CN104582287A - 一种无引线镀金板退膜方法 - Google Patents

一种无引线镀金板退膜方法 Download PDF

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Abstract

一种无引线镀金板退膜方法，所述方法包括：将进行线路制作后的线路板沉铜；进行抗蚀刻干膜前处理后，并在对应抗蚀刻沉铜表层部位贴附抗蚀干膜；在抗蚀刻干膜曝光时，降低曝光能量，并进行第一次显影和闪蚀；将所述线路板中相应抗镀金的部位贴附抗镀金干膜；当进行抗镀金干膜曝光时，在所述线路板中通孔的上方开窗；进行第二次显影后，将所述线路板电镀金；将所述线路板退膜并经行第二次闪蚀在本发明实施例中，通过降低ER曝光时的曝光能量，提升ER曝光的生产效率，使生产时间缩短30％，通过在通孔处开窗设计彻底解决了TLP微通孔产品的退膜不尽，大大提升了生产效率和产品良率，适用于所有TLP流程的通孔线路板。

Description

一种无引线镀金板退膜方法
技术领域
本发明涉及印制线路板技术领域，特别是涉及一种无引线镀金板退膜方法。
背景技术
随着电子产品向轻、薄、小的方向发展，电子元器件也向高密度、小型化方向进步，无引线镀金技术(Tailless Process,TLP)在封装基板应用广泛，该技术利用沉铜层作为导电介质，以专用干膜的优良抗镀性，达到在金手指或其他焊接区域镀金的目的。
无引线镀金板在贴附抗镀金干膜时，为了保证线路间隙的填充性避免渗金短路，通常采用真空贴膜法，真空贴膜使干膜具有较强的流动性，干膜受温度和压力的作用在真空状态下充分填充线路间隙，同时也将填入微通孔内。流入孔内的干膜经过曝光充分发生光聚合反应后，在退膜时难以褪除，特别是经过二次干膜贴附和二次曝光后，干膜聚合更加充分，进行退膜操作后，难以将通孔内的干膜退除，导致通孔退膜不尽。
发明内容
基于此，有必要针对无引线镀金板上的干膜在二次曝光后，聚合更加充分，难以将通孔内的干膜褪除，导致通孔退膜不尽，而提供一种无引线镀金板退膜方法。
本发明实施例是这样实现的，一种无引线镀金板退膜方法，所述方法包括：
将进行线路制作后的线路板沉铜；
进行抗蚀刻干膜前处理后，并在对应抗蚀刻沉铜表层部位贴附抗蚀干膜；
在抗蚀刻干膜曝光时，降低曝光能量，并进行第一次显影和闪蚀；
将所述线路板中相应抗镀金的部位贴附抗镀金干膜；
当进行抗镀金干膜曝光时，在所述线路板中通孔的上方开窗；
进行第二次显影后，将所述线路板电镀金；
将所述线路板退膜并经行第二次闪蚀
在其中一个实施例中，所述降低曝光能量具体为：
曝光能量范围在30～40mj之间；
其中，mj为能量单位毫焦。
在其中一个实施例中，所述当进行抗镀金干膜曝光时，在所述线路板中的通孔上方开窗具体为：
在所述线路板中的通孔上方阻止曝光。
在其中一个实施例中，所述将进行线路制作后的线路板沉铜具体为：
对线路板沉铜厚度为0.5～1μm。
在其中一个实施例中，所述贴附抗蚀干膜和抗镀金干膜在真空环境下进行。
在其中一个实施例中，所述真空环境的具体参数为：
真空压膜温度为60-90℃，抽真空时间为30～50s，压力为0.4～0.6MPa，加压时间为20～50s。
上述无引线镀金板退膜方法具有以下有益效果：
首先，通过降低ER(Etch Resist，抗蚀刻干膜)曝光时的曝光能量，提升了ER曝光的生产效率，单流程生产时间缩短30％。
其次，通过在AR(Au Resist，抗镀金干膜)曝光时通孔处开窗设计彻底解决了TLP微通孔产品的退膜不尽，大大提升了生产效率和产品良率。
另外，上述退膜方法适用于所有TLP流程的通孔线路板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的无引线镀金板退膜方法的实现流程图；
图2为本发明实施例提供的无引线镀金板ER贴膜的状态图；
图3为本发明实施例提供的无引线镀金板ER曝光的状态图；
图4为本发明实施例提供的无引线镀金板AR曝光和显影的状态图；
图5为本发明实施例提供的无引线镀金板电镀金后的状态图；
图6为本发明实施例提供的无引线镀金板退膜后的状态图。
具体实施方式
为了使本发明的上述特征及有益效果能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明做详细的阐述，需要说明的是，本文所使用的术语“第一”、“第二”、“第三”、“垂直”、“水平”、“上方”、“下方”以及类似的表述只是为了起说明目的，并不表示是唯一的实施方式。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
图1示出了本发明实施例提供的无引线镀金板退膜方法的实现流程，具体详述如下：
在步骤S101中，将进行线路制作后的线路板沉铜；
在本发明实施例中，沉铜采用化学沉积法在基材表面沉积一层薄铜，起线路导通作用。整版沉铜的厚度为0.5～1μm之间，即确保电路导通，又不会对板面的线路造成影响。
在步骤S102中，进行抗蚀刻干膜前处理，并在对应抗蚀刻沉铜表层部位贴附抗蚀干膜；
在本发明实施例中，将抗蚀刻干膜贴附于需要防止被蚀刻的沉铜层部位。抗蚀刻干膜，在TLP流程中能够保护起导通作用的沉铜层，保证线路良好的导通性。
在线路板上贴附ER(Etch Resist，抗蚀刻干膜)需要在真空环境下进行。真空压膜温度为60～90℃，抽真空时间控制为30～50s，压力为0.4～0.6MPa，加压时间为20～50s。通过该温度和压力的作用，真空贴膜使该干膜具有较强的流动性，使该干膜充分填充线路间隙(参见图2)。真空贴膜广泛应用于封装基板，通过抽真空、热压的方式使该干膜充分填充线路间隙，同时也填入微通孔内，干膜将在抗蚀过程中起保护作用。
在步骤S103中，在抗蚀刻干膜曝光时，降低曝光能量，并进行第一次显影和闪蚀；
ER曝光时降低曝光能量，能够使进入通孔内的干膜不充分聚合，为通孔内干膜与退膜药水反应创造有利的条件(参见图3)。第一次显影和闪蚀可以为ER显影和ER闪蚀。闪蚀的目的在于将需要镀金的线路露出，闪蚀操作与现有的蚀刻操作相同，区别仅在于蚀刻的时间相对较短，主要由于需要蚀刻掉的沉铜层较薄。
作为本发明的一个优选实施例，曝光能量通常为70mj(毫焦)，此处采用曝光能量范围为30～40mj。在此范围内进行曝光，为通孔内干膜与退膜药水反应创造有利的条件，使退膜效果较好。
在步骤S104中，将线路板中相应抗镀金的部位贴附抗镀金干膜；
在本发明实施例中，采用真空贴膜法，使AR(Au Resist，抗镀金干膜)充分填充线路间隙，包括微通孔内。通孔通常不需要镀金，抗镀金干膜能够对通孔起到防止镀金的作用。
在步骤S105中，当进行抗镀金干膜曝光时，在线路板中通孔的上方开窗；
参见图4(a)，在通孔上方进行开窗设计可以为在对应通孔处阻止曝光，避免孔内干膜发生二次聚合。尤其经过二次干膜贴附和二次曝光后，干膜聚合更加充分，使干膜难以褪除。
在本发明实施例中，阻止曝光可以为在线路板所对应的设计文件中，将通孔对应处设计为不曝光；在本发明其他实施例中，阻止曝光可以采用行业内其他惯用手段来进行替代。
在步骤S106中，进行第二次显影后，将线路板电镀金；
在本发明实施例中，进行第二次显影可以为AR显影(参见图4(b))，然后将线路板镀金，抗氧化(参见图5)。
在步骤S107中，将线路板退膜并进行第二次闪蚀。
参见图6，在退膜时通过退膜药水顺利去除掉表面的干膜后，与孔内未完全聚合的干膜单体反应，降低了退膜的难度，从而达到将干膜完全褪除的目的。
在本发明实施例中，提供的无引线镀金板退膜方法，通过降低ER曝光时的曝光能量，提升了ER曝光的生产效率，单流程生产时间缩短30％，再通过在AR曝光时通孔处开窗设计彻底解决了TLP微通孔产品的退膜不尽，大大提升了生产效率和产品良率，适用于所有TLP流程的通孔线路板。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种无引线镀金板退膜方法，其特征在于，所述方法包括：
将进行线路制作后的线路板沉铜；
进行抗蚀刻干膜前处理后，并在对应抗蚀刻沉铜表层部位贴附抗蚀干膜；
在抗蚀刻干膜曝光时，降低曝光能量，并进行第一次显影和闪蚀；
将所述线路板中相应抗镀金的部位贴附抗镀金干膜；
当进行抗镀金干膜曝光时，在所述线路板中通孔的上方开窗；
进行第二次显影后，将所述线路板电镀金；
将所述线路板退膜并经行第二次闪蚀。
2.如权利要求1所述的无引线镀金板退膜方法，其特征在于，所述降低曝光能量具体为：
曝光能量范围在30～40mj之间；
其中，mj为能量单位毫焦。
3.如权利要求1所述的无引线镀金板退膜方法，其特征在于，所述当进行抗镀金干膜曝光时，在所述线路板中通孔的上方开窗具体为：
在所述线路板中通孔的上方阻止曝光。
4.如权利要求1所述的无引线镀金板退膜方法，其特征在于，所述将进行线路制作后的线路板沉铜具体为：
对线路板沉铜厚度为0.5～1μm。
5.如权利要求1所述的无引线镀金板退膜方法，其特征在于，所述贴附抗蚀干膜和抗镀金干膜在真空环境下进行。
6.如权利要求5所述的无引线镀金板退膜方法，其特征在于，所述真空环境的具体参数为：
真空压膜温度为60-90℃，抽真空时间为30～50s，压力为0.4～0.6MPa，加压时间为20～50s。
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