CN113347799A - MiniLED板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MiniLED板的制备方法，应用于线路板加工技术领域，用于解决蚀刻过程残留铜牙问题以及提高面铜均匀性。本发明提供的方法包括：使用反转铜箔对线路板进行压合，获得压合线路板；对所述压合线路板进行镭射、过日蚀线工艺，获得覆铜板；使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺，并对贴膜后的所述覆铜板进行填孔电镀、退膜工艺，获得电镀板；使用外层干膜对所述电镀版进行第二次贴膜工艺，并对贴膜后的所述电镀板进行蚀刻工艺，获得MiniLED板。
Description
技术领域
本发明涉及线路板加工技术领域，尤其涉及一种MiniLED板的制备方法。
背景技术
MiniLED(Mini light-emitting diode，次毫米发光二极管)板灯面的焊板与焊板上要焊接LED灯芯片，LED芯片两端是焊接电极点，为了确保芯片电极点被完全焊接，需管控焊板与焊板的上幅间距。
现有的LED芯片，以0905LED芯片为例，芯片长度225um，两端的焊接电极点长度各75um，为了使电极点完全被焊接，则要求焊板与焊板的上幅间距≤75um，主要过程为压合，镭射、沉铜、填孔电镀、解析、薄铜蚀刻。
目前MiniLED点间距会越来越小，所用的LED灯芯片尺寸会越小，则要求MiniLED板灯面上的焊板与焊板的上幅间距更小，但是现有的技术在薄铜蚀刻的过程后，存在残留铜牙的问题，蚀刻时，面铜的均匀性较差。
因此，现有技术存在蚀刻过程，残留铜牙以及面铜均匀性较差的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种MiniLED板的制备方法，以解决蚀刻过程残留铜牙问题以及提高面铜均匀性。
一种MiniLED板的制备方法，包括：
使用反转铜箔对线路板进行压合，获得压合线路板；
对所述压合线路板进行镭射、过日蚀线工艺，获得覆铜板；
使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺，并对贴膜后的所述覆铜板进行填孔电镀、退膜工艺，获得电镀板；
使用外层干膜对所述电镀版进行第二次贴膜工艺，并对贴膜后的所述电镀板进行蚀刻工艺，获得MiniLED板。
进一步地，所述反转铜箔厚度为1/3OZ。
进一步地，所述过日蚀线工艺之后，将盲孔进行沉上碳粉操作。
进一步地，所述使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺包括使用所述内层干膜对所述覆铜板进行前处理、贴膜、曝光、显影工艺。
其中，所述显影工艺为将盲孔开窗露出，所述开窗大小为盲孔孔径+3mil。
进一步地，所述填孔电镀工艺时，使用0.8ASF电流参数。
进一步地，所述第二次贴膜工艺为贴解析度好的20um干膜，以使相邻焊板之间的间距为20um。
进一步地，所述蚀刻使用低喷压，快速度的参数。
其中，所述蚀刻后的焊板与焊板的上幅间距为35-43um。
上述MiniLED板的制备方法，通过使用反转铜箔对线路板进行压合，获得压合线路板；对压合线路板进行镭射、过日蚀线工艺，获得覆铜板；使用内层干膜对覆铜板进行第一次贴膜工艺，并对贴膜后的覆铜板进行填孔电镀、退膜工艺，获得电镀板；使用外层干膜对电镀版进行第二次贴膜工艺，并对贴膜后的电镀板进行蚀刻工艺，获得MiniLED板，进一步地，所述反转铜箔厚度为1/3OZ。进一步地，所述过日蚀线工艺之后，将盲孔进行沉上碳粉操作。进一步地，所述使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺包括使用所述内层干膜对所述覆铜板进行前处理、贴膜、曝光、显影工艺。其中，所述显影工艺为将盲孔开窗露出，所述开窗大小为盲孔孔径+3mil。进一步地，所述填孔电镀工艺时，使用0.8ASF电流参数。进一步地，所述第二次贴膜工艺为贴解析度好的20um干膜，以使相邻焊板之间的间距为20um。进一步地，所述蚀刻使用低喷压，快速度的参数。其中，所述蚀刻后的焊板与焊板的上幅间距为35-43um。采用该方法不需要电镀和减铜流程，使得面铜均匀性更好，蚀刻后相邻焊板上幅间距差异更小，且不存在铜牙。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中MiniLED板的制备方法的一流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在一实施例中，如图1所示，提供一种MiniLED板的制备方法，包括如下步骤：
S101、使用反转铜箔对线路板进行压合，获得压合线路板。
对于上述步骤S101来说，此处需要说明的是，反转铜箔光滑面的粗度很低，在制作线路时较容易蚀刻干净，有利于降低制备MiniLED板时出现铜牙的现场，从而提高良品率。
S102、对压合线路板进行镭射、过日蚀线工艺，获得覆铜板。
对于上述步骤S102来说，镭射是指利用高能量密度的光束，照射到材料表面，使材料汽化或发生颜色变化的加工工艺过程。
通过镭射、过日蚀线工艺，可以减少沉铜工艺过程，使得面铜没有电镀和减铜过程，能有效提高面铜的均匀性。
S103、使用内层干膜对覆铜板进行第一次贴膜工艺，并对贴膜后的覆铜板进行填孔电镀、退膜工艺，获得电镀板。
对于上述步骤S103来说，此处需要说明的是，干膜是在涂装中是相对湿膜而言的,干膜是一种高分子的化合物，它通过紫外线的照射后能够产生一种聚合反应形成一种稳定的物质附着于板面，从而达到阻挡电镀和蚀刻的功能。
退膜是指将保护铜面的已曝光的干膜用氢氧化钠溶液剥掉，露出线路图形的工艺过程。
通过第一次贴膜工艺、填孔电镀工艺以及退膜工艺，可以将盲孔部分选取出来，有效针对盲孔部分进行电镀，而除盲孔外的其他部分则不进行电镀操作，能提高除盲孔外的其他部分的均匀性，从而提高面铜的均匀性。
S104、使用外层干膜对电镀版进行第二次贴膜工艺，并对贴膜后的电镀板进行蚀刻工艺，获得MiniLED板。
进一步地，在步骤S101中，所述反转铜箔厚度为1/3OZ。
在此步骤中，采用反转铜箔，由于反转铜箔光滑面的粗度很低，在制作线路时较容易蚀刻干净，因此有利于细线制作以及改善良率。在此处，良率是指MiniLED板的蚀刻干净度。
由此，采用厚度为1/3OZ的反转铜箔有利于降低蚀刻过程中，出现铜牙的情况。此处需要说明的是，铜牙是指铜箔毛面的粗糙度。
进一步地，在步骤S102中，所述过日蚀线工艺之后，将盲孔进行沉上碳粉操作。
在此步骤中，镭射工艺过后不可以过沉铜工艺，因为镭射工艺过后，过沉铜工艺会使得在第一次贴膜工艺中的前处理阶段时，会将盲孔的沉铜层咬蚀。
此处需要说明的是，沉上碳粉操作是指将具有盲孔的覆铜板，用碳粉在盲孔表面上沉积上一层碳粉层。
采用将盲孔进行沉上碳粉操作，防止在进行第一次贴膜工艺处理时，将盲孔的沉铜层咬蚀，从而能降低铜牙出现的概率，从而提高MiniLED板的良品率。
进一步地，在步骤S103中，所述使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺包括使用所述内层干膜对所述覆铜板进行前处理、贴膜、曝光、显影工艺。
在本步骤中，具体的，所述前处理工艺是指解决覆铜板表面清洁度和表面粗糙度的处理工艺过程。
所述贴膜工艺是指将经过处理的覆铜板通过热压或涂覆的方式贴上干膜或湿膜，便于后续曝光生产的工艺过程。
所述曝光工艺是指将底片与压好干膜的覆铜板对位，在曝光机上利用紫外光的照射，将底片图形转移到感光干膜上的工艺过程。
所述显影工艺是指利用显影液(碳酸钠)的弱碱性将未经曝光的干膜/湿膜溶解冲洗掉，已曝光的部分保留的工艺过程。
其中，所述显影工艺为将盲孔开窗露出，所述开窗大小为盲孔孔径+3mil。
通过对覆铜板进行第一次贴膜工艺操作，该工艺操作过程不进行蚀刻，使用干膜将面铜盖住后，只将盲孔开窗露出，开窗大小为盲孔孔径+3mil，有利于对特定部分进行以上操作，从而提高面铜的均匀性。
进一步地，在步骤S103中，所述填孔电镀工艺时，使用0.8ASF电流参数。
在本步骤中，填孔电镀工艺是指对盲孔进行电镀操作。由于需要电镀的盲孔大小为孔径+3mil，电镀面积较小，因此采用0.8ASF电流参数，将盲孔填满，可靠性更高，提高了MiniLED板的导电性能。此外，由于盲孔并没有被干膜覆盖，因此，盲孔可正常进行电镀工艺，而面铜由于被干膜盖住，没有电镀和减铜工艺流程，可确保面铜的均匀性，从而使得蚀刻后相邻焊板间的上幅间距差异更小。
进一步地，在步骤S104中，所述第二次贴膜工艺为贴解析度好的20um干膜，以使相邻焊板之间的间距为20um。
在本步骤中，第二次贴膜选取解析度较好的干膜，能够将盲孔和焊板加镀到一定的厚度20um，以满足最终MiniLED板成品铜厚的要求。并将MiniLED板面没有用的铜蚀刻掉，露出有用的线路图形。
进一步地，在步骤S104中，所述蚀刻使用低喷压，快速度的参数。
其中，所述蚀刻后的焊板与焊板的上幅间距为35-43um。
在本步骤中，由于面铜被第一次贴膜工艺时的干膜盖住，盲孔露出，盲孔可正常电镀，面铜由于被干膜盖住，没有电镀和减铜流程，可确保面铜的均匀性良好，蚀刻后上焊板与焊板之间的上幅间距缩小至35-43um，从而制备出更加优良的MiniLED板。
上述MiniLED板的制备方法，通过使用反转铜箔对线路板进行压合，获得压合线路板；对压合线路板进行镭射、过日蚀线工艺，获得覆铜板；使用内层干膜对覆铜板进行第一次贴膜工艺，并对贴膜后的覆铜板进行填孔电镀、退膜工艺，获得电镀板；使用外层干膜对电镀版进行第二次贴膜工艺，并对贴膜后的电镀板进行蚀刻工艺，获得MiniLED板，不需要电镀和减铜流程，使得面铜均匀性更好，蚀刻后相邻焊板上幅间距差异更小，且不存在铜牙。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。
Claims (9)
1.一种MiniLED板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
使用反转铜箔对线路板进行压合，获得压合线路板；
对所述压合线路板进行镭射、过日蚀线工艺，获得覆铜板；
使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺，并对贴膜后的所述覆铜板进行填孔电镀、退膜工艺，获得电镀板；
使用外层干膜对所述电镀版进行第二次贴膜工艺，并对贴膜后的所述电镀板进行蚀刻工艺，获得MiniLED板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反转铜箔厚度为1/3OZ。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过日蚀线工艺之后，将盲孔进行沉上碳粉操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用内层干膜对所述覆铜板进行第一次贴膜工艺包括使用所述内层干膜对所述覆铜板进行前处理、贴膜、曝光、显影工艺。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述显影工艺为将盲孔开窗露出，所述开窗大小为盲孔孔径+3mil。
6.根据权利要求4至所述的方法，其特征在于，所述填孔电镀工艺时，使用0.8ASF电流参数。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次贴膜工艺为贴解析度好的20um干膜，以使相邻焊板之间的间距为20um。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻使用低喷压，快速度的参数。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述蚀刻后的焊板与焊板的上幅间距为35-43um。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210903 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |