185A - 一种用于芯片封装的引线框架的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于芯片封装的引线框架技术领域，具体公开了一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，包括以下步骤：在一整块金属铜箔基体的上下表面各贴附一层干膜；通过曝光和显影去除所述金属铜箔基体上表面的部分干膜，以露出引线框架中需要蚀刻去除的金属铜箔部分；通过化学药水蚀刻去除上一步骤中露出的金属铜箔部分；再在金属铜箔基体上表面的干膜之上粘接一层基底材料；退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架。通过本发明方法可以获得精度更高和具有独立焊盘的引线框架，满足BGA类产品对于高精细度、多引脚、小节距等方面的需求。
Description
技术领域
本发明属于芯片封装的引线框架技术领域，具体涉及一种用于芯片封装的引线框架的制备方法。
背景技术
引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。随着封装密度提高，封装体积减小，引线密度（单位封装面积上的引线数）的快速增长，引线框架正向短，轻，薄，高精细度多引脚，小节距方向发展。
目前，引线框架的生产主要包括两种方法：第一种是冲压，将一整块金属板材通过冲压工艺形成，比如我国第201210564926.4号专利申请，该专利就是先取铜合金片材冲压，通过高速冲床，借助冲裁模具的凹凸模进行冲压形成引线框架；第二种就是蚀刻，将一整块金属板材通过化学蚀刻的方式，得到最终的金属引线框。这些加工方法得到的引线框，根本无法实现独立焊盘，所谓的独立焊盘就是相互独立没有电气连接的焊盘结构，如图1中的102。如图1所示，引线框架的各个部分需要连接筋103连接，如果要得到独立焊盘101，就需要在完成封装后进行二次蚀刻，去除连接筋103之后才能断开连接得到真正的独立焊盘101。
上述方式已经无法满足BGA类产品的封装要求，因为上述工艺不仅精度不高，而且在封装后再进行二次蚀刻有可能伤害BGA类产品。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，通过该方法可以制备具有独立焊盘的引线框架，而且其制备精度更高可以满足BGA类产品的封装要求。
为了实现上述发明目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，包括以下步骤：
在一整块金属铜箔基体的上下表面各贴附一层干膜；
通过曝光和显影去除所述金属铜箔基体上表面的部分干膜，以露出引线框架中需要蚀刻去除的金属铜箔部分；
通过化学药水蚀刻去除上一步骤中露出的金属铜箔部分；
再在金属铜箔基体上表面的干膜之上粘接一层基底材料；
退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架。
进一步的，在退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架后还包括以下步骤：对露出的引线框架进行表面处理。
进一步的，所述表面处理包括对铜面进行的抗氧化、化学纯锡、电镀纯锡、电镀镍金、化学镍金、化学镍钯金中的一种或多种处理。
进一步的，所述基底材料为聚酰亚胺（PI），涤纶树脂（PET），液晶聚合物（LCP），聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN），聚四氟乙烯（PTFE）系薄膜，FR-1，FR-2，FR-4，陶瓷，钢片中的任意一种或多种。
进一步的，所述干膜的厚度为20～100微米。
进一步的，所述再在金属铜箔基体上表面的干膜之上粘接一层基底材料步骤中，粘接基底材料所使用的层间胶的厚度为10～100微米。
进一步的，所述基底材料的厚度为10～200微米。
进一步的，所述金属铜箔基体的厚度为6～70微米。
由于本发明采用精度可以更容易控制的曝光、显影、蚀刻一整套完整的工序，从而最终提高了引线框架的制作精度，进而可以根据BGA的需要制作出相应的高精度、多引脚、小间距的引线框架。不仅如此，本实施例一次加工即可获得了独立焊盘，在方便后续芯片封装工艺的同时，可以避免芯片封装完成后二次蚀刻对芯片带来的伤害，从而间接提高产品质量。
因此，通过本发明方法可以获得精度更高和具有独立焊盘的引线框架，满足BGA类产品对于高精细度、多引脚、小节距等方面的需求。
附图说明
图1是现有冲压或蚀刻技术制备的引线框架的结构示意图；
图2a图2e是本发明各步骤对应的结构示意图；
图3是本发明成品的俯视图；
图4是本发明成品的左视图。
图中：
101、引线框架主体 102、独立焊盘
103、连接筋
201、金属铜箔基体 202、上层干膜
203、下层干膜 204、基底材料层
205、层间胶
具体实施方式
为了充分地了解本发明的目的、特征和效果，以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明。
实施例1
本实施例公开了一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，包括以下步骤：
（1）、如图2a所示，在一整块金属铜箔基体201的上下表面各贴附一层干膜（202、203），上层干膜202作为金属图形化的图形化介质，下层干膜203用于保护铜箔在加工过程中不被蚀刻药水蚀刻；
（2）、如图2b所示，通过曝光和显影去除所述金属铜箔基体上表面的部分干膜，以露出引线框架中需要蚀刻去除的金属铜箔部分；即是本步骤仅仅是单面曝光和显影，只曝光和显影上层干膜202，作为保护作用的下层干膜203并不需要将其曝光和显影，使其继续起保护作用；曝光，经光源作用在干膜上将需要去除部分的图像转移到干膜上；显影，通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉；曝光和显影都是常规技术不再累述；
（3）、如图2c所示，通过化学药水蚀刻去除上一步骤中露出的金属铜箔部分，通过本步骤之后金属引线框架就成型了，由于还有下层干膜203的存在，就可以利用它的支撑作用一次性制作到位将现有引线框架中的连接筋蚀刻掉获得独立焊盘；
（4）、如图2d所示，再在金属铜箔基体上表面的干膜202之上粘接一层基底材料204，为了实现粘接，本实施例在制作过程中引入了一层间胶205将上层干膜202和基底材料层204连接起来，通过本步骤不仅给中间的具有独立焊盘的引线框架提供了更稳定的支撑，而且在将本实施例与BGA类结合完成最终封装后，可以揭去上层干膜202实现基底材料层204的玻璃，进而不妨碍BGA类产品的使用；
（5）、如图2e所示，退去金属铜箔基体201下表面贴附的干膜203以露出引线框架；通过本实施例方法获得的成品如图3和4所示，由于有了层基底材料204的支撑，本实施例实现了独立焊盘的制作。
本实施例为了满足后续封装工艺的要求，在退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架后还包括以下步骤：对露出的引线框架进行表面处理，所述表面处理包括对铜面进行的抗氧化、化学纯锡、电镀纯锡、电镀镍金、化学镍金、化学镍钯金中的一种或多种处理。
本实施例中采用的基底材料为聚酰亚胺（PI），涤纶树脂（PET），液晶聚合物（LCP），聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN），聚四氟乙烯（PTFE）系薄膜，FR-1，FR-2，FR-4，陶瓷，钢片中的任意一种或多种；需要说明的是，本实施例包括但不限于上述材料，其他可以用来作为支撑和保持和稳定衬垫类材料都是本发明的保护范围。
为了提高引线框的制作效率和稳定产品质量，经过申请人大量实验，本实施例优选以下尺寸：干膜（202、203）的厚度为20～100微米；在第（4）步中，粘接基底材料所使用的层间胶205的厚度为10～100微米；基底材料层的厚度为10～200微米；金属铜箔基体201的厚度为6～70微米。
由于本实施例采用精度可以更容易控制的曝光、显影、蚀刻一整套完整的工序，从而最终提高了引线框架的制作精度，进而可以根据BGA的需要制作出相应的高精度、多引脚、小间距的引线框架。不仅如此，本实施例一次加工即可获得了独立焊盘，在方便进一步封装工艺的同时，可以避免芯片封装完成后二次蚀刻对芯片带来的伤害，从而间接提高产品质量。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例，应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思做出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明构思在现有技术基础上通过逻辑分析、推理或者根据有限的实验可以得到的技术方案，均应该在本权利要求书所确定的保护范围之中。
Claims (8)
1.一种用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
在一整块金属铜箔基体的上下表面各贴附一层干膜；
通过曝光和显影去除所述金属铜箔基体上表面的部分干膜，以露出引线框架中需要蚀刻去除的金属铜箔部分；
通过化学药水蚀刻去除上一步骤中露出的金属铜箔部分；
再在金属铜箔基体上表面的干膜之上粘接一层基底材料；
退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架。
2.根据权利要求1所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于，在退去金属铜箔基体下表面贴附的干膜以露出引线框架后还包括以下步骤：
对露出的引线框架进行表面处理。
3.根据权利要求2所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于：
所述表面处理包括对铜面进行的抗氧化、化学纯锡、电镀纯锡、电镀镍金、化学镍金、化学镍钯金中的一种或多种处理。
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于：
所述基底材料为聚酰亚胺（PI），涤纶树脂（PET），液晶聚合物（LCP），聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN），聚四氟乙烯（PTFE）系薄膜，FR-1，FR-2，FR-4，陶瓷，钢片中的任意一种或多种。
5.根据权利要求1-3任一项所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于：
所述干膜的厚度为20～100微米。
6.根据权利要求1-3任一项所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于：
所述再在金属铜箔基体上表面的干膜之上粘接一层基底材料步骤中，粘接基底材料所使用的层间胶的厚度为10～100微米。
7.根据权利要求1-3任一项所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于：
所述基底材料的厚度为10～200微米。
8.根据权利要求1-3任一项所述的用于芯片封装的引线框架的制备方法，其特征在于：
所述金属铜箔基体的厚度为6～70微米。
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |