CN111850643A - 一种引线框架的电镀方法 - Google Patents

一种引线框架的电镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111850643A
CN111850643A CN202010773035.4A CN202010773035A CN111850643A CN 111850643 A CN111850643 A CN 111850643A CN 202010773035 A CN202010773035 A CN 202010773035A CN 111850643 A CN111850643 A CN 111850643A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electroplating
lead frame
group
plating
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010773035.4A
Other languages
English (en)
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd filed Critical Tianshui Huayang Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202010773035.4A priority Critical patent/CN111850643A/zh
Publication of CN111850643A publication Critical patent/CN111850643A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium

Abstract

本发明公开了一种引线框架的电镀方法，属于引线框架电镀技术领域。本发明的引线框架的电镀方法主要通过电镀银层、电镀液处理和电镀处理这三个步骤来实现。本发明利用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理，能够进行多次多区域的电镀处理，能够显著提高引线框架的使用寿命。利用本发明的方法对引线框架的电镀处理进行电镀处理时，其溶液流速为6～9m/sec，阳极面积与阴极面积的比为6～8:1，电镀速率为0.7～1.2um/sec，阴极效率达到了95.7％～97.3％。本发明进行电镀处理1000次～4000次，电镀的均匀性以及电镀层的外观特性，均表现为良，明显优于常规电镀处理，效果显著。

Description

一种引线框架的电镀方法
技术领域
本发明属于引线框架电镀技术领域，具体涉及一种引线框架的电镀方法。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
目前常用的电镀的方式有全浸镀、选择浸镀、刷镀、局部镀等，其中全浸镀适合对整个引线框架进行全面电镀，进行打底电镀和功能层全镀。经现有文献检索发现，中国专利公开号CN106521583A，公开日2017年3月22日的专利申请公开了一种引线框架的电镀方法，该发明通过贴干膜、曝光与显影、电镀和退膜这四个步骤来实现实现引线框架的电镀处理，虽然其采用干膜作为保护膜，成本较低，只能适应单一区域的电镀处理，但是其电镀的均匀性以及电镀层的外观特性较差，无法满足多区域引线框的电镀处理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电镀的均匀性以及电镀层的外观特性号，可实现多区域引线框的电镀的引线框架的电镀方法。
为了实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：
一种引线框架的电镀方法，包括如下步骤：
1)电镀银层：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分为交错排列的3组，分别进行电镀银层；
2)电镀液处理：将阳极和在表面上形成有导孔的衬底浸没在电镀槽中的电镀液内，阳极被配置成与所述衬底的表面相对，采用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理；
3)电镀处理：将引线框架放入酵母浸粉、柠檬酸三钠和湿菲林溶液中进行电镀，然后进行曝光和显影，随后对引线框架的表面浸预镀铜和镀镍，对已镀镍的引线框架的表面浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，形成电镀层，完成引线框架的电镀处理。
进一步地，所述电镀银层能够产生700～750℃的极限拉伸强度。
进一步地，所述用电镀液电镀处理后用10～15mL/L的硫酸和4～5g/L的铁的酸处理液在35～38℃范围内处理膜载带30～40s。
进一步地，所述的电镀液由无水硫酸铜50～60g/L、光亮剂1～5mg/L、Fe3+30～40mg/L、氨基磺酸5～8mg/L、去离子水800～900mL制备而成。
进一步地，所述步骤1)中交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，利用第2组单元或第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，利用第1组单元或第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第3组单元窗口的进行电镀处理前，利用第1组单元或第2组单元窗口进行遮挡。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1)本发明利用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理，能够进行多次多区域的电镀处理，能够显著提高引线框架的使用寿命。
2)本发明利用无水硫酸铜、Fe3+和氨基磺酸组成的电镀液记性电镀处理时，降低表面处理过程所带来的脆性及应力，氨基磺酸盐电镀引线框工艺镀层内应力小,沉积速度快,且具有较好的结合力。
3)利用本发明的方法对引线框架的电镀处理进行电镀处理时，其溶液流速为6～9m/sec，阳极面积与阴极面积的比为6～8:1，电镀速率为0.7～1.2um/sec，阴极效率达到了95.7％～97.3％。
4)本发明进行电镀处理1000次～4000次，电镀的均匀性以及电镀层的外观特性，均表现为良，明显优于常规电镀处理。
具体实施方式
下面的施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1：
一种引线框架的电镀方法，包括如下步骤：
1)电镀银层：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分为交错排列的3组，分别进行电镀银层；所述中交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，利用第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，利用第1组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第3组单元窗口的进行电镀处理前，利用第2组单元窗口进行遮挡。所述电镀银层能够产生700℃的极限拉伸强度。
2)电镀液处理：将阳极和在表面上形成有导孔的衬底浸没在电镀槽中的电镀液内，阳极被配置成与所述衬底的表面相对，采用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理；所述的电镀液由无水硫酸铜50g/L、光亮剂1mg/L、Fe3+30mg/L、氨基磺酸5mg/L、去离子水800mL制备而成。所述用电镀液电镀处理后用10mL/L的硫酸和4g/L的铁的酸处理液在35℃范围内处理膜载带30s。
3)电镀处理：将引线框架放入酵母浸粉、柠檬酸三钠和湿菲林溶液中进行电镀，然后进行曝光和显影，随后对引线框架的表面浸预镀铜和镀镍，对已镀镍的引线框架的表面浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，形成电镀层，完成引线框架的电镀处理。
实施例2：
一种引线框架的电镀方法，包括如下步骤：
1)电镀银层：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分为交错排列的3组，分别进行电镀银层；所述中交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，利用第2组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，利用第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第3组单元窗口的进行电镀处理前，利用第1组单元窗口进行遮挡。所述电镀银层能够产生720℃的极限拉伸强度。
2)电镀液处理：将阳极和在表面上形成有导孔的衬底浸没在电镀槽中的电镀液内，阳极被配置成与所述衬底的表面相对，采用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理；所述的电镀液由无水硫酸铜55g/L、光亮剂4mg/L、Fe3+35mg/L、氨基磺酸7mg/L、去离子水850mL制备而成。所述用电镀液电镀处理后用12mL/L的硫酸和4g/L的铁的酸处理液在36℃范围内处理膜载带35s。
3)电镀处理：将引线框架放入酵母浸粉、柠檬酸三钠和湿菲林溶液中进行电镀，然后进行曝光和显影，随后对引线框架的表面浸预镀铜和镀镍，对已镀镍的引线框架的表面浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，形成电镀层，完成引线框架的电镀处理。
实施例3：
一种引线框架的电镀方法，包括如下步骤：
1)电镀银层：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分为交错排列的3组，分别进行电镀银层；所述中交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，利用第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，利用第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第3组单元窗口的进行电镀处理前，利用第2组单元窗口进行遮挡。所述电镀银层能够产生750℃的极限拉伸强度。
2)电镀液处理：将阳极和在表面上形成有导孔的衬底浸没在电镀槽中的电镀液内，阳极被配置成与所述衬底的表面相对，采用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理；所述的电镀液由无水硫酸铜60g/L、光亮剂5mg/L、Fe3+40mg/L、氨基磺酸8mg/L、去离子水900mL制备而成。所述用电镀液电镀处理后用15mL/L的硫酸和5g/L的铁的酸处理液在38℃范围内处理膜载带40s。
3)电镀处理：将引线框架放入酵母浸粉、柠檬酸三钠和湿菲林溶液中进行电镀，然后进行曝光和显影，随后对引线框架的表面浸预镀铜和镀镍，对已镀镍的引线框架的表面浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，形成电镀层，完成引线框架的电镀处理。
实验例
一、利用本发明的方法进行引线框架的电镀处理，其测定结果如表1所示：
Figure BDA0002617355830000041
Figure BDA0002617355830000051
由表1可知，利用本发明的方法对引线框架的电镀处理进行电镀处理时，其溶液流速为6～9m/sec，阳极面积与阴极面积的比为6～8:1，电镀速率为0.7～1.2um/sec，阴极效率达到了95.7％～97.3％。
二、利用本发明的方法进行多次处理后，其电镀的均匀性以及电镀层的外观特性，如表2所示：
Figure BDA0002617355830000052
由表2可知，本发明进行电镀处理1000次～4000次，电镀的均匀性以及电镀层的外观特性，均表现为良，明显优于常规电镀处理。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种引线框架的电镀方法，其特征在于包括如下步骤：
1)电镀银层：将阵列排列的引线框架拼版的所有单元窗口分为交错排列的3组，分别进行电镀银层；
2)电镀液处理：将阳极和在表面上形成有导孔的衬底浸没在电镀槽中的电镀液内，阳极被配置成与所述衬底的表面相对，采用不溶性阳极对被电镀物进行反复电镀，并采用独立电铸材料进行处理；
3)电镀处理：将引线框架放入酵母浸粉、柠檬酸三钠和湿菲林溶液中进行电镀，然后进行曝光和显影，随后对引线框架的表面浸预镀铜和镀镍，对已镀镍的引线框架的表面浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，形成电镀层，完成引线框架的电镀处理。
2.根据权利要求1所述的一种引线框架的电镀方法，其特征在于所述电镀银层能够产生700～750℃的极限拉伸强度。
3.根据权利要求1所述的一种引线框架的电镀方法，其特征在于所述用电镀液电镀处理后用10～15mL/L的硫酸和4～5g/L的铁的酸处理液在35～38℃范围内处理膜载带30～40s。
4.根据权利要求1所述的一种引线框架的电镀方法，其特征在于所述的电镀液由无水硫酸铜50～60g/L、光亮剂1～5mg/L、Fe3+30～40mg/L、氨基磺酸5～8mg/L、去离子水800～900mL制备而成。
5.根据权利要求1所述的一种引线框架的电镀方法，其特征在于所述步骤1)中交错排列的第1组单元窗口的进行电镀处理前，利用第2组单元或第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第2组单元窗口的进行电镀处理前，利用第1组单元或第3组单元窗口进行遮挡；所述交错排列的第3组单元窗口的进行电镀处理前，利用第1组单元或第2组单元窗口进行遮挡。
CN202010773035.4A 2020-08-04 2020-08-04 一种引线框架的电镀方法 Pending CN111850643A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010773035.4A CN111850643A (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种引线框架的电镀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010773035.4A CN111850643A (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种引线框架的电镀方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111850643A true CN111850643A (zh) 2020-10-30

Family

ID=72953422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010773035.4A Pending CN111850643A (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种引线框架的电镀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111850643A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114481239A (zh) * 2022-04-06 2022-05-13 新恒汇电子股份有限公司 避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101397692A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 上村工业株式会社 电镀方法
CN101624715A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 惠阳科惠工业科技有限公司 无镀金引线选择性电镀厚金工艺流程
CN101707185A (zh) * 2009-11-10 2010-05-12 宁波康强电子股份有限公司 引线框架的电镀方法
CN101867009A (zh) * 2010-05-07 2010-10-20 厦门永红科技有限公司 一种led引线框架及其电镀方法和电镀设备
CN101864586A (zh) * 2010-06-25 2010-10-20 厦门永红科技有限公司 一种集成电路芯片的引线框架的电镀方法
CN110055565A (zh) * 2018-01-19 2019-07-26 佛山市诺诚化工有限公司 电镀铜用的电镀液及电镀工艺
CN209266398U (zh) * 2019-01-30 2019-08-16 天水华洋电子科技股份有限公司 一种湿菲林镀银引线框架

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101397692A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 上村工业株式会社 电镀方法
CN101624715A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 惠阳科惠工业科技有限公司 无镀金引线选择性电镀厚金工艺流程
CN101707185A (zh) * 2009-11-10 2010-05-12 宁波康强电子股份有限公司 引线框架的电镀方法
CN101867009A (zh) * 2010-05-07 2010-10-20 厦门永红科技有限公司 一种led引线框架及其电镀方法和电镀设备
CN101864586A (zh) * 2010-06-25 2010-10-20 厦门永红科技有限公司 一种集成电路芯片的引线框架的电镀方法
CN110055565A (zh) * 2018-01-19 2019-07-26 佛山市诺诚化工有限公司 电镀铜用的电镀液及电镀工艺
CN209266398U (zh) * 2019-01-30 2019-08-16 天水华洋电子科技股份有限公司 一种湿菲林镀银引线框架

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114481239A (zh) * 2022-04-06 2022-05-13 新恒汇电子股份有限公司 避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺
CN114481239B (zh) * 2022-04-06 2022-06-24 新恒汇电子股份有限公司 避免盲孔电镀的柔性引线框架制备工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6277263B1 (en) Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece
US3959874A (en) Method of forming an integrated circuit assembly
US7320936B2 (en) Plating of multi-layer structures
WO2010027231A2 (ko) 리드 프레임 및 그 제조방법
CN113122845B (zh) 一种铝合金金属镀件的制备方法
CN111850643A (zh) 一种引线框架的电镀方法
CN114031769A (zh) 一种季铵盐类整平剂及其制备方法、含其的电镀液和电镀方法
JPS61227196A (ja) 錫‐黒鉛層又は錫／鉛‐黒鉛層の製造方法及び電気メツキ浴
JP2022120813A (ja) 超薄型銅箔とその作製方法
CN111074317A (zh) 一种铜箔的表面处理方法及铜箔材料
US3753665A (en) Magnetic film plated wire
US4055062A (en) Process for manufacturing strip lead frames
US5779873A (en) Electroplating of nickel on nickel ferrite devices
CN111041531A (zh) 电容器镍电镀液及电镀方法和应用
CN110854066A (zh) 一种半导体电镀方法
CN116288562A (zh) 一种软金电镀液及其制备与应用
CN112831821A (zh) 晶圆的电镀装置及电镀方法
US3699010A (en) Beam lead plating process
EP0785296A1 (en) Electroplating of nickel on nickel ferrite devices
JP3215545B2 (ja) 薄膜多層配線板及びその製造方法
CN216087117U (zh) 一种降低成本的印刷线路板镍合金多层镀金
CN116479485B (zh) 一种高可靠性引线框架及其制备方法
US3846258A (en) Process for solder coating silicon solar cells
US3859176A (en) Method for making thin film tungsten-thorium alloy
CN113122846B (zh) 一种铝合金金属镀件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201030