CN114481239A - 避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明属于柔性引线框架制备技术领域，具体涉及一种避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺。所述工艺流程为：先进行导电金属层背面电镀：导电金属层→第一次压干膜→第一次曝光→第一次显影→镀压焊面→第一次退膜；再进行导电金属层正面电镀：基材冲孔→贴导电金属层→烘烤→第二次压干膜→第二次曝光→第二次显影→蚀刻→第二次退膜→第三次压干膜→第三次曝光→第三次显影→镀接触面→第三次退膜；其中，镀压焊面和镀接触面均为平面电镀。本发明将盲孔电镀转化为平面电镀，从根本上解决了柔性引线框架压焊孔电镀困难的问题，制备的柔性引线框架无漏镀情况发生。

Description

避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺
技术领域
本发明属于柔性引线框架制备技术领域，具体涉及一种避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺。
背景技术
柔性引线框架主要用于电子信息技术中，集成电路IC卡封装领域。引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。因此柔性引线框架对质量有着严格的要求。
一般所使用的柔性引线框架结构如图1所示，压焊孔内的表面处理层A是芯片与柔性引线框架的连接端口，该端口需要电镀Au、Ni。导电金属层一般为Cu、Al、合金等材料。传统的柔性引线框架制备技术，类似印刷线路板的工艺，通常是采用先制作线路图形，最后进行电镀镍、钯、金等其他金属的工艺；但是印刷线路板大多是平面电镀，而柔性引线框架基本上都是盲孔电镀，且盲孔较小，一般盲孔直径为0.4-0.9mm，深度0.1-0.2mm，电镀一般为常压电镀，因气压的存在及电镀液流动产生气泡的问题，电镀液很难完全填满整个盲孔，且因盲孔较小，电镀液在盲孔内交换差，等等，导致电镀工艺困难，经常会产生无规律的盲孔漏镀问题，良率低。
针对柔性引线框架传统电镀工艺，盲孔内电镀困难的问题，采用预浸、喷淋等工艺手段，只能降低漏镀出现的概率，不能从根本上解决这一问题。而且在行业内，漏镀缺陷检测度低，无法100%检出，会导致不合格品流入应用户端，影响应用效果。因此，需要研究一种新的制备工艺，避免盲孔电镀带来的以上问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，将盲孔电镀转化为平面电镀，从根本上解决柔性引线框架压焊孔电镀困难的问题，制备的柔性引线框架无漏镀情况发生。
本发明所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，工艺流程为：
（1）先进行导电金属层背面电镀：
导电金属层→第一次压干膜→第一次曝光→第一次显影→镀压焊面→第一次退膜；
（2）再进行导电金属层正面电镀：
基材冲孔→贴导电金属层→烘烤→第二次压干膜→第二次曝光→第二次显影→蚀刻→第二次退膜→第三次压干膜→第三次曝光→第三次显影→镀接触面→第三次退膜；
其中，镀压焊面和镀接触面均为平面电镀；
第一次显影的位置为导电金属层背面对应压焊孔的位置；
第二次显影的位置为导电金属层正面非产品接触块的位置；
第三次显影的位置为导电金属层正面对应产品接触块的位置。
本发明步骤（1）中：
第一次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在导电金属层的上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数优选为：温度110±20℃，压力0.1-0.5Mpa，速度1-5m/min。
第一次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上非压焊孔的位置进行曝光。曝光光源优选为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10-50mw/cm2，曝光时间为1-10s。
第一次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出对应压焊孔的位置，即需要电镀的位置。弱碱性化学药水可以为碳酸钠或碳酸氢钠等弱碱性化合物溶液。设备的传输速度优选为1-6m/min，药水温度30±10℃，药水浓度10±5g/L，喷淋压力1-2bar。
第一次压干膜、第一次曝光、第一次显影的目的是为了屏蔽导电金属层不电镀Au、Ni的位置，实现导电金属层压焊孔位置精准电镀。
镀压焊面工序的具体操作为：对第一次显影漏出的位置进行电镀，得到表面处理层A，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法。
镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度40-70℃，电流密度为4-20ASD，电镀时间为30-360秒。
镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度50-80℃，电流密度为1-10ASD，电镀时间为2-60秒。
第一次退膜工序的具体操作为：使用强碱性退膜药水，去除曝光后的干膜。强碱性退膜药水可以为氢氧化钠或氢氧化钾等强碱性化合物的溶液，药水浓度20-45g/L，温度45-55℃，喷嘴压力1-3bar，速度1-6m/min。
本发明步骤（2）中：
基材（绝缘材料层）冲孔工序的具体操作为：使用冲孔模具，在150mm宽度的基材（含胶）特定位置，冲裁贯穿基材厚度的通孔，该通孔又称为压焊孔，孔径一般为0.3mm-1mm，其作用是封装时，在此位置焊接金线，实现柔性引线框架与芯片的电气连接。冲孔位置需要与芯片上需要焊线的位置一一对应。
贴导电金属层工序的具体操作为：使用热压机，将导电金属层的压焊面（已电镀Au、Ni）与已冲完孔的基材贴合，热压到一起，形成复合板。热压时，需要精准对位，确保基材冲孔位置与导电金属层已电镀Au、Ni的位置一一对应，即复合板的冲孔位置为盲孔，盲孔底部为已电镀Au、Ni的导电金属层（表面处理层A）。热压温度120-180℃，压力0.1-0.5Mpa，速度1-6m/min。
烘烤工序的具体操作为：对产品进行后烘烤固化，确保基材与导电金属层完全粘合。固化温度根据基材的Tg温度进行选择，烘烤时间为4-24h。
第二次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在贴导电金属层后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数优选为：温度110±20℃，压力0.1-0.5Mpa，速度1-5m/min。
第二次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上对应产品接触块的位置（即需要制造线路的位置）进行曝光。曝光光源优选为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10-50mw/cm2，曝光时间为1-10 s。
第二次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。弱碱性化学药水可以为碳酸钠或碳酸氢钠等弱碱性化合物溶液。设备的传输速度优选为1-6m/min，药水温度30±10℃，药水浓度10±5g/L，喷淋压力1-2bar。
蚀刻工序的具体操作为：使用酸性蚀刻药水，对未曝光的、已显影去除干膜的位置进行蚀刻。酸性蚀刻药水采用市售常规药水，酸度1-2，比重1.1-1.8，蚀刻时药水温度50-60℃，喷嘴压力1-3bar，速度1-6m/min。
第二次退膜工序的具体操作为：使用强碱性退膜药水，去除曝光后的干膜。强碱性退膜药水可以为氢氧化钠或氢氧化钾等强碱性化合物的溶液，药水浓度20-45g/L，温度45-55℃，喷嘴压力1-3bar，速度1-6m/min。
第三次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数优选为：温度110±20℃，压力0.1-0.5Mpa，速度1-5m/min。
第三次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块的位置进行曝光。曝光光源优选为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10-50mw/cm2，曝光时间为1-10S。
第三次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块的位置，即需要电镀的位置。弱碱性化学药水可以为碳酸钠或碳酸氢钠等弱碱性化合物溶液。设备的传输速度优选为1-6m/min，药水温度30±10℃，药水浓度10±5g/L，喷淋压力1-2bar。
第三次压干膜→第三次曝光→第三次显影的目的是为了屏蔽导电金属层不电镀Au、Ni的位置，实现导电金属层接触块的位置精准电镀。
镀接触面工序的具体操作为：对第三次显影漏出的位置（对应产品接触面块的位置）进行电镀，得到表面处理层B，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法。
镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度40-70℃，电流密度为4-20ASD，电镀时间为30-360秒。
镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度50-80℃，电流密度为1-10ASD，电镀时间为2-60秒。
第三次退膜工序的具体操作为：使用强碱性退膜药水，去除曝光后的干膜。强碱性退膜药水可以为氢氧化钠或氢氧化钾等强碱性化合物的溶液，药水浓度20-60g/L，温度45-60℃，喷嘴压力1-3bar，速度1-6m/min。
与传统的工艺相比，本发明在贴导电金属层工艺前，先进行导电金属层表面Au、Ni电镀，导电金属层电镀时，为平面电镀，避免了盲孔电镀的发生。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明的柔性引线框架工艺实现了从盲孔电镀到平面电镀的转化，将电镀困难的盲孔电镀工艺转化为容易实现平面电镀工艺，使电镀工艺更加稳定、可靠，解决了因盲孔电镀产生的漏镀问题，提升了产品质量；相同的镀层厚度，平面电镀的效率更高，提升了电镀速率。
附图说明
图1为柔性引线框架的结构示意图；
图中：1、接触块；2、压焊孔；3、表面处理层A；4、表面处理层B；5、导电金属层；6、绝缘材料层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做出进一步说明。
实施例1
采用本发明的工艺制备柔性引线框架，工艺流程为：
（1）先进行导电金属层背面电镀：
①第一次压干膜：使用压膜设备，在导电金属层的上、下表面贴覆感光膜，感光膜的压合参数为温度90℃，压力0.1Mpa，速度1m/min。
②第一次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非压焊孔的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10mw/cm2，曝光时间为10s。
③第一次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应压焊孔的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为1m/min，药水温度30℃，药水浓度15g/L，喷淋压力1bar。
④镀压焊面（平面电镀）：对第一次显影漏出的位置进行电镀，得到表面处理层A，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度40℃，电流密度为4ASD，电镀时间为240秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度50℃，电流密度为5ASD，电镀时间为30秒。
⑤第一次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度20g/L，温度55℃，喷嘴压力3bar，速度4m/min。
（2）再进行导电金属层正面电镀：
①基材冲孔：使用冲孔模具，在150mm宽度的基材（含胶）特定位置，冲裁贯穿基材厚度的通孔，该通孔又称为压焊孔，孔径为0.3mm，其作用是封装时，在此位置焊接金线，实现柔性引线框架与芯片的电气连接，冲孔位置需要与芯片上需要焊线的位置一一对应。
②贴导电金属层：使用热压机，将导电金属层的压焊面（已电镀Au、Ni）与已冲完孔的基材贴合，热压到一起，形成复合板。热压时，需要精准对位，确保基材冲孔位置与导电金属层已电镀Au、Ni的位置一一对应，即复合板的冲孔位置为盲孔，盲孔底部为已电镀Au、Ni的导电金属层（表面处理层A）。热压温度120℃，压力0.5Mpa，速度2m/min。
③烘烤：对产品进行后烘烤固化，确保基材与导电金属层完全粘合。
④第二次压干膜：使用压膜设备，在贴导电金属层后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度90℃，压力0.1Mpa，速度1m/min。
⑤第二次曝光：使用曝光设备，对感光膜上对应产品接触块的位置（即需要制造线路的位置）进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10mw/cm2，曝光时间为10s。
⑥第二次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。设备的传输速度为1m/min，药水温度30℃，药水浓度15g/L，喷淋压力1bar。
⑦蚀刻：使用市售常规酸性蚀刻药水（药水酸度1-2，比重1.1-1.8），对未曝光的、已显影去除干膜的导电金属位置进行蚀刻，药水温度50℃，喷嘴压力3bar，速度1m/min。
⑧第二次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度20g/L，温度55℃，喷嘴压力3bar，速度4m/min。
⑨第三次压干膜：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度90℃，压力0.1Mpa，速度1m/min。
⑩第三次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10mw/cm2，曝光时间为10s。
⑪第三次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为1m/min，药水温度30℃，药水浓度15g/L，喷淋压力1bar。
⑫镀接触面（平面电镀）：对第三次显影漏出的位置（对应产品接触面块的位置）进行电镀，得到表面处理层B，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度40℃，电流密度为4ASD，电镀时间为240秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度50℃，电流密度为5ASD，电镀时间为30秒。
⑬第三次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度20g/L，温度55℃，喷嘴压力3bar，速度4m/min。
实施例2
采用本发明的工艺制备柔性引线框架，工艺流程为：
（1）先进行导电金属层背面电镀：
①第一次压干膜：使用压膜设备，在导电金属层的上、下表面贴覆感光膜，感光膜的压合参数为温度100℃，压力0.3Mpa，速度3m/min。
②第一次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非压焊孔的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度30mw/cm2，曝光时间为5s。
③第一次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应压焊孔的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为4m/min，药水温度20℃，药水浓度10g/L，喷淋压力2bar。
④镀压焊面（平面电镀）：对第一次显影漏出的位置进行电镀，得到表面处理层A，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度50℃，电流密度为13ASD，电镀时间为240秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度60℃，电流密度为10ASD，电镀时间为2秒。
⑤第一次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度30g/L，温度60℃，喷嘴压力2bar，速度1m/min。
（2）再进行导电金属层正面电镀：
①基材冲孔：使用冲孔模具，在150mm宽度的基材（含胶）特定位置，冲裁贯穿基材厚度的通孔，该通孔又称为压焊孔，孔径为1mm，其作用是封装时，在此位置焊接金线，实现柔性引线框架与芯片的电气连接，冲孔位置需要与芯片上需要焊线的位置一一对应。
②贴导电金属层：使用热压机，将导电金属层的压焊面（已电镀Au、Ni）与已冲完孔的基材贴合，热压到一起，形成复合板。热压时，需要精准对位，确保基材冲孔位置与导电金属层已电镀Au、Ni的位置一一对应，即复合板的冲孔位置为盲孔，盲孔底部为已电镀Au、Ni的导电金属层（表面处理层A）。热压温度150℃，压力0.3Mpa，速度1m/min。
③烘烤：对产品进行后烘烤固化，确保基材与导电金属层完全粘合。
④第二次压干膜：使用压膜设备，在贴导电金属层后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度100℃，压力0.3Mpa，速度3m/min。
⑤第二次曝光：使用曝光设备，对感光膜上对应产品接触块的位置（即需要制造线路的位置）进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度30mw/cm2，曝光时间为5s。
⑥第二次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。设备的传输速度为4m/min，药水温度20℃，药水浓度10g/L，喷淋压力2bar。
⑦蚀刻：使用市售常规酸性蚀刻药水（药水酸度1-2，比重1.1-1.8），对未曝光的、已显影去除干膜的导电金属位置进行蚀刻，药水温度60℃，喷嘴压力1bar，速度4m/min。
⑧第二次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度30g/L，温度60℃，喷嘴压力2bar，速度1m/min。
⑨第三次压干膜：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度100℃，压力0.3Mpa，速度3m/min。
⑩第三次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度30mw/cm2，曝光时间为5s。
⑪第三次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为4m/min，药水温度20℃，药水浓度10g/L，喷淋压力2bar。
⑫镀接触面（平面电镀）：对第三次显影漏出的位置（对应产品接触面块的位置）进行电镀，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，得到表面处理层B，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度50℃，电流密度为13ASD，电镀时间为240秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度60℃，电流密度为10ASD，电镀时间为2秒。
⑬第三次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度30g/L，温度60℃，喷嘴压力2bar，速度1m/min。
实施例3
采用本发明的工艺制备柔性引线框架，工艺流程为：
（1）先进行导电金属层背面电镀：
①第一次压干膜：使用压膜设备，在导电金属层的上、下表面贴覆感光膜，感光膜的压合参数为温度110℃，压力0.5Mpa，速度5m/min。
②第一次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非压焊孔的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度50mw/cm2，曝光时间为1s。
③第一次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应压焊孔的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为6m/min，药水温度40℃，药水浓度5g/L，喷淋压力2bar。
④镀压焊面（平面电镀）：对第一次显影漏出的位置进行电镀，得到表面处理层A，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度70℃，电流密度为20ASD，电镀时间为120秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度80℃，电流密度为1ASD，电镀时间为60秒。
⑤第一次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度60g/L，温度45℃，喷嘴压力1bar，速度6m/min。
（2）再进行导电金属层正面电镀：
①基材冲孔：使用冲孔模具，在150mm宽度的基材（含胶）特定位置，冲裁贯穿基材厚度的通孔，该通孔又称为压焊孔，孔径为0.6mm，其作用是封装时，在此位置焊接金线，实现柔性引线框架与芯片的电气连接，冲孔位置需要与芯片上需要焊线的位置一一对应。
②贴导电金属层：使用热压机，将导电金属层的压焊面（已电镀Au、Ni）与已冲完孔的基材贴合，热压到一起，形成复合板。热压时，需要精准对位，确保基材冲孔位置与导电金属层已电镀Au、Ni的位置一一对应，即复合板的冲孔位置为盲孔，盲孔底部为已电镀Au、Ni的导电金属层（表面处理层A）。热压温度180℃，压力0.1Mpa，速度6m/min。
③烘烤：对产品进行后烘烤固化，确保基材与导电金属层完全粘合。
④第二次压干膜：使用压膜设备，在贴导电金属层后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度110℃，压力0.5Mpa，速度5m/min。
⑤第二次曝光：使用曝光设备，对感光膜上对应产品接触块的位置（即需要制造线路的位置）进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度50mw/cm2，曝光时间为1s。
⑥第二次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。设备的传输速度为6m/min，药水温度40℃，药水浓度5g/L，喷淋压力2bar。
⑦蚀刻：使用市售常规酸性蚀刻药水（药水酸度1-2，比重1.1-1.8），对未曝光的、已显影去除干膜的导电金属位置进行蚀刻，药水温度55℃，喷嘴压力2bar，速度6m/min。
⑧第二次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度60g/L，温度45℃，喷嘴压力1bar，速度6m/min。
⑨第三次压干膜：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度110℃，压力0.5Mpa，速度5m/min。
⑩第三次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度50mw/cm2，曝光时间为1s。
⑪第三次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为6m/min，药水温度40℃，药水浓度5g/L，喷淋压力2bar。
⑫镀接触面（平面电镀）：对第三次显影漏出的位置（对应产品接触面块的位置）进行电镀，得到表面处理层B，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度70℃，电流密度为20ASD，电镀时间为120秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度80℃，电流密度为1ASD，电镀时间为60秒。
⑬第三次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度60g/L，温度45℃，喷嘴压力1bar，速度6m/min。
对比例1
本对比例采用传统工艺制备柔性引线框架，为本公司前期使用的工艺流程，具体如下：
①基材冲孔：使用冲孔模具，在150mm宽度的基材（含胶）特定位置，冲裁贯穿基材厚度的通孔，该通孔又称为压焊孔，孔径为0.3mm，其作用是封装时，在此位置焊接金线，实现柔性引线框架与芯片的电气连接，冲孔位置需要与芯片上需要焊线的位置一一对应。
②贴导电金属层：使用热压机，将导电金属层与已冲完孔的基材贴合，热压到一起，形成复合板；热压温度120℃，压力0.5Mpa，速度2m/min。
③烘烤：热压后的产品进行烘烤固化，确保基材与导电金属层完全粘合。
④第一次压干膜：使用压膜设备，在烘烤后的产品上、下表面贴覆感光膜，感光膜的压合参数为温度90℃，压力0.1Mpa，速度1m/min。
⑤第一次曝光：使用曝光设备，对导电金属层感光膜上对应产品接触块的位置（即需要制造线路的位置）进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10mw/cm2，曝光时间为10s。
⑥第一次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。设备的传输速度为1m/min，药水温度30℃，药水浓度15g/L，喷淋压力1bar。
⑦蚀刻：使用市售常规酸性蚀刻药水（药水酸度1-2，比重1.1-1.8），对未曝光的、已显影去除干膜的导电金属位置进行蚀刻，药水温度50℃，喷嘴压力3bar，速度1m/min。
⑧第一次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度20g/L，温度55℃，喷嘴压力3bar，速度4m/min。
⑨第二次压干膜：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜。感光膜的压合参数为温度90℃，压力0.1Mpa，速度1m/min。
⑩第二次曝光：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块和非压焊孔的位置进行曝光，曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10mw/cm2，曝光时间为10s。
⑪第二次显影：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水（碳酸钠），去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块和压焊孔的位置，即需要电镀的位置。设备的传输速度为1m/min，药水温度30℃，药水浓度15g/L，喷淋压力1bar。
⑫电镀（盲孔电镀）：对第二次显影漏出的位置进行电镀，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度40℃，电流密度为4ASD，电镀时间为240秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度50℃，电流密度为5ASD，电镀时间为30秒。
⑬第二次退膜：使用强碱性退膜药水（氢氧化钠），去除曝光后的干膜。药水浓度20g/L，温度55℃，喷嘴压力3bar，速度4m/min。
对实施例1-3和对比例1制备的柔性引线框架盲孔内的镀层进行漏镀缺陷检测，实施例1-3的盲孔漏镀率均为0%，无漏镀情况发生，对比例1的漏镀率为0.67%。且经市场应用端应用反馈，本发明的制备工艺制备的柔性引线框架质量稳定，无不合格产品；原传统制备工艺制备的柔性引线框架质量不稳定，会出现不合格产品。

Claims (10)

1.一种避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：工艺流程为：
（1）先进行导电金属层背面电镀：
导电金属层→第一次压干膜→第一次曝光→第一次显影→镀压焊面→第一次退膜；
（2）再进行导电金属层正面电镀：
基材冲孔→贴导电金属层→烘烤→第二次压干膜→第二次曝光→第二次显影→蚀刻→第二次退膜→第三次压干膜→第三次曝光→第三次显影→镀接触面→第三次退膜；
其中，镀压焊面和镀接触面均为平面电镀；
第一次显影的位置为导电金属层背面对应压焊孔的位置；
第二次显影的位置为导电金属层正面非产品接触块的位置；
第三次显影的位置为导电金属层正面对应产品接触块的位置。
2.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：第一次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在导电金属层的上、下表面贴覆感光膜；
第一次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上非压焊孔的位置进行曝光；
第一次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出对应压焊孔的位置，即需要电镀的位置。
3.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：第二次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在贴导电金属层后的基材上、下表面贴覆感光膜；
第二次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上对应产品接触块的位置进行曝光；
第二次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出非产品接触块的位置，即需要刻蚀的位置。
4.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：第三次压干膜工序的具体操作为：使用压膜设备，在蚀刻、退膜后的基材上、下表面贴覆感光膜；
第三次曝光工序的具体操作为：使用曝光设备，对感光膜上非产品接触块的位置进行曝光；
第三次显影工序的具体操作为：使用带有喷淋功能的显影设备，使用弱碱性化学药水，去除未曝光的感光膜，漏出对应产品接触块的位置，即需要电镀的位置。
5.根据权利要求2-4任一项所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：压干膜工序的感光膜压合参数为：温度110±20℃，压力0.1-0.5Mpa，速度1-5m/min；
曝光工序的曝光光源为5000W的紫外平行光，曝光灯光照强度10-50mw/cm2，曝光时间为1-10s；
显影工序的弱碱性化学药水浓度10±5g/L，药水温度30±10℃，药水喷淋压力1-2bar，设备的传输速度为1-6m/min。
6.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：基材冲孔工序的具体操作为：使用冲孔模具在基材特定位置冲裁贯穿基材厚度的通孔，冲孔位置与芯片上需要焊线的位置一一对应。
7.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：贴导电金属层工序的具体操作为：使用热压机，将导电金属层的压焊面与已冲完孔的基材贴合，使基材冲孔位置与导电金属层已电镀的位置一一对应，热压到一起，形成复合板；热压温度120-180℃，压力0.1-0.5Mpa，速度1-6m/min。
8.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：蚀刻工序的具体操作为：使用酸性蚀刻药水，对未曝光的、已显影去除干膜的位置进行蚀刻；蚀刻时药水温度50-60℃，喷嘴压力1-3bar，速度1-6m/min。
9.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：镀压焊面和镀接触面的具体操作均为：对上一工序显影漏出的位置进行电镀，其余被感光膜覆盖的位置不电镀，电镀采用先镀Ni，后镀Au的方法；镀镍药水成分为氨基磺酸镍，药水温度40-70℃，电流密度为4-20ASD，电镀时间为30-360秒；镀金药水成分为氰化亚金钾，药水温度50-80℃，电流密度为1-10ASD，电镀时间为2-60秒。
10.根据权利要求1所述的避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺，其特征在于：退膜工序的具体操作均为：使用强碱性退膜药水，去除曝光后的干膜；强碱性退膜药水为强碱性化合物的溶液，药水浓度20-60g/L，温度45-60℃，喷嘴压力1-3bar，速度1-6m/min。
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