JPH09139394A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーリードと半導体素子を固定する部分
にのみ接着剤層を形成した半導体装置を提供する。 【解決手段】 インナーリードに半導体素子を固定する
半導体装置において、インナーリードと半導体素子を固
定する接着剤層が、感光性接着剤樹脂をパターニングし
て形成されることを特徴とする半導体装置。
にのみ接着剤層を形成した半導体装置を提供する。 【解決手段】 インナーリードに半導体素子を固定する
半導体装置において、インナーリードと半導体素子を固
定する接着剤層が、感光性接着剤樹脂をパターニングし
て形成されることを特徴とする半導体装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インナーリードに
半導体素子を固定する半導体装置に関するものである。
半導体素子を固定する半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の大容量化に伴っ
て半導体素子の寸法が大きくなり、従来のように素子を
のせるダイパッドとその周辺にインナーリードを配置す
る構造ではパッケージサイズが大きくなってしまう。こ
のような問題点を解決するために、ダイパッドを省略
し、インナーリードに直接半導体素子を固定する方法が
開発された(例えば特開昭59ー92556号公報)。
この方法では、半導体素子の回路面とインナーリードと
を絶縁性の接着剤フィルムを用いて固定したのち、イン
ナーリードと半導体素子の電極端子をボンディングワイ
ヤにより接続し、モールド成形により樹脂封止されて半
導体装置とする。
て半導体素子の寸法が大きくなり、従来のように素子を
のせるダイパッドとその周辺にインナーリードを配置す
る構造ではパッケージサイズが大きくなってしまう。こ
のような問題点を解決するために、ダイパッドを省略
し、インナーリードに直接半導体素子を固定する方法が
開発された(例えば特開昭59ー92556号公報)。
この方法では、半導体素子の回路面とインナーリードと
を絶縁性の接着剤フィルムを用いて固定したのち、イン
ナーリードと半導体素子の電極端子をボンディングワイ
ヤにより接続し、モールド成形により樹脂封止されて半
導体装置とする。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記イ
ンナーリードに半導体素子を固定する接着剤フィルム
は、金型で打ち抜いて使用されるため、使用歩留まりが
悪く、打ち抜きの際にバリなどが発生して半導体装置中
で異物となり、信頼性を低下させる問題がある。また、
実際に接着に関与するのはインナーリード部分のみであ
るにも関わらず、インナーリード間に跨って接着剤フィ
ルムが貼られるため、インナーリード間の接着剤フィル
ムはむだであるばかりでなく、接着剤フィルムの体積が
大きくなるため吸湿量が増し、半田リフロー時のパッケ
ージクラックが発生しやすくなる。本発明の目的は、上
記従来技術の問題点を解決し、インナーリードと半導体
素子を固定する部分にのみ接着剤層を形成した半導体装
置を提供することである。
ンナーリードに半導体素子を固定する接着剤フィルム
は、金型で打ち抜いて使用されるため、使用歩留まりが
悪く、打ち抜きの際にバリなどが発生して半導体装置中
で異物となり、信頼性を低下させる問題がある。また、
実際に接着に関与するのはインナーリード部分のみであ
るにも関わらず、インナーリード間に跨って接着剤フィ
ルムが貼られるため、インナーリード間の接着剤フィル
ムはむだであるばかりでなく、接着剤フィルムの体積が
大きくなるため吸湿量が増し、半田リフロー時のパッケ
ージクラックが発生しやすくなる。本発明の目的は、上
記従来技術の問題点を解決し、インナーリードと半導体
素子を固定する部分にのみ接着剤層を形成した半導体装
置を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、インナーリー
ドに半導体素子を固定する半導体装置において、インナ
ーリードと半導体素子を固定する接着剤層が、感光性接
着剤樹脂をパターニングして形成されることを特徴とす
る半導体装置である。
ドに半導体素子を固定する半導体装置において、インナ
ーリードと半導体素子を固定する接着剤層が、感光性接
着剤樹脂をパターニングして形成されることを特徴とす
る半導体装置である。
【0005】本発明の半導体装置では、感光性の接着剤
樹脂を使用し、半導体素子を固定する部分にのみ接着剤
層を形成することを特徴とする。この場合、上記感光性
接着剤樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれも
用いることができるが、半導体素子との接着が短時間の
熱圧着で行え、後硬化の必要もないことから、熱可塑性
樹脂が好ましい。上記感光性接着剤樹脂は、リードフレ
ーム面に塗布しても、または半導体素子面に塗布しても
良く、塗布乾燥後、露光現像してパターニングを行っ
て、必要部分にのみ接着剤層を形成する。
樹脂を使用し、半導体素子を固定する部分にのみ接着剤
層を形成することを特徴とする。この場合、上記感光性
接着剤樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれも
用いることができるが、半導体素子との接着が短時間の
熱圧着で行え、後硬化の必要もないことから、熱可塑性
樹脂が好ましい。上記感光性接着剤樹脂は、リードフレ
ーム面に塗布しても、または半導体素子面に塗布しても
良く、塗布乾燥後、露光現像してパターニングを行っ
て、必要部分にのみ接着剤層を形成する。
【0006】上記感光性樹脂の塗布方法には、スピンコ
ート、ナイフコート、ダイ押し出し、の他、グラビア印
刷方式やスクリーン印刷方式等の印刷方式でも行うこと
ができる。
ート、ナイフコート、ダイ押し出し、の他、グラビア印
刷方式やスクリーン印刷方式等の印刷方式でも行うこと
ができる。
【0007】上記感光性樹脂の塗布およびパターニング
は、1回で必要厚みを形成しても良いが、複数回に分け
て形成することもできる。複数回に分けて形成する場合
には、1回ずつ、性能の異なる樹脂を重ねることによ
り、厚み方向に異なる機能を持つ接着剤層を形成するこ
とができる。例えば、リードフレーム側にはリードフレ
ームとの接着力の優れた樹脂を使用し、半導体素子側に
は素子面との接着力の優れた樹脂を用いることにより、
単一の樹脂で接着を行う場合よりも、良好な接着力を発
揮させることができる。また、複数回に分けて形成する
場合には、1回ずつ異なるパターンで露光を行う事によ
り、3次元に接着剤樹脂層を形成することが可能であ
る。
は、1回で必要厚みを形成しても良いが、複数回に分け
て形成することもできる。複数回に分けて形成する場合
には、1回ずつ、性能の異なる樹脂を重ねることによ
り、厚み方向に異なる機能を持つ接着剤層を形成するこ
とができる。例えば、リードフレーム側にはリードフレ
ームとの接着力の優れた樹脂を使用し、半導体素子側に
は素子面との接着力の優れた樹脂を用いることにより、
単一の樹脂で接着を行う場合よりも、良好な接着力を発
揮させることができる。また、複数回に分けて形成する
場合には、1回ずつ異なるパターンで露光を行う事によ
り、3次元に接着剤樹脂層を形成することが可能であ
る。
【0008】上記半導体装置では、インナーリードと半
導体素子を固定する部分にのみ感光性樹脂をパターニン
グして接着剤層を形成できるため、微細な形状に接着剤
樹脂層を形成でき、しかも接着剤層が必要最小限である
ため、半田リフロー時のパッケージクラックの発生も少
なくなる。
導体素子を固定する部分にのみ感光性樹脂をパターニン
グして接着剤層を形成できるため、微細な形状に接着剤
樹脂層を形成でき、しかも接着剤層が必要最小限である
ため、半田リフロー時のパッケージクラックの発生も少
なくなる。
【0009】
[実施例1]図1は本発明の半導体装置の断面図であ
る。図において1は半導体素子、2はインナーリードで
あり、半導体素子1とインナーリード2は接着剤層3で
接着固定されている。インナーリード2の半導体素子と
の接着面側に感光性接着剤樹脂を塗布し、乾燥した後フ
ォトマスクを重ねて露光し、現像を行って必要部分にの
み接着剤層を形成した。こうして得られた接着剤付きリ
ードフレームに、通常のLOC用チップマウンターを使
用して半導体素子の回路面を熱圧着した。その後、半導
体素子表面の電極と、上記インナーリードとをワイヤー
ボンディングによって電気的に接続し、装置全体を樹脂
で封止した。このようにして得られた半導体装置50個
を、85℃、85%の高温高湿条件下で168時間処理
した後、IRリフローを行ったが、パッケージクラック
は発生しなかった。
る。図において1は半導体素子、2はインナーリードで
あり、半導体素子1とインナーリード2は接着剤層3で
接着固定されている。インナーリード2の半導体素子と
の接着面側に感光性接着剤樹脂を塗布し、乾燥した後フ
ォトマスクを重ねて露光し、現像を行って必要部分にの
み接着剤層を形成した。こうして得られた接着剤付きリ
ードフレームに、通常のLOC用チップマウンターを使
用して半導体素子の回路面を熱圧着した。その後、半導
体素子表面の電極と、上記インナーリードとをワイヤー
ボンディングによって電気的に接続し、装置全体を樹脂
で封止した。このようにして得られた半導体装置50個
を、85℃、85%の高温高湿条件下で168時間処理
した後、IRリフローを行ったが、パッケージクラック
は発生しなかった。
【0010】[実施例2]半導体素子の回路面側に感光
性接着剤樹脂を塗布し、乾燥した後フォトマスクを重ね
て露光し、現像を行って必要部分にのみ接着剤層を形成
した。こうして得られた接着剤付き半導体素子を、通常
のLOC用チップマウンターを使用してリードフレーム
と熱圧着した。その後、半導体素子表面の電極と、イン
ナーリードとをワイヤーボンディングによって電気的に
接続し、装置全体を樹脂で封止した。このようにして得
られた半導体装置50個を、85℃、85%の高温高湿
条件下で168時間処理した後、IRリフローを行った
が、パッケージクラックは発生しなかった。
性接着剤樹脂を塗布し、乾燥した後フォトマスクを重ね
て露光し、現像を行って必要部分にのみ接着剤層を形成
した。こうして得られた接着剤付き半導体素子を、通常
のLOC用チップマウンターを使用してリードフレーム
と熱圧着した。その後、半導体素子表面の電極と、イン
ナーリードとをワイヤーボンディングによって電気的に
接続し、装置全体を樹脂で封止した。このようにして得
られた半導体装置50個を、85℃、85%の高温高湿
条件下で168時間処理した後、IRリフローを行った
が、パッケージクラックは発生しなかった。
【0011】[実施例3]半導体素子の回路面側に半導
体素子の保護膜と密着性の良い感光性接着剤樹脂を塗布
し、乾燥した後フォトマスクを重ねて露光した。さらに
この層の上からリードフレームと密着の良い感光性接着
剤樹脂を塗布し、乾燥した後上記と同じフォトマスクを
重ねて露光し、現像を行って必要部分にのみ接着剤層を
形成した。こうして得られた接着剤付き半導体素子を、
通常のLOC用チップマウンターを使用してリードフレ
ームと熱圧着した。その後、半導体素子表面の電極と、
インナーリードとをワイヤーボンディングによって電気
的に接続し、装置全体を樹脂で封止した。このようにし
て得られた半導体装置100個を、85℃、85%の高
温高湿条件下で168時間処理した後、IRリフローを
行ったが、パッケージクラックは発生しなかった。
体素子の保護膜と密着性の良い感光性接着剤樹脂を塗布
し、乾燥した後フォトマスクを重ねて露光した。さらに
この層の上からリードフレームと密着の良い感光性接着
剤樹脂を塗布し、乾燥した後上記と同じフォトマスクを
重ねて露光し、現像を行って必要部分にのみ接着剤層を
形成した。こうして得られた接着剤付き半導体素子を、
通常のLOC用チップマウンターを使用してリードフレ
ームと熱圧着した。その後、半導体素子表面の電極と、
インナーリードとをワイヤーボンディングによって電気
的に接続し、装置全体を樹脂で封止した。このようにし
て得られた半導体装置100個を、85℃、85%の高
温高湿条件下で168時間処理した後、IRリフローを
行ったが、パッケージクラックは発生しなかった。
【0012】[比較例1]ポリイミドフィルムの両面に
熱可塑性の接着剤を塗布した3層構造の接着剤テープを
使用して、半導体素子とリードフレームを熱圧着し、そ
の後半導体素子表面の電極と、インナーリードとをワイ
ヤーボンディングにより接続し、全体を樹脂で封止し
た。このようにして得られた半導体装置100個を、8
5℃、85%の高温高湿条件下で168時間処理した
後、IRリフローを行ったところ、32個にパッケージ
クラックが発生した。
熱可塑性の接着剤を塗布した3層構造の接着剤テープを
使用して、半導体素子とリードフレームを熱圧着し、そ
の後半導体素子表面の電極と、インナーリードとをワイ
ヤーボンディングにより接続し、全体を樹脂で封止し
た。このようにして得られた半導体装置100個を、8
5℃、85%の高温高湿条件下で168時間処理した
後、IRリフローを行ったところ、32個にパッケージ
クラックが発生した。
【0013】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、インナー
リードと半導体素子を固定する必要部分にのみ接着剤層
を形成することが出来、半導体装置内の接着剤の体積を
必要最小限にすることが出来るので、接着剤の吸湿によ
るリフロー時のパッケージクラックが低減し、信頼性の
高い半導体装置を得ることが出来る。
リードと半導体素子を固定する必要部分にのみ接着剤層
を形成することが出来、半導体装置内の接着剤の体積を
必要最小限にすることが出来るので、接着剤の吸湿によ
るリフロー時のパッケージクラックが低減し、信頼性の
高い半導体装置を得ることが出来る。
【図1】 本発明の半導体装置の1例の断面図
【図2】 従来例の断面図
【図3】 本発明の半導体装置の製造方法の例
1 半導体素子 2 インナーリード 3 接着剤層 4 リードフレーム 5 感光性接着剤樹脂 6 フォトマスク 7 ボンディングワイヤー
Claims (4)
- 【請求項1】 インナーリードに半導体素子を固定する
半導体装置において、インナーリードと半導体素子を固
定する接着剤層が、感光性接着剤樹脂をパターニングし
て形成されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記感光性接着剤樹脂を、リードフレー
ム上に塗布し、パターニングしたのち、半導体素子を熱
圧着することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記感光性接着剤樹脂を、半導体素子上
に塗布し、パターニングしたのち、リードフレームと熱
圧着することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記感光性接着剤樹脂が、複数回に分け
て塗布、パターニングされることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29704895A JPH09139394A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29704895A JPH09139394A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09139394A true JPH09139394A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17841545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29704895A Pending JPH09139394A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09139394A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000041299A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 윤종용 | 감광성 접착층을 이용한 반도체 칩 접착방법 |
JP2007059815A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009141373A (ja) * | 2008-12-22 | 2009-06-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP29704895A patent/JPH09139394A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000041299A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 윤종용 | 감광성 접착층을 이용한 반도체 칩 접착방법 |
JP2007059815A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4661459B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-03-30 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2009141373A (ja) * | 2008-12-22 | 2009-06-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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