JPH10178141A - 複合リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

複合リードフレーム及びその製造方法

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JPH10178141A
JPH10178141A JP33968896A JP33968896A JPH10178141A JP H10178141 A JPH10178141 A JP H10178141A JP 33968896 A JP33968896 A JP 33968896A JP 33968896 A JP33968896 A JP 33968896A JP H10178141 A JPH10178141 A JP H10178141A
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JP
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layer
lead
lead frame
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electrode
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Application number
JP33968896A
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English (en)
Inventor
Hidekatsu Sekine
秀克 関根
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームと多層配線板との接合の信頼性
の向上を実現させる複合リードフレーム及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】金属板1上に絶縁層2、4、6と導体配線
層3、5が交互に積層された多層配線板の最上層に、導
体配線層7とリードフレーム接合用の電極10と吊りリ
ード接合用の補強パターン8を設け、リードフレーム接
合用の電極10及び吊りリード接合用の補強用パターン
8上に約5μm厚のニッケル層と0.5μm厚の金層を
形成する。一方インナーリード11及び吊りリード12
のリード先端部に約3μm厚のスズ層を形成し、上記多
層配線板の電極と位置合わせを行い、リードフレーム接
合用の電極10にインナーリード11を、吊りリード接
合用の補強用パターン8に吊りリード12を各々溶融接
合して複合リードフレームを作製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はLSI、VLSI等
に代表される半導体集積回路の実装に用いられる、いわ
ゆる多ピン化、多機能化及び複合化を目的とする複合リ
ードフレーム及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の複合リードフレームは、図5に示
すように金属板あるいは樹脂基板上に絶縁層と導体配線
層が交互に積層された多層配線板の最上層にリードフレ
ーム接合用の電極21が形成され、リードフレームのイ
ンナーリード22とリードフレーム接合用の電極21と
が接合された構成であった。
【0003】現在、半導体装置の更なる放熱性向上及び
高機能化により、基板の材質としては、金属板(特に、
リードフレームの特性上Cu材が要求されている)が要
求され、基板のサイズも大きくなっており、基板の重さ
も重くなっている。上記の複合リードフレームでは、多
層配線板の最上層のリードフレーム接合用の電極とリー
ドフレームの狭ピッチのインナーリードのみで接合され
ているため、接合部が基板の重さに耐えきれず、ダイボ
ンド、ワイヤーボンド、モールド等の後工程や搬送時に
インナーリードが変形したり、接合用の電極とインナー
リードとの剥がれが発生するといった問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
リードフレームと多層配線板との接合の信頼性の向上を
実現させる複合リードフレーム及びその製造方法を提供
することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、まず請求項1においては、金属板上に絶縁
層と導体配線層が交互に積層された多層配線板の最上層
に、前記導体配線層とリードフレーム接合用の電極と吊
りリード接合用の補強用パターンを設け、リードフレー
ムのインナーリードをリードフレーム接合用の電極に、
リードフレームの吊りリードを吊りリード接合用の補強
用パターンに各々接合したことを特徴とする複合リード
フレームとしたものである。
【0006】また、請求項2においては、以下の工程を
備えることを特徴とする複合リードフレームの製造方法
としたものである。 (a)金属板に絶縁層を形成し、所定の位置にビアホー
ル形成孔を形成する工程。 (b)絶縁層及びビアホール形成孔に導体層を形成し、
導体層をパターニング処理して導体配線層を形成する工
程。 (c)上記(a)〜(b)の工程を必要回数繰り返して
多層配線板を作製する工程。 (d)多層配線板の最上層に導体配線層とリードフレー
ム接合用の電極と吊りリード接合用の補強用パターンを
形成する工程。 (e)リードフレーム接合用の電極と吊りリード接合用
の補強用パターン上にニッケル層及び金層を形成する工
程 (f)インナーリード及び吊りリードのリード先端部に
スズ層を形成する工程。 (g)リードフレーム接合用の電極にリードフレームの
インナーリードを、吊りリード接合用の補強用パターン
にリードフレームの吊りリードを溶融接合する工程。
【0007】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明の複合リードフレームは、金属板上に絶
縁層と導体配線層が交互に積層された多層配線板の最上
層に、導体配線層とリードフレーム接合用の電極と吊り
リード接合用の補強用パターンを設け、吊りリードを有
するリードフレームのインナーリードをリードフレーム
接合用の電極に、吊りリードを吊りリード接合用の補強
用パターンに接合して、リードフレームと多層配線板と
の接合の信頼性を向上させたものである。
【0008】まず、金属板の片面に、樹脂溶液を塗布・
乾燥して、第1絶縁層を形成し、ビアホール形成孔を形
成する。ここで、絶縁層を形成している樹脂は絶縁性と
耐熱性等があれば使用でき、ビアホール形成孔の形成法
によって適宜樹脂を選定する。ビアホール形成孔をフォ
トプロセスで形成する場合は感光性樹脂が使用され、レ
ーザー加工で形成する場合はかなり広範囲の樹脂が使用
できる。
【0009】次に、第1絶縁層とビアホール形成孔に無
電解銅めっきを行い、例えば約0.5μmの銅薄膜導体
層を形成した後に、フォトレジストを塗布し感光層を設
け、フォトパターニングプロセスによりレジストパター
ンを形成する。
【0010】次に、レジストパターンをめっきレジスト
にして、レジストパターン以外の部分に電解銅めっきに
より所定厚の導体層を形成し、レジストパターンを剥離
して、ソフトエッチにより0.5μmの銅薄膜導体層を
エッチング除去し第1導体配線層を形成する。ここで、
電解銅めっきの条件としては、基板を硫酸銅めっき液に
浸透し、例えば電流密度5A/dm2 で約25分間電気
めっきを行う。
【0011】次に、第1絶縁層と第1導体配線層が形成
された基板上に上記第1絶縁層と第1導体配線層と同じ
プロセス、条件で第2絶縁層と第2導体配線層と第3絶
縁層を順次形成する。
【0012】次に、上記第1導体配線層と同じ作製条件
で、約0.5μmの銅薄膜導体層を形成した後に、フォ
トレジストを塗布し感光層を設け、フォトパターニング
プロセスにより所定のパターン(第3導体配線層パター
ン、リードフレーム接合用の電極パターン、吊りリード
接合用の補強用パターン)のレジストパターンを形成す
る。
【0013】次に、レジストパターンをめっきレジスト
にして、レジストパターン以外の部分に電解銅めっきに
より所定厚の導体層を形成し、レジストパターンを剥離
して、ソフトエッチにより0.5μmの銅薄膜導体層を
エッチング除去し第3導体配線層、リードフレーム接合
用の電極及び吊りリード接合用の補強用パターンを形成
する。ここでは、3層の多層配線板の例について説明し
たが、3層以上の多層配線板を作製する場合は上記工程
を必要回数繰り返し行えばよい。
【0014】次に、リードフレーム接合用の電極及び吊
りリード接合用の補強用パターン上に、無電解ニッケル
めっきにて約5μm厚のニッケル層を形成し、さらに、
無電解金めっきにて0.5μmの金層を形成すること
で、本発明の複合リードフレームの部品となる多層配線
板を作製する。
【0015】次いで、インナーリード及び吊りリードの
リード先端部に電解スズめっきにて約3μm厚のスズ層
を形成し、上記多層配線板と位置合せを行い、リードフ
レーム接合用の電極にインナーリードを、吊りリード接
合用の補強用パターンに吊りリードを各々溶融接合する
ことで本発明の複合リードフレームを作製する。
【0016】本発明に係わる複合リードフレームでは、
吊りリード接合用の補強用パターンと大面積を確保でき
る吊りリードとが溶融接合されているため、接合力が大
きく、基板の重さに耐えうることが可能となり、ダイボ
ンド、ワイヤーボンド、モールド等の後工程及び搬送時
にインナーリードが変形したり、接合用の電極とインナ
ーリードとの剥がれが発生するといった問題がなくな
る。
【0017】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
図1には複合リードフレームの一実施例の部分平面図
を、図2(a)、(b)には複合リードフレームの一実
施例のA−A線断面図を、図3には複合リードフレーム
に用いられる多層配線板の部分平面図を、図4(a)、
(b)には複合リードフレームに用いられる多層配線板
の断面図をそれぞれ示す。
【0018】<実施例1>Cu合金からなる板厚0.2
5mmの金属板1の片面に、感光性樹脂(プロビコート
5000(商品名);日本ペイント株式会社製)をスク
リーン印刷で塗布し、80℃で30分乾燥して、約30
μ厚の感光層を形成した。
【0019】次に、所定のパターンを有するガラスマス
クを上記感光層に重ね、上から紫外線を例えば3000
(mj/cm2 )照射する。その後に、専用の現像液を
約1分間吹き付け、紫外線の当たらなかった部分の樹脂
を除去し、140℃で30分間加熱乾燥してビアホール
形成孔を形成し、第1絶縁層2を形成した(図4(a)
参照)。
【0020】次に、ビアホール形成孔が形成された第1
絶縁層2上に無電解銅めっきを行い、約0. 5μmの銅
薄膜導体層を形成した。さらに、銅薄膜導体層の上に、
液状レジスト(PMER(商品名);東京応化工業株式
会社製)を均一に塗布、乾燥して感光層を設け、所定の
配線パターンを露光し、現像することによってレジスト
パターンを形成した。
【0021】次に、基板を硫酸銅めっき液に浸透し、電
流密度5A/dm2 で25分間電解めっきを行い、レジ
ストパターン以外の部分に導体層を形成した。レジスト
パターンを専用の剥離液で剥離し、ソフトエッチにより
レジストパターン下部の銅薄膜導体層をエッチング除去
して、第1導体配線層3を形成した(図4(a)参
照)。
【0022】次に、第1絶縁層2と第1導体配線層3が
形成された基板上に上記第1絶縁層と第1導体配線層と
同じプロセスで第2絶縁層4と第2導体配線層5及び第
3絶縁層6を順次形成した(図4(a)参照)。
【0023】次に、上記第1導体配線層と同じ作製条件
で、約0.5μmの銅薄膜導体層を形成した後に、フォ
トレジストを塗布して感光層を設け、フォトパターニン
グプロセスにより所定のパターン(第3導体配線層パタ
ーン、リードフレーム接合用の電極パターン、吊りリー
ド接合用の補強用パターン)を有するレジストパターン
を形成した。
【0024】次に、レジストパターンをめっきレジスト
にして、レジストパターン以外の部分に電解銅めっきに
より所定厚の導体層を形成し、レジストパターンを剥離
して、ソフトエッチにより銅薄膜導体層をエッチング除
去し、第3導体配線層7、リードフレーム接合用の電極
10及び吊りリード接合用の補強用パターン8を形成し
た(図3、図4(a)参照)。
【0025】次に、リードフレーム接合用の電極10及
び吊りリード接合用の補強用パターン8上に無電解ニッ
ケルめっきにて約5μm厚のニッケル層を形成し、さら
に、無電解金めっきにて0.5μm厚の金層を形成する
ことで、本発明の複合リードフレームの部品となる多層
配線板を作製した(図3、図4(a)参照)。
【0026】次いで、インナーリード11及び吊りリー
ド12のリード先端部に電解スズめっきにて約3μm厚
のスズ層を形成し、上記多層配線板の電極と位置合せを
行い、リードフレーム接合用の電極10にインナーリー
ド11を、吊りリード接合用の補強用パターン8に吊り
リード12を各々溶融接合することで本発明の複合リー
ドフレームを作製した(図1、図2(a)参照)。
【0027】<実施例2>実施例1と同様な工程で、C
u合金からなる板厚0.25mmの金属板1の片面に、
第1絶縁層2、第1導体配線層3、第2絶縁層4、第2
導体配線層5、第3絶縁層6を順次形成した(図4
(b)参照)。
【0028】次に、実施例1の第1導体配線層3と同じ
作製条件で、約0.5μmの銅薄膜導体層を形成した後
に、フォトレジストを塗布して感光層を設け、フォトパ
ターニングプロセスにより所定のパターン(第3導体配
線層パターン、リードフレーム接合用の電極パターン)
のレジストパターンを形成した。
【0029】次に、レジストパターンをめっきレジスト
にして、レジストパターン以外の部分に電解銅めっきに
より所定厚の導体層を形成し、レジストパターンを剥離
して、ソフトエッチにより銅薄膜導体層をエッチング除
去し、第3導体配線層7、インナーリード接合用の電極
10を形成した(図3、図4(b)参照)。
【0030】次に、第3絶縁層の所定の位置にレーザー
ビームを照射して、金属板1の表面が露出するまで第
3、第2、第1絶縁層をそれぞれ加工して、所定のパタ
ーンの開口部を形成し、金属板1上に吊りリード接合用
の補強パターン9を作製した(図3、図4(b)参
照)。
【0031】次に、リードフレーム接合用の電極10及
び吊りリード接合用の補強用パターン9上に無電解ニッ
ケルめっきにて約5μm厚のニッケル層を形成し、さら
に、無電解金めっきにて0.5μm厚の金層を形成する
ことで、本発明の複合リードフレームの部品となる多層
配線板を作製した(図3、図4(b)参照)。
【0032】次いで、インナーリード11及び吊りリー
ド12のリード先端部に電解スズめっきにて約3μm厚
のスズ層を形成し、上記多層配線板と位置合せを行い、
リードフレーム接合用の電極10にインナーリード11
を、吊りリード接合用の補強用パターン9に吊りリード
12を各々溶融接合することで本発明の複合リードフレ
ームを作製した(図1、図2(b)参照)。
【0033】
【発明の効果】上記したように、本発明に係わる複合リ
ードフレームでは、吊りリード接合用の補強用パターン
と大面積を確保できる吊りリードとが溶融接合されてい
るため、接合力が大きく、基板の重さに耐えうることが
可能となり、ダイボンド、ワイヤーボンド、モールド等
の後工程及び搬送時にインナーリードが変形したり、接
合用の電極とインナーリードとの剥がれが発生するとい
った問題がなくなり、リードフレームと多層配線板との
接合信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる複合リードフレームの一実施例
の一部を示す平面図である。
【図2】(a)〜(b)は、本発明に係わる複合リード
フレームの一実施例の一部を示すA−A線断面図であ
る。
【図3】本発明に係わる複合リードフレームに用いられ
る多層配線板の一部を示す平面ずである。
【図4】(a)〜(b)は、本発明に係わる複合リード
フレームに用いられる多層配線板の一部を示すA−A線
断面図である。
【図5】従来の複合リードフレームの一部を示す平面図
である。
【符号の説明】
1……金属板 2……第1絶縁層 3……第1導体配線層 4……第2絶縁層 5……第2導体配線層 6……第3絶縁層 7……第3導体配線層 8、9……吊りリード接合用の補強用パターン 10、21……リードフレーム接合用の電極 11、22……インナーリード 12……吊りリード

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属板上に絶縁層と導体配線層が交互に積
    層された多層配線板の最上層に、前記導体配線層とリー
    ドフレーム接合用の電極と吊りリード接合用の補強用パ
    ターンを設け、リードフレームのインナーリードをリー
    ドフレーム接合用の電極に、リードフレームの吊りリー
    ドを吊りリード接合用の補強用パターンに各々接合した
    ことを特徴とする複合リードフレーム。
  2. 【請求項2】以下の工程を備えることを特徴とする複合
    リードフレームの製造方法。 (a)金属板に絶縁層を形成し、所定の位置にビアホー
    ル形成孔を形成する工程。 (b)絶縁層及びビアホール形成孔に導体層を形成し、
    導体層をパターニング処理して導体配線層を形成する工
    程。 (c)上記(a)〜(b)の工程を必要回数繰り返して
    多層配線板を作製する工程。 (d)多層配線板の最上層に導体配線層とリードフレー
    ム接合用の電極と吊りリード接合用の補強用パターンを
    形成する工程。 (e)リードフレーム接合用の電極と吊りリード接合用
    の補強用パターン上にニッケル層及び金層を形成する工
    程 (f)インナーリード及び吊りリードのリード先端部に
    スズ層を形成する工程。 (g)リードフレーム接合用の電極にリードフレームの
    インナーリードを、吊りリード接合用の補強用パターン
    にリードフレームの吊りリードを各々溶融接合する工
    程。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19931694B4 (de) * 1999-07-08 2006-05-24 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen von elektrischen Schaltkreisen oder Modulen sowie elektrischer Schaltkreis oder elektrisches Modul hergestellt nach diesem Verfahren
WO2023017199A1 (es) 2021-08-10 2023-02-16 Advanced Thermal Devices S.L. Cátodo basado en el material c12a7:e "electride" para la emisión termiónica de electrones y procedimiento para el empleo del mismo

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19931694B4 (de) * 1999-07-08 2006-05-24 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen von elektrischen Schaltkreisen oder Modulen sowie elektrischer Schaltkreis oder elektrisches Modul hergestellt nach diesem Verfahren
WO2023017199A1 (es) 2021-08-10 2023-02-16 Advanced Thermal Devices S.L. Cátodo basado en el material c12a7:e "electride" para la emisión termiónica de electrones y procedimiento para el empleo del mismo

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