JP3028875B2

JP3028875B2 - リードフレームの製造方法

Info

Publication number: JP3028875B2
Application number: JP4027198A
Authority: JP
Inventors: 健治大沢
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-01-18
Filing date: 1992-01-18
Publication date: 2000-04-04
Anticipated expiration: 2015-04-04
Also published as: JPH05198716A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法、特に、中間金属層の一方の面に薄い金属層からな
るインナーリードを他方の面に厚い金属層からなるアウ
ターリードを形成し、該アウターリード及び上記インナ
ーリードをマスクとして上記中間金属層をエッチングす
ることにより該中間金属層の不要部分を除去するリード
フレームの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】リードフレームの製造方法として、エッ
チングストップ層となる中間金属層の両面に互いに厚さ
の異なる金属層を形成し、この両面の金属層に対して選
択的エッチングをすることにより厚いアウターリード
と、薄いインナーリードを形成し、その後、このアウタ
ーリード及びインナーリードをマスクとして上記中間金
属層をエッチングすることにより該中間金属層の不要部
分を除去する方法が特開平３−１４８８５６号公報によ
り紹介されている。

【０００３】そして、上記公報にはインナーリード部に
例えば樹脂からなる補強材を形成することが紹介されて
いる。そして、その補強材の形成は、一般に、例えば厚
さ５０μｍのポリイミドフィルムの裏面に接着剤（厚さ
１０μｍ）を塗布したものをプレスカットにより矩形枠
状に成形し、その後、それをリードフレームのインナー
リード部に熱プレス接着法により接着するという方法で
行われた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂封止型
半導体装置には薄型化の要求があり、それに応えるには
半導体チップと、リードフレームのインナーリードある
いはインナーリード及びアウターリードとの間の間隔を
小さくする必要がある。しかし、それに応えようとする
と半導体チップと、リードフレームのインナーリードあ
るいはインナーリード及びアウターリードとの間で電気
的にショートする可能性が生じてきた。

【０００５】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、一つの目的は半導体チップとの間で
電気的ショートの発生しない新規なリードフレームの製
造方法を提供することにあり、他の目的はインナーリー
ド間のショート事故の発生率をも少なくすることにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１のリードフレー
ムの製造方法は、インナーリード上の少なくとも半導体
チップ側の面であってボンディングされたとき半導体チ
ップとオーバーラップする位置に絶縁材を塗布する工程
を有することを特徴とする。請求項２のリードフレーム
の製造方法は、請求項１のリードフレームの製造方法に
おいて、絶縁材を各隣接インナーリード間に入り込むよ
うに形成することを特徴とする。

【０００７】

【作用】請求項１のリードフレームの製造方法によれ
ば、絶縁材が半導体チップ側の半導体チップとオーバー
ラップする部分に形成されているので、絶縁材によって
半導体チップとリードとの間を絶縁することができる。
そして、該絶縁材をインナーリードの補強にも用いるこ
とができる。請求項２のリードフレームの製造方法によ
れば、絶縁材が各隣接インナーリード間に入り込むよう
に形成されるので、各インナーリード間のショートをも
防止することができる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明リードフレームの製造方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｈ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例を工程順に示す断面図である。（Ａ）図１（Ａ）に示すように、銅からなる金属層１と
アルミニウムからなる中間金属層２を積層したリードフ
レーム材を用意する。

【０００９】（Ｂ）図１（Ｂ）に示すように、中間金属
層２の表面に選択的に、金属層１の表面に全面的にそれ
ぞれレジスト膜３を形成する。中間金属層２の表面のレ
ジスト膜３は形成すべきインナーリードのパターンとネ
ガのパターンに形成する。（Ｃ）次に、硫酸Ｃｕメッキ浴にて電解メッキ法により
中間金属層２の表面に銅メッキを施して図１（Ｃ）に示
すように銅からなるインナーリード４を形成する。

【００１０】（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すようにイン
ナーリード４上に絶縁材（例えばポリイミドペースト）
５を図２に示すようなスクリーン印刷法により形成す
る。勿論、感光性の絶縁材料を用いて写真技術により絶
縁材５を形成するようにしても良いことはいうまでもな
い。このように、スクリーン印刷法あるいは写真技術に
より絶縁材５を形成するとそのパターン及び形成位置を
正確に制御できる。（Ｅ）次に、リードフレームのインナーリード側の面に
全面的に、アウターリード側の面に選択的にレジスト膜
６を形成し、図１（Ｅ）に示すように、該レジスト膜６
をマスクとして金属層１をエッチングすることによりア
ウターリード１を形成する。

【００１１】（Ｆ）次に、図１（Ｆ）に示すように、中
間金属層２のバンプを形成すべき部分をレジスト膜７で
マスクした状態で該レジスト膜７、インナーリード４及
びアウターリード１をマスクとして中間金属層２をエッ
チングすることにより中間金属層２の不要部分を除去す
る。（Ｇ）その後、図１（Ｇ）に示すようにリードフレーム
の反半導体素子側から絶縁材（例えばポリイミドペース
ト）５を図２に示すようなスクリーン印刷法によりす
る。勿論、写真技術により感光性材料からなる絶縁材を
選択的に形成するようにしても良い。

【００１２】この場合、絶縁材５は半導体素子をリード
フレームに接続したときに半導体素子とオーバーラップ
するように形成することが必要である。なぜならば、絶
縁材５に半導体素子とリードフレームとの短絡を防止す
る役割を担わせるためである。また、絶縁材５は各隣接
インナーリード間上に入り込むように印刷するほうが良
い。というのは、絶縁材５により半導体素子とリードフ
レームとのショートを防止する効果及びインナーリード
補強効果のほか隣接インナーリード間の短絡防止効果も
得られるからである。尚、スクリーン印刷法あるいは写
真技術により絶縁材５を形成するとそのパターン及び形
成位置を正確に制御できることはいうまでもない。２ａ
はバンプである。

【００１３】（Ｈ）その後、リードフレームの各インナ
ーリード４のバンプ２ａと、それに対応する半導体素子
８の電極を接続し、しかる後、樹脂９で封止する。図３
は半導体装置の一部を樹脂の部分を切欠いて示す斜視図
である。

【００１４】本リードフレームの製造方法によれば、絶
縁材５が半導体素子９とリードフレームとの間に介在し
ているので、半導体素子９とリードフレームとの間の短
絡を防止することができ、延いてはリードフレームを半
導体素子９により近接して配置することができる。従っ
て、半導体装置の薄型化を図ることができる。

【００１５】そして、絶縁材５により、多ピン化のため
薄いことが要求され機械的強度が弱くなる傾向にあると
ころのインナーリードを補強する効果も得られ、更には
絶縁材をリード間に入り込むように形成することにより
各隣接インナーリード間の短絡、位置関係のズレの発生
を防止することもできる。

【００１６】図４（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示したリー
ドフレームの製造方法の変形例を示すものである。本変
形例は、図４（Ａ）に示すように、アルミニウムからな
る中間金属層２の両面に厚さの異なる銅からなる金属層
１、４を積層した三層構造のリードフレーム材を用意
し、その後、図４（Ｂ）に示すように、アウターリード
となる厚い金属層１の表面を全面的に、インナーリード
となる薄い金属層４の表面を選択的にそれぞれレジスト
膜６でマスクし、その状態でエッチングすることにより
インナーリード１を形成し、しかる後、インナーリード
４上の絶縁材５を形成する点で図１に示した実施例と異
なっている。

【００１７】その後は、図１（Ｄ）〜（Ｈ）に示す工程
によりリードフレームの製造方法及び樹脂封止が行われ
る。図１に示す実施例には、このように、図４に示すよ
うなバリエーションもあるのである。尚、絶縁材５を形
成する方法、絶縁材５の形成によって得られる効果には
特に差異がない。

【００１８】図５（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明リードフレ
ームの製造方法の他の実施例を工程順に示す断面図であ
る。（Ａ）図５（Ａ）に示すように、アルミニウムからなる
中間金属層２の両面に厚さの異なる銅からなる金属層
１、４を積層した三層構造のリードフレーム材を用意
し、レジスト膜６をマスクとするエッチングによりアウ
ターリードを形成する。

【００１９】（Ｂ）次に、中間金属層１の半導体素子側
の面に絶縁層５を形成する。この絶縁層５は半導体素子
とリードフレームとを接続したときに半導体素子とオー
バーラップする位置に形成することが必要である。なぜ
ならば、前述のとおり、絶縁材５に半導体素子とリード
フレームとの間の電気的な短絡を防止する役割を担わせ
るためである。

【００２０】（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すようにレジ
スト膜６をマスクとして金属層４をエッチングすること
によりインナーリードを形成する。（Ｄ）その後、図５（Ｄ）に示すように、インナーリー
ド４及びアウターリードをマスクとして中間金属層２を
エッチングすることにより中間金属層２の不要部分を除
去する。尚、この場合、中間金属層によりバンプ２ａを
形成するときはその部分をレジスト膜でマスクしておく
ことが必要である。

【００２１】本実施例においては、絶縁材５は各隣接イ
ンナーリード間に入り込んでいないのでインナーリード
間に入り込んだ異物等によりショートする事故を防止す
る効果を発揮できないが、各インナーリード間及び半導
体素子・インナーリード間の短絡を防止する効果を奏す
ることはできる。本発明はこのような態様でも実施する
ことができるのである。

【００２２】尚、本発明リードフレームの製造方法はＬ
ＯＣ（ＬｅａｄＯｎＣｈｉｐ）型半導体装置用のリ
ードフレームにも適用できる。図６はその適用例を示す
ものである。ＬＯＣ型半導体装置に適用するには、図６
に示すように、絶縁層５をリードフレーム１０のインナ
ーリード部分からアウターリード部分に渡って幅広く形
成する必要があるが、絶縁層５によってリードフレーム
と半導体素子の間を電気的に絶縁することができるの
で、両者を近接させることが可能になり、従って、ＬＯ
Ｃ型半導体装置の薄型化を図ることができる。

【００２３】

【発明の効果】請求項１のリードフレームの製造方法
は、中間金属層の一方の面に薄い金属層からなるインナ
ーリードを他方の面に厚い金属層からなるアウターリー
ドを形成し、その後、中間金属層の不要部分を除去する
リードフレームの製造方法において、上記インナーリー
ド上の少なくとも半導体チップ側の面であってボンディ
ングされたとき半導体チップとオーバーラップする位置
に、絶縁材を塗布する工程を、少なくとも有することを
特徴とするものである。従って、請求項１のリードフレ
ームの製造方法によれば、絶縁材がリードフレームの半
導体チップ側の半導体チップとオーバーラップする部分
に形成されるので、絶縁材によって半導体チップとリー
ドとの間を絶縁することができる。そして、該絶縁材を
インナーリードの補強にも用いることができる。

【００２４】請求項２のリードフレームの製造方法は、
請求項１のリードフレームの製造方法において、絶縁材
を各隣接インナーリード間に入り込むように形成するこ
とを特徴とするものである。従って、請求項２のリード
フレームの製造方法によれば、絶縁材が各隣接インナー
リード間に入り込むように形成されるので、各隣接イン
ナーリード間のショートをも防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明リードフレームの製
造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。

【図２】絶縁材の形成方法の一例を示す斜視図である。

【図３】半導体装置を樹脂を切欠いて示す斜視図であ
る。

【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示すリードフレーム
の製造方法の変形例を工程順に示す断面図である。

【図５】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明リードフレームの製
造方法の他の実施例を工程順に示す断面図である。

【図６】本発明の適用に係るＬＯＣ型半導体装置の樹脂
封止前の状態を示す図である。

【符号の説明】

１厚い金属層（アウターリード）２中間金属層４薄い金属層（インナーリード）５絶縁材８半導体チップ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】中間金属層の一方の面に薄い金属層から
なるインナーリードを他方の面に厚い金属層からなるア
ウターリードを形成し、その後、中間金属層の不要部分
を除去するリードフレームの製造方法において、上記インナーリード上の少なくとも半導体チップ側の面
であってボンディングされたとき半導体チップとオーバ
ーラップする位置に、絶縁材を塗布する工程を、少なく
とも有することを特徴とするリードフレームの製造方法
【請求項２】絶縁材を各隣接インナーリード間に入り
込むように形成することを特徴とする請求項１記載のリ
ードフレームの製造方法