JPS62154766A - 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法

Info

Publication number
JPS62154766A
JPS62154766A JP29483485A JP29483485A JPS62154766A JP S62154766 A JPS62154766 A JP S62154766A JP 29483485 A JP29483485 A JP 29483485A JP 29483485 A JP29483485 A JP 29483485A JP S62154766 A JPS62154766 A JP S62154766A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
washing
roll
water
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29483485A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoichi Oku
倶一 奥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP29483485A priority Critical patent/JPS62154766A/ja
Publication of JPS62154766A publication Critical patent/JPS62154766A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームの製造方法に関す
る。
〔従来の技術〕
従来、写真蝕刻法(以下フォトエツチングと略す)で製
造する半導体装置用リードフレーム(以下リードフレー
ムと略す)は第2図に示すようにリードフレーム素材の
シート材1をアルカリ脱脂A、水洗At+酸化膜除去A
3の前処理を行い、次いで水洗Bl+  レジスト塗布
B2+露光B3+現像B4+ エツチングBS+  レ
ジスト剥離B6+水洗B’b乾燥Beのフォトエツチン
グ工程を行う。8はエツチング用原版、4は光源、9は
原版、5はエツチング液噴出ノズルである。
そして、その後リードフレームの半導体素子搭載領域(
以下、マウント部と略す)とワイヤーボンディング領域
(以下、ボンディング部と略す)に所望の金属めっきを
加工し、更にマウント部をDP加工するものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のフォトエツチング法によって製造されたリードフ
レームはシート状のリードフレーム素材(例えば42合
金)に複数のリードフレームをレイアウトし製造するた
め、次の様な欠点を有している。
(1)リードフレーム素材個有の圧延歪みのバラツキが
大きく、リードフレームとなってから長手方向及び巾方
向の反り、更にアイランド部の反り方向が一定でなく、
反り量が大きい等、リードフレームの機能を低下させる
(2)  リードフレーム形状となった後にシートから
1枚1枚分離し、マウント部のDP加工やマウント部と
ボンディング部へのめっき加工等工程が分断し生産性が
悪い。
(3)工程が分断されるためにめっき加工をする際、新
たに、めっき前処理を行ない、素材の酸化物を除去する
必要があり、製造原価の増加となる。
(4)  マウント部の反り方向が一定でないために、
マウント部のDP加工時に修整(マウント部の反りをな
くす、又は反り量を減らす)が困難である。
本発明は前記問題点を解消し、リードフレームを連続的
に製造する方法を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明はリードフレーム素材の歪みを矯正する工程と、
写真蝕刻工程と、めっき工程と、半導体装置を搭載する
マウント部をDP加工するDP工程とを少なくとも直結
して連続した一工程ユニットとし、ロールから繰り出し
た帯状リードフレーム素材を各工程に逐次連続して供給
、処理することによりリードフレームとして完成させ、
これをコイル状にロールに巻き取ることを特徴とする半
導体装置用リードフレームの製造方法である。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、本発明はロール2から繰り出した帯状
のリードフレーム素材を歪み矯正装置3で矯正する工程
巳と、アルカリ脱脂AI+水洗へ2゜酸化膜除去A8、
水洗A4を行う前処理工程Aと、乾燥B(IN  レジ
スト塗布Bl+露光B3+現像B4.エツチングBS、
レジスト剥離Bs+水洗B6を行うフォトエツチング工
程Bと、めっきCI+水洗C1+ 乾燥C8を行うめっ
き工程Cと、プレス上下金型7,7aによりリードフレ
ームの半導体装置搭載用マウンド部の反りをなくす、又
は反り量などを修正するDP加工を行うDP工程りとを
直結して連続した一工程ユニットとし、ロール2から繰
り出した帯状リードフレーム素材lを各工程に逐次連続
して供給、処理することによりリードフレームとして完
成させ、これをコイル状にロール2aに巻き取るもので
ある。
実施例において、巻出しリール2で巻出された素材1 
(所望とするリードフレーム中となっている)は素材歪
み矯正装置3によって所望とする方向の歪みに矯正し、
エツチング前処理工程Aを通過し、レジストとの密着性
の良い表面状態となり、光源4で乾燥された後にレジス
ト塗布、露光、現像、エツチング、レジストfJ1 離
、水洗のフォトエツチング工程Bを通過し、所望のリー
ドフレーム形状となる。更にマウント部やボンディング
部に所望とする貴金属を付着させるためリードフレーム
1をマイナス極とし、めっき液噴出ノズル6をプラス極
として電気めっきを行い、水洗、乾燥を行なう。しかる
後にマウント部をプレス機の上下金型7及び7aでDP
加工して巻取リリール2aに巻取り、リードフレームと
して完成させる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明はリードフレーム素材を所望と
するリードフレーム中にしてエツチング、めっき加工等
の前工程で素材の歪みを所望とする方向に矯正してあり
、DP加工で容易にアイランド部の反りを減少させられ
平坦なアイランド面が得られるとともにリードフレーム
長手方向や巾方向の反り等も減少させることができ、品
質の良いリードフレームを提供できることは明らかであ
る。
更にリードフレーム素材をリール状態で供給し歪み矯正
、エツチング、めっき、DP加工と連続して行なうこと
により、工程が分断されず、特別なめっき前処理が不要
となる等生産性の向上とともにより安価なリードフレー
ムを供給できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造フローを示す工程図、第2図は従
来のエツチング法の製造フローを示す工程図である。 ■・・・リードフレーム素材、2・・・巻出しリール、
2a・・・巻取りリール、3・・・歪み矯正装置(ロー
ル部分)、4・・・光源、5・・・工・ノチング液噴出
ノズル、6・・・めっき液噴出ノズル、7・・・プレス
金型(上型)、7a・・・プレス金型(下型)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレーム素材の歪みを矯正する工程と、写
    真蝕刻工程と、めっき工程と、半導体装置を搭載するマ
    ウント部をDP加工するDP工程とを少なくとも直結し
    て連続した一工程ユニットとし、ロールから繰り出した
    帯状リードフレーム素材を各工程に逐次連続して供給、
    処理することによりリードフレームとして完成させ、こ
    れをコイル状にロールに巻き取ることを特徴とする半導
    体装置用リードフレームの製造方法。
JP29483485A 1985-12-27 1985-12-27 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 Pending JPS62154766A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29483485A JPS62154766A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29483485A JPS62154766A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62154766A true JPS62154766A (ja) 1987-07-09

Family

ID=17812857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29483485A Pending JPS62154766A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62154766A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547976A (ja) * 1990-12-18 1993-02-26 Amkor Electron Inc 集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置
EP0617332A1 (de) * 1993-03-24 1994-09-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Herstellungsverfahren für ein Leiterrahmen-Material
EP0671660A2 (en) * 1994-03-10 1995-09-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lead-frame forming material
EP0672951A2 (en) * 1994-03-14 1995-09-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lead-frame forming material

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547976A (ja) * 1990-12-18 1993-02-26 Amkor Electron Inc 集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置
KR100233799B1 (ko) * 1990-12-18 1999-12-01 프랭크 제이. 마커시 연속 시스템으로 집적회로 다이용 리드프레임 스트립을 제조하는 방법 및 장치
EP0617332A1 (de) * 1993-03-24 1994-09-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Herstellungsverfahren für ein Leiterrahmen-Material
EP0671660A2 (en) * 1994-03-10 1995-09-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lead-frame forming material
EP0671660A3 (en) * 1994-03-10 1996-01-03 Fuji Photo Film Co Ltd Material used to make connection frames.
US5670293A (en) * 1994-03-10 1997-09-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lead-frame forming material
EP0672951A2 (en) * 1994-03-14 1995-09-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lead-frame forming material
EP0672951A3 (en) * 1994-03-14 1995-12-13 Fuji Photo Film Co Ltd Material used to make connection frames.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62154766A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法
US4512843A (en) Manufacturing a carrier tape or tapes
JP2503380B2 (ja) 平角線の製造方法
JP2000233223A (ja) 帯板のレベリング方法およびレベリング装置
KR100195159B1 (ko) 반도체 리드 프레임 제조용 감광막 부착장치
JPH1058036A (ja) トランス用軟質Al条板の連続製造方法
JP3362515B2 (ja) 枠付きエッチング部品構造体
JP3028160B2 (ja) リードフレームの連続製造装置
JP2934804B2 (ja) 半導体装置用リードフレームの形状加工及び処理方法
KR100203331B1 (ko) 리드프레임의 제조방법
JP3018024B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2520486B2 (ja) 半導体装置用リ―ドフレ―ムの製造方法
JP3060147B2 (ja) 電子部品の製造方法
JPS59178128A (ja) 鋼帯処理ラインの出側装置
JPS6258660A (ja) 半導体素子分断法
JPS59141389A (ja) 部分クラツド材の製造方法
JPH11165300A (ja) リードフレーム基材の加工方法および装置
JPH0920987A (ja) エッチング部品の製造方法
KR100548014B1 (ko) 리드프레임 제조방법
JP3020126B2 (ja) リードフレームの連続製造装置
JPH0652849A (ja) 金属リチウム付集電体及びその製造方法
JPH04271150A (ja) 半導体装置用リードフレームの製造方法
JPH08283965A (ja) エッチング加工方法およびエッチング加工装置
JPH038364A (ja) 半導体装置に用いるリードフレーム
JP2003164914A (ja) 微細なスリット状開口部を有する金属製薄板の欠陥修正方法