JPH05183083A - リードフレーム及びその製造法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造法Info
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- JPH05183083A JPH05183083A JP36024391A JP36024391A JPH05183083A JP H05183083 A JPH05183083 A JP H05183083A JP 36024391 A JP36024391 A JP 36024391A JP 36024391 A JP36024391 A JP 36024391A JP H05183083 A JPH05183083 A JP H05183083A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 細幅で且つ取扱が容易な機械的強度を有する
リードを狭ピッチで形成でき、リード表面の所定の箇所
に所望の金属から成る金属膜をリードの側面にはみ出さ
せることなく部分的に形成できるリードフレームの製造
法を提供する。 【構成】 エッチング法によってリードフレームを製造
する際に、金属薄板３０の面のエッチングを施す部分に
予めレジスト３２を形成した後、金属薄板３０のリード
を形成する部分にめっきで積層した導電性金属層１２の
表面の所定箇所に、所望の金属から成る金属膜１６を部
分めっきによって形成し、次いで、レジスト３２を除去
した後、金属薄板３０にエッチングを施すエッチング液
に対して不溶の不溶性金属膜３４を、金属層１６及び導
電性金属層１２の表面にめっきによって選択的に形成
し、その後、レジスト３２の除去によって露出した金属
薄板３０の部分にエッチングを施してリード間の間隙を
形成してから不溶性金属膜３４を除去する。
リードを狭ピッチで形成でき、リード表面の所定の箇所
に所望の金属から成る金属膜をリードの側面にはみ出さ
せることなく部分的に形成できるリードフレームの製造
法を提供する。 【構成】 エッチング法によってリードフレームを製造
する際に、金属薄板３０の面のエッチングを施す部分に
予めレジスト３２を形成した後、金属薄板３０のリード
を形成する部分にめっきで積層した導電性金属層１２の
表面の所定箇所に、所望の金属から成る金属膜１６を部
分めっきによって形成し、次いで、レジスト３２を除去
した後、金属薄板３０にエッチングを施すエッチング液
に対して不溶の不溶性金属膜３４を、金属層１６及び導
電性金属層１２の表面にめっきによって選択的に形成
し、その後、レジスト３２の除去によって露出した金属
薄板３０の部分にエッチングを施してリード間の間隙を
形成してから不溶性金属膜３４を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びその
製造法に関し、更に詳細には金属薄板をエッチングして
リードが形成されたリードフレーム及びその製造法に関
する。
製造法に関し、更に詳細には金属薄板をエッチングして
リードが形成されたリードフレーム及びその製造法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置において、リードフレームに
搭載された半導体チップは、半導体チップ近傍に位置す
るインナーリード先端とワイヤボンディング等によって
電気的に連結されている。この様な半導体装置において
は、インナーリードと連結されているアウターリードを
介して半導体チップと外部装置との信号等の受け渡しが
なされる。従来、かかるリードフレームは、プレス加工
によって形成されてきたが、最近の半導体チップの高集
積化に伴うリードフレームの多ピン化及び／又は半導体
装置の小型化等によって、インナーリード等の高密度化
が要請されている。このため、リードフレームにおける
リードの高密度化を図るべく、細幅のリードを狭ピッチ
で形成することのできるエッチング法が採用されつつあ
る。
搭載された半導体チップは、半導体チップ近傍に位置す
るインナーリード先端とワイヤボンディング等によって
電気的に連結されている。この様な半導体装置において
は、インナーリードと連結されているアウターリードを
介して半導体チップと外部装置との信号等の受け渡しが
なされる。従来、かかるリードフレームは、プレス加工
によって形成されてきたが、最近の半導体チップの高集
積化に伴うリードフレームの多ピン化及び／又は半導体
装置の小型化等によって、インナーリード等の高密度化
が要請されている。このため、リードフレームにおける
リードの高密度化を図るべく、細幅のリードを狭ピッチ
で形成することのできるエッチング法が採用されつつあ
る。
【０００３】エッチング法によれば、プレス加工よりも
細幅のリードが狭ピッチで形成されたリードフレームを
製造することができる。ところで、エッチング法におい
ても、得られるリードフレームにおけるリードのピッチ
は、エッチング加工に供する金属薄板の板厚に因る。こ
のことを図６を用いて説明する。先ず、図６ａの如く、
エッチングを施すエッチング部分１１２、１１２を残し
て両面に保護皮膜１１０を形成した金属薄板１００をエ
ッチング液に浸漬することによって、エッチング部分１
１２、１１２に同時にエッチングが施される（図６
ｂ）。更に、エッチング部分１１２、１１２のエッチン
グが進行すると、エッチング幅が当初予定していた幅よ
りも拡大されつつエッチングが施され（図６ｃ）、エッ
チング部分１１２、１１２が貫通してエッチング孔１１
４が穿設されたとき、エッチングが完了する（図６
ｄ）。
細幅のリードが狭ピッチで形成されたリードフレームを
製造することができる。ところで、エッチング法におい
ても、得られるリードフレームにおけるリードのピッチ
は、エッチング加工に供する金属薄板の板厚に因る。こ
のことを図６を用いて説明する。先ず、図６ａの如く、
エッチングを施すエッチング部分１１２、１１２を残し
て両面に保護皮膜１１０を形成した金属薄板１００をエ
ッチング液に浸漬することによって、エッチング部分１
１２、１１２に同時にエッチングが施される（図６
ｂ）。更に、エッチング部分１１２、１１２のエッチン
グが進行すると、エッチング幅が当初予定していた幅よ
りも拡大されつつエッチングが施され（図６ｃ）、エッ
チング部分１１２、１１２が貫通してエッチング孔１１
４が穿設されたとき、エッチングが完了する（図６
ｄ）。
【０００４】この様にして穿設されるエッチング孔１１
４の幅を狭くせんとするとき、エッチング処理中にエッ
チング幅が拡大する現象のため、エッチング孔１１４の
最小幅はエッチング加工に供する金属薄板の板厚によっ
て決定する。従って、細幅のリードを狭ピッチで形成す
るためには、エッチング加工に供する金属薄板の板厚も
薄くすることが必要である。しかし、エッチング加工に
供する金属薄板の板厚を薄くすると、得られるリードフ
レームを構成するリードの機械的強度が低下し、得られ
たリードフレームの取扱が困難となる。このため、本発
明者の一人は、先に、特願平３ー２９０９７２号明細書
において、板厚を薄くした金属薄板をエッチング加工し
て得られるリードフレームのリードの機械的強度を向上
すべく、図５に示すエッチング加工によるリードフレー
ムの製造方法を提案した。
４の幅を狭くせんとするとき、エッチング処理中にエッ
チング幅が拡大する現象のため、エッチング孔１１４の
最小幅はエッチング加工に供する金属薄板の板厚によっ
て決定する。従って、細幅のリードを狭ピッチで形成す
るためには、エッチング加工に供する金属薄板の板厚も
薄くすることが必要である。しかし、エッチング加工に
供する金属薄板の板厚を薄くすると、得られるリードフ
レームを構成するリードの機械的強度が低下し、得られ
たリードフレームの取扱が困難となる。このため、本発
明者の一人は、先に、特願平３ー２９０９７２号明細書
において、板厚を薄くした金属薄板をエッチング加工し
て得られるリードフレームのリードの機械的強度を向上
すべく、図５に示すエッチング加工によるリードフレー
ムの製造方法を提案した。
【０００５】図５に示すリードフレームの製造方法にお
いて、先ず、銅(Cu)金属から成る金属薄板３００の両面
に、ニッケル(Ni)金属から成る保護金属膜１８０、１８
０をめっきによって形成する（図５イ）。この保護金属
膜１８０、１８０が形成された金属薄板３００におい
て、エッチングを施す部分にフォトレジスト３２０、３
２０・・・を形成した後（図６ロ）、フォトレジスト３
２０、３２０・・・が形成されておらず保護金属層１８
０、１８０の表面が露出している部分、つまりリードを
形成する部分に銅(Cu)金属から成る導電性金属層１２
０、１２０・・・を電解めっきによって積層する（図６
ハ）。次いで、フォトレジスト３２０、３２０・・・を
除去し（図６ニ）、導電性金属層１２０、１２０・・・
の各表面にのみ、金属薄板３００のエッチングに使用す
るエッチング液に対して不溶である銀(Ag)金属から成る
金属膜１６０をめっきによって形成する。その後、エッ
チング液に金属薄板３００を浸漬し、金属膜１６０の非
被覆部分にエッチングを施してリードを形成する（図６
ヘ）。
いて、先ず、銅(Cu)金属から成る金属薄板３００の両面
に、ニッケル(Ni)金属から成る保護金属膜１８０、１８
０をめっきによって形成する（図５イ）。この保護金属
膜１８０、１８０が形成された金属薄板３００におい
て、エッチングを施す部分にフォトレジスト３２０、３
２０・・・を形成した後（図６ロ）、フォトレジスト３
２０、３２０・・・が形成されておらず保護金属層１８
０、１８０の表面が露出している部分、つまりリードを
形成する部分に銅(Cu)金属から成る導電性金属層１２
０、１２０・・・を電解めっきによって積層する（図６
ハ）。次いで、フォトレジスト３２０、３２０・・・を
除去し（図６ニ）、導電性金属層１２０、１２０・・・
の各表面にのみ、金属薄板３００のエッチングに使用す
るエッチング液に対して不溶である銀(Ag)金属から成る
金属膜１６０をめっきによって形成する。その後、エッ
チング液に金属薄板３００を浸漬し、金属膜１６０の非
被覆部分にエッチングを施してリードを形成する（図６
ヘ）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この製造方法によって
得られたリードフレームのリードは、金属薄板３００に
エッチングを施して形成した基部２１０の両面の導電性
金属層１２０、１２０によって補強されて機械的強度が
向上されているため、板厚の薄い金属薄板３００をエッ
チング加工に供して狭ピッチで且つ高強度のリードを成
形することができる。唯、図５に示す方法によって得ら
れたリードフレームのリードは、銀(Ag)金属から成る金
属膜１６０によって導電性金属層１２０の側面（リード
の側面）も覆われているため、銀(Ag)金属のマイグレー
ション等に起因する問題が発生するおそれがある。特
に、インナーリードが狭ピッチで形成されるリードフレ
ームにおいては、リード側面への銀(Ag)金属から成る金
属膜等のはみ出しが厳しく規制される。そこで、本発明
の目的は、細幅で且つ取扱が容易な機械的強度を有する
リードを狭ピッチで形成でき、リード表面の所定の箇所
に所望の金属から成る金属膜をリードの側面にはみ出さ
せることなく部分的に形成できるリードフレーム及びそ
の製造方法を提供することにある。
得られたリードフレームのリードは、金属薄板３００に
エッチングを施して形成した基部２１０の両面の導電性
金属層１２０、１２０によって補強されて機械的強度が
向上されているため、板厚の薄い金属薄板３００をエッ
チング加工に供して狭ピッチで且つ高強度のリードを成
形することができる。唯、図５に示す方法によって得ら
れたリードフレームのリードは、銀(Ag)金属から成る金
属膜１６０によって導電性金属層１２０の側面（リード
の側面）も覆われているため、銀(Ag)金属のマイグレー
ション等に起因する問題が発生するおそれがある。特
に、インナーリードが狭ピッチで形成されるリードフレ
ームにおいては、リード側面への銀(Ag)金属から成る金
属膜等のはみ出しが厳しく規制される。そこで、本発明
の目的は、細幅で且つ取扱が容易な機械的強度を有する
リードを狭ピッチで形成でき、リード表面の所定の箇所
に所望の金属から成る金属膜をリードの側面にはみ出さ
せることなく部分的に形成できるリードフレーム及びそ
の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく検討を重ねた結果、金属薄板にリードを形
成する部分にめっきによって積層した導電性金属層の表
面に所望の金属膜を所定の箇所に部分的に形成し、次い
で前記金属膜及び導電性金属層を覆うように、金属薄板
用のエッチング液に対して不溶の不溶性金属膜を形成し
てから導電性金属層間に露出する金属薄板部分にエッチ
ングを施し、その後、不溶性金属膜のみをエッチングに
よって除去するすことによって、充分な強度を有する細
幅のリードが狭ピッチで形成されていると共に、所定の
箇所に所望の金属膜がリードの側面にはみ出させること
なく部分的に形成されたリードフレームを得ることがで
きることを見出し、本発明に到達した。
を達成すべく検討を重ねた結果、金属薄板にリードを形
成する部分にめっきによって積層した導電性金属層の表
面に所望の金属膜を所定の箇所に部分的に形成し、次い
で前記金属膜及び導電性金属層を覆うように、金属薄板
用のエッチング液に対して不溶の不溶性金属膜を形成し
てから導電性金属層間に露出する金属薄板部分にエッチ
ングを施し、その後、不溶性金属膜のみをエッチングに
よって除去するすことによって、充分な強度を有する細
幅のリードが狭ピッチで形成されていると共に、所定の
箇所に所望の金属膜がリードの側面にはみ出させること
なく部分的に形成されたリードフレームを得ることがで
きることを見出し、本発明に到達した。
【０００８】即ち、本発明は、金属薄板をエッチングし
てリードが形成されたリードフレームにおいて、該リー
ドには、横断面形状が略矩形で且つリード間の間隙に臨
む側面の各々にエッチングが施された基部の両平面の少
なくとも一方の平面に、前記基部を補強する導電性金属
層がリードの長手方向に沿って積層されていると共に、
リードの平面を構成する導電性金属層の表面の所定箇所
に、所望の金属から成る金属膜がリードの側面にはみ出
すことなく部分的に形成されていることを特徴とするリ
ードフレームにある。
てリードが形成されたリードフレームにおいて、該リー
ドには、横断面形状が略矩形で且つリード間の間隙に臨
む側面の各々にエッチングが施された基部の両平面の少
なくとも一方の平面に、前記基部を補強する導電性金属
層がリードの長手方向に沿って積層されていると共に、
リードの平面を構成する導電性金属層の表面の所定箇所
に、所望の金属から成る金属膜がリードの側面にはみ出
すことなく部分的に形成されていることを特徴とするリ
ードフレームにある。
【０００９】また、本発明は、金属薄板をエッチングし
てリードが形成されたリードフレームを製造する際に、
該金属薄板の少なくとも一面のエッチングを施す部分に
予めレジストを形成した後、前記金属薄板のリードを形
成する部分にめっきによって積層した導電性金属層の表
面の所定箇所に、所望の金属から成る金属膜を部分めっ
きによって部分的に形成し、次いで、前記レジストを除
去した後、金属薄板にエッチングを施すエッチング液に
対して不溶である不溶性金属膜を、前記金属層及び導電
性金属層の表面にめっきによって選択的に形成し、その
後、前記レジストの除去によって露出した金属薄板の部
分にエッチングを施してリード間の間隙を形成してから
前記不溶性金属膜を除去することを特徴とするリードフ
レームの製造法である。
てリードが形成されたリードフレームを製造する際に、
該金属薄板の少なくとも一面のエッチングを施す部分に
予めレジストを形成した後、前記金属薄板のリードを形
成する部分にめっきによって積層した導電性金属層の表
面の所定箇所に、所望の金属から成る金属膜を部分めっ
きによって部分的に形成し、次いで、前記レジストを除
去した後、金属薄板にエッチングを施すエッチング液に
対して不溶である不溶性金属膜を、前記金属層及び導電
性金属層の表面にめっきによって選択的に形成し、その
後、前記レジストの除去によって露出した金属薄板の部
分にエッチングを施してリード間の間隙を形成してから
前記不溶性金属膜を除去することを特徴とするリードフ
レームの製造法である。
【００１０】かかる構成の本発明において、基部の両平
面の各面に、導電性金属層が積層されていること、及び
／又は導電性金属層の厚さが基部の厚さと略同一厚さで
あることが、エッチングを施す金属薄板の板厚を薄くし
ても得られるリードの強度が補強されるため、リードの
更に一層のファイン化を図ることができる。また、金属
薄板を形成する金属と同種の金属によって導電性金属層
を形成するとき、導電性金属層の表面を覆う不溶性金属
膜を形成する金属がエッチングを施す金属薄板表面に付
着することのないように、金属薄板表面に保護金属膜を
形成した後、レジストを所定の位置に形成することによ
って、主として導電性に優れた銅(Cu)等の金属から成る
リードを形成することができる。更に、部分的に形成さ
れた金属膜が、搭載される半導体チップとのボンディン
グがなされるボンディング面に形成されていることが、
リードフレームのボンディング性を向上することができ
る。
面の各面に、導電性金属層が積層されていること、及び
／又は導電性金属層の厚さが基部の厚さと略同一厚さで
あることが、エッチングを施す金属薄板の板厚を薄くし
ても得られるリードの強度が補強されるため、リードの
更に一層のファイン化を図ることができる。また、金属
薄板を形成する金属と同種の金属によって導電性金属層
を形成するとき、導電性金属層の表面を覆う不溶性金属
膜を形成する金属がエッチングを施す金属薄板表面に付
着することのないように、金属薄板表面に保護金属膜を
形成した後、レジストを所定の位置に形成することによ
って、主として導電性に優れた銅(Cu)等の金属から成る
リードを形成することができる。更に、部分的に形成さ
れた金属膜が、搭載される半導体チップとのボンディン
グがなされるボンディング面に形成されていることが、
リードフレームのボンディング性を向上することができ
る。
【００１１】
【作用】本発明によれば、エッチングに供する金属薄板
の板厚を薄くすることができるため、エッチングによっ
て形成されるリード間のピッチを狭ピッチとすることが
できる。また、金属薄板のリードが成形される部分に、
予め導電性金属層が積層されているため、前記金属薄板
の薄板化に因るリードの機械的強度の低下を補うことが
でき、得られたリードフレームの取扱を容易に行うこと
ができる。更に、導電性金属層の表面に所定の箇所に部
分的に形成された金属膜は、リードの側面にはみ出すこ
とがなく、リードの側面にはみ出した金属膜のマイグレ
ーションに起因する問題発生のおそれを解消できる。
の板厚を薄くすることができるため、エッチングによっ
て形成されるリード間のピッチを狭ピッチとすることが
できる。また、金属薄板のリードが成形される部分に、
予め導電性金属層が積層されているため、前記金属薄板
の薄板化に因るリードの機械的強度の低下を補うことが
でき、得られたリードフレームの取扱を容易に行うこと
ができる。更に、導電性金属層の表面に所定の箇所に部
分的に形成された金属膜は、リードの側面にはみ出すこ
とがなく、リードの側面にはみ出した金属膜のマイグレ
ーションに起因する問題発生のおそれを解消できる。
【００１２】
【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
図１ａは、本発明の一実施例であるリードフレームを構
成するインナーリードＩのボンディング部の横断面図で
ある。インナーリードＩは、エッチング法によって形成
されたものである。図１ａのインナーリードＩの側面は
インナーリード間の間隙（ピッチ）に臨む面であり、中
間部近傍にエッチングが施された面１４、１４がある。
このエッチング面１４、１４を側面とする略矩形の基部
１０の両平面に、導電性金属層１２、１２がめっきによ
って積層されている。本実施例においては、基部１０及
び導電性金属層１２、１２は、共に銅(Cu)金属によって
形成されている。この基部１０の厚さＡは約５０μｍで
あって、導電性金属層１２、１２の厚さＢ、Ｂも約５０
μｍである。
図１ａは、本発明の一実施例であるリードフレームを構
成するインナーリードＩのボンディング部の横断面図で
ある。インナーリードＩは、エッチング法によって形成
されたものである。図１ａのインナーリードＩの側面は
インナーリード間の間隙（ピッチ）に臨む面であり、中
間部近傍にエッチングが施された面１４、１４がある。
このエッチング面１４、１４を側面とする略矩形の基部
１０の両平面に、導電性金属層１２、１２がめっきによ
って積層されている。本実施例においては、基部１０及
び導電性金属層１２、１２は、共に銅(Cu)金属によって
形成されている。この基部１０の厚さＡは約５０μｍで
あって、導電性金属層１２、１２の厚さＢ、Ｂも約５０
μｍである。
【００１３】また、導電性金属層１２、１２の表面に
は、銀(Ag)金属から成る厚さ５μｍ程度の金属膜１６、
１６が導電性金属層１２、１２及び基部１０の側面には
み出すことなく形成されている。この金属膜１６が形成
された面がボンディング面であって、搭載される半導体
チップとワイヤボンディング等がなされる。この様な図
１ａに示すインナーリードＩにおいては、基部１０と導
電性金属層１２、１２との間にニッケル(Ni)金属から成
る厚さ１μｍ以下の保護金属膜１８、１８が形成されて
いる。この保護金属膜１８、１８は、後述する様に、金
属膜１６及び導電性金属層１２、１２の表面に錫(Sn)金
属から成る不溶性金属膜をめっきによって形成する際
に、エッチングを施す金属薄板の表面に錫(Sn)金属が付
着しないようにするためである。
は、銀(Ag)金属から成る厚さ５μｍ程度の金属膜１６、
１６が導電性金属層１２、１２及び基部１０の側面には
み出すことなく形成されている。この金属膜１６が形成
された面がボンディング面であって、搭載される半導体
チップとワイヤボンディング等がなされる。この様な図
１ａに示すインナーリードＩにおいては、基部１０と導
電性金属層１２、１２との間にニッケル(Ni)金属から成
る厚さ１μｍ以下の保護金属膜１８、１８が形成されて
いる。この保護金属膜１８、１８は、後述する様に、金
属膜１６及び導電性金属層１２、１２の表面に錫(Sn)金
属から成る不溶性金属膜をめっきによって形成する際
に、エッチングを施す金属薄板の表面に錫(Sn)金属が付
着しないようにするためである。
【００１４】図１ａに示すインナーリードＩは、図２に
示す製造方法で製造することができる。先ず、銅(Cu)金
属から成る金属薄板３０（厚さ５０μｍ）の両面に、厚
さ１μｍ以下のニッケル(Ni)金属から成る保護金属膜１
８、１８をめっきによって形成する（図２ａ）。このニ
ッケルめっきは電解めっき或いは無電解めっきのいずれ
であってもよい。この様に両面にニッケルめっきが施さ
れた金属薄板３０において、エッチングを施す部分にフ
ォトレジスト３２、３２を約５０μｍの厚さに塗布した
後（図２ｂ）、パターニングしてフォトレジスト３２、
３２を部分的に除去し（図２ｃ）保護金属膜１８、１８
の表面が部分的に露出している部分、つまりインナーリ
ードを形成する部分に銅(Cu)金属を電解めっきによって
約５０μｍの厚さに積層して導電性金属層１２、１２・
・・を形成する（図２ｄ）。
示す製造方法で製造することができる。先ず、銅(Cu)金
属から成る金属薄板３０（厚さ５０μｍ）の両面に、厚
さ１μｍ以下のニッケル(Ni)金属から成る保護金属膜１
８、１８をめっきによって形成する（図２ａ）。このニ
ッケルめっきは電解めっき或いは無電解めっきのいずれ
であってもよい。この様に両面にニッケルめっきが施さ
れた金属薄板３０において、エッチングを施す部分にフ
ォトレジスト３２、３２を約５０μｍの厚さに塗布した
後（図２ｂ）、パターニングしてフォトレジスト３２、
３２を部分的に除去し（図２ｃ）保護金属膜１８、１８
の表面が部分的に露出している部分、つまりインナーリ
ードを形成する部分に銅(Cu)金属を電解めっきによって
約５０μｍの厚さに積層して導電性金属層１２、１２・
・・を形成する（図２ｄ）。
【００１５】次いで、形成した導電性金属層１２、１２
・・・の表面の所定の箇所に、銀(Ag)金属から成る厚さ
５μｍの金属膜１６を部分めっきによって形成する（図
２ｅ）。かかる部分めっきは、インナーリードの金属膜
１６を形成する必要のない部分をマスクで覆いつつ図２
ｄの状態にある金属薄板３０をＫＡｇ（ＣＮ）2 、Ｋ2
ＨＰＯ4 、及びＫＳｅＣＮが含有された７０℃のめっき
浴に浸漬し、１００Ａ／ｄｍ2 の電流を流す電解めっき
によって行った。その後、フォトレジスト３２、３２・
・・を除去し（図２ｆ）、露出した導電性金属層１２、
１２・・・の各側面及び金属膜１６の表面に錫(Sn)金属
から成り且つ厚さ１μｍの金属膜３４を形成する（図２
ｇ）。この金属膜３４は、本実施例において金属薄板３
０のエッチングに使用するエッチング液に対して不溶性
である不溶性金属膜（以下、不溶性金属膜３４と称する
ことがある）である。かかる不溶性金属膜３４は、金属
膜１６の表面及び導電性金属層１２の側面に選択的に形
成する必要があるため、無電解めっきを施す。かかる無
電解めっきに用いるめっき液は、塩化錫、チオ尿素、ジ
アリン酸ナトリウム、クエン酸、ＥＤＴＡ、塩酸、及び
１ー塩化ラウリルピリジウムが含有されているものであ
る。
・・・の表面の所定の箇所に、銀(Ag)金属から成る厚さ
５μｍの金属膜１６を部分めっきによって形成する（図
２ｅ）。かかる部分めっきは、インナーリードの金属膜
１６を形成する必要のない部分をマスクで覆いつつ図２
ｄの状態にある金属薄板３０をＫＡｇ（ＣＮ）2 、Ｋ2
ＨＰＯ4 、及びＫＳｅＣＮが含有された７０℃のめっき
浴に浸漬し、１００Ａ／ｄｍ2 の電流を流す電解めっき
によって行った。その後、フォトレジスト３２、３２・
・・を除去し（図２ｆ）、露出した導電性金属層１２、
１２・・・の各側面及び金属膜１６の表面に錫(Sn)金属
から成り且つ厚さ１μｍの金属膜３４を形成する（図２
ｇ）。この金属膜３４は、本実施例において金属薄板３
０のエッチングに使用するエッチング液に対して不溶性
である不溶性金属膜（以下、不溶性金属膜３４と称する
ことがある）である。かかる不溶性金属膜３４は、金属
膜１６の表面及び導電性金属層１２の側面に選択的に形
成する必要があるため、無電解めっきを施す。かかる無
電解めっきに用いるめっき液は、塩化錫、チオ尿素、ジ
アリン酸ナトリウム、クエン酸、ＥＤＴＡ、塩酸、及び
１ー塩化ラウリルピリジウムが含有されているものであ
る。
【００１６】更に、エッチング液に金属薄板３０を浸漬
し、フォトレジスト３２、３２・・・が除去されて保護
金属膜１８、１８が露出されている部分を溶解して金属
薄板３０を部分的に露出させた後（図２ｈ）、金属薄板
３０の露出部分をアンモニアアルカリエッチング液にて
金属膜１６及び不溶性金属膜３４を侵さずにエッチング
を施しインナーリードを形成した（図２ｉ）。このアン
モニアアルカリエッチング液には、ＮＨ4 ＯＨ、ＮＨ4
Ｃｌ、ＮａＣｌＯ、（ＮＨ4 ）ＨＣＯ3 が含有されてい
る。本実施例においては、インナーリードに形成した
後、不溶性金属膜３４をエッチングして剥離することに
よって、インナーリードのボンディング部を形成する導
電性金属層１６の表面の所定箇所に、銀(Ag)金属から成
る金属膜１６をインナーリードの側面に形成することな
く形成できるのである（図２ｊ）。
し、フォトレジスト３２、３２・・・が除去されて保護
金属膜１８、１８が露出されている部分を溶解して金属
薄板３０を部分的に露出させた後（図２ｈ）、金属薄板
３０の露出部分をアンモニアアルカリエッチング液にて
金属膜１６及び不溶性金属膜３４を侵さずにエッチング
を施しインナーリードを形成した（図２ｉ）。このアン
モニアアルカリエッチング液には、ＮＨ4 ＯＨ、ＮＨ4
Ｃｌ、ＮａＣｌＯ、（ＮＨ4 ）ＨＣＯ3 が含有されてい
る。本実施例においては、インナーリードに形成した
後、不溶性金属膜３４をエッチングして剥離することに
よって、インナーリードのボンディング部を形成する導
電性金属層１６の表面の所定箇所に、銀(Ag)金属から成
る金属膜１６をインナーリードの側面に形成することな
く形成できるのである（図２ｊ）。
【００１７】この様に本実施例においては、エッチング
が施されてインナーリード間の間隙となる部分が、エッ
チング加工に供する薄板化された金属薄板３０と略同一
厚さであるため、インナーリードのピッチを狭ピッチと
することができると共に、金属薄板３０の薄板化に伴い
得られるリードの機械的強度の低下は、銅(Cu)金属から
成る導電性金属層１２、１２の積層によって補うことが
できる。このため、本実施例の様に、板厚５０μｍの金
属薄板３０の両面に、厚さ５０μｍの導電性金属層１
２、１２を形成することによって、厚さ１５０μｍのイ
ンナーリードが１００μｍのピッチで形成されたリード
フレームを得ることができる。更に、インナーリードを
狭ピッチで形成しても、銀(Ag)金属から成る金属膜１６
がインナーリードの側面にはみ出すことがなく、はみ出
した銀(Ag)金属に起因するマイグレーション等の懸念を
解消できる。
が施されてインナーリード間の間隙となる部分が、エッ
チング加工に供する薄板化された金属薄板３０と略同一
厚さであるため、インナーリードのピッチを狭ピッチと
することができると共に、金属薄板３０の薄板化に伴い
得られるリードの機械的強度の低下は、銅(Cu)金属から
成る導電性金属層１２、１２の積層によって補うことが
できる。このため、本実施例の様に、板厚５０μｍの金
属薄板３０の両面に、厚さ５０μｍの導電性金属層１
２、１２を形成することによって、厚さ１５０μｍのイ
ンナーリードが１００μｍのピッチで形成されたリード
フレームを得ることができる。更に、インナーリードを
狭ピッチで形成しても、銀(Ag)金属から成る金属膜１６
がインナーリードの側面にはみ出すことがなく、はみ出
した銀(Ag)金属に起因するマイグレーション等の懸念を
解消できる。
【００１８】図１ａにおいては、基部１０及び導電性金
属層１２、１２が共に銅(Cu)金属によって形成されてい
るが、基部１０及び導電性金属層１２、１２を異種の金
属で形成することができる。この場合、基部２０を形成
する金属を鉄(Fe)ーニッケル(Ni)合金とすると、図１ｂ
に示す様に、図１ａに示す保護金属膜１８を介すことな
く銅(Cu)金属から成る導電性金属層１２を基部２０の両
面の各々に直接形成できる。鉄(Fe)ーニッケル(Ni)合金
から成る金属薄板には、銀(Ag)金属から成る金属膜１６
及び導電性金属層１２を覆う錫(Sn)金属から成る不溶性
金属層１６を無電解めっきによって形成する際に、錫(S
n)金属が付着しないからである。この様な図１ｂのイン
ナーリードの製造工程においては、図２に示すニッケル
(Ni)金属から成る保護金属膜１８を形成する工程（図２
ａ）を省略できる。
属層１２、１２が共に銅(Cu)金属によって形成されてい
るが、基部１０及び導電性金属層１２、１２を異種の金
属で形成することができる。この場合、基部２０を形成
する金属を鉄(Fe)ーニッケル(Ni)合金とすると、図１ｂ
に示す様に、図１ａに示す保護金属膜１８を介すことな
く銅(Cu)金属から成る導電性金属層１２を基部２０の両
面の各々に直接形成できる。鉄(Fe)ーニッケル(Ni)合金
から成る金属薄板には、銀(Ag)金属から成る金属膜１６
及び導電性金属層１２を覆う錫(Sn)金属から成る不溶性
金属層１６を無電解めっきによって形成する際に、錫(S
n)金属が付着しないからである。この様な図１ｂのイン
ナーリードの製造工程においては、図２に示すニッケル
(Ni)金属から成る保護金属膜１８を形成する工程（図２
ａ）を省略できる。
【００１９】図１〜図２においては、インナーリードを
構成する基部１０の両面に導電性金属層１２、１２が形
成されていたが、図３に示す様に、基部１０の一面にの
み形成された導電性金属層１２の表面の所定の箇所に銀
(Ag)金属から成る金属膜１６が部分的に形成されている
インナーリードＩであってもよい。かかるインナーリー
ドＩであっても、基部１０は基部１０の一面に形成され
ている導電性金属層１２によって補強されているためで
ある。この様な図３に示すインナーリードＩは、図４に
示す工程で製造することができる。この図４の製造工程
においては、銅(Cu)金属から成る金属薄板３０の一面に
ニッケルめっきを施してニッケル(Ni)金属から成る保護
金属膜１８を形成し且つエッチングを施す部分にフォト
レジスト３２、３２・・・を形成すると共に、他方の面
には全面に亘ってフォトレジスト３４を塗布する（図４
イ）。図４イにおいて、フォトレジスト３２、３２・・
・が形成されておらず保護金属層１８の表面が露出して
いる部分、つまりインナーリードを形成する部分に銅(C
u)金属を電解めっきによって積層した導電性金属層１
２、１２・・・を形成する（図４ロ）。
構成する基部１０の両面に導電性金属層１２、１２が形
成されていたが、図３に示す様に、基部１０の一面にの
み形成された導電性金属層１２の表面の所定の箇所に銀
(Ag)金属から成る金属膜１６が部分的に形成されている
インナーリードＩであってもよい。かかるインナーリー
ドＩであっても、基部１０は基部１０の一面に形成され
ている導電性金属層１２によって補強されているためで
ある。この様な図３に示すインナーリードＩは、図４に
示す工程で製造することができる。この図４の製造工程
においては、銅(Cu)金属から成る金属薄板３０の一面に
ニッケルめっきを施してニッケル(Ni)金属から成る保護
金属膜１８を形成し且つエッチングを施す部分にフォト
レジスト３２、３２・・・を形成すると共に、他方の面
には全面に亘ってフォトレジスト３４を塗布する（図４
イ）。図４イにおいて、フォトレジスト３２、３２・・
・が形成されておらず保護金属層１８の表面が露出して
いる部分、つまりインナーリードを形成する部分に銅(C
u)金属を電解めっきによって積層した導電性金属層１
２、１２・・・を形成する（図４ロ）。
【００２０】次いで、導電性金属層１２、１２・・・の
表面の所定の箇所に銀(Ag)金属から成る金属膜１６を部
分的に形成し（図４ハ）、フォトレジスト３２、３２・
・・及びフォトレジスト３６のインナーリードに相当す
る部分を除去した後、金属膜１６、導電性金属層１２、
及びフォトレジスト３６の除去部分に錫(Sn)金属から成
る不溶性金属膜３４を選択的に形成する（図４二）。こ
の不溶性金属層３４は、本実施例において使用するエッ
チング液に対して不溶性でであって、無電解めっきによ
って形成される。更に、フォトレジスト３６の残留部分
を除去してから金属薄板３０の露出部分にエッチングを
施してインナーリードを形成した後（図４ホ）、不溶性
金属層３４をエッチングによって除去する（図４ヘ）。
表面の所定の箇所に銀(Ag)金属から成る金属膜１６を部
分的に形成し（図４ハ）、フォトレジスト３２、３２・
・・及びフォトレジスト３６のインナーリードに相当す
る部分を除去した後、金属膜１６、導電性金属層１２、
及びフォトレジスト３６の除去部分に錫(Sn)金属から成
る不溶性金属膜３４を選択的に形成する（図４二）。こ
の不溶性金属層３４は、本実施例において使用するエッ
チング液に対して不溶性でであって、無電解めっきによ
って形成される。更に、フォトレジスト３６の残留部分
を除去してから金属薄板３０の露出部分にエッチングを
施してインナーリードを形成した後（図４ホ）、不溶性
金属層３４をエッチングによって除去する（図４ヘ）。
【００２１】この様にして得られた本実施例のリードフ
レームは、インナーリードの所定の箇所に所望の金属か
ら成る金属膜がインナーリードの側面にはみ出すことな
く部分的に形成されているため、はみ出し金属の剥離等
を行う必要はない。尚、以上、述べてきた実施例におい
て、金属膜１６を銀(Ag)金属によって形成してきたが、
めっきによって膜を形成できる金属であれば任意の金
属、例えば金(Au)等の金属を好適に使用できる。
レームは、インナーリードの所定の箇所に所望の金属か
ら成る金属膜がインナーリードの側面にはみ出すことな
く部分的に形成されているため、はみ出し金属の剥離等
を行う必要はない。尚、以上、述べてきた実施例におい
て、金属膜１６を銀(Ag)金属によって形成してきたが、
めっきによって膜を形成できる金属であれば任意の金
属、例えば金(Au)等の金属を好適に使用できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、幅狭のリードを狭ピッ
チで形成することができると共に、インナーリードの所
定の箇所に所望の金属から成る金属膜をインナーリード
の側面にはみ出すことなく形成でき、半導体チップの高
集積化等に伴うリードフレームの多ピン化や半導体装置
の小型化等の要請に応えることができる。
チで形成することができると共に、インナーリードの所
定の箇所に所望の金属から成る金属膜をインナーリード
の側面にはみ出すことなく形成でき、半導体チップの高
集積化等に伴うリードフレームの多ピン化や半導体装置
の小型化等の要請に応えることができる。
【図１】本発明の一実施例であるリードフレームを構成
するインナーリードの横断面図である。
するインナーリードの横断面図である。
【図２】図１のリードフレームを製造する工程を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図３】図１に示すインナーリードの他の例を示す横断
面図である。
面図である。
【図４】図３のリードフレームを製造する工程を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図５】本発明者の一人が先に提案したリードフレーム
の製造法を説明するための工程図である。
の製造法を説明するための工程図である。
【図６】エッチングの進行状態を説明するための説明図
である。
である。
１０、２０ 基部 １２ 導電性金属層 １４ エッチング面 １６ 金属膜 ３０ 金属薄板 ３２ レジスト ３４ 不溶性金属膜
Claims (9)
- 【請求項１】 金属薄板をエッチングしてリードが形成
されたリードフレームにおいて、 該リードには、横断面形状が略矩形で且つリード間の間
隙に臨む側面の各々にエッチングが施された基部の両平
面の少なくとも一方の平面に、前記基部を補強する導電
性金属層がリードの長手方向に沿って積層されていると
共に、 リードの平面を構成する導電性金属層の表面の所定箇所
に、所望の金属から成る金属膜がリードの側面にはみ出
すことなく部分的に形成されていることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項２】 基部の両平面の各面に、導電性金属層が
積層されている請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 部分的に形成された金属膜が、搭載され
る半導体チップとのボンディングがなされるボンディン
グ面に形成されている請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 導電性金属層の厚さが、基部の厚さと略
同一厚さである請求項１又は請求項２記載のリードフレ
ーム。 - 【請求項５】 金属薄板をエッチングしてリードが形成
されたリードフレームを製造する際に、 該金属薄板の少なくとも一面のエッチングを施す部分に
予めレジストを形成した後、前記金属薄板のリードを形
成する部分にめっきによって積層した導電性金属層の表
面の所定箇所に、所望の金属から成る金属膜を部分めっ
きによって部分的に形成し、 次いで、前記レジストを除去した後、金属薄板にエッチ
ングを施すエッチング液に対して不溶である不溶性金属
膜を、前記金属層及び導電性金属層の表面にめっきによ
って選択的に形成し、 その後、前記レジストの除去によって露出した金属薄板
の部分にエッチングを施してリード間の間隙を形成して
から前記不溶性金属膜を除去することを特徴とするリー
ドフレームの製造法。 - 【請求項６】 金属薄板の両面の各面のエッチングを施
す部分にレジストを形成する請求項５記載のリードフレ
ームの製造法。 - 【請求項７】 金属薄板を形成する金属と同種の金属に
よって導電性金属層を形成するとき、導電性金属層の表
面に付着する不溶性金属膜を形成する金属がエッチング
を施す金属薄板表面に付着することのないように、金属
薄板表面に保護金属膜を形成した後、レジストを所定の
位置に形成する請求項５又は請求項６記載のリードフレ
ームの製造法。 - 【請求項８】 導電性金属層の厚さを、金属薄板の厚さ
と略同一厚さとする請求項５又は請求項７記載のリード
フレームの製造方法。 - 【請求項９】 部分的に形成した金属膜が、搭載される
半導体チップとのボンディングがなされるボンディング
面に形成された請求項５記載のリードフレームの製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36024391A JP3085765B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | リードフレームの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36024391A JP3085765B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | リードフレームの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183083A true JPH05183083A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3085765B2 JP3085765B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=18468538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36024391A Expired - Fee Related JP3085765B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | リードフレームの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3085765B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0604205A2 (en) * | 1992-12-23 | 1994-06-29 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
| WO2010074510A2 (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure for multi-row leadframe and semiconductor package thereof and manufacture method thereof |
| KR101036352B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2011-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 패키지의 다열 리드 프레임 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-12-28 JP JP36024391A patent/JP3085765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0604205A2 (en) * | 1992-12-23 | 1994-06-29 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
| EP0604205A3 (ja) * | 1992-12-23 | 1994-08-31 | Shinko Electric Ind Co | |
| US5643433A (en) * | 1992-12-23 | 1997-07-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US5656855A (en) * | 1992-12-23 | 1997-08-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US5909053A (en) * | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| KR101036352B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2011-05-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 패키지의 다열 리드 프레임 및 그 제조방법 |
| WO2010074510A2 (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure for multi-row leadframe and semiconductor package thereof and manufacture method thereof |
| WO2010074510A3 (en) * | 2008-12-24 | 2010-09-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure for multi-row leadframe and semiconductor package thereof and manufacture method thereof |
| KR101064755B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2011-09-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 다열 리드형 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법 |
| CN102265394A (zh) * | 2008-12-24 | 2011-11-30 | Lg伊诺特有限公司 | 多行引线框架的结构及其半导体封装及制造方法 |
| US8956919B2 (en) | 2008-12-24 | 2015-02-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure for multi-row leadframe and semiconductor package thereof and manufacture method thereof |
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| JP3085765B2 (ja) | 2000-09-11 |
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