JP2001068828A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた配線パターンを形成することができる
配線基板及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 ベース基板３の表側の表面全体に、Ｔｉ
スパッタ層１１及びＣｕスパッタ層１３を形成する。次
に、Ｃｕスパッタ層１３の表面全体に、レジストパター
ン２５を形成する。次に、第１電解メッキにより、Ｃｕ
スパッタ層１３上にＣｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層
１７を形成する。次に、レジストパターン２５を溶解・
除去する。次に、エッチングにより、スパッタ層２１の
一部を除去する。次に、第２電解メッキにより、配線パ
ターン７の基礎部分７ａの周囲（上面及び側面）を覆う
ようにＡｕメッキ層１９を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばセラミック
のベース基板の表面に配線パターンを形成した配線基板
及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、情報処理や通信分野に使用さ
れる半導体素子用のパッケージにおいては、例えばセラ
ミックをベース基板とする配線基板が使用されている。 ａ）この配線基板は、例えば図４に示す様に、下記〜
の手順で製造されている。

【０００３】セラミックのベース基板Ｐ１上に、スパ
ッタリングにより、例えばＴｉスパッタ層Ｐ２及びＣｕ
スパッタ層Ｐ３からなるスパッタ層Ｐ４を形成する。 次に、スパッタ層Ｐ４の上面全体に感光性フィルムを
貼り、露光・現像を行ってレジストパターンＰ５を形成
する（フォトリソ工程）。

【０００４】次に、電解メッキにより、Ｃｕメッキ層
Ｐ６、Ｎｉメッキ層Ｐ７、Ａｕメッキ層Ｐ８を順次積層
形成する。このとき、Ｃｕスパッタ層Ｐ３の表面に沿っ
てＡｕメッキもぐりと呼ばれる現象（Ｃｕとレジストの
密着が悪く、Ａｕメッキ液など高温でレジストを軟化さ
せＣｕとレジスト間にＡｕが入り込む現象）により凸部
Ｐ９が発生する。尚、この凸部Ｐ９もＡｕメッキもぐり
と称する。

【０００５】次に、レジストパターンＰ５を除去し、
スパッタ層Ｐ４を露出させる。 次に、露出した部分のスパッタ層Ｐ４を、エッチング
により除去し、ベース基板Ｐ１を露出させる。 次に、手作業によりＡｕメッキもぐりＰ９を除去する
か、もしくは高圧水のシャワーによりＡｕメッキもぐり
Ｐ９を除去して、配線パターンＰ１０を完成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した方
法で配線基板を製造する場合には、工程にて、Ａｕメ
ッキもぐりＰ９が発生するので、後の工程にて、Ａｕ
メッキもぐりＰ９を除去しなければならず、作業の工程
が増加し、また、歩留りも低下するという問題があっ
た。

【０００７】また、この配線パターンＰ１０では、配線
パターンＰ１０の側面に、ＣｕやＮｉが露出するので、
耐環境性（即ち、周囲からの影響を受けても配線パター
ンが劣化し難い性質）が悪く、高周波特性（即ち、表面
の抵抗が高く、磁性材料のＮｉが露出するため、表皮効
果により伝送ロスが大きくなる性質）の上からも好まし
くない。

【０００８】また、これとは別に、Ａｕメッキもぐりを
発生させないために、例えば図５に示す様に、下記〜
の手順で配線基板を製造する技術がある。 セラミックのベース基板Ｐ１１上に、スパッタリング
により、例えばＴｉスパッタ層Ｐ１２及びＣｕスパッタ
層Ｐ１３からなるスパッタ層Ｐ１４を形成する。

【０００９】次に、スパッタ層Ｐ１４の上面全体に感
光性フィルムを貼り、露光・現像を行ってレジストパタ
ーンＰ１５を形成する（フォトリソ工程）。 次に、電解メッキにより、スパッタ層Ｐ１４上に、Ｃ
ｕメッキ層Ｐ１６及びＮｉメッキ層Ｐ１７を順次積層形
成する。

【００１０】次に、レジストパターンＰ１５を除去
し、スパッタ層Ｐ１４を露出させる。 次に、露出した部分のＣｕスパッタ層Ｐ１３を、エッ
チングにより除去し、Ｔｉスパッタ層Ｐ１２を露出させ
る。 次に、再度フォトリソ工程により、前記工程と同様
なレジストパターンＰＰ１８を形成する。

【００１１】次に、再度電解メッキにより、Ｎｉメッ
キ層Ｐ１７上に、Ａｕメッキ層Ｐ１９を形成する。 次に、レジストパターンＰ１８を除去し、Ｔｉスパッ
タ層Ｐ１２を露出させる。

【００１２】次に、露出した部分のＴｉスパッタ層Ｐ
１２を、エッチングにより除去して配線パターンＰ２０
を完成する。この従来例では、Ａｕメッキもぐりの原因
となるＣｕスパッタ層Ｐ１３を、工程により、予めエ
ッチングにより除去しておいてから、Ａｕメッキを行う
ので、Ａｕメッキもぐりが発生しないという利点はある
ものの、２回のフォトリソ工程及び２回のメッキ工程が
必要となるので、別の作業工程が増加するという問題が
ある。

【００１３】また、この従来例においても、配線パター
ンＰ２０の側面に、ＣｕやＮｉが露出するので、耐環境
性が悪く、高周波特性上も好ましくないという問題が生
じてしまう。本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、優れた配線パターンを形
成することができる配線基板及びその製造方法を提供す
ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】（１）前記目的を達成す
るための請求項１の発明は、基板の表側の表面と基板の
裏側の表面と、及び／又は基板の表側の表面と基板の側
面とを導通する内部導通部を有するベース基板を用い、
該ベース基板の表面に配線パターンを形成する配線基板
の製造方法であって、前記ベース基板の表側の表面に、
導電性金属からなる下地層を形成して、前記下地層と前
記内部導通部とを電気的に接続する工程と、前記下地層
の上に、前記配線パターンの形成箇所以外を覆うよう
に、非導電材料からなるレジストパターンを形成する工
程と、前記下地層に対して前記内部導通部を介して電圧
を印加して、第１電解メッキを行うことにより、前記下
地層の上に、前記レジストパターンの形成箇所以外を覆
うように、前記配線パターンの基礎部分となる第１電解
メッキ層を形成する工程と、 前記レジストパターンを
除去する工程と、前記レジストパターンの除去により露
出した前記下地層の露出部分を、エッチングにより除去
し、前記配線パターンの基礎部分となる基礎下地層を残
す工程と、前記基礎下地層及び前記第１電解メッキ層か
らなる配線パターンの基礎部分に対して前記内部導通部
を介して電圧を印加して、第２電解メッキを行うことに
より、前記配線パターンの基礎部分の周囲を覆うよう
に、第２電解メッキ層を形成する工程と、を備えたこと
を特徴とする配線基板の製造方法を要旨とする。

【００１５】本発明では、ベース基板の表側に下地層を
形成し、この下地層の上にレジストパターンを形成し、
内部導通部を介して電圧を印加して第１電解メッキを行
うことにより、第１電解メッキ層を形成する。更に、レ
ジストパターンを除去して、下地層の露出部分をエッチ
ングにより除去し、同様に内部導通部を介して電圧を印
加して第２電解メッキを行うことにより、配線パターン
の基礎部分の周囲を覆うように第２電解メッキ層を形成
して、配線パターンを完成する。

【００１６】この方法により、従来方法の様な、Ａｕメ
ッキもぐりが発生せず、しかも、フォトリソ工程が１回
で済むので、作業工程を簡易化することができる。ま
た、配線パターンの周囲全体を第２電解メッキ層で覆う
ことができるので、各層が積層された側面が露出するこ
とがなく、耐環境性に優れ、且つ高周波特性に優れた配
線基板を製造することができる。

【００１７】（２）請求項２の発明は、前記内部導通部
は、前記ベース基板の表面に平行に形成された内部配線
層及び／又は前記ベース基板の板厚方向に形成されたビ
アであることを特徴とする前記請求項１に記載の配線基
板の製造方法を要旨とする。

【００１８】本発明は、内部導通部を例示したものであ
り、ここでは、内部配線層やビアが挙げられ、ビアのみ
でベース基板の両側に達するようにしてもよいが、引き
回し線のインダクタンス分が問題なければ、ビアの途中
で内部配線層に接続する構成としてもよい。

【００１９】尚、ビアの材料としては、Ｗ，Ｍｏ，Ｃ
ｕ，Ａｇ／Ｐｄなどが挙げられる。ここで、各成分同士
をつなぐ「／」の記号は、各成分の合金であることを示
す。 （３）請求項３の発明は、前記各電解メッキを行う場合
には、前記ベース基板の側面から、前記内部配線層及び
ビアを介してメッキ箇所に電圧を印加することを特徴と
する前記請求項２に記載の配線基板の製造方法を要旨と
する。

【００２０】本発明は、例えば図２に示す様に、ベース
基板の側面に露出した内部配線層に電源を接続し、この
内部配線層及びビアを介して配線パターンの基礎部分に
電圧を印加することにより、周知の電解メッキ（第１電
解メッキ及び第２電解メッキ）を行って、第１電解メッ
キ層及び第２電解メッキ層を形成することができる。

【００２１】（４）請求項４の発明は、前記各電解メッ
キを行う場合には、前記電解メッキに先だって、前記ベ
ース基板の裏面に前記ビアと電気的に接続する導電層を
形成し、その後、前記ベース基板の裏面から、前記導電
層及びビアを介してメッキ箇所に電圧を印加することを
特徴とする前記請求項２に記載の配線基板の製造方法を
要旨とする。

【００２２】本発明は、例えば図３に示す様に、ベース
基板の裏側に形成した導電層に電源を接続し、この導電
層及びビアを介して配線パターンの基礎部分に電圧を印
加することにより、周知の電解メッキ（第１電解メッキ
及び第２電解メッキ）を行って、第１電解メッキ層及び
第２電解メッキ層を形成することができる。

【００２３】前記導電層の材料としては、例えばＭｏ，
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｕなどを採用できる。この導電層は、後
にエッチングにより除去することができる。例えばウェ
ットエッチングを行う場合には、Ｍｏ，Ｃｒに対してフ
ェリシアン化カリウム＋ＫＯＨ溶液、Ｔｉに対して硝フ
ッ酸、Ｃｕに対してエンストリップＣ（商品名）を各々
用いてエッチングすることができる。

【００２４】（５）請求項５の発明は、前記下地層を、
スパッタリングにより形成することを特徴とする前記請
求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法を要
旨とする。本発明は、下地層の形成方法を例示したもの
であり、スパッタリングにより、薄膜で均一な厚さ及び
性質を有する下地層を容易に形成することができる。

【００２５】前記下地層の材料としては、例えばＴｉ−
Ｃｕ，Ｔｉ−Ｍｏ−Ｃｕ，Ｃｒ−Ｃｕなどを採用でき
る。この下地層は、Ｔｉスパッタ層やＣｕスパッタ層な
どの単層でもよいが、各材料からなる層を複数積層した
方が、各々の材料の特性を生かすことができるので望ま
しい。ここで、各成分同士をつなぐ「−」の記号は、各
成分からなる層を積層することを示す（以下同様）。

【００２６】尚、前記スパッタリング以外に、例えば無
電解メッキ等の薄膜形成の技術を用いて、下地層を形成
してもよい。 （６）請求項６の発明は、前記第１電解メッキを、Ａｕ
以外の導電性金属によりメッキすることを特徴とする前
記請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法
を要旨とする。

【００２７】本発明は、第１電解メッキの材料を例示し
たものであり、第１電解メッキ層のメッキ材料として、
例えばＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈなどを採用するこ
とができる。この第１電解メッキ層は、Ｃｕメッキ層や
Ｎｉメッキ層などの単層でもよいが、各材料からなる層
を複数積層した方が、各々の材料の特性を生かすことが
できるので望ましい。

【００２８】（７）請求項７の発明は、前記第２電解メ
ッキを、Ａｕによりメッキすることを特徴とする前記請
求項６に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。本発
明は、第２電解メッキの材料を例示したものであり、第
２電解メッキ層としてＡｕを採用することにより、耐環
境性や高周波特性が大きく向上する。

【００２９】尚、Ａｕ以外にも、例えばＰｄ，Ｐｔ，Ｒ
ｈなどを採用することができる。また、各材料からなる
単層でもよいが、異なる材料からなる層を複数積層して
もよい。 （８）請求項８の発明は、前記請求項１〜７のいずれか
に記載の配線基板の製造方法により製造された配線基板
であって、前記配線パターンは、複数の導電性金属から
なる層によって構成された配線パターンの基礎部分と、
該基礎部分の周囲（上面や側面）全体を覆う第２電解メ
ッキ層とを備えたことを特徴とする配線基板を要旨とす
る。

【００３０】本発明の配線基板は、配線パターンの基礎
部分の周囲全体を、被覆層である例えばＡｕ等の他の導
電性金属からなる第２電解メッキ層が覆っているので、
積層された基礎部分の各層の側面が露出することがな
い。そのため、耐環境性や高周波特性が向上する。

【００３１】（９）請求項９の発明は、前記配線パター
ンの基礎部分は、前記基礎下地層及び前記第１電解メッ
キ層からなることを特徴とする前記請求項８に記載の配
線基板を要旨とする。本発明は、配線パターンの基礎部
分を例示したものである。尚、基礎下地層とは、下地層
から配線パターンを構成する部分以外を除去した残りの
部分である。

【００３２】（１０）請求項１０の発明は、前記配線パ
ターンの第２電解メッキ層は、Ａｕからなる構成されて
いることを特徴とする前記請求項８又は９に記載の配線
基板を要旨とする。本発明は、配線パターンの第２電解
メッキ層を例示したものであり、第２電解メッキ層がＡ
ｕからなる場合には、耐環境性や高周波特性に優れてい
るという利点がある。

【００３３】・ここで、上述した発明に用いるベース基
板としては、例えばアルミナ，ＡｌＮ，ＳｉＮ，ガラス
セラミックからなるセラミック基板や、例えばガラス−
エポキシ，ＢＴレジンからなるプラスチック基板などが
挙げられる。また、配線基板の用途の種類としては、集
積回路チップが実装される基板、プリント基板などが挙
げられる。

【００３４】・前記エッチングの方法としては、基板表
面にエッチング液をスプレーしたり、基板ごとエッチン
グ液に漬ける方法を採用できる。このエッチング液とし
ては、エッチングにより除去すべき層の種類に対応した
エッチング液を用いる。 ・前記レジストパターンを形成するレジスト材料（即ち
マスキングの材料）としては、例えば感光性エポキシ樹
脂等の感光性樹脂を採用できる。

【００３５】従って、この感光性樹脂に対して、露光・
現像等の処理を行うことにより、所望のレジストパター
ン、即ち形成する配線パターンの周囲を構成するいわゆ
るネガパターンを形成することができる。尚、感光性樹
脂を基板表面に配置する方法としては、感光性樹脂を、
スクリーン印刷やスピンコート等により塗布する方法
や、感光性樹脂からなる感光性フィルムを貼り付ける方
法を採用できる。

【００３６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板及びその
製造方法の実施の形態の例（実施例）について説明す
る。尚、以下の説明では、配線基板として半導体パッケ
ージに使用される集積回路基板を例に挙げて説明する。 （実施例１） ａ）まず、配線基板の構造について、図１を参照して説
明する。

【００３７】図１に模式的に示す様に、配線基板１は、
アルミナからなる厚さ約０．５ｍｍのベース基板３を備
えている。このベース基板３の内部には、ベース基板３
の表面と平行に伸びる内部配線層５が設けられ、また、
内部配線層５と垂直に、ベース基板３の表側（図１の上
方）の表面の配線パターン７と内部配線層５とを電気的
に接続するとともに、ベース基板３の裏側（同図の下
方）の表面に達するビア９が、複数設けられている。

【００３８】ベース基板３の表側の表面には配線パター
ン７が設けられ、この配線パターン７は、（ベース基板
３側より）ビア９と接続するＴｉスパッタ層１１、Ｔｉ
スパッタ層１１上に形成されたＣｕスパッタ層１３、Ｃ
ｕスパッタ層１３上に形成されたＣｕメッキ層１５、Ｃ
ｕメッキ層１５上に形成されたＮｉメッキ層１７、Ｎｉ
メッキ層１７上に形成されるとともに各層の側面全体を
覆うＡｕメッキ層１９から構成されている。

【００３９】尚、前記Ｔｉスパッタ層１１及びＣｕスパ
ッタ層１３により、下地層の一部の基礎下地層であるス
パッタ層２１が形成され、前記Ｃｕメッキ層１５及びＮ
ｉメッキ層１７により、第１電解メッキ層が形成され、
Ａｕメッキ層１９により第２電解メッキ層が形成され、
Ｃｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層１７及びＡｕメッキ
層１９により、電解メッキ層２３が形成されている。ま
た、Ａｕメッキ層１９に覆われる前の、Ｔｉスパッタ層
１１、Ｃｕスパッタ層１３、Ｃｕメッキ層１５、及びＮ
ｉメッキ層１７により、配線パターン７の基礎部分７ａ
が形成されている。

【００４０】ｂ）次に、本実施例の配線基板１の製造方
法について、図２を参照して、順次説明する。尚、以下
で単に基板と記す場合には、配線基板１を形成する途中
のベース基板及びその表面構造物を示している。 (1)図２（ａ）に示す様に、最初に、内部配線層５及び
ビア９を有するベース基板３の表側の表面全体に、周知
のスパッタリングにより、厚さ１０００〜３０００オンク゛
ストロームのＴｉスパッタ層１１を形成し、次に、同様なス
パッタリングにより、Ｔｉスパッタ層１１の上に、厚さ
１０００〜５０００オンク゛ストロームのＣｕスパッタ層１３を
形成する。

【００４１】これにより、Ｔｉスパッタ層１１及びＣｕ
スパッタ層１３が積層された下地層であるスパッタ層２
１が形成され、このスパッタ層２１は、ビア９を介して
内部配線層５と電気的に接続される。 (2)次に、図２（ｂ）に示す様に、Ｃｕスパッタ層１３
の表面全体に、フォトリソ工程により、レジストパター
ン２５を形成する。

【００４２】具体的には、感光性エポキシ樹脂を塗布し
て感光性エポキシ樹脂層を形成し、次に、フォトマスク
を用いて、感光性エポキシ樹脂層に対してＵＶ露光を行
い、配線パターン７の基礎部分７ａを形成する部分以外
の箇所を硬化させる。次に、炭酸ナトリウム１％水溶液
で、未露光部分（つまりパターン形成部分）のエポキシ
樹脂を溶解させて除去する。従って、前記感光性エポキ
シ樹脂層のうち、溶解除去されない部分が、後述するメ
ッキ処理におけるレジストパターン２５となる。

【００４３】(3)次に、図２（ｃ）に示すように、基板
を電解メッキ液に漬けるとともに、ベース基板３の側面
に露出する内部配線層５の端部に電源を接続し、内部配
線層５及びビア９を介してスパッタ層２１に対して電圧
を印加し、（メッキ電流を流すことにより）第１電解メ
ッキを行って、第１電解メッキ層であるＣｕメッキ層１
５及びＮｉメッキ層１７を形成する。

【００４４】具体的には、電解Ｃｕメッキ液（例えばワ
ールドメタル社製の硫酸Ｃｕメッキ液 ＡＣＢ−９０；
商品名）を用いて、周知の電解Ｃｕメッキを行い、厚さ
５μｍのＣｕメッキ層１５を形成する。更に、電解Ｎｉ
メッキ液を用いて、周知の電解Ｎｉメッキを行い、Ｃｕ
メッキ層１５上に、厚さ１μｍのＮｉメッキ層１７を形
成する。

【００４５】尚、上述したメッキ方法は、周知の多層プ
リント配線板のメッキ方法と同様であるので詳述しない
（例えば、「多層プリント配線板ステップ３６５」；藤
平・藤森共著；工業調査会；１９８９年発行参照）。 (4)次に、図２（ｄ）に示す様に、周知の水酸化ナトリ
ウムを用いて、レジストパターン２５を溶解・除去し、
レジストパターン２５を除去した箇所のＣｕスパッタ層
１３を露出させる。

【００４６】(5)次に、図２（ｅ）に示す様に、エッチ
ングにより、レジストパターン２５を除去した箇所のス
パッタ層２１を除去し、配線パターン７の基礎部分７ａ
の一部を形成する。従って、残ったスパッタ層２１が基
礎下地層である。このスパッタ層２１を除去するエッチ
ング条件としては、下記の条件を採用できる。即ち、エ
ッチング液としては、例えば過硫酸ナトリウム液を用
い、基板の表面に、例えばシャワー状にエッチング液を
吹き付けて（あるいは基板をエッチング液につけて）、
必要な箇所のスパッタ層２１を除去する。その後、基板
表面の洗浄を行う。

【００４７】(6)次に、図２（ｆ）に示すように、前記
(3)工程と同様にして、ベース基板３の側面より、内部
配線層５及びビア９を介して、配線パターン７の基礎部
分７ａに対して電圧を印加し、第２電解メッキを行っ
て、配線パターン７の基礎部分７ａの周囲（上面及び側
面）を覆うように第２電解メッキ層であるＡｕメッキ層
１９を形成する。

【００４８】具体的には、電解Ａｕメッキ液を用いて、
周知の電解Ａｕメッキを行い、上面側の厚さ５μｍ、側
面側の厚さ５μｍのＡｕメッキ層１９を形成する。これ
により、配線パターン７を完成する。この様に、本実施
例の配線基板１の製造方法では、まず、Ｔｉスパッタ層
１１及びＣｕスパッタ層１３を形成し、更に、内部配線
層５及びビア９を利用して電圧を印加して電解メッキを
行って、Ｃｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層１７を形成
して、配線パターン７の基礎部分７ａを形成している。
その後、同様に内部配線層５及びビア９を利用して電圧
を印加して電解Ａｕメッキを行って、基礎部分７ａの周
囲を覆うようにＡｕメッキ層１９を形成することによ
り、配線パターン７を完成している。

【００４９】そのため、従来技術の様に、Ａｕメッキも
ぐりが発生しないので、Ａｕメッキもぐりを除去するた
めの工程が不要になる。また、他の従来技術の様に、複
数のフォトリソ工程が不要であるので、作業工程を簡易
化できるという利点がある。更に、本実施例の配線基板
１では、配線パターン７の側面はＡｕメッキ層１９で覆
われており、積層された各層１１〜１７の側面が露出し
ていないので、耐環境性（即ち、外界からの水分などに
よるＣｕの酸化等の影響があっても配線パターン７が劣
化しない性質）が向上し、また、高周波特性（即ち、表
面の抵抗が高く、磁性材料のＮｉが露出するため、表皮
効果により伝送ロスが大きくなる性質）も向上するとい
う効果がある。 （実施例２）次に、実施例２について説明するが、前記
実施例１と同様な部分の説明は簡略化する。

【００５０】以下、図３を参照して、本実施例の配線基
板１０１及びその製造方法を説明するが、本実施例は、
電解メッキを行う場合に、ベース基板１０３の裏側から
導通をとって電圧を印加する点に特徴がある。 (1)図３（ａ）に示す様に、最初に、内部配線層１０５
及びビア１０９を有するベース基板１０３の表側の表面
全体に、周知のスパッタリングにより、厚さ１０００〜
２０００オンク゛ストロームのＴｉスパッタ層１１１を形成し、
次に、同様なスパッタリングにより、Ｔｉスパッタ層１
１１の上に、厚さ１０００〜５０００オンク゛ストロームのＣｕ
スパッタ層１１３を形成する。

【００５１】これにより、Ｔｉスパッタ層１１１及びＣ
ｕスパッタ層１１３が積層されたスパッタ層１２１が形
成され、このスパッタ層１２１は、ビア１０９と電気的
に接続される。 (2)次に、図３（ｂ）に示す様に、Ｃｕスパッタ層１１
３の表面全体に、フォトリソ工程により、レジストパタ
ーン１２５を形成する。

【００５２】(3)次に、図３（ｃ）に示す様に、ベース
基板１０３の裏側の表面全体に、周知のスパッタリング
により、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｃｒなどからなる厚さ２５
０〜５０００オンク゛ストロームの導電層１２６を形成する。こ
れにより、導電層１２６とビア１０９とが電気的に接続
される。

【００５３】(4)次に、図３（ｄ）に示すように、基板
を電解メッキ液に漬けるとともに、ベース基板１０３の
裏面の導電層１２６に電源を接続する。そして、導電層
１２６及びビア１０９を介してスパッタ層１２１に対し
て電圧を印加して、前記実施例１と同様に、第１電解メ
ッキを行って、Ｃｕメッキ層１１５及びＮｉメッキ層１
１７を順次形成する。

【００５４】尚、ＣｕメッキとＮｉメッキとでは、当然
ながら別のメッキ液を用いる。 (5)次に、図３（ｅ）に示す様に、周知の水酸化ナトリ
ウムを用いて、レジストパターン１２５を溶解・除去
し、レジストパターン１２５を除去した箇所のＣｕスパ
ッタ層１１３を露出させる。

【００５５】(6)次に、図３（ｆ）に示す様に、エッチ
ングにより、レジストパターン１２５を除去した箇所の
スパッタ層１２１を除去し、配線パターン１０７の基礎
部分１０７ａを形成する。 (7)次に、図３（ｇ）に示すように、基板を電解Ａｕメ
ッキ液に漬けるとともに、ベース基板１０３の裏面の導
電層１２６に電源を接続する。そして、導電層１２６及
びビア１０９を介して、配線パターン１０７の基礎部分
１０７ａに対して電圧を印加し、前記実施例１と同様
に、第２電解メッキ（電解Ａｕメッキ）を行って、配線
パターン７の基礎部分１０７ａの周囲（上面及び側面）
を覆うようにＡｕメッキ層１１９を形成する。これによ
り、配線パターン１０７を完成する。

【００５６】(8)次に、図３（ｈ）に示す様に、エッチ
ング（例えばウェットエッチング）により、導電層１２
６を除去する。つまり、ここでは、導電層１２６の材料
は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｃｕなどからなるので、各材料
に対応したエッチング液（例えばＴｉ：硝酸＋フッ酸＋
水、Ｍｏ，Ｃｒ：フェリシアン化カリウム＋ＫＯＨ、Ｃ
ｕ：エンストリップＣ（商品名：メルテックス社製））
を用いてウェットエッチングを行い、導電層１２６を除
去して、配線基板１０１を完成する。

【００５７】この様に、本実施例の配線基板１の製造方
法では、まず、Ｔｉスパッタ層１１１及びＣｕスパッタ
層１１３を形成し、更に、裏面の導電層１２６及びビア
１０９を利用して電圧を印加し第１電解メッキにより、
Ｃｕメッキ層１１５及びＮｉメッキ層１１７を形成し
て、配線パターン１０７の基礎部分１０７ａを形成して
いる。その後、同様に裏面の導電層１２６及びビア１０
９を利用して電圧を印加して第２電解メッキを行って、
基礎部分１０７ａの周囲を覆うようにＡｕメッキ層１１
９を形成することにより、配線パターン１０７を完成し
ている。

【００５８】そのため、前記実施例１と同様な効果を奏
するとともに、ベース基板１０３の裏側の広い導電層１
２６に通電することによって各電解メッキを行うので、
その作業が容易であるという利点がある。尚、本発明は
前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうる
ことはいうまでもない。

【００５９】（１）例えば前記実施例１，２では、ベー
ス基板に内部配線層が形成されているが、実施例２にお
いては、このベース基板として内部配線層がないものを
使用することができる。 （２）前記ベース基板の材料として、セラミック以外
に、上述した樹脂製のベース基板を採用することができ
る。

【００６０】（３）前記実施例１，２では、スパッタリ
ングにより下地層を形成したが、それ以外に、例えば無
電解メッキ等の薄膜形成の各種の方法を採用することが
できる。 （４）前記Ｔｉスパッタ層及びＣｕスパッタ層に代え
て、Ｔｉスパッタ層、Ｍｏスパッタ層、及びＣｕスパッ
タ層など、他の導電性を有する材料からなる層を順次積
層形成してもよい。

【００６１】また、Ｃｕメッキ層及びＮｉメッキ層に代
えて、他の導電性を有する材料からなるメッキ層を順次
積層形成してもよい。更に、Ａｕメッキ層に代えて、Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｒｈの少なくとも１種からなるメッキ層を採
用できる。

【００６２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配線基板
の製造方法では、内部導通部を介して第１及び第２電解
メッキを行うとともに、配線パターンの基礎部分を覆う
ように第２電解メッキを行うので、従来の様なＡｕメッ
キもぐりが発生せず、しかも、フォトリソ工程が１回で
済むので、作業工程を簡易化することができる。

【００６３】また、本発明の配線基板では、配線パター
ンの周囲全体が第２電解メッキ層で覆われているので、
各層が積層された側面が露出することがない。そのた
め、耐環境性に優れており、高周波特性も向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１の配線基板の断面を模式的に示す説
明図である。

【図２】 実施例１の配線基板の製造方法の一部を示す
説明図である。

【図３】 実施例２の配線基板の製造方法の一部を示す
説明図である。

【図４】 従来技術を示す説明図である。

【図５】 他の従来技術を示す説明図である。

【符号の説明】

１，１０１…配線基板 ３，１０３…ベース基板 ５，１０５…内部配線層 ７，１０７…配線パターン ７ａ，１０７ａ…配線パターンの基礎部分 ９，１０９…ビア １１，１１１…Ｔｉスパッタ層 １３，１１３…Ｃｕスパッタ層 １５，１１５…Ｃｕメッキ層 １７，１１５…Ｎｉメッキ層 １９，１１９…Ａｕメッキ層 ２１，１２１…スパッタ層 ２３，１２３…電解メッキ層 １２６…導電層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA07 BB32 BB33 BB35 CC03 CC06 DD04 DD06 DD11 DD20 GG20 4K024 AA03 AA09 AA11 AB03 AB04 AB08 AB15 BA15 BB11 BB12 DA07 DA10 DB09 DB10 FA05 GA16 5E343 AA15 AA17 AA23 BB23 BB24 BB35 BB38 BB39 BB44 BB47 BB48 BB49 DD25 DD32 DD43 DD76 ER18 GG11

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表側の表面と基板の裏側の表面
   と、及び／又は基板の表側の表面と基板の側面とを導通
   する内部導通部を有するベース基板を用い、該ベース基
   板の表面に配線パターンを形成する配線基板の製造方法
   であって、 前記ベース基板の表側の表面に、導電性金属からなる下
   地層を形成して、前記下地層と前記内部導通部とを電気
   的に接続する工程と、 前記下地層の上に、前記配線パターンの形成箇所以外を
   覆うように、非導電材料からなるレジストパターンを形
   成する工程と、 前記下地層に対して前記内部導通部を介して電圧を印加
   して、第１電解メッキを行うことにより、前記下地層の
   上に、前記レジストパターンの形成箇所以外を覆うよう
   に、前記配線パターンの基礎部分となる第１電解メッキ
   層を形成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記レジストパターンの除去により露出した前記下地層
   の露出部分を、エッチングにより除去し、前記配線パタ
   ーンの基礎部分となる基礎下地層を残す工程と、 前記基礎下地層及び前記第１電解メッキ層からなる配線
   パターンの基礎部分に対して前記内部導通部を介して電
   圧を印加して、第２電解メッキを行うことにより、前記
   配線パターンの基礎部分の周囲を覆うように、第２電解
   メッキ層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記内部導通部は、前記ベース基板の表
   面に平行に形成された内部配線層及び／又は前記ベース
   基板の板厚方向に形成されたビアであることを特徴とす
   る前記請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記各電解メッキを行う場合には、前記
   ベース基板の側面から、前記内部配線層及びビアを介し
   てメッキ箇所に電圧を印加することを特徴とする前記請
   求項２に記載の配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記各電解メッキを行う場合には、前記
   電解メッキに先だって、前記ベース基板の裏面に前記ビ
   アと電気的に接続する導電層を形成し、その後、前記ベ
   ース基板の裏面から、前記導電層及びビアを介してメッ
   キ箇所に電圧を印加することを特徴とする前記請求項２
   に記載の配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記下地層を、スパッタリングにより形
   成することを特徴とする前記請求項１〜４のいずれかに
   記載の配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第１電解メッキを、Ａｕ以外の導電
   性金属によりメッキすることを特徴とする前記請求項１
   〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２電解メッキを、Ａｕによりメッ
   キすることを特徴とする前記請求項６に記載の配線基板
   の製造方法。
8. 【請求項８】 前記請求項１〜７のいずれかに記載の配
   線基板の製造方法により製造された配線基板であって、 前記配線パターンは、複数の導電性金属からなる層によ
   って構成された前記配線パターンの基礎部分と、該基礎
   部分の周囲全体を覆う前記第２電解メッキ層とを備えた
   ことを特徴とする配線基板。
9. 【請求項９】 前記配線パターンの基礎部分は、前記基
   礎下地層及び前記第１電解メッキ層からなることを特徴
   とする前記請求項８に記載の配線基板。
10. 【請求項１０】 前記配線パターンの第２電解メッキ層
    は、Ａｕから構成されていることを特徴とする前記請求
    項８又は９に記載の配線基板。