JP2661280B2 - テープキャリヤの構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 テープキャリヤまたはTAB方式のリード線に関し， 微細化した導体パターンが集積回路チップに接続され
るまでに生じる変形を防止することを目的とし， 半導体集積回路チップに設けられた外部端子に接続さ
れる先端部をそれぞれ有し且つそれぞれの後端部が並列
に配列され且つ接着剤層によって絶縁性テープの一表面
に接着支持された複数の細条導体層パターンから成り，
該先端部と後端部との間において該導体層パターンと重
畳し且つ該接着剤層により該導体層パターンと接着され
ていない該絶縁性テープの延伸部分を有するように構成
する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は，テープキャリヤまたはTAB（Tape Automate
d Bonding）と呼ばれる方式のリード線に関する。

近年，集積回路の高密度化にともなってチップにおけ
る外部接続用のパッドの数が増加し，このため，パッド
の配列間隔が100μｍないしそれ以下と狭小化する傾向
にある。従来のワイヤーボンディング方式によれば,120
μｍ程度の配列ピッチのパッドに対するチード線接続が
限度であり，将来の高密度集積回路チップに対する外部
リード線技術としては対処困難な状態になってきた。

ポリイミドフィルムに支持された銅箔等をエッチング
加工して形成した導体パターンを外部リード線として用
いるテープキャリヤまたはTABと呼ばれる方式は,100μ
ｍないしそれ以下の配列ピッチのパッドに対する外部リ
ード線を接続可能とする技術として期待されている。

〔従来の技術〕

第６図は，上記のような高密度集積回路チップに対す
る外部リード線接続用のテープキャリヤの概要を説明す
るための斜視図であって，例えば厚さ約125μm,幅35mm
のポリイミドから成るテープ１上には，厚さ約35μｍの
銅箔から成る導体パターンすなわちリード線４が形成さ
れている。リード線４はエポキシ樹脂等でテープ１に接
着された銅箔をエッチングしてパターニングしたもので
ある。テープ１の中央部には，切り欠き部すなわちデバ
イスホール３が設けられており，デバイスホール３内に
集積回路チップ６が配設される。

それぞれのリード線４の先端部は，例えば幅50μｍと
され，ピッチ100μｍで配列されており，集積回路チッ
プ６の周辺部に形成されているパッド（図示省略）に熱
圧着（ボンディング）されている。なお，符号２は，テ
ープ１に対する銅箔の貼り付け，銅箔のパターニング，
リード線４と集積回路チップ６のボンディング，リード
線４がボンディングされた集積回路チップ６のテープ１
からの切り離し等の種々の工程において，リールに巻か
れたテープ１を移動させるためのパーフォレーションで
ある。

集積回路チップ６とボンディングされたテープキャリ
ヤの要部断面を第７図に示す。すなわち，ポリイミド等
から成るテープ１に，エポキシ樹脂から成る接着層７に
より接着された，例えば銅箔パターンから成るリード線
４の先端部は，集積回路チップ６に設けられた，例えば
金メッキ層から成るバンプ８にボンディングされる。こ
ののち，テープ１に設けられている前記デバイスホール
３の部分で，すなわち，図中でＬ−Ｌ線に沿って，リー
ド線４が切断され，集積回路チップ６はテープ１から切
り離される。さらに，切断されたリード線４の後端部
は，プリント配線基板（図示省略）に設けられた配線に
直接に半田付け等による接続が可能なように折り曲げ成
形される。

〔発明が解決しようとする課題〕

テープ１は，前記の各種の工程を経るごとに繰り返し
リールに巻き取られる。一方，集積回路チップ６におけ
るパッドの配列ピッチが100μｍないしそれ以下とな
り，リード線４の先端部の幅が上記のように小さくなる
と，集積回路チップ６にボンディングされる前のリード
線４の解放された状態にある先端部が変形しやすく，相
互間の所定ピッチを維持し難くなる。上記リールに対す
る巻き取りが行われるたびに，リード線４の先端部の変
形が生じ，集積回路チップ６のパッドに対して位置ずれ
を生じ，正常なボンディングが行われない。

従来のテープキャリヤの構造においては，第６図およ
び第７図に示すように，デバイスホール３内に，集積回
路チップ６を取り巻くサポートリング５を設け，上記の
ようなリード線４の先端部の変形を防止することが行わ
れていた。サポートリング５は，テープ１の一部から成
り，前記と同じ接着層７によりリード線４と接着されて
いた。

この構造によれば，サポートリング５は，集積回路チ
ップ６がテープ１から切り離されたのちにおいても，集
積回路チップ６に付着した状態となる。これは，リード
線４の変形防止のためには，サポートリング５をできる
だけリード線４先端部にできるだけ接近して設けること
が有効であるためであり，その結果，リード線４を，集
積回路チップ６とサポートリング５との間で切断するの
が困難となるからである。

上記のように，集積回路チップ６が，その周囲にサポ
ートリング５が残った状態でプリント配線基板に搭載さ
れると，高湿度の雰囲気中において，リード線４間にリ
ーク電流が流れる問題やリード線４を構成する銅原子あ
るいはリード線４表面に形成されているメッキ層の錫原
子等のマイグレーションが生じてリークや断線が発生す
る問題があった。

本発明は，高密度集積回路に接続されるテープキャリ
ヤ方式のリード線における上記従来の問題点を解決可能
な構造を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は，半導体集積回路チップに設けられた外部
端子に接続される先端部をそれぞれ有し且つそれぞれの
後端部が並列に配列され且つ接着剤層によって絶縁性テ
ープの一表面に接着支持された複数の細条導体層パター
ンから成り，該先端部と後端部との間において該導体層
パターンと重畳し且つ該接着剤層により該導体層パター
ンと接着されていない該絶縁性テープの延伸部分を有す
ることを特徴とする本発明に係るテープキャリヤの構造
によって達成される。

〔作 用〕

テープキャリヤにおけるポリイミドテープに，リード
線の先端部の変形を阻止するための延伸部分を，前記リ
ード線とは接着しないようにして設ける。この延伸部分
は，リード線が集積回路チップのパッドにボンディング
されたのち，リード線をポリイミドテープから切り離す
と同時に除去されてしまう。すなわち，リード線がボン
ディングされるまでの変形防止機能を果たしたのちは，
集積回路チップには残らない。したがって，集積回路チ
ップにボンディングされたリード線間においては，従来
のテープキャリヤ構造におけるような，高湿度雰囲気中
でのエポキシ樹脂層を介してのリークやマイグレーショ
ンが生じない。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。以下
の図面において，既掲の図面におけるのと同じ部分には
同一符号を付してある。

第１図は本発明の第１の実施例を示す要部平面図（同
図（ａ））およびそのＸ−Ｘ断面図（同図（ｂ））であ
る。図示のように，本発明においては，従来のサポート
リング５の代わりに，テープ１に，デバイスホール３に
伸びる延伸部分11を設ける。しかし，リード線４はデバ
イスホール３の周辺で接着層７によりテープ１と接着さ
れているのみで，延伸部分11とは接着されていない。

上記本発明の構造によれば，リード線４は，延伸部分
11により補強されているため，前記各種工程においてテ
ープ１がリールに切返し巻き取られても，その変形が防
止される。また，延伸部分11は，リード線４がバンプ８
とボンディングされたのち，リード線４とともにＬ−Ｌ
線に沿って切断され，リード線４から自然に分離する。
このように，リード線４の後端部には，エポキシ樹脂等
の接着層７が残らない。したがって，従来のテープキャ
リヤ構造におけるような，エポキシ樹脂層によるリーク
およびマイグレーションの問題が生じない。

第２図は本発明の変形例を示す要部平面図であって，
第１図の実施例と同様に，テープ１にはデバイスホール
３に伸びる延伸部12が設けられる。同様に，延伸部12は
リード線４とは接着されない。延伸部12には，リード線
４に沿って開口13が設けられる。開口13の周囲は，延伸
部12を構成するテープ１により閉じられているため，前
記テープ１のリール巻き取りにおけるリード線４の変形
防止効果には変わりはない。本実施例によれば，リード
線４に対する錫メッキ等が均一かつ容易に行われる利点
がある。延伸部12は,L−Ｌ線に沿ってリード線４ととも
に切断され，リード線４から分離される。

第３図は本発明の第２の変形例を示す要部平面図であ
って，デバイスホール３に伸びるテープ１の延伸部14
は，リード線４に重畳する部分のみが残されている。延
伸部14はリード線４と接着されない。したがって,L−Ｌ
線にそってリード線４とともに切断されると，リード線
４から分離されてしまう。

第４図は本発明の別の実施例を示す要部平面図であっ
て，従来と同様のサポートリング51を有するテープ１に
リード線４を構成する銅箔を接着する際に，デバイスホ
ール３内の領域におけるテープ１には接着剤を塗布しな
いようにしたものである。その結果，サポートリング51
はリード線４と接着されず，リード線４をＬ−Ｌ線に沿
って切断すると同時に分離されてしまう。

第５図は本発明のテープキャリヤの製造工程を説明す
る要部断面図であって，まず，第５図（ａ）に示すよう
に，例えば厚さ125μm,幅35mmのポリイミドから成るテ
ープ１を用意する。次いで，プレス内抜き等の方法によ
り，第５図（ｂ）に示すように，テープ１に，前記延伸
部分11（または12,13あるいはサポートリング51）が残
るようにしてデバイスホール３を形成する。この工程に
おいて，第６図に示したパーフォレーション２も同時に
形成する。こののち，デバイスホール３周囲におけるテ
ープ１表面に，エポキシ樹脂から成る接着層７を塗布す
る。この際に，延伸部分11（または12,13あるいはサポ
ートリング51）には接着層７を塗布しない。また，パー
フォレーション２部分にも接着層７を塗布しない。この
ような選択的塗布は，周知のスクリーン印刷技術を用い
て行えばよい。

次いで，第５図（ｃ）に示すように，テープ１におけ
る接着層７を塗布した側の表面全体に，厚さ35μｍの銅
箔40を貼り付け，所定温度で所定時間キュアして接着層
７の硬化を行う。そののち，第５図（ｄ）に示すよう
に，銅箔40の両面を覆うフォトレジスト20を塗布する。
フォトレジスト20に対し，前記リード線４のパターンを
露光する。この露光は，好ましくは，銅箔40の両面側か
ら個別に行う。

上記露光後，フォトレジスト20を現像し，第５図
（ｅ）のようなレジストパターン21を得る。このレジス
トパターン21をマスクとして，表出する銅箔40を周知の
技術によりエッチングしたのちレジストパターン21を除
去し，第５図（ｆ）に示すように，リード線４を得る。
そののち，第５図（ｇ）に示すように，リード線４表面
に，錫，半田，金またはニッケル−金等のメッキ層41を
形成する。このメッキには，周知の無電界メッキまたは
リード線４を電極とする電気メッキ等の技術を適宜用い
ればよい。

このようにして作製されたテープキャリヤのリード線
４に，図示のように，集積回路チップ６に設けられたバ
ンプ８がボンディングされる。

なお，上記第５図（ａ）ないし（ｇ）の工程ごとに，
リールに巻かれた長尺のテープ１が，それぞれ所定の装
置に送られ，前記の加工・処理が行われる。本発明によ
れは，銅箔が微細なリード線４にパターンニングが行わ
れたのちも前記延伸部分11,12,13あるいはサポートリン
グ51等により補強されているため，上記巻き取りによる
変形が防止される。

〔発明の効果〕

本発明によれば，従来のテープキャリヤ構造における
ようなリード線の先端部をエポキシ樹脂によりサポート
リングに接着した構造を用いることなしに高密度半導体
集積回路に接続される微細パターンのリード線の変形が
防止され，これによりエポギシ樹脂層によるリード線間
の電流リーク，リード線材料のマイグレーション等の障
害が回避され，半導体集積回路の信頼性向上を可能とす
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の実施例説明図， 第５図は本発明のテープキャリヤ作製工程説明図， 第６図は従来のテープキャリヤの構造説明図， 第７図は従来のテープキャリヤにおける問題点説明図 である。 図において， １はテープ,2はパーフォレーション， ３はデバイスホール,4はリード線， ５はサポートリング,6は集積回路チップ， ７は接着層,8はバンプ， 11と12と14は延伸部分,13は開口， 20はフォトレジスト,21はレジストパターン， 40は銅箔,41はメッキ層， 51はサポートリング である。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体集積回路チップに設けられた外部端
   子に接続される先端部をそれぞれ有し且つそれぞれの後
   端部が並列に配列され且つ接着剤層によって絶縁性テー
   プの一表面に接着支持された複数の細条導体層パターン
   から成り，該先端部と後端部との間において該導体層パ
   ターンと重畳し且つ該接着剤層により該導体層パターン
   と接着されていない該絶縁性テープの延伸部分を有する
   ことを特徴とするテープキャリヤの構造。