JPH07211836A - リードフレームとその製造方法 - Google Patents
リードフレームとその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 121
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インナーリード６のバンプ２を介しての半導
体素子の電極への接続が容易なリードフレームと、その
バンプ２をきわめて容易に形成することができるそのリ
ードフレームの製造方法を提供する。 【構成】 金属基板１のインナーリード６を形成すべき
領域５上にバンプ用金属層２を形成し、このバンプ用金
属層上にインナーリードを形成し、このインナーリード
をマスクとして上記バンプ用金属層をエッチングするこ
とによりバンプ２を形成し、その後上記金属基板１の裏
面側からの選択的エッチングによりアウターリードを形
成する。
体素子の電極への接続が容易なリードフレームと、その
バンプ２をきわめて容易に形成することができるそのリ
ードフレームの製造方法を提供する。 【構成】 金属基板１のインナーリード６を形成すべき
領域５上にバンプ用金属層２を形成し、このバンプ用金
属層上にインナーリードを形成し、このインナーリード
をマスクとして上記バンプ用金属層をエッチングするこ
とによりバンプ２を形成し、その後上記金属基板１の裏
面側からの選択的エッチングによりアウターリードを形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム、特
に、インナーリードのバンプを介しての半導体素子の電
極の接続が容易なリードフレームと、バンプをきわめて
容易に形成することができるそのリードフレームの製造
方法に関する。
に、インナーリードのバンプを介しての半導体素子の電
極の接続が容易なリードフレームと、バンプをきわめて
容易に形成することができるそのリードフレームの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームとして、銅からなるアウ
ターリードの表面内端部に、このアウターリードやイン
ナーリードのパターニングのためのエッチングにおいて
エッチングストッパとなるアルミニウムからなる中間層
を介してインナーリードの裏面の基端部を接続した構造
を有するものがある。そして、かかるリードフレームの
多くはインナーリードの先端部にアルミニウムからなる
バンプを有しており、インナーリードはその先端部がそ
のバンプを介して半導体素子の電極パッドに接続される
ようになっている。
ターリードの表面内端部に、このアウターリードやイン
ナーリードのパターニングのためのエッチングにおいて
エッチングストッパとなるアルミニウムからなる中間層
を介してインナーリードの裏面の基端部を接続した構造
を有するものがある。そして、かかるリードフレームの
多くはインナーリードの先端部にアルミニウムからなる
バンプを有しており、インナーリードはその先端部がそ
のバンプを介して半導体素子の電極パッドに接続される
ようになっている。
【０００３】そして、そのようなリードフレームのバン
プの形成は、例えばインナーリード及びアウターリード
のパターニングのためのエッチングの終了後、そのエッ
チングに対してエッチングストッパとなっていたアルミ
ニウムからなる中間層をインナーリード及びアウターリ
ードをマスクとしてエッチングするときにバンプを形成
すべき箇所をもマスクしておくことにより行われた。
プの形成は、例えばインナーリード及びアウターリード
のパターニングのためのエッチングの終了後、そのエッ
チングに対してエッチングストッパとなっていたアルミ
ニウムからなる中間層をインナーリード及びアウターリ
ードをマスクとしてエッチングするときにバンプを形成
すべき箇所をもマスクしておくことにより行われた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したリ
ードフレームによれば、インナーリードの先端部を半導
体素子の電極パッドにボンディングするときに、ボンデ
ィングツールでインナーリードの先端部を抑える位置が
バンプ位置から僅かでもインナーリードの長手方向に沿
って逸れると良好なボンディングガできないという問題
があった。
ードフレームによれば、インナーリードの先端部を半導
体素子の電極パッドにボンディングするときに、ボンデ
ィングツールでインナーリードの先端部を抑える位置が
バンプ位置から僅かでもインナーリードの長手方向に沿
って逸れると良好なボンディングガできないという問題
があった。
【０００５】また、そのようなリードフレームの製造方
法によれば、バンプを形成するために特別にフォトレジ
スト膜の形成、露光、現像等からなる一連のフォトレジ
スト選択的形成工程が必要となり、工程数が多くなると
いう問題もあった。また更に、マスク合せずれによって
バンプの形成位置がずれるという問題もあった。そし
て、バンプの形成位置がずれると良好なボンディングが
できないので不良となり、これは看過することができな
い。
法によれば、バンプを形成するために特別にフォトレジ
スト膜の形成、露光、現像等からなる一連のフォトレジ
スト選択的形成工程が必要となり、工程数が多くなると
いう問題もあった。また更に、マスク合せずれによって
バンプの形成位置がずれるという問題もあった。そし
て、バンプの形成位置がずれると良好なボンディングが
できないので不良となり、これは看過することができな
い。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、インナーリードのバンプを介しての
半導体素子の電極の接続が容易なリードフレームと、バ
ンプをきわめて容易に形成することができるそのリード
フレームの製造方法を提供することを目的とする。
されたものであり、インナーリードのバンプを介しての
半導体素子の電極の接続が容易なリードフレームと、バ
ンプをきわめて容易に形成することができるそのリード
フレームの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のリードフレー
ムは、アウターリードの表面内端部とインナーリードの
裏面基端部との間に介在する金属層が上記インナーリー
ド裏面のアウターリードから突出した部分に延設せしめ
られてリードフレームと平面形状が等しいバンプを成し
ていることを特徴とする。
ムは、アウターリードの表面内端部とインナーリードの
裏面基端部との間に介在する金属層が上記インナーリー
ド裏面のアウターリードから突出した部分に延設せしめ
られてリードフレームと平面形状が等しいバンプを成し
ていることを特徴とする。
【０００８】請求項２のリードフレームの製造方法は、
請求項１のリードフレームを製造する方法において、金
属基板のインナーリードを形成すべき領域上にバンプ用
金属層を形成し、このバンプ用金属層上にインナーリー
ドを形成し、このインナーリードをマスクとして上記バ
ンプ用金属層をエッチングすることによりバンプを形成
し、その後上記金属基板の裏面側からの選択的エッチン
グによりアウターリードを形成することを特徴とする。
請求項３のリードフレームの製造方法は、請求項２のリ
ードフレームの製造方法において、インナーリードをマ
スクとするバンプ用金属層に対するエッチングがドライ
エッチングであることを特徴とする。
請求項１のリードフレームを製造する方法において、金
属基板のインナーリードを形成すべき領域上にバンプ用
金属層を形成し、このバンプ用金属層上にインナーリー
ドを形成し、このインナーリードをマスクとして上記バ
ンプ用金属層をエッチングすることによりバンプを形成
し、その後上記金属基板の裏面側からの選択的エッチン
グによりアウターリードを形成することを特徴とする。
請求項３のリードフレームの製造方法は、請求項２のリ
ードフレームの製造方法において、インナーリードをマ
スクとするバンプ用金属層に対するエッチングがドライ
エッチングであることを特徴とする。
【０００９】請求項４のリードフレームの製造方法は、
請求項２又は３のリードフレームの製造方法において、
インナーリードの形成を、アルミニウムからなるバンプ
用金属層上にメッキ下地用金属層を形成し、該メッキ下
地用金属層上に形成すべきインナーリードに対してネガ
のパターンを有するレジスト膜を形成し、このレジスト
膜をマスクとして上記メッキ下地用金属層上にインナー
リード用金属層を形成し、その後、このインナーリード
用金属層をマスクとして上記メッキ下地用金属層をエッ
チングすることにより行うことを特徴とする。
請求項２又は３のリードフレームの製造方法において、
インナーリードの形成を、アルミニウムからなるバンプ
用金属層上にメッキ下地用金属層を形成し、該メッキ下
地用金属層上に形成すべきインナーリードに対してネガ
のパターンを有するレジスト膜を形成し、このレジスト
膜をマスクとして上記メッキ下地用金属層上にインナー
リード用金属層を形成し、その後、このインナーリード
用金属層をマスクとして上記メッキ下地用金属層をエッ
チングすることにより行うことを特徴とする。
【００１０】請求項５のリードフレームの製造方法は、
請求項４のリードフレームの製造方法において、インナ
ーリード用金属層が銅からなることを特徴とする。請求
項６のリードフレームの製造方法は、請求項４のリード
フレームの製造方法において、インナーリード用金属層
がニッケルからなることを特徴とする。請求項７のリー
ドフレームの製造方法は、請求項４のリードフレームの
製造方法において、ニッケルと銅による二層構造を有し
ていることを特徴とする。
請求項４のリードフレームの製造方法において、インナ
ーリード用金属層が銅からなることを特徴とする。請求
項６のリードフレームの製造方法は、請求項４のリード
フレームの製造方法において、インナーリード用金属層
がニッケルからなることを特徴とする。請求項７のリー
ドフレームの製造方法は、請求項４のリードフレームの
製造方法において、ニッケルと銅による二層構造を有し
ていることを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１のリードフレームによれば、インナー
リードのアウターリードから食み出した部分の裏面全域
にバンプ用金属層が存在しているので、インナーリード
の半導体素子の電極へのボンディング時にインナーリー
ドのバンプの形成されていないところがボンディングツ
ールにより加圧されてボンディング不良が生じるという
不都合が生じなくなり、ボンディングがし易く、且つボ
ンディング不良率が小さくなる。
リードのアウターリードから食み出した部分の裏面全域
にバンプ用金属層が存在しているので、インナーリード
の半導体素子の電極へのボンディング時にインナーリー
ドのバンプの形成されていないところがボンディングツ
ールにより加圧されてボンディング不良が生じるという
不都合が生じなくなり、ボンディングがし易く、且つボ
ンディング不良率が小さくなる。
【００１２】請求項２のリードフレームの製造方法によ
れば、アウターリードとなる金属基板表面のバンプ用金
属層上に形成したインナーリードをマスクとしてバンプ
用金属層をエッチングすることによりバンプを形成する
ので、インナーリード裏面にそれと同じ形状のバンプ用
金属層を形成することができ、その後、上記金属基板を
裏面から選択的にエッチングすることによりアウターリ
ードを形成するとバンプ用金属層のこのアウターリード
から食み出た部分がそのままバンプとなる。従って、バ
ンプを特別にパターニングする工程を要することなく形
成することができる。
れば、アウターリードとなる金属基板表面のバンプ用金
属層上に形成したインナーリードをマスクとしてバンプ
用金属層をエッチングすることによりバンプを形成する
ので、インナーリード裏面にそれと同じ形状のバンプ用
金属層を形成することができ、その後、上記金属基板を
裏面から選択的にエッチングすることによりアウターリ
ードを形成するとバンプ用金属層のこのアウターリード
から食み出た部分がそのままバンプとなる。従って、バ
ンプを特別にパターニングする工程を要することなく形
成することができる。
【００１３】請求項３のリードフレームの製造方法によ
れば、インナーリードをマスクとするバンプ用金属層が
ドライエッチングであるので、バンプとなるバンプ用金
属層のパターニングをサイドエッチングを全く伴うこと
なくインナーリードと同じ形状に正確に形成することが
できる。請求項４のリードフレームの製造方法によれ
ば、バンプ用金属層上のメッキ下地用金属層表面に、イ
ンナーリードに対してネガのパターンを有するレジスト
膜を形成しこれをマスクとしてこのメッキ下地用金属層
上に金属層をメッキしてインナーリードを形成するの
で、選択的エッチングによりパターニングした場合にお
けるようなサイドエッチングによってインナーリードに
対してのファインパターン化が妨げられるということが
生ぜず、微細なインナーリードをファインに形成するこ
とができる。また、バンプ用金属層上の薄い銅はインナ
ーリードをマスクとしてエッチングするのでリード間が
そのメッキ下地用金属層により短絡されることはない。
れば、インナーリードをマスクとするバンプ用金属層が
ドライエッチングであるので、バンプとなるバンプ用金
属層のパターニングをサイドエッチングを全く伴うこと
なくインナーリードと同じ形状に正確に形成することが
できる。請求項４のリードフレームの製造方法によれ
ば、バンプ用金属層上のメッキ下地用金属層表面に、イ
ンナーリードに対してネガのパターンを有するレジスト
膜を形成しこれをマスクとしてこのメッキ下地用金属層
上に金属層をメッキしてインナーリードを形成するの
で、選択的エッチングによりパターニングした場合にお
けるようなサイドエッチングによってインナーリードに
対してのファインパターン化が妨げられるということが
生ぜず、微細なインナーリードをファインに形成するこ
とができる。また、バンプ用金属層上の薄い銅はインナ
ーリードをマスクとしてエッチングするのでリード間が
そのメッキ下地用金属層により短絡されることはない。
【００１４】請求項５のリードフレームの製造方法によ
れば、インナーリードが銅からなるので、弾力性に富ん
だインナーリードを得ることができる。請求項６のリー
ドフレームの製造方法によれば、インナーリードがニッ
ケルと銅の二層構造なので、銅により適度の弾力性を確
保すると共に、表面のニッケルの硬度の高さを活かすこ
とによりインナーリードの強度を確保することができ、
更には、インナーリードをマスクとするバンプ用金属層
に対する不要部分除去のためのエッチングに際してイン
ナーリードが侵蝕されるのを有効に防止することができ
る。
れば、インナーリードが銅からなるので、弾力性に富ん
だインナーリードを得ることができる。請求項６のリー
ドフレームの製造方法によれば、インナーリードがニッ
ケルと銅の二層構造なので、銅により適度の弾力性を確
保すると共に、表面のニッケルの硬度の高さを活かすこ
とによりインナーリードの強度を確保することができ、
更には、インナーリードをマスクとするバンプ用金属層
に対する不要部分除去のためのエッチングに際してイン
ナーリードが侵蝕されるのを有効に防止することができ
る。
【００１５】請求項７のリードフレームの製造方法によ
れば、インナーリードがニッケルからなり硬度が高いの
でインナーリードの強度を確保することができ、更に、
インナーリードをマスクとするバンプ用金属層に対する
不要部分除去のためのエッチングに際してインナーリー
ドが侵蝕される虞れがない。
れば、インナーリードがニッケルからなり硬度が高いの
でインナーリードの強度を確保することができ、更に、
インナーリードをマスクとするバンプ用金属層に対する
不要部分除去のためのエッチングに際してインナーリー
ドが侵蝕される虞れがない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明リードフレームとその製造方法
を図示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｉ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例を工程順に示す断面図、図２（Ａ）乃至（Ｄ）は同じ
く斜視図であり、図１に従ってそのリードフレームの製
造方法の説明をする。 （Ａ）図１（Ａ）に示すように、インナーリードとなる
金属基板（リードフレームベース）１を用意し、該金属
基板１の表面のインナーリード郡を形成すべき領域４上
にマスク治具Ｍをマスクとして例えばアルミニウムから
なるバンプ用金属層（厚さ例えば０．１〜１０μｍ）２
を形成し、更にこのバンプ用金属層２上に０．１〜１μ
ｍ程度の厚さを有する銅又はニッケルからなる薄いメッ
キ下地用金属層３を形成する。この薄い金属層３は、バ
ンプ用金属層２に対して後でメッキにより形成されるイ
ンナーリード（６）の密着性を強めるために形成され
る。
を図示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｉ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例を工程順に示す断面図、図２（Ａ）乃至（Ｄ）は同じ
く斜視図であり、図１に従ってそのリードフレームの製
造方法の説明をする。 （Ａ）図１（Ａ）に示すように、インナーリードとなる
金属基板（リードフレームベース）１を用意し、該金属
基板１の表面のインナーリード郡を形成すべき領域４上
にマスク治具Ｍをマスクとして例えばアルミニウムから
なるバンプ用金属層（厚さ例えば０．１〜１０μｍ）２
を形成し、更にこのバンプ用金属層２上に０．１〜１μ
ｍ程度の厚さを有する銅又はニッケルからなる薄いメッ
キ下地用金属層３を形成する。この薄い金属層３は、バ
ンプ用金属層２に対して後でメッキにより形成されるイ
ンナーリード（６）の密着性を強めるために形成され
る。
【００１７】尚、金属基板１は例えばＣｕ合金［ＴＡＭ
ＡＣ−１５（三菱伸銅製）］あるいは４２合金からな
り、０．０８〜０．２ｍｍの厚さを有する。図２（Ａ）
は薄い金属層３形成後の状態を示す。 （Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上記金属基板１
の表面上にレジスト膜５（厚さ例えば２０μｍ）を選択
的に形成し、その後、このレジスト膜５をマスクとして
上記メッキ下地用金属層３上をも含む金属基板１上に金
属層６をメッキにより成長させる。そして、この金属層
６がインナーリードとなる。このインナーリード６を成
す金属層は、厚さ例えば５〜２５μｍからなる銅層６ａ
の表面に厚さ例えば１〜１０μｍのニッケル層又はニッ
ケル合金を積層した二層構造を有している。
ＡＣ−１５（三菱伸銅製）］あるいは４２合金からな
り、０．０８〜０．２ｍｍの厚さを有する。図２（Ａ）
は薄い金属層３形成後の状態を示す。 （Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上記金属基板１
の表面上にレジスト膜５（厚さ例えば２０μｍ）を選択
的に形成し、その後、このレジスト膜５をマスクとして
上記メッキ下地用金属層３上をも含む金属基板１上に金
属層６をメッキにより成長させる。そして、この金属層
６がインナーリードとなる。このインナーリード６を成
す金属層は、厚さ例えば５〜２５μｍからなる銅層６ａ
の表面に厚さ例えば１〜１０μｍのニッケル層又はニッ
ケル合金を積層した二層構造を有している。
【００１８】このようにインナーリード６を、表面側が
ニッケル又はニッケル合金層で、裏面側が銅層の二層構
造にしたのは、ニッケル又はニッケル合金層によりイン
ナーリードの強度を確保し且つ、後で行うインナーリー
ド自身をマスクとするバンプ用金属層２に対するエッチ
ングによりインナーリード自身が侵されないようにする
と共に、銅によりインナーリード自身の柔軟性を確保し
て外的力で破断しないようにし、更にインナーリードの
ボンディング時にＩＣパッドに与えるダメージを緩和す
るためである。
ニッケル又はニッケル合金層で、裏面側が銅層の二層構
造にしたのは、ニッケル又はニッケル合金層によりイン
ナーリードの強度を確保し且つ、後で行うインナーリー
ド自身をマスクとするバンプ用金属層２に対するエッチ
ングによりインナーリード自身が侵されないようにする
と共に、銅によりインナーリード自身の柔軟性を確保し
て外的力で破断しないようにし、更にインナーリードの
ボンディング時にＩＣパッドに与えるダメージを緩和す
るためである。
【００１９】尚、インナーリード６を厚さ例えば１０〜
２０μｍの銅のみにより形成するようにしても良い。こ
の場合は、インナーリード自身の柔軟性をきわめて高
め、外的力による破断を有効に防止し、インナーリード
のボンディング時にＩＣパッドに与えるダメージを有効
に緩和することができる。この場合、後のバンプ用金属
層２に対するエッチングでインナーリード６自身の表面
が若干侵蝕される虞れがあるが、その侵蝕する分を見越
してインナーリード６を厚めにメッキしておくと特に問
題がない。
２０μｍの銅のみにより形成するようにしても良い。こ
の場合は、インナーリード自身の柔軟性をきわめて高
め、外的力による破断を有効に防止し、インナーリード
のボンディング時にＩＣパッドに与えるダメージを有効
に緩和することができる。この場合、後のバンプ用金属
層２に対するエッチングでインナーリード６自身の表面
が若干侵蝕される虞れがあるが、その侵蝕する分を見越
してインナーリード６を厚めにメッキしておくと特に問
題がない。
【００２０】また、インナーリード６を厚さ例えば１０
〜２０μｍからなる銅のみにより形成するようにしても
良い。この場合はインナーリード６の強度を高めること
ができる。 （Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すようにレジスト膜５を除
去する。これは例えばＮａＯＨ５％溶液（４０℃）に６
０秒間浸漬することにより行う。
〜２０μｍからなる銅のみにより形成するようにしても
良い。この場合はインナーリード６の強度を高めること
ができる。 （Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すようにレジスト膜５を除
去する。これは例えばＮａＯＨ５％溶液（４０℃）に６
０秒間浸漬することにより行う。
【００２１】（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、バ
ンプ用金属層２上のメッキ下地用金属層、例えば銅層３
をインナーリード６をマスクとするエッチングにより除
去する。この銅層３は例えば０．３μｍ程度の厚さなの
で、例えばＨ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏからなるエッ
チング溶液にリードフレームを数秒乃至十数秒（例えば
１０秒）浸漬するという所謂クィックエッチによりエッ
チングすることができる。このエッチングにより薄い金
属層３の不要部分を除去することができ、薄い金属層３
が各インナーリード６・６間を短絡する状態がなくな
る。
ンプ用金属層２上のメッキ下地用金属層、例えば銅層３
をインナーリード６をマスクとするエッチングにより除
去する。この銅層３は例えば０．３μｍ程度の厚さなの
で、例えばＨ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏからなるエッ
チング溶液にリードフレームを数秒乃至十数秒（例えば
１０秒）浸漬するという所謂クィックエッチによりエッ
チングすることができる。このエッチングにより薄い金
属層３の不要部分を除去することができ、薄い金属層３
が各インナーリード６・６間を短絡する状態がなくな
る。
【００２２】（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、イ
ンナーリード６をマスクとしてバンプ用金属層３をドラ
イエッチングする。これにより、インナーリード６の少
なくとも先端部にはバンプ用金属層２が積層され、その
インナーリード６先端部とバンプ用金属層３とが完全に
同じ形状になる。というのは、ドライエッチングにはサ
イドエッチングが生じないからである。図２（Ｂ）はこ
のドライエッチング終了後の状態を示す。このドライエ
ッチングは、例えば芝浦製作所製のドライエッチング装
置（ＨＩＲＲＩＥ−２００）を用い、例えば、出力３５
０Ｗ、Ｃｌ2 の流量６０ＳＣＣＭ、ＢＣｌ3 の流量４０
ＳＣＣＭ、圧力１３０ＰＡ、エッチング時間５分の条件
下で行う。
ンナーリード６をマスクとしてバンプ用金属層３をドラ
イエッチングする。これにより、インナーリード６の少
なくとも先端部にはバンプ用金属層２が積層され、その
インナーリード６先端部とバンプ用金属層３とが完全に
同じ形状になる。というのは、ドライエッチングにはサ
イドエッチングが生じないからである。図２（Ｂ）はこ
のドライエッチング終了後の状態を示す。このドライエ
ッチングは、例えば芝浦製作所製のドライエッチング装
置（ＨＩＲＲＩＥ−２００）を用い、例えば、出力３５
０Ｗ、Ｃｌ2 の流量６０ＳＣＣＭ、ＢＣｌ3 の流量４０
ＳＣＣＭ、圧力１３０ＰＡ、エッチング時間５分の条件
下で行う。
【００２３】（Ｆ）次に、図１（Ｆ）に示すように、金
属基板１の表面及び裏面を電着レジスト膜７により選択
的にマスクし、その状態で表面及び裏面から金属基板１
の厚さの２分の１の深さ分エッチングする。具体的に
は、表面側の電着レジスト膜７は位置決め等のためのホ
ール８を形成すべき部分以外は全面的に覆うように形成
し、裏面側の電着レジスト７はホール８及びデバイスホ
ール９を形成すべき以外は全面的に覆うように形成し、
その状態で例えば塩化第２鉄エッチャーを用いてエッチ
ングする。これにより、ホール８が完全に形成されると
共に、金属基板１の厚さの半分の深さのデバイスホール
９が形成される。図２（Ｃ）はそのエッチングの終了後
の状態を示す。
属基板１の表面及び裏面を電着レジスト膜７により選択
的にマスクし、その状態で表面及び裏面から金属基板１
の厚さの２分の１の深さ分エッチングする。具体的に
は、表面側の電着レジスト膜７は位置決め等のためのホ
ール８を形成すべき部分以外は全面的に覆うように形成
し、裏面側の電着レジスト７はホール８及びデバイスホ
ール９を形成すべき以外は全面的に覆うように形成し、
その状態で例えば塩化第２鉄エッチャーを用いてエッチ
ングする。これにより、ホール８が完全に形成されると
共に、金属基板１の厚さの半分の深さのデバイスホール
９が形成される。図２（Ｃ）はそのエッチングの終了後
の状態を示す。
【００２４】（Ｇ）次に、電着レジスト膜７を除去し、
その後、図１（Ｇ）に示すように、インナーリード６、
６、…上に矩形枠状のインナーリード補強用ポリイミド
テープ１０をラミネートする。これは、例えば１２５μ
ｍの厚さのユーピレックスを厚さ２０μｍのエポキシ接
着剤を用いて接着することにより行う。図２（Ｄ）はポ
リイミドテープ１０のラミネート後の状態を示す。 （Ｈ）次に、図１（Ｈ）に示すように、金属基板１の表
面を全面的に、金属基板１の裏面を選択的に、レジスト
膜７でマスクする。この選択的マスクは、デバイスホー
ル８以外を覆うように行う。そして、この状態で金属基
板１の裏面を過酸化水素、硫酸系のエッチング液にてエ
ッチングすることによりデバイスホール９を完全に形成
する。すると、バンプ形成用金属層２を下面に有するイ
ンナーリード６、６、…が完全に露出し、そして、その
インナーリード６、６、…の下面に存在するバンプ形成
用金属層２がバンプとなる。
その後、図１（Ｇ）に示すように、インナーリード６、
６、…上に矩形枠状のインナーリード補強用ポリイミド
テープ１０をラミネートする。これは、例えば１２５μ
ｍの厚さのユーピレックスを厚さ２０μｍのエポキシ接
着剤を用いて接着することにより行う。図２（Ｄ）はポ
リイミドテープ１０のラミネート後の状態を示す。 （Ｈ）次に、図１（Ｈ）に示すように、金属基板１の表
面を全面的に、金属基板１の裏面を選択的に、レジスト
膜７でマスクする。この選択的マスクは、デバイスホー
ル８以外を覆うように行う。そして、この状態で金属基
板１の裏面を過酸化水素、硫酸系のエッチング液にてエ
ッチングすることによりデバイスホール９を完全に形成
する。すると、バンプ形成用金属層２を下面に有するイ
ンナーリード６、６、…が完全に露出し、そして、その
インナーリード６、６、…の下面に存在するバンプ形成
用金属層２がバンプとなる。
【００２５】（Ｉ）その後、図１（Ｉ）に示すようにレ
ジスト膜７を除去する。すると、図３に示すようなリー
ドフレームが出来上る。図３において、想像線で示す１
１はＩＣ、１２は樹脂パッケージである。即ち、このリ
ードフレームは、アウターリード１の表面内端部とイン
ナーリードの６裏面基端部との間に介在する金属層２が
上記インナーリード６裏面のアウターリードから突出し
た部分にまで延設せしめられてリードフレーム６と平面
形状が等しいバンプを成しているという特徴を有してい
る。そして、インナーリード６のアウターリード１から
食み出した部分の裏面全域にバンプ２が形成されている
ので、インナーリードの半導体素子の電極へのボンディ
ング時にインナーリードのバンプの形成されていないと
ころがボンディングツールにより加圧されてボンディン
グ不良が生じるという不都合が生じなくなり、ボンディ
ングがし易く、且つボンディング不良率が小さくなる。
ジスト膜７を除去する。すると、図３に示すようなリー
ドフレームが出来上る。図３において、想像線で示す１
１はＩＣ、１２は樹脂パッケージである。即ち、このリ
ードフレームは、アウターリード１の表面内端部とイン
ナーリードの６裏面基端部との間に介在する金属層２が
上記インナーリード６裏面のアウターリードから突出し
た部分にまで延設せしめられてリードフレーム６と平面
形状が等しいバンプを成しているという特徴を有してい
る。そして、インナーリード６のアウターリード１から
食み出した部分の裏面全域にバンプ２が形成されている
ので、インナーリードの半導体素子の電極へのボンディ
ング時にインナーリードのバンプの形成されていないと
ころがボンディングツールにより加圧されてボンディン
グ不良が生じるという不都合が生じなくなり、ボンディ
ングがし易く、且つボンディング不良率が小さくなる。
【００２６】そして、図１（Ａ）乃至（Ｉ）に示したリ
ードフレームの製造方法によれば、アウターリードとな
る金属基板１表面のバンプ用金属層２上に形成したイン
ナーリード６をマスクとしてこのバンプ用金属層２をエ
ッチングすることによりバンプを形成するので、インナ
ーリード６裏面にそれと同じ形状のバンプ用金属層２を
形成することができ、その後、上記金属基板１を裏面か
ら選択的にエッチングすることによりアウターリード６
を形成するとバンプ用金属層２のこのアウターリード１
から食み出た部分がそのままバンプとなる。従って、バ
ンプを特別にパターニングする工程を要することなく形
成することができる。
ードフレームの製造方法によれば、アウターリードとな
る金属基板１表面のバンプ用金属層２上に形成したイン
ナーリード６をマスクとしてこのバンプ用金属層２をエ
ッチングすることによりバンプを形成するので、インナ
ーリード６裏面にそれと同じ形状のバンプ用金属層２を
形成することができ、その後、上記金属基板１を裏面か
ら選択的にエッチングすることによりアウターリード６
を形成するとバンプ用金属層２のこのアウターリード１
から食み出た部分がそのままバンプとなる。従って、バ
ンプを特別にパターニングする工程を要することなく形
成することができる。
【００２７】
【発明の効果】請求項１のリードフレームは、アウター
リードの表面内端部とインナーリードの裏面基端部との
間に介在する金属層がこのインナーリード裏面のアウタ
ーリードから突出した部分に延設せしめられてリードフ
レームと平面形状が等しいバンプを成していることを特
徴とするものである。従って、請求項１のリードフレー
ムによれば、インナーリードのアウターリードから食み
出した部分の裏面全域にバンプ用金属層が形成されてい
るので、インナーリードの半導体素子の電極へのボンデ
ィング時にインナーリードのバンプの形成されていない
ところがボンディングツールにより加圧されてボンディ
ング不良が生じるという不都合が生じなくなり、ボンデ
ィングがし易く、且つボンディング不良率が小さくな
る。
リードの表面内端部とインナーリードの裏面基端部との
間に介在する金属層がこのインナーリード裏面のアウタ
ーリードから突出した部分に延設せしめられてリードフ
レームと平面形状が等しいバンプを成していることを特
徴とするものである。従って、請求項１のリードフレー
ムによれば、インナーリードのアウターリードから食み
出した部分の裏面全域にバンプ用金属層が形成されてい
るので、インナーリードの半導体素子の電極へのボンデ
ィング時にインナーリードのバンプの形成されていない
ところがボンディングツールにより加圧されてボンディ
ング不良が生じるという不都合が生じなくなり、ボンデ
ィングがし易く、且つボンディング不良率が小さくな
る。
【００２８】請求項２のリードフレームの製造方法は、
金属基板のインナーリードを形成すべき領域上にバンプ
用金属層を形成し、このバンプ用金属層上にインナーリ
ードを形成し、このインナーリードをマスクとしてこの
バンプ用金属層をエッチングすることによりバンプを形
成し、その後上記金属基板の裏面側からの選択的エッチ
ングによりアウターリードを形成することを特徴とする
ものである。従って、請求項２のリードフレームの製造
方法によれば、アウターリードとなる金属基板表面のバ
ンプ用金属層上に形成したインナーリードをマスクとし
てバンプ用金属層をエッチングすることによりバンプを
形成するので、インナーリード裏面にそれと同じ形状の
バンプ用金属層を形成することができ、その後、上記金
属基板を裏面から選択的にエッチングすることによりア
ウターリードを形成するとバンプ用金属層のこのアウタ
ーリードから食み出た部分がそのままバンプとなる。従
って、バンプを特別にパターニングする工程を要するこ
となく形成することができる。
金属基板のインナーリードを形成すべき領域上にバンプ
用金属層を形成し、このバンプ用金属層上にインナーリ
ードを形成し、このインナーリードをマスクとしてこの
バンプ用金属層をエッチングすることによりバンプを形
成し、その後上記金属基板の裏面側からの選択的エッチ
ングによりアウターリードを形成することを特徴とする
ものである。従って、請求項２のリードフレームの製造
方法によれば、アウターリードとなる金属基板表面のバ
ンプ用金属層上に形成したインナーリードをマスクとし
てバンプ用金属層をエッチングすることによりバンプを
形成するので、インナーリード裏面にそれと同じ形状の
バンプ用金属層を形成することができ、その後、上記金
属基板を裏面から選択的にエッチングすることによりア
ウターリードを形成するとバンプ用金属層のこのアウタ
ーリードから食み出た部分がそのままバンプとなる。従
って、バンプを特別にパターニングする工程を要するこ
となく形成することができる。
【００２９】請求項３のリードフレームの製造方法は、
インナーリードをマスクとするバンプ用金属層に対する
エッチングがドライエッチングであることを特徴とする
ものである。従って、請求項３のリードフレームの製造
方法によれば、インナーリードをマスクとするバンプ用
金属層がドライエッチングであるので、バンプとなるバ
ンプ用金属層のパターニングをサイドエッチングを全く
伴うことなくインナーリードと同じ形状に正確に形成す
ることができる。
インナーリードをマスクとするバンプ用金属層に対する
エッチングがドライエッチングであることを特徴とする
ものである。従って、請求項３のリードフレームの製造
方法によれば、インナーリードをマスクとするバンプ用
金属層がドライエッチングであるので、バンプとなるバ
ンプ用金属層のパターニングをサイドエッチングを全く
伴うことなくインナーリードと同じ形状に正確に形成す
ることができる。
【００３０】請求項４のリードフレームの製造方法は、
インナーリードの形成を、アルミニウムからなるバンプ
用金属層上にメッキ下地用金属層を形成し、このメッキ
下地用金属層上に形成すべきインナーリードに対してネ
ガのパターンを有するレジスト膜を形成し、このレジス
ト膜をマスクとして上記銅層上にインナーリード用金属
層を形成し、その後、このインナーリード用金属層をマ
スクとして上記メッキ下地用金属層をエッチングするこ
とにより行うことを特徴とするものである。従って、請
求項４のリードフレームの製造方法によれば、バンプ用
金属層上のメッキ下地用金属層表面に、インナーリード
に対してネガのパターンを有するレジスト膜を形成しこ
れをマスクとして上記メッキ下地用金属層上に金属層を
メッキしてインナーリードを形成するので、選択的エッ
チングによりパターニングした場合におけるようなサイ
ドエッチングによってインナーリードに対してのファイ
ンパターン化妨げられるということが生ぜず、微細なイ
ンナーリードをファインに形成することができる。ま
た、バンプ用金属層上のメッキ下地用金属層はインナー
リードをマスクとしてエッチングするのでリード間がそ
の銅により短絡されることはない。
インナーリードの形成を、アルミニウムからなるバンプ
用金属層上にメッキ下地用金属層を形成し、このメッキ
下地用金属層上に形成すべきインナーリードに対してネ
ガのパターンを有するレジスト膜を形成し、このレジス
ト膜をマスクとして上記銅層上にインナーリード用金属
層を形成し、その後、このインナーリード用金属層をマ
スクとして上記メッキ下地用金属層をエッチングするこ
とにより行うことを特徴とするものである。従って、請
求項４のリードフレームの製造方法によれば、バンプ用
金属層上のメッキ下地用金属層表面に、インナーリード
に対してネガのパターンを有するレジスト膜を形成しこ
れをマスクとして上記メッキ下地用金属層上に金属層を
メッキしてインナーリードを形成するので、選択的エッ
チングによりパターニングした場合におけるようなサイ
ドエッチングによってインナーリードに対してのファイ
ンパターン化妨げられるということが生ぜず、微細なイ
ンナーリードをファインに形成することができる。ま
た、バンプ用金属層上のメッキ下地用金属層はインナー
リードをマスクとしてエッチングするのでリード間がそ
の銅により短絡されることはない。
【００３１】請求項５のリードフレームの製造方法は、
インナーリード用金属層が銅からなることを特徴とする
ものである。従って、請求項５のリードフレームの製造
方法によれば、インナーリードが銅からなるので、弾力
性に富んだインナーリードを得ることができる。
インナーリード用金属層が銅からなることを特徴とする
ものである。従って、請求項５のリードフレームの製造
方法によれば、インナーリードが銅からなるので、弾力
性に富んだインナーリードを得ることができる。
【００３２】請求項６のリードフレームの製造方法は、
インナーリード用金属層がニッケルからなることを特徴
とするものである。従って、請求項６のリードフレーム
の製造方法によれば、インナーリードが銅とニッケルの
二層構造なので、銅により適度の弾力性を確保すると共
に、表面のニッケルの硬度の高さを活かすことによりイ
ンナーリードの強度を確保することができ、更には、イ
ンナーリードをマスクとするバンプ用金属層に対する不
要部分除去のためのエッチングに際してインナーリード
が侵蝕されるのを有効に防止することができる。
インナーリード用金属層がニッケルからなることを特徴
とするものである。従って、請求項６のリードフレーム
の製造方法によれば、インナーリードが銅とニッケルの
二層構造なので、銅により適度の弾力性を確保すると共
に、表面のニッケルの硬度の高さを活かすことによりイ
ンナーリードの強度を確保することができ、更には、イ
ンナーリードをマスクとするバンプ用金属層に対する不
要部分除去のためのエッチングに際してインナーリード
が侵蝕されるのを有効に防止することができる。
【００３３】請求項７のリードフレームの製造方法は、
ニッケルと銅による二層構造を有していることを特徴と
するものである。従って、請求項７のリードフレームの
製造方法によれば、インナーリードがニッケルからなり
硬度が高いのでインナーリードの強度を確保することが
でき、更には、インナーリードをマスクとするバンプ用
金属層に対する不要部分除去のためのエッチングに際し
てインナーリードが侵蝕されるのを有効に防止すること
ができる。
ニッケルと銅による二層構造を有していることを特徴と
するものである。従って、請求項７のリードフレームの
製造方法によれば、インナーリードがニッケルからなり
硬度が高いのでインナーリードの強度を確保することが
でき、更には、インナーリードをマスクとするバンプ用
金属層に対する不要部分除去のためのエッチングに際し
てインナーリードが侵蝕されるのを有効に防止すること
ができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｉ）は本発明リードフレームの製
造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｄ）は上記実施例を工程順に示す
斜視図である。
斜視図である。
【図３】図１、図２に示す製造方法により製造されたと
ころの本発明リードフレームの一つの実施例を示す断面
図である。
ころの本発明リードフレームの一つの実施例を示す断面
図である。
１ 金属基板（アウターリード） ２ バンプ用金属層（バンプ） ３ メッキ下地用金属層 ４ インナーリードを群成すべき領域 ５ レジスト膜 ６ インナーリード
Claims (7)
- 【請求項１】 各アウターリードの表面内端部に、この
アウターリードとは別の材質からなる金属層を介してイ
ンナーリードの裏面基端部が接続されたリードフレーム
において、 上記金属層が上記インナーリード裏面のアウターリード
から突出した部分に延設せしめられてインナーリードと
平面形状が等しいバンプを成していることを特徴とする
リードフレーム - 【請求項２】 アウターリードとなる金属基板の一方の
表面のインナーリードが群成せしめられる領域上にバン
プとなりアウターリードとは材質の異なるバンプ用金属
層を形成し、 上記バンプ用金属層上にこれと異なる金属からなるイン
ナーリードを形成し、 上記インナーリードをマスクとして上記バンプ用金属層
をエッチングしてバンプを形成し、 その後、上記金属基板に対する裏面からの選択的エッチ
ングによりアウターリードを形成すると共に、上記バン
プを露出させることにより請求項１記載のリードフレー
ムを製造することを特徴とするリードフレームの製造方
法 - 【請求項３】 インナーリードをマスクとするバンプ用
金属層に対するエッチングがドライエッチングであるこ
とを特徴とする請求項２記載のリードフレームの製造方
法 - 【請求項４】 アルミニウムからなるバンプ用金属層上
に薄いメッキ下地用金属層を形成し、該メッキ下地用金
属層層上に形成すべきインナーリードに対してネガのパ
ターンを有するレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマ
スクとして上記メッキ下地用金属層上にインナーリード
用金属層を形成し、その後、このインナーリード用金属
層をマスクとして上記メッキ下地用金属層をエッチング
することによりインナーリードを形成することを特徴と
する請求項２又は３記載のリードフレームの製造方法 - 【請求項５】 インナーリード用金属層が銅からなるこ
とを特徴とする請求項４記載のリードフレームの製造方
法 - 【請求項６】 インナーリード用金属層がニッケルから
なることを特徴とする請求項４記載のリードフレームの
製造方法 - 【請求項７】 インナーリード用金属層がニッケルと銅
による二層構造を有していることを特徴とする請求項４
記載のリードフレームの製造方法
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019948A JP2856061B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | リードフレームとその製造方法 |
| KR1019950000001A KR100352519B1 (ko) | 1994-01-19 | 1995-01-03 | 리드프레임과그제조방법 |
| US08/372,247 US5481798A (en) | 1994-01-19 | 1995-01-13 | Etching method for forming a lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019948A JP2856061B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | リードフレームとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211836A true JPH07211836A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2856061B2 JP2856061B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=12013435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6019948A Expired - Fee Related JP2856061B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | リードフレームとその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5481798A (ja) |
| JP (1) | JP2856061B2 (ja) |
| KR (1) | KR100352519B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH09162346A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Kenseidou Kagaku Kogyo Kk | 新規なリードフレーム |
| JP2016136564A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | Ｓｈマテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2861841B2 (ja) * | 1994-11-22 | 1999-02-24 | ソニー株式会社 | リードフレームの製造方法 |
| US5810609A (en) * | 1995-08-28 | 1998-09-22 | Tessera, Inc. | Socket for engaging bump leads on a microelectronic device and methods therefor |
| JP3422144B2 (ja) * | 1995-09-22 | 2003-06-30 | ソニー株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| JPH09312374A (ja) | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Sony Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP3003624B2 (ja) * | 1997-05-27 | 2000-01-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| JPH1174413A (ja) | 1997-07-01 | 1999-03-16 | Sony Corp | リードフレームとリードフレームの製造方法と半導体装置と半導体装置の組立方法と電子機器 |
| US6782610B1 (en) * | 1999-05-21 | 2004-08-31 | North Corporation | Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base |
| DE102007034402B4 (de) * | 2006-12-14 | 2014-06-18 | Advanpack Solutions Pte. Ltd. | Halbleiterpackung und Herstellungsverfahren dafür |
| CN103137570B (zh) | 2011-11-29 | 2016-02-10 | 先进封装技术私人有限公司 | 基板结构、半导体封装元件及基板结构的制造方法 |
| KR101443972B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-09-23 | 삼성전기주식회사 | 일체형 전력 반도체 모듈 |
| CN108257938B (zh) * | 2018-01-31 | 2020-01-24 | 江苏长电科技股份有限公司 | 用于引线框架的治具及引线框架的蚀刻方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1817434C3 (de) * | 1967-12-30 | 1980-05-14 | Sony Corp., Tokio | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung |
| JPS57170534A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Dry etching method for aluminum and aluminum alloy |
| US4878990A (en) * | 1988-05-23 | 1989-11-07 | General Dynamics Corp., Pomona Division | Electroformed and chemical milled bumped tape process |
| JP2797542B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1998-09-17 | ソニー株式会社 | リードフレームの製造方法 |
| US5014113A (en) * | 1989-12-27 | 1991-05-07 | Motorola, Inc. | Multiple layer lead frame |
| JPH05121482A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Sony Corp | バンプを有するリードフレームの製造方法 |
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-
1994
- 1994-01-19 JP JP6019948A patent/JP2856061B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-03 KR KR1019950000001A patent/KR100352519B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-01-13 US US08/372,247 patent/US5481798A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100352519B1 (ko) | 2002-12-26 |
| US5481798A (en) | 1996-01-09 |
| KR950034722A (ja) | 1995-12-28 |
| JP2856061B2 (ja) | 1999-02-10 |
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