JPH07231062A - リードフレームの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 後加工用の部分メッキ用の治具を必要とせ
ず，部分メッキを所定の箇所とサイズに的確に設けるこ
とを課題とする。 【構成】 金属材料１に第１のメッキ層２を施した後，
所定部分に第２のメッキ処理を部分的に行うための第１
のレジストパターン３ａを形成し，第１のレジストパタ
ーン３ａが形成されず露出している第１のメッキ層の表
面に第２のメッキ層４を形成し，第１のレジストパター
ン３ａを除去した後，第２のメッキ層４の上に，エッチ
ング加工用の第２のレジストパターン５ａを形成し，第
２のメッキ層４をエッチング加工により第２のメッキパ
ターン４ａとして形成し，第２のレジストパターン５ａ
と第２のメッキパターン４ａとを加工パターンとして金
属材料１及び第１のメッキ層２を貫通エッチング加工し
た後，第２のメッキパターン４ａの張り出し部を除去
し，第２のレジストパターン５ａ及び必要に応じて不要
の第１のメッキ層２を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体装置に用いられるリードフレームの加工方法に関し，
詳しくは，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化，
小型化に伴なうリードフレーム多ピン化やインナーリー
ドピッチの狭ピッチ化に対応できるリードフレームの加
工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置
に用いられるリードフレームは，鉄，ニッケル合金であ
る４２合金や銅を用い，エッチング加工やプレス加工に
よりその外形加工を行った後に，部分メッキ用治具（装
置）を用いて，必要部のみを部分的にメッキしていた。
しかしながら，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度
化，小型化に伴い，リードフレーム多ピン化やインナー
リードピッチの狭ピッチ化が進み，従来の部分メッキ用
治具（装置）では，サイズ的，精度的，品質上対応出来
ない場合が出てきた。

【０００３】これに対応するものとして，特開平５−２
２６５３６号公報に示すような提案もなされている。こ
の方法では，部分的に銀メッキした後に，レジストパタ
ーンを表裏に形成し，銀部，次いでリードフレーム素材
をエッチング加工するものである。しかし，この方法に
おいては，リードフレーム用素材のエッチングの際に
は，該リードフレーム素材のサイドエッチングが進み，
素材上の銀メッキ部の下側が本発明実施例の図１（ｈ）
に示すと同様に大きくえぐり取られるのが一般的であ
る。このえぐり取られる部分を「えぐれ」と呼ぶ。ま
た，リードフレーム素材の端部にエッチングが不完全な
銀部が一部突き出た状態になるが，これを「張り出し
部」と呼ぶ。例えば，１５０μｍの板厚のリードフレー
ム素材を両面からエッチング加工する場合には，片側で
３０〜４０μｍ程度で，インナーリード先端部では，両
側でほぼ板厚の半分の６０〜８０μｍが張り出し部４ｂ
となる。銀メッキ厚さは，５μｍ程度で，特に，レジス
トを剥離した後は，不安定となる。張り出し部４ｂは，
エッチング工程を含めた以降の工程で，変形し易く，剥
がれやすい上，張り出し部分４ｃのみが折れ易くなる。
その結果張り出し部分４ｃのみが折れて，銀メッキ部の
幅が変化したり，折れた張り出し部分が他の箇所に付着
する等障害となっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は，前記のよう
な問題点を排除して，リードフレームの多ピン化やイン
ナーリードピッチの狭ピッチ化に対応でき，かつ，イン
ナーリード部やアイランド部の部分メッキ処理部に張り
出し部のない，品質的に信頼性の高いリードフレームの
加工方法を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
手段は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられるリー
ドフレームの加工方法であって，順に，（Ａ）少なくと
も，リードフレーム材料の一方の面に第１のメッキ処理
を行う工程，（Ｂ）所定部分に第２のメッキ処理を部分
的に行うための第１のレジストパターンを形成する工
程，（Ｃ）前記第１のレジストパターンが形成されず露
出している前記第１のメッキ層の表面に第２のメッキ処
理を行い，第２のメッキ層を形成する工程，（Ｄ）前記
第１のレジストパターンを除去する工程，（Ｅ）前記第
２のメッキ処理により形成された第２のメッキ層の上
に，エッチング加工用の第２のレジストパターンを形成
する工程，（Ｆ）前記第２のレジストパターンにしたが
い，前記第２のメッキ層をエッチングして第２のメッキ
パターンを形成する第１のエッチング加工工程，（Ｇ）
少なくとも，前記第２のメッキパターン側から，リード
フレーム材料を貫通エッチングする第２のエッチング加
工工程，（Ｈ）前記第２のエッチング加工によって形成
された第２のメッキパターンの張り出し部をエッチング
除去する第３のエッチング加工工程，（Ｉ）前記第２の
レジストパターンを除去する工程，を有することを特徴
とするリードフレームの加工方法である。本発明の請求
項２記載の手段は，前記第１のレジストパターンが部分
メッキ用の治具パターンであることを特徴とする請求項
１記載のリードフレームの加工方法である。本発明の請
求項３記載の手段は，第１のメッキ処理を銅ストライク
メッキ処理としたことを特徴とする請求項１ないし２記
載のリードフレームの加工方法である。本発明の請求項
４記載の手段は，第２のメッキ処理を銀メッキ処理とし
たことを特徴とする請求項１ないし３記載のリードフレ
ームの加工方法である。本発明の請求項５記載の手段
は，第１のメッキ処理をニッケルメッキ処理とし，第２
のメッキ処理をパラジュームメッキ処理としたことを特
徴とする請求項１ないし２記載のリードフレームの加工
方法である。本発明の請求項６記載の手段は，第２のエ
ッチング加工のエッチング液として，前記第２のメッキ
パターンを実質的にエッチングしないエッチング液を用
いることを特徴とする請求項１ないし５記載のリードフ
レームの加工方法である。本発明の請求項７記載の手段
は，第２のメッキ層の厚みが５μｍ以上であることを特
徴とする請求項１〜６記載のリードフレームの加工方法
である。

【０００６】以下，本発明のリードフレームの加工方法
を図１をもとに，各工程を順を追ってさらに詳述する。
まず，少なくともリードフレーム素材（以下金属材料１
と呼ぶ）の汚れ等をとるため，第１のメッキ処理をする
前処理として，脱脂処理，電解研磨処理，化学研磨処理
等を行うが，これらを組み合わせて行ってもよい。〔図
１（ａ）〕

【０００７】（Ａ）工程 少なくとも金属材料１の片面に第１のメッキ処理をし，
第１のメッキ層２を形成する。〔図１（ｂ）〕 通常，金属材料１としては，４２合金（４２％ニッケル
−鉄合金），５０合金（５０％ニッケル−鉄合金），銅
合金，コバール等が用いられる。第１のメッキ処理とし
ては，引き続く第２のメッキ層４の金属材料１への密着
性をあげるためのもので，金属材料１がニッケル−鉄合
金や銅合金の場合は，銅ストライクメッキが一般に用い
られ，０．１〜０．５μｍ程度に薄くつける。なお，金
属材料１に銅合金を使用した場合でも，母材である銅合
金には，銅以外に不純物が含まれており，材種によって
第２のメッキ層４との密着性のバラツキがでるので，均
一な銅層を作る必要がある。銅ストライクメッキを行う
ことが効果的である。また，この工程では，裏面のメッ
キ付着防止用シートにより被覆して，裏面の銅ストライ
クめっきは必ずしも行わなくても良い。

【０００８】（Ｂ）工程 所定部分に第２のメッキ処理を部分的に行うための第１
のレジストパターンを形成する。第１のレジストパター
ン３ａは高い位置精度は要求されない〔図１（ｃ）〕 次に行う第２のメッキ処理は，インナーリード部１２の
先端部，アイランド部１３の所定領域を含む範囲であれ
ば良いが，メッキに用いる金，銀，パラジューム等の金
属は高価なため，できるだけ狭い範囲とすることが好ま
しい。レジスト材料としては，カゼイン，ＰＶＡ等の水
系レジスト，ネガ型，ポジ型の液状レジスト，ドライフ
ィルム等を使用できる。第１のレジストパターン３ａを
部分メッキ用治具とした場合は，部分メッキ用治具とし
ては，例えば，ガラスエポキシ等の基材に，シリコ−ン
ゴム等の弾性体を積層し，メッキすべき領域を開口した
構造からなる弾性体を金属材料１に密着させて開口部の
みにメッキ液を施す方式とする。

【０００９】（Ｃ）工程 前記第１のレジストパターンが形成されず露出している
前記第１のメッキ層の表面に第２のメッキ処理を行い，
第２のメッキ層を形成する。〔図１（ｄ）〕 第１のレジストパターンとして前記の部分メッキ用治具
を用いる場合には，例えば，図３に示すような，メッキ
装置において，前記の金属材料１をプレス部にて，部分
メッキ用治具の弾性体面側に押しつけ，部分メッキ用治
具の開口部にメッキ液をノズル等により吹きつけを行
う。第２のメッキ層４としては，金などのワイヤボンデ
ィングに対する接続性，半導体素子のアイランド部１３
への半田密着性から，金，銀，パラジューム等が好まし
い。第２のメッキ層４の厚みは，ワイヤボンディングに
対する接続性等から，また，ポーラスでない膜を得るた
めには，３μｍ程度は必要であり，さらに，後述する第
２のエッチング加工において，第２のメッキ層４が実質
的にエッチングされないエッチング液を使用した場合，
エッチング処理時に第２のメッキパターン４ａの張り出
し部４ｂはエッチングされず，その上のレジストと一体
で強度的に十分エッチングスプレー圧に耐えるようにな
り，張り出し部４ｂの折れや分離が局部的に発生するこ
ともなく，エッチング断面形状は均一になる。この効果
は，第２のメッキ層４の厚みが５μｍ以上のときにより
効果的となる。

【００１０】（Ｄ）工程 前記第１のレジストパターンを，それぞれのレジストに
対応するレジスト除去剤により除去する。また，第１の
レジストパターン３ａを部分メッキ用治具とした場合
は，これを取り外して除去するのみでよい。〔図１
（ｅ）〕

【００１１】（Ｅ）工程 前記第２のメッキ処理により形成された第２のメッキ層
の上に，エッチング加工用の第２のレジストパターンを
形成する。〔図１（ｆ）〕 第２のレジストとしては，後のエッチング工程に耐える
もので，剥離性の良いものが好ましく，一般には，重ク
ロム酸塩を感光剤とした水系のカゼインやＰＶＡが用い
られるがこれに限定されない。各種ネガ型，ポジ型の液
状レジスト，場合によっては，感光性のドライフィルム
でもよい。第２のレジストパターン５ａの形成は，後工
程において金属材料１を表裏両面からエッチング加工す
る場合は，金属材料１の両面のレジストに対して行う
が，片面エッチングのみで金属材料１をエッチング加工
する場合には，第２のメッキ層４と反対側は行わずに，
レジストが全面を覆うようにしておく。

【００１２】（Ｆ）工程 前記第２のレジストパターンにしたがい，前記第２のメ
ッキ層をエッチングして第２のメッキパターン４ａを形
成する第１のエッチング加工を行う。〔図１（ｇ）〕 第１のエッチング加工に用いるエッチング液としては，
第２のメッキ処理により形成されたメッキ層のみを選択
的にエッチングすることが好ましく，第１のメッキ層２
や金属材料１を実質的にエッチングしないものである。

【００１３】（Ｇ）工程 少なくとも，前記第２のメッキパターン側から，リード
フレーム材料を貫通エッチングする第２のエッチング加
工である。〔図１（ｈ）〕 第２のエッチング加工は，第２のメッキパターン４ａの
張り出し部４ｂを小とするために，通常は，金属材料１
の両面からエッチングして加工するが，金属材料１自体
が板厚１００μｍ以下程度と薄くなった場合には，両面
からのエッチングに代え，片面からのみのエッチングを
行うこともできる。前述のように，片面からのみのエッ
チングの際には，金属材料１のエッチングされない側の
面は，レジストを全面塗布しておく等の処置をしてお
く。第２のエッチング加工におけるエッチング液は，第
１のメッキ層２と金属材料１をエッチングできるもので
あり，好ましくは，第２のメッキパターン４ａを実質的
にエッチングしないエッチング液を使用する。実質的に
エッチングしないエッチング液とは，相手をエッチング
しない，または，しにくいエッチング液をいう（以下同
様）。ニッケル−鉄合金や銅合金を金属材料１とした場
合には，エッチング液としては，塩化第二鉄，塩化第二
銅が用いられる。

【００１４】（Ｈ）工程 前記第２のエッチング加工によって形成された第２のメ
ッキパターンの張り出し部をエッチング除去する第３の
エッチング加工を行う。〔図１（ｉ）〕 張り出し部をエッチング除去する際のエッチング液も第
１のメッキ層２の処理に用いたものと同様に，第２のメ
ッキパターン４ａのみを選択的にエッチング液すること
が好ましく，第１のメッキ層２や金属材料１を実質的に
エッチングしないものである。この処理により，たと
え，第２のエッチング加工により，張り出し部４ｂが不
安定となり，折れて分離したとしても，分離された部分
もエッチングにより除去することができる。

【００１５】（Ｉ）工程 前記第２のレジストパターンを，それぞれのレジストに
対応するレジスト除去剤により除去する。〔図１
（ｊ）〕 第２のレジストパターン５ａの除去剤としては，第２の
レジストパターン５ａを除去でき，かつ，金属材料１，
第２のメッキパターン４ａをいためないものが好まし
く，カゼインレジストの場合には，除去剤としては，カ
セイソーダを主成分とする除去溶液を用いる。

【００１６】さらに，第２のレジストパターン５ａを剥
離した後，露出している第１のメッキ層２部は必要に応
じて除去する。〔図１（ｋ）〕 この際の除去液としては，第１のメッキ層２のみをエッ
チングできるものが好ましい。金属材料１がニッケル−
鉄系の合金であり，第１のメッキ層２を銅ストライクと
した場合には，第２のレジストパターン５ａを剥離した
後に露出している第１のメッキ層２である銅部は不安定
であるため，除去するが，金属材料１が銅合金であり，
第１のメッキ層２を銅ストライクとした場合には，メッ
キによる純銅の方が酸化銅層がうすいため変色しにくい
というメリットがあり，この工程は必要ではない。

【００１７】なお，本発明のリードフレームの加工方法
は，金属材料１を素材の両面からエッチングを行った方
が，片面のみからエッチングした場合に比べ，第２のメ
ッキパターン４ａの張り出し部４ｂが小となるため，エ
ッチング工程における安定性は優れる。また，第１のメ
ッキ層２及び金属材料１を貫通させる第２のエッチング
加工としては，通常はスプレーエッチング方法が用いら
れるが，浸漬エッチング方法を用いる場合もある。第２
のメッキ層４をエッチングする第１のエッチング加工及
び貫通後に残った不要な第１のメッキ層２を除去する方
法におけるエッチング方法としては，スプレーエッチン
グ方法，浸漬エッチング方法，浸漬電解エッチング方法
のいずれも使用できる。

【００１８】

【作用】本発明のリードフレームの加工方法は，前記の
ような構成，特に，（Ｇ）及び（Ｈ）の工程により，リ
ードフレームのサイドエッチングが進み，リードフレー
ム上の第２のメッキパターンの下側が大きくえぐり取ら
れて，エッチング工程以降に，第２のメッキパターンが
剥がれたり，張り出し部分が折れて第２のメッキパター
ンの幅が変化してしまったり，折れた張り出し部分が，
エッチング工程以降，他の箇所に付着する等の障害とな
る問題点を，第３のエッチング加工により積極的にエッ
チング除去することにより解決することができる。

【００１９】

【実施例】以下，図を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は，本発明の実施例の加工方法の工程を説明す
る模式断面図である。図２は，本発明の実施例の加工方
法により形成されたリードフレームの平面図を示す。 （実施例１）前処理の工程である。リードフレームの金
属材料１として板厚０．１５ｍｍの４２合金を用い，汚
れ等をとるための脱脂処理を行った。〔図１（ａ）〕

【００２０】（Ａ）工程 前記金属材料１の表裏面にシアン化銅を主成分としたメ
ッキ液を使用して約０．３μｍの銅ストライクメッキを
行い，第１のメッキ層２を形成した。〔図１（ｂ）〕 （Ｂ）工程 図１（ｄ）で行う第２のメッキ層４形成の前処理として
第２のメッキ層４の不要な箇所に第１のレジストパター
ン３ａを形成した。第１のレジストパターン３ａとして
は，カゼイン系レジストを使用した。〔図１（ｃ）〕 （Ｃ）工程 前記第１のレジストパターン３ａが形成されず露出して
いる第１のメッキ層２の表面に第２のメッキであるシア
ン化銀カリウム（日本高純度化学（株）テンペレジスト
ＡＧＲ−Ｈタイプ）にて約５μｍ厚みの銀メッキ処理を
行った。〔図１（ｄ）〕 （Ｄ）工程 図１（ｃ）で塗布された第１のレジストパターン３ａ
を，第２のメッキ層４の部分メッキ終了後に，カセイソ
ーダを主成分とした剥離液を使用することにより除去し
た。〔図１（ｅ）〕

【００２１】（Ｅ）工程 前記第２のメッキ層４の表面上にリードフレーム１１の
リードパターンを形成するようにエッチング用の第２の
レジストパターン５ａを設ける。第２のレジスト層５と
しては，カゼイン系レジストを使用した。〔図１
（ｆ）〕 （Ｆ）工程 第２のレジストパターン５ａが施されていない第２のメ
ッキ層４（銀メッキ）の表面に，対象のリードフレーム
の金属材料１（４２合金）を実質的にエッチングしない
エッチング液を使用することで，第２のメッキ層４（銀
メッキ）を第１のエッチング加工により除去した。ここ
ではエッチング液として錯化剤（日本高純度化学（株）
シルバーストリッパーＤ−２３）を主成分とした液を使
用し，電解エッチングにより除去した。〔図１（ｇ）〕 （Ｇ）工程 第１のメッキ層２（銅材料）や対象のリードフレームで
ある金属材料１（４２合金）を表裏面よりエッチング加
工して，第１のメッキ層２（銅材料）や対象のリードフ
レームである金属材料１を貫通させる。ここでは少なく
とも銀メッキ材料を実質的にエッチングしないエッチン
グ液として塩化第二鉄を使用した。第２のメッキパター
ン４ａの張り出し部４ｂの形状のくずれが少なく，レジ
ストパターン５ａとともに残存して，エッチング工程中
に剥がれたり，張り出し部分が折れて第２のメッキパタ
ーン４ａ（銀メッキ）の幅が変化してしまったり，折れ
た張り出し部分が他の箇所に障害となることはなかっ
た。〔図１（ｈ）〕

【００２２】（Ｈ）工程 図１（ｈ）で残存した第２のメッキパターン４ａ（銀メ
ッキ）の張り出し部４ｂを，対象のリードフレームであ
る金属材料１（４２合金）を実質的にエッチングしない
エッチング液として，錯化剤（日本高純度化学（株）シ
ルバーストリッパーＤ−２３）を主成分としたエッチン
グ液を使用し，電解エッチングにより除去した。〔図１
（ｉ）〕 （Ｉ）工程 カセイソーダを主成分とした剥離液を使用することによ
り塗布形成した第２のレジストパターン５ａを剥離，除
去した。〔図１（ｊ）〕

【００２３】次いで，図１（ｋ）は，不要な第１のメッ
キ層２（銅メッキ）除去する工程であり，第２のメッキ
パターン４ａ（銀メッキ）の下地でない第１のメッキ層
２（銅メッキ）部分のみ及び裏面の第１のメッキ層２を
シアン化カリウムと水酸化カリウムと錯化剤（日本高純
度化学（株）ハクレックスＣＳ）との混合物を主成分と
したエッチング液を使用することにより除去して図２に
その平面図を示す所望のリードフレーム１１を得ること
ができた。このようにして得られた，リードフレーム
は，従来の加工後にメッキを施した場合にみられたイン
ナーリード側面の銀の付着や裏面の銀の付着はなく，か
つ，張り出し部４ｂは除去されているため，銀部剥離や
銀部の折れは無く，パッケージング後も，これに起因す
るインナーリード間のショート等の問題は皆無であっ
た。

【００２４】（実施例２）前記実施例１において，リー
ドフレーム１１の金属材料１を銅板とし，（Ａ）工程の
第１のメッキ層２をスルファミン酸ニッケル浴でニッケ
ル層を形成し，（Ｃ）工程の第２のメッキ層４を日本高
純度化学（株）パラプライトＳＳＴ浴でパラジュームで
形成し，図１（ｋ）の不要の第１のメッキ層２（ニッケ
ル）の除去工程は実施しなかったほか，ほぼ同一の条件
で実施し，同様の結果を得た。 （実施例３）実施例１，２において，第１のレジストパ
ターン３ａをシリコ−ンゴムによる部分メッキ用治具と
したほか，ほぼ同一条件で実施し，同様の結果を得た。

【００２６】

【発明の効果】以上のように，本発明によれば，繁雑で
困難な後加工用の部分メッキ用の治具を必要としないだ
けでなく，リードフレームのサイドエッチングが進み，
リードフレーム上の第２のメッキパターンの下側が大き
く「えぐり」取られて，第２のメッキパターンが剥がれ
たり，張り出し部分が折れて第２のメッキパターンの幅
が変化してしまったり，折れた張り出し部分が他の箇所
に付着する等の障害となるエッチング工程以降の問題点
を解決し，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化，
小型化に伴なうリードフレーム多ピン化やインナーリー
ドピッチの狭ピッチ化に対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の加工方法の工程を説明する模
式断面図である。

【図２】本発明の実施例の加工方法により形成されたリ
ードフレームの平面図を示す。

【図３】本発明の実施例３の加工方法において用いたメ
ッキ装置の構成を説明する概略図である。

【符号の説明】

１ 金属材料 ２ 第１のメッキ層 ２ａ 第１のメッキパターン ３ 第１のレジスト層 ３ａ 第１のレジストパターン ４ 第２のメッキ層 ４ａ 第２のメッキパターン ４ｂ 張り出し部 ５ 第２のレジスト層 ５ａ 第２のレジストパターン １１ リードフレーム １２ インナーリード部 １３ アイランド部

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられ
   るリードフレームの加工方法であって，順に，（Ａ）少
   なくとも，リードフレーム材料の一方の面に第１のメッ
   キ処理を行う工程，（Ｂ）所定部分に第２のメッキ処理
   を部分的に行うための第１のレジストパターンを形成す
   る工程，（Ｃ）前記第１のレジストパターンが形成され
   ず露出している前記第１のメッキ層の表面に第２のメッ
   キ処理を行い，第２のメッキ層を形成する工程，（Ｄ）
   前記第１のレジストパターンを除去する工程，（Ｅ）前
   記第２のメッキ処理により形成された第２のメッキ層の
   上に，エッチング加工用の第２のレジストパターンを形
   成する工程，（Ｆ）前記第２のレジストパターンにした
   がい，前記第２のメッキ層をエッチングして第２のメッ
   キパターンを形成する第１のエッチング加工工程，
   （Ｇ）少なくとも，前記第２のメッキパターン側から，
   リードフレーム材料を貫通エッチングする第２のエッチ
   ング加工工程，（Ｈ）前記第２のエッチング加工によっ
   て形成された第２のメッキパターンの張り出し部をエッ
   チング除去する第３のエッチング加工工程，（Ｉ）前記
   第２のレジストパターンを除去する工程，を有すること
   を特徴とするリードフレームの加工方法。
2. 【請求項２】 前記第１のレジストパターンを部分メッ
   キ用の治具パターンとしたことを特徴とする請求項１記
   載のリードフレームの加工方法。
3. 【請求項３】 第１のメッキ処理を銅ストライクメッキ
   処理としたことを特徴とする請求項１〜２記載のリード
   フレームの加工方法。
4. 【請求項４】 第２のメッキ処理を銀メッキ処理とした
   ことを特徴とする請求項１ないし３記載のリードフレー
   ムの加工方法。
5. 【請求項５】 第１のメッキ処理をニッケルメッキ処理
   とし，第２のメッキ処理をパラジュームメッキ処理とし
   たことを特徴とする請求項１ないし２記載のリードフレ
   ームの加工方法。
6. 【請求項６】 第２のエッチング加工のエッチング液と
   して，前記第２のメッキパターンを実質的にエッチング
   しないエッチング液を用いることを特徴とする請求項１
   ないし５記載のリードフレームの加工方法。
7. 【請求項７】 第２のメッキ層の厚みが５μｍ以上であ
   ることを特徴とする請求項１〜６記載のリードフレーム
   の加工方法。