JPH09199534A - 半導体装置及びその製造方法、半導体装置用テープキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージコストを大きく上昇させることな
く、電気特性を維持し改善して搭載したＬＳＩの高速動
作が可能なテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）を提供
する。 【解決手段】 リード６としての導体層を１層有するテ
ープキャリア９の上下の少なくとも一方に金属板１を併
置し、このテープキャリアのインナーリード７とアウタ
ーリード８とにそれぞれこの金属板をバンプ接続する。
金属板とテープキャリアのリードとの接続を金バンプ又
は半田バンプなどを用いたバンプ接合で行う場合は、金
属板が樹脂テープ２の幅より広いので、リードのインピ
ーダンス減少を従来より長い距離で実施することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、とくに高周波数で動作するＩＣやＬＳＩなどを搭載
するテープキャリアパッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータや通信機器の高性能
可にともないパッケージの端子数は増加の一途をたどっ
ている。端子数の増加はチップサイズ、パッケージサイ
ズの増大を引き起こす。チップサイズが大きくなると、
チップの製造歩留まりに直接影響がでてコストの上昇を
引き起こす。パッケージサイズの増大は実装密度の低下
を引き起こす。これらの問題を回避するために、パッド
ピッチが減少可能なテープキャリアパッケージ（ＴＣ
Ｐ：Tape Carrier Package) の使用が増加している。リ
ードフレームなどを用いるワイヤボンディングの場合、
最小パットピッチは現状では１００μｍ程度であるが、
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の場合は６０μｍま
で可能であるため大幅なチップサイズの減少が期待でき
る。図１９は、従来のＴＣＰを構成するテープキャリア
９の概略平面図である。図は簡略化されており、実際に
は、送り孔３とアウターリード８との間にテストパッド
及びテストパッドとアウターリードとを電気的に接続す
る配線や位置決めマークなどが形成されているが、これ
らは直接本発明と係わりがないので省略する。このテー
プキャリア９の基材となる樹脂テープ２は、可撓性を有
するポリイミド樹脂やポリエステルなどのプラスチック
絶縁材料から構成されている。

【０００３】この樹脂テープ２は、その両側縁には長手
方向にテープを移動する送り孔３が所定の間隔で形成さ
れている帯状体である。中央部にはチップ１０を搭載す
るチップ開口部４が形成されている。このチップ用開口
部４（以下、開口部４という）の各辺に対向するように
所定の間隔をおいてアウターリードを支持する細長い台
形のアウターリードホール５（以下、開口部５という）
が開口部４を囲むように形成されている。リード６は、
この中心部の開口部４と周辺部の開口部５の間の領域に
形成されている。リード６は、通常、Ｃｕなどの金属箔
をフィルム全面に張り付け、フォトエッチングにより金
属箔をパターニングして形成される。リードフレームか
ら形成したリードに比較して配線幅や間隔を十分小さ
く、かつ高精度に設定できる。リード６は、チップ開口
部４に突出しチップ１０と電気的に接続されるインナー
リード７と、周辺部の開口部５に支持されているアウタ
ーリード８とこれらインナーリード７とアウターリード
８との間の部分であって樹脂テープ２に支持されている
中間リード領域とから構成されている。前記インナーリ
ード７は、チップ１０上に複数形成された接続電極（図
示せず）にＡｕや半田などの突起状バンプ電極を介して
接続される。

【０００４】チップ１０の接続電極に電気的に接続され
たインナーリード７を有する複数のリード６は、チップ
開口部４の各辺からそれぞれ導出されている。従来例と
してはリードが２方向へ導出しているタイプのテープキ
ャリアもある。チップ１０をテープキャリア９に搭載
し、リード６を接続電極に接続した後は、テープキャリ
ア９の所定の領域と共にチップ１０は、必要に応じてモ
ールド樹脂によりパッケージングされる。樹脂モールド
されたテープキャリア９は、モールド樹脂部分と露出し
ているリード６の一部を残してアウターリード８の一部
やその付近（開口部５の付近）の樹脂テープ２を切断除
去する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、通常のＴＣＰ
ではリードとしての導電層が１層でしかも長いため電気
特性、とくに特性インピーダンスをコントロールするこ
とが非常に困難である。前記ワイヤボインディングの場
合は、ワイヤの長さが短いため多層パッケージを用いた
場合には十分な特性を確保できる。図２０は、ＴＣＰの
部分断面図である。従来のようにグランドプレーンとし
てポリイミドなどの樹脂テープ２の下面に導体層２１を
１層追加して導体層を２層とし、グランドリードと電気
的に接続したパッケージを使用すれば電気特性は確保で
きるが、ポリイミドテープ２に微細なビアホール２２を
形成しなければならないため、製造が複雑であり著しい
コストアップを生じてしまう。このビアホール２２は、
エッチングにより形成されるので、ホールの開口面積が
必要以上に広くなり過ぎ、樹脂テープ２の機械的強さを
低下させる。また、蒸着により金属を堆積させてからそ
の上に金属を鍍金させて導体層２１を形成している。蒸
着金属膜は下地層に対し電気的に接触がわるいので抵抗
が大きくなる。また、グランド（ＧＮＤ）のインピーダ
ンスを減少させることはできても電源のインピーダンス
が高いため、ノイズによる電流の電位変動が大きく高速
動作が難しくなるという問題がある。本発明は、このよ
うな事情によりなされたものであり、パッケージコスト
を大きく上昇させることなく、電気特性を維持し改善し
て搭載したＬＳＩの高速動作が可能なテープキャリアパ
ッケージ（ＴＣＰ）を提供する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置で
は、リードとしての導体層を１層有するテープキャリア
の上下の少なくとも一方に金属板を併置し、このテープ
キャリアのインナーリードとアウターリードとにそれぞ
れこの金属板をバンプ接続することを特徴とする。前記
金属板とテープキャリアのリードとの接続を金バンプ又
は半田バンプなどを用いたバンプ接合で行う場合は、金
属板が樹脂テープの幅より広いので、リードのインピー
ダンス減少を前述の従来例より長い距離で実施すること
ができる。また、あらかじめテープキャリアと金属板に
貫通孔を形成しておき、この貫通孔に差し込む金属柱を
用い、これを押し潰すことによってテープキャリアの樹
脂テープに支持された中間リードと金属板とを電気的に
接続する。接触抵抗が小さく前述の従来例より接続構造
に優れている。とくにリードに幅広部を形成しそこに金
属柱を取り付けることができるので簡単な工程で形成す
ることができる。また、本発明の半導体装置では、リー
ドとしての導体層を１層有するテープキャリアの上下の
少なくとも一方に金属板を併置し、このテープキャリア
のインナーリードとアウターリードとにそれぞれこの金
属板を少なくとも１箇所接続することにより、金属板を
基準電位とすることができるため、信号線はストリップ
あるいはマイクロストリップ線路とすることができ、信
号線のインピーダンスの制御が容易に行え、従って高速
信号伝送が可能となるという図２０に示す従来の特性を
十分維持しながら従来より困難な工程を経ること無く容
易に形成することができる。さらに、金属板を複数枚積
層し、交互に異なる電位を割り当てることにより、電源
系のインピーダンスをさらに減少させることができ、同
時にスイッチングノイズ等の問題を解決することが可能
となる。また、金属板をチップと接続することにより、
チップで発生した熱を拡散させるヒートスプレッダの役
割を果たすことも可能である。

【０００７】即ち、請求項１の発明は、半導体装置にお
いて半導体素子と、前記半導体素子に形成された接続電
極に突起状バンプ電極を介して接続されるインナーリー
ド、アウターリード及びこのインナーリードとアウター
リードとの間に連続的に存在する中間リードとから構成
された複数のリードと、前記中間リードを支持する樹脂
テープと、前記複数のリードのうち電源リードから選ば
れた所定のリードが少なくとも２つの突起状バンプ電極
を介して前記インナーリード及び前記アウターリードに
接続された金属板とを備え、前記金属板は、前記樹脂テ
ープ、前記中間リード、前記インナーリードの一部及び
前記アウターリードの一部と対向して配置されているこ
とを特徴とする。請求項２の発明は、半導体装置におい
て半導体素子と、前記半導体素子に形成された接続電極
に突起状バンプ電極を介して接続されるインナーリー
ド、アウターリード及びこのインナーリードとアウター
リードとの間に連続的に存在する中間リードとから構成
された複数のリードと、前記複数のリードのうち電源リ
ードから選ばれた所定のリードの中間リードに形成され
た幅広部と、前記複数のリードの中間リード及び幅広部
を支持する樹脂テープと、前記樹脂テープに対向して設
けられた金属板と、前記樹脂テープの両側端近傍におい
て前記樹脂テープを貫通して前記金属板と前記幅広部と
を接続する金属柱とを備えていることを特徴とする。請
求項３の発明は、請求項１又は請求項２の半導体装置に
おいて前記金属板は、複数の金属板からなり、これらの
金属板は、それぞれ異なる電位の前記電源リードに接続
されていることを特徴とする。

【０００８】請求項４の発明は、請求項３の半導体装置
において前記複数の金属板は同一平面上に配置されてい
ることを特徴とする。請求項５の発明は、請求項３の半
導体装置において前記複数の金属板のうち１つは、前記
樹脂テープの下面側に配置され、他の１つは前記複数の
リードの上方に配置されてなることを特徴とする。請求
項６の発明は、請求項３の半導体装置において前記複数
の金属板は前記樹脂テープの下面側又は前記複数のリー
ドの上方のいづれかの側に誘電体を介して重ねて配置さ
れ、これらの金属板はそれぞれ異なる電位の前記電源リ
ードに接続されていることを特徴とする。請求項７の発
明は、請求項１又は請求項２の半導体装置において前記
複数の金属板のうち、１つは前記樹脂テープの下面側に
配置され、他の１つは前記複数のリードの上方に配置さ
れ、これらの金属板は同じ電位の前記電源リードに接続
されていることを特徴とする。請求項８の発明は、請求
項１乃至請求項７のいづれかに記載の半導体装置におい
て前記金属板は前記半導体素子と接触していることを特
徴とする。請求項９の発明は、半導体装置の製造方法に
おいて金属板に突起状バンプ電極を形成する工程と、イ
ンナーリード、アウターリード及びこのインナーリード
とアウターリードとの間に連続的に存在し樹脂テープに
支持された中間リードとから構成された複数のリードの
前記インナーリードの先端を半導体素子の接続電極に突
起状バンプ電極を介して接続する工程と、前記金属板の
突起状バンプ電極を前記樹脂テープの両側端近傍におい
て前記インナーリード及び前記アウターリードにそれぞ
れ接合する工程と、前記複数のリードのうち電源リード
から選ばれた所定のリードの前記インナーリードと前記
アウターリードに接続する工程とを備えていることを特
徴とする。

【０００９】請求項１０の発明は、半導体装置の製造方
法においてインナーリード、アウターリード及びこのイ
ンナーリードとアウターリードとの間に連続的に存在す
る中間リードとから構成された複数のリードと、この複
数のリードのうちの電源リードから選ばれた所定のリー
ドに幅広部を形成し、且つ前記複数のリードの中間リー
ド及び前記幅広部を樹脂テープで支持したテープキャリ
アを用意する工程と、前記テープキャリアの各リードの
インナーリード先端を半導体素子の接続電極の突起状バ
ンプ電極を介して接続する工程と、前記金属板を前記樹
脂テープに接触させ、この接触状態を保持する工程と、
前記金属板、前記樹脂テープ及び前記所定リードの幅広
部に金属柱を貫通させる工程と、前記金属柱を押し潰し
て前記金属板と前記所定のリードとを電気的に接続する
工程とを備えていることを特徴とする。請求項１１の発
明は、半導体装置用テープキャリアにおいて中心領域に
半導体素子用開口部を有し、周辺部にアウターリード用
開口部を有する樹脂テープと、前記開口部間の樹脂テー
プに支持され、前記半導体素子用開口部の内側に先端部
が突出しているインナーリードと連続的に繋がる中間リ
ード及びこの中間リードと連続的に繋がり、且つアウタ
ーリード用開口部の内側に先端部が突出するアウターリ
ードとから構成された複数のリードと、前記複数のリー
ドのうち電源リードから選ばれた所定のリードが少なく
とも２つの突起状バンプ電極を介して前記インナーリー
ド及び前記アウターリードに接続された金属板とを備
え、前記金属板は、前記樹脂テープ、前記中間リード、
前記インナーリードの一部及び前記アウターリードの一
部と対向するように配置していることを特徴とする。請
求項１２の発明は、半導体装置用テープキャリアにおい
て中心領域に半導体素子用開口部を有し、周辺部にアウ
ターリード用開口部を有する樹脂テープと、前記半導体
素子に形成された接続電極に突起状バンプ電極を介して
接続されるインナーリード、アウターリード及びこのイ
ンナーリードとアウターリードとの間に連続的に存在す
る中間リードとから構成された複数のリードと、前記複
数のリードのうち電源リードから選ばれた所定のリード
の中間リード部に形成された幅広部と、前記樹脂テープ
に対向して設けられた金属板と、前記樹脂テープの両側
端近傍において前記樹脂テープを貫通して前記金属板と
前記幅広部とを接続する金属柱とを備えていることを特
徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。まず、図１乃至図４を用いて第１
の発明の実施の形態を説明する。図１は、テープキャリ
アにチップを搭載し、本発明の特徴である金属板を取り
付けたＴＣＰの平面図、図２は、図１に示すＡ領域の概
略平面図及び図２（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿う部分の断面
図、図３及び図４は、このＴＣＰの製造工程断面図であ
る。この発明の実施の形態のテープキャリア（ＴＡＢテ
ープ）は、図１９に示されたものを参照するが、テスト
パッド及びその配線、位置決めマーク、リード数などは
省略している。

【００１１】図１のテープキャリア９の基材となる樹脂
テープ２は、可撓性を有するポリイミド樹脂やポリエス
テルなどのプラスチックからなる絶縁材料から構成され
ている。この樹脂テープ２は、その両側縁には長手方向
にテープを移動する送り孔３が所定の間隔で形成されて
いる帯状体である。中央部にはチップ１０が搭載される
半導体素子用開口部４（以下、開口部４という）が形成
されている。この開口部４の各辺に対向するように所定
の間隔をおいて細長い台形のアウターリードを支持する
アウターリード用開口部５（以下、開口部５という）が
開口部４を囲んでいる。リード６は、この中心部の開口
部４とその周辺部の開口部５の間の領域に形成されてい
る。リード６は、例えば、Ｃｕなどの金属箔をフィルム
全面に張り付け、フォトエッチングにより金属箔をパタ
ーニングして形成される。リードフレームから形成した
リードに比較して配線幅や間隔を十分小さく、かつ高精
度に設定できる。リード６は、チップ１０と電気的に接
続されるインナーリード７と、周辺部の開口部４に支持
されているアウターリード８と、アウターリードとイン
ナーリードの間にあり樹脂テープ２に支持されている中
間リードとから構成されている。前記インナーリード７
は、チップ１０上に複数形成された接続電極（図示せ
ず）にＡｕや半田等の突起状バンプ電極１２を介して接
続される。

【００１２】チップ１０の接続電極に電気的に接続され
たインナーリード７を備えた複数のリード６は、開口部
４の４辺から外方へそれぞれ導出されている。複数のリ
ードが２方向へ導出しているタイプのテープキャリアも
本発明は適用することができる。リードが接続された上
面側にこの樹脂テープ２の開口部４、５の互いに対向す
る辺の間の領域を覆うようにＣｕなどの金属板１が配置
されている。金属板１は、四辺形の環状構造を有し、そ
の内辺が開口部４内に位置し、又外辺は開口部５内に位
置し、このようにして金属板１は、樹脂テープ２の開口
部４を除く開口部５の内側の領域及びこの領域に支持さ
れているリード６のインナーリード７及びアウターリー
ド８の一部及び中間リードを覆っている。そして、金属
板１は、複数のリード６のうち電源に接続される電源系
リード、例えば、グランドリード６１と電気的に接続さ
れており、その接続に際しては、開口部４内においてイ
ンナーリード７と、また開口部５内においてアウターリ
ード８と突起状バンプ電極６２、６３によってそれぞれ
接続されている。チップ１０をテープキャリア９に搭載
し、リード６を接続電極に接続した後、アウターリード
８の一部やその付近（開口部５の付近）の樹脂テープ２
をテープキャリア９から切断除去する。

【００１３】次に、図１のテープキャリアの部分的な領
域Ａを模式的に表現した図２を参照して金属板とリード
との接続について説明する。チップ１０に電気的に接続
された複数のリード６は、一部は、信号線であり、一部
は電源線である。金属板１は、例えば、銅やアルミニウ
ムなどからなり、インナーリード側バンプ電極６２とア
ウターリード側バンプ電極６３を介して複数のリード６
の内のグランドリード６１に接続されている。この発明
の実施の形態では、金属板１は樹脂テープ２のグランド
リード６１が形成されている上面側に配置されている。
金属板１は電気抵抗が小さく低コストの銅が望ましい。
インナーリード側バンプ電極６２とアウターリード側バ
ンプ電極６３は、リードピッチが２００μｍ以下と細か
いときは、微細ピッチの可能な金バンプが良いが、ピッ
チが大きい場合には半田バンプなどの他の材料を用いて
もよい。この発明の実施の形態では、いづれのバンプ電
極１２、６２、６３も同じ形状で同じ材料であっても良
い。金属板１が樹脂テープ２が支持する中間リードを含
むインナーリード７及びアウターリード８の一部を被覆
するので、樹脂テープに支持された中間リード部分のみ
を金属層で被覆する従来のテープキャリアよりリードの
長い範囲を金属板１で覆うことになりリードのインピー
ダンス特性が改善される範囲が広がる。

【００１４】図３及び図４は、この発明の実施の形態の
テープキャリアパッケージの製造工程を示す断面図であ
る。金属板１は電気抵抗が小さく低コストの銅が望まし
いが、バンプ電極形成が可能であれば他の金属を用いて
も良い。また、バンプ電極が形成し易いように表面に金
メッキを施してもよい。この工程では、金属板１のバン
プ電極が形成される開口部１４以外の表面に絶縁層１３
が施されているが（図３（ａ））、この絶縁層１３は、
他のリード６と金属板１が接触し導通することを防止す
るためのもので、図２（ｂ）の場合の様に、バンプ電極
６２、６３の高さが十分高く、リード６と金属板１とが
接触する恐れがなければ形成しなくてもよい。絶縁層１
３は、ポリイミド、エポシキ等の樹脂を用いても、ガラ
ス等の無機材料を用いても、あるいは金属板１の表面を
酸化することによって形成することもできる。開口部１
４内に露出する金属板１の表面に金バンプを取り付けて
バンプ電極６２、６３を形成する（図３（ｂ））。バン
プ電極２は、メッキによって形成しても構わないが、コ
ストを考慮した場合にはボールバンピングにより形成す
ることが好ましい。

【００１５】テープキャリア（ＴＡＢテープ）は、一般
に、ＥＩＡＪなどの企画により大きさが段階的に決まっ
ているが、チップの電源系のパッド配置は個々のチップ
により異なっているためバンプ電極２を形成する位置も
個々のチップにより異なる。したがって、メッキプロセ
スによりバンプ電極２を形成する場合には、チップ毎に
露光用マスクを用意しなければならずコストの上昇を引
き起こす。ボールバンピングの場合には、テープキャリ
アの規格に合わせて用意した金属板１の所定の場所にボ
ンディングデータを変更するだけで異なるチップに対応
できるためコストを低減できる。次に、バンプ電極６
２、６３が形成された金属板１をすでにチップ１０を実
装したテープキャリアに接続する。金属板１のバンプ電
極６２、６３と接続されるグランドリード６１の位置合
わせを行い、金属板１とグランドリード６１とを合わせ
る（図３（ｃ））。次に、バンプ電極６２、６３と接触
しているグランドリード６１を樹脂テープ３の側からシ
ングルポイントボンディングツール６０でボンディング
する（図４（ａ））。この場合、バンプ電極６２、６３
が金バンプであるため、シングルポイントボンディング
と同様の工程で金属板１とグランドリード６１とが接続
されているが、半田バンプを用いてバンプ電極を形成す
る場合には、金属板と樹脂テープを位置合わせ後、加熱
することにより接続することが可能である。このボンデ
ィングツール６０によるボンディングにより金属板１は
グランドリード６１に接続される。

【００１６】この発明の実施の形態においては、導体層
が１層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板
を電源系リードに接続することにより金属板を基準電位
とすることができ、そのため、信号線はストリップ又は
マイクロストリップ線路とすることができる。その結果
信号線のインピーダンスの制御が容易になり、高速信号
伝送が可能となる。また、グランドリードのインピーダ
ンスを減少させることができるために電源系のノイズを
小さくできるのでチップの誤動作を防ぐことができる。
従来は、金属層を樹脂テープに接合させてストリップ又
はマイクロストリップ線路を構成したので、樹脂テープ
をエッチングして多数のビアホールを形成する工程、金
属層の蒸着工程、金属層のメッキ工程など多数の工程を
経なければならなかったが、本発明では簡単な工程で形
成することができる。

【００１７】次に、図５を参照して第２の発明の実施の
形態を説明する。図は、テープキャリアパッケージの部
分平面図（図１のＡ領域に相当する）の所定部分の断面
図である。この発明の実施の形態では、金属板１はテー
プキャリア（ＴＡＢテープ）９に樹脂テープ２のリード
６が形成されている側とは反対の側から接続されている
（図１参照）。すなわち、樹脂テープ２は複数のリード
６と金属板１の間に配置されている。インナーリード側
バンプ電極６２とアウターリード側バンプ電極６３はリ
ード６のピッチが２００μｍ以下と細かいときは、微細
ピッチの可能な金を用いるが、ピッチが大きい場合には
半田バンプなど他の材料を用いてもよい。金属板１は、
例えば、銅やアルミニウムなどからなり、インナーリー
ド側バンプ電極６２とアウターリード側バンプ電極６３
を介して複数のリード６の内のグランドリード６１に接
続されている。この発明の実施の形態では、複数のリー
ド６と金属板１との間に樹脂フィルム２が配置されるこ
とになるので、その間は、樹脂フィルム２の厚さより大
きくなければならず、したがって、バンプ電極６２、６
３は、バンプ電極１２と同じ材料であっても良いが、そ
の大きさは、バンプ電極１２より大きくしたほうがよ
い。金属板１を樹脂テープ２に密着させることもでき
る。

【００１８】この発明の実施の形態においては、導体層
が１層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板
を電源系リードに接続することにより金属板を基準電位
とすることができるため、信号線はストリップ又はマイ
クロストリップ線路とすることができ、その結果信号線
のインピーダンス制御が容易になり高速信号伝送が可能
となる。また、電源系リードのインピーダンスを減少さ
せることができるために電源系のノイズが小さくできチ
ップの誤動作を防ぐことができる。また、バンプ電極の
大きさを変えることによって、樹脂テープを収容する十
分な空間を得ることができる。さらに、金属板が電源系
リードを覆う範囲が広いので、インピーダンスの減少を
従来より大きくすることができる。

【００１９】次に、図６及び図７を参照して第３の発明
の実施の形態を説明する。図６は、ＴＣＰの部分平面図
（図１のＡ領域に相当する）、図７は、図６のＡ−Ａ′
線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の断面図である。この発明
の実施の形態ではテープキャリアの樹脂テープの両面に
金属板が接続していることに特徴がある。第１の金属板
１は、樹脂テープ２とは反対側にリードと接続してい
る。第２の金属板１５は樹脂テープ２と同じ側にリード
と接続されている。一方の金属板とリードが接続されて
いる領域においては、他方の金属板が存在しないように
金属板に切り欠きが設けられている。インナーリード側
バンプ電極とアウターリード側バンプ電極はリードのピ
ッチが２００μｍ以下と細かいときは、微細ピッチの可
能な金を用いるが、ピッチが大きい場合には半田バンプ
など他の材料を用いてもよい。金属板１は、例えば、銅
やアルミニウムなどからなり、インナーリード側バンプ
電極６２とアウターリード側バンプ電極６３を介して複
数のリードの内のグランドリード６１に接続されてい
る。

【００２０】この発明の実施の形態では、複数のリード
６と金属板１との間に樹脂フィルム２が配置されること
になるので、その間は樹脂フィルム２の厚さより大きく
なければならず、したがって、バンプ電極６２、６３
は、バンプ電極１２と同じ材料であり、その大きさもバ
ンプ電極１２と同じである。銅などからなる金属板１５
は、インナーリード側バンプ電極６５とアウターリード
側バンプ電極６６を介して複数のリードの内の電源リー
ド６４に接続されている。この金属板１５は、複数のリ
ードとの間に樹脂フィルム２が配置されているので、そ
の間は樹脂フィルム２の厚さより大きくなければなら
ず、したがって、バンプ電極６５、６６は、バンプ電極
１２と同じ材料であるが、その高さはバンプ電極１２よ
り高い。この発明の実施の形態においては、導体層が１
層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板を電
源系リードに接続することにより金属板を基準電位をす
ることができるため、信号線はストリップ又はマイクロ
ストリップ線路とすることができ、その結果信号線のイ
ンピーダンスの制御が容易になり、高速信号伝送が可能
となる。また、電源系リードのインピーダンスを減少さ
せることができるために電源系のノイズを小さくできる
のでチップの誤動作を防ぐことができる。さらに、金属
板１、１５がリードと接続されるバンプ電極が存在する
領域ではそれぞれ金属板１、１５が重ならないように切
り欠きを形成することにより金属板１、１５の接続が可
能となる。さらに、金属板が電源系リードを覆う範囲が
広いので、インピーダンスの減少を従来より大きくする
ことができる。

【００２１】次に、図８を参照して第４の発明の実施の
形態を説明する。図８は、ＴＣＰの部分断面図であり、
図１のＡ領域に相当する部分の概略断面である。この発
明の実施の形態では金属板とテープキャリアの樹脂テー
プとの間に樹脂が充填されていることに特徴がある。金
属板１は、樹脂テープ２とは反対側にリードと接続して
いる。インナーリード側バンプ電極とアウターリード側
バンプ電極はリードのピッチが２００μｍ以下と細かい
ときは、微細ピッチの可能な金を用いるが、ピッチが大
きい場合には半田バンプなど他の材料を用いてもよい。
金属板１は、例えば、銅やアルミニウムなどからなり、
インナーリード側バンプ電極６２とアウターリード側バ
ンプ電極６３を介して複数のリードの内のグランドリー
ド６１に接続されている。グランドリード６１とチップ
１０の接続部及びチップ１０上面は通常はポッティング
樹脂（図示せず）により封止されているので、金属板１
とＴＡＢテープとの間に樹脂１３を充墳した場合にエポ
キシ樹脂などの充填樹脂とポッティング樹脂の境界は不
明確となる。

【００２２】この発明の実施の形態においては、導体層
が１層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板
を電源系リードに接続することにより金属板を基準電位
をすることができるため、信号線はストリップ又はマイ
クロストリップ線路とすることができる。その結果信号
線のインピーダンス制御が容易になり、従って高速信号
伝送が可能となる。また、電源系リードのインピーダン
スを減少させることができるために電源系のノイズを小
さくできるのでチップの誤動作を防ぐことができる。さ
らに、あらかじめ金属板に絶縁層を形成しなくても絶縁
特性が十分高くなっている。さらに、金属板が電源系リ
ードを覆う範囲が広いので、インピーダンスの減少を従
来より大きくすることができる。樹脂被覆によってチッ
プの耐環境性がます。

【００２３】次に、図９を参照して第５の発明の実施の
形態を説明する。図９は、ＴＣＰの部分断面図であり、
図１のテープキャリアのＡ領域に相当する部分の断面で
ある。この発明の実施の形態では、金属板１はテープキ
ャリア９に樹脂テープ２のグランドリード６１が形成さ
れている側とは反対の側から接続されている。すなわ
ち、樹脂テープ２はグランドリード６１と金属板１の間
に配置されている。インナーリード側バンプ電極６２と
アウターリード側バンプ電極６３はリード６のピッチが
２００μｍ以下と細かいときは微細ピッチの可能な金を
用いるが、ピッチが大きい場合には半田バンプなど他の
材料を用いてもよい。金属板１は、例えば、銅やアルミ
ニウムなどからなる。この発明の実施の形態では、複数
のリードと金属板１との間に樹脂フィルム２が配置され
ることになるので、その間は樹脂フィルム２の厚さより
大きくなければならず、従って金属板１の辺を折り曲げ
て断面形状がコの字形にして金属板／リード間を大きく
する。通常樹脂テープ２はポリイミドで構成され、厚さ
は７５μｍ〜１２５μｍ程度がよく用いられている。従
って、平らな金属板１を接続しようとする場合にはバン
プの縦横比が大きくなり、実際にバンプを形成すること
が困難になる。

【００２４】そこで、バンプを形成する位置に合うよう
に金属板１をコの字形とし、金属板１の端部の折り曲げ
部１４にバンプ電極６２、６３を形成することにより、
バンプ電極の高さを高くすることなしに接続することが
可能となる。したがって、バンプ電極６２、６３は、バ
ンプ電極１２と同じ材料でしかも同じ高さにすることが
できる。この発明の実施の形態においては、導体層が１
層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板を電
源系リードに接続することにより金属板を基準電位とす
ることができるため信号線はストリップ又はマイクロス
トリップ線路とすることができる。その結果信号線のイ
ンピーダンスの制御が容易になり、高速信号伝送が可能
となる。また、電源系リードのインピーダンスを減少さ
せることができるために電源系のノイズが小さくでき、
チップの誤動作を防ぐことができる。またバンプ電極の
大きさを変えなくても樹脂テープを収容する十分な空間
を得ることができる。さらに、金属板が電源系リードを
覆う範囲が広いので、インピーダンスの減少を従来より
大きくすることができる。

【００２５】次に、図１０乃至図１３を参照して第６の
発明の実施の形態を説明する。図１０は、ＴＣＰの部分
平面図及びその断面図である。この発明の実施の形態で
は、金属板１はテープキャリア９に樹脂テープ２のグラ
ンドリード６７が形成されている側とは反対の側から接
続されている。しかも、樹脂テープ２の角部のマージン
部にはリード群の中のグランドリード６７の幅広部１８
が形成されている。金属板をバンプ電極で接続するポイ
ントはインナーリード側はできるだけチップに近いとこ
ろ、アウターリード側はできるだけアウターリードに近
いところが望ましく、また接続されるリードはできるだ
け多いほうが電気特性の観点からは望ましい。しかし金
属板にバンプ電極を形成し、それをテープキャリアに接
続することはやはりコストの上昇を引き起こす。電気特
性を多少犠牲にしてもコストの上昇を押さえたい場合に
は、この発明の実施の形態のようにテープキャリアの角
部の幅広部１８を有するグランドリード６７に孔１６を
あらかじめ形成しておき、その孔１６に金属柱１７を挿
入、固定して、金属板１とグランドリード６７との導通
をとることができる。金属板１とグランドリード６７と
の接続をテープキャリアの幅広パターンで行うことによ
り、微細なバンプを形成する必要がなくなるためコスト
を減少させることが可能となる。金属板１及びテープキ
ャリアに形成する孔１６も微細である必要はないため、
コストの上昇を招かない。また、接続構造も従来より簡
略化されるなど優れた構造になっている。

【００２６】図１１は、この発明の実施の形態のＴＣＰ
の製造工程を示す部分断面図である。まず、金属板１を
用意する（図１１（ａ））。この発明の実施の形態では
金属板とグランドリードとの導通を金属柱の接触によっ
て行うため少なくとも金属板の金属柱と接する表面は金
メッキが施されていることが望ましい。次に、金属板１
に金属柱１７を挿入するための孔１６を形成する（図１
１（ｂ））。次に、金属板１とチップ１０を実装したテ
ープキャリアとを孔１６が重なるように位置合わせを行
う。チップ１０は、グランドリード６７のインナーリー
ド部とバンプ電極１２により接続され、樹脂テープ２
は、金属板１に密着している（図１１（ｃ））。テープ
キャリアの孔は、樹脂テープ２の形状をパンチングで形
成するときに樹脂テープ２に形成でき、リードを形成す
る際に同時にグランドリードにも形成できるため、新た
な工程を加える必要がない。孔１６に金属柱１７を挿入
する（図１２（ａ））。金属柱１７は、この場合金属板
１側から挿入されているが、テープキャリア側から挿入
しても良い。次に、金属柱１７の先端部分を押し潰し変
形させて金属板１とグランドリード６７を固定する（図
１２（ｂ））。これは、リベットを用いる方法と同一で
ある。

【００２７】図１３は、図１０のＴＣＰの全体を示す平
面図である。図のように、リード６の一部である幅広部
１８を有するグランドリード６７と金属板１とを接続す
る金属柱１７は、樹脂フィルム２の４隅に形成されてい
る。この図では金属板１は樹脂テープ２の裏面に形成さ
れているので表示されない。この発明の実施の形態にお
いては、導体層が１層のテープキャリアの樹脂テープに
接続した金属板を電源系リードに接続することにより金
属板を基準電位とすることができるため、信号線はスト
リップ又はマイクロストリップ線路に出来る。その結果
信号線のインピーダンス制御が容易になり高速信号伝送
が可能となる。また、電源系リードのインピーダンスを
減少させることができるために電源系のノイズを小さく
できるのでチップの誤動作を防ぐことができる。さら
に、金属板が十分テープキャリアに固定されて接続構造
が単純化され、その製造も簡略化される。

【００２８】次に、図１４及び図１５を参照して第７の
発明の実施の形態を説明する。図１４は、ＴＣＰの部分
平面図、図１５は、図１４のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線及
びＣ−Ｃ′線に沿う部分の断面図である。この発明の実
施の形態では、第１及び第２の金属板１、１５に誘電体
層２０を挟んで積層した金属板（積層金属板）を用いる
ことにより２つの電源系のインピーダンスを減少させ、
電気特性をさらに向上させることが可能となる。例え
ば、第１の金属板１をグランドリード６７に、第２の金
属板１５を電源リード６８に割り当てることにより、そ
れぞれのインピーダンスを減少させるとともに、金属板
１、１５間の容量をデカップリング・キャパシタとして
用いることにより、電源系のノイズを減少させることが
可能となる。前記積層金属板は、樹脂テープの裏側、即
ち、リード側とは反対側に取り付けられてＴＣＰを構成
している。グランドリード６７には、金属板１が電気的
に接続される。そのために、グランドリード６７の幅広
部１８に金属板１５の切り欠き２５を形成し、この部分
で幅広部１８と金属板１とを金属柱１７で接続する。電
源リード６８には、金属板１５が電気的に接続される。
そのために、電源リード６８の幅広部１９に金属板１の
切り欠き２６を形成し、この部分で幅広部１９と金属板
１５とを金属柱１７で接続する。この発明の実施の形態
においては、導体層が１層のテープキャリアの樹脂テー
プに接続した金属板を電源系リードに接続することによ
り金属板を基準電位とすることができるため信号線はス
トリップ又はマイクロストリップ線路にできる。その結
果信号線のインピーダンスの制御が容易になり高速信号
伝送が可能となる。又電源系リードのインピーダンスを
減少させることができるために電源系のノイズを小さく
でき、チップの誤動作を防ぐことができる。更に金属板
が十分テープキャリアに固定されて接続構造が単純化さ
れその製造も簡略化される。

【００２９】次に、図１６を参照して第８の発明の実施
の形態を説明する。この発明の実施の形態では、第３の
発明の実施の形態のように２枚の金属板を使用するが、
前記発明の実施の形態のようにそれぞれ個別の電源系に
接続するのではなく同じリードに接続する。金属柱１７
に半田等の低融点金属を用い、貫通孔に金属柱１７を挿
入後、加熱してこれを溶融し、貫通孔の内壁に露出して
いるリード６の端部と金属柱１７を接続する。第１及び
第２の金属板１、１５の向かい合う面には絶縁層２０、
２０が形成されている。貫通孔１６は金属板１、１５と
テープキャリアとを積層した後にパンチング等により形
成しても良い。この発明の実施の形態においては、導体
層が１層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属
板を電源系リードに接続することにより金属板を基準電
位とすることができるため、信号線はストリップ又はマ
イクロストリップ線路にできる。その結果信号線のイン
ピーダンスの制御が容易になり高速信号伝送が可能とな
る。また、電源系リードのインピーダンスを減少させる
ことができるために電源系のノイズを減少させることが
できる。さらに、金属板が十分テープキャリアに固定さ
れて接続構造が単純化され、その製造も簡略化される。

【００３０】次に、図１７を参照して第９の発明の実施
の形態を説明する。図１７は、ＴＣＰの部分断面図を示
している。テープキャリアの表面は樹脂テープのリード
が形成されている面をいい、裏面は、リードが形成され
ている面とは反対の面とすると、前述の発明の実施の形
態では、前記テープキャリアの表面とチップの素子形成
面とは同じ向きに配置されていた。この発明の実施の形
態では、テープキャリアの表面とチップの素子形成面は
向い合わせになっている。図１７（ａ）では、チップ１
０にバンプ電極１２を介してリード６のインナーリード
先端が接続されている。金属板１は、リード６にインナ
ーリード側バンプ電極６２及びアウターリード側バンプ
電極６３を介して接続されている。そして、樹脂テープ
２は、リード６と金属板１との間に配置されている。し
たがって、バンプ電極６２、６３は、チップ１０上のバ
ンプ電極１２より高い形状のものを選んでその空間を確
保することができる。一方、図１７（ｂ）では、チップ
１０にバンプ電極１２を介してリード６のインナーリー
ド先端が接続されている。金属板１は、リード６にイン
ナーリード側バンプ電極６２及びアウターリード側バン
プ電極６３を介して接続されている。そして樹脂テープ
２は、リード６を介して金属板１と対向している。従っ
てバンプ電極６２、６３は、チップ１０上のバンプ電極
１２より高い形状のものを選ぶ必要はなく、同じ材料及
び形状のものを選択することができる。

【００３１】この発明の実施の形態においては、導体層
が１層のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板
を電源系リードに接続することにより金属板を基準電位
とすることができるため、信号線はストリップ又はマイ
クロストリップ線路にできる。その結果信号線のインピ
ーダンスの制御が容易になり高速信号伝送が可能とな
る。また、電源系リードのインピーダンスを減少させる
ことができるために電源系のノイズを小さくできるので
チップの誤動作を防ぐことができる。またバンプ電極の
大きさを任意に変えることにより樹脂テープを収容する
十分な空間を得ることができる。さらに、金属板が電源
系リードを覆う範囲が広いので、インピーダンスの減少
を従来より大きくすることができる。

【００３２】次に、図１８を参照して第１０の発明の実
施の形態を説明する。図は、ＴＣＰの部分断面図であ
る。いままでの発明の実施の形態の金属板は、すべてテ
ープキャリアのチップ開口部を被覆していない。即ち、
図１に示すように中央の開口部を除いた角型のドーナッ
状になっている。この発明の実施の形態では、金属板が
開口部にまで延在し、チップと接触していることに特徴
がある。金属板１はチップ１０の下まで延長し、チップ
１０裏面に接触している。金属板１は、リードの内グラ
ンドリード６１に接続されている。グランドリード６１
は、バンプ電極１２を介してチップの接続電極（図示せ
ず）に接続され、インナーリード側バンプ電極６２及び
アウターリード側バンプ電極６３を介して金属板１に接
続される。バンプ電極６２、６３は、グランドリード６
１と金属板１との間に樹脂テープ２を介在させるので、
チップ側のバンプ電極１２より高さの高いものが有利で
ある。この発明の実施の形態においては、導体層が１層
のテープキャリアの樹脂テープに接続した金属板を電源
系リードに接続することにより金属板を基準電位とする
ことができるため、信号線はストリップ又はマイクロス
トリップ線路にできる。その結果信号線のインピーダン
スの制御が容易になり高速信号伝送が可能となる。ま
た、電源系リードのインピーダンスを減少させることが
できるために電源系のノイズを小さくできるのでチップ
の誤動作を防ぐことができる。さらに、金属板をチップ
に接触させることによりチップで発生した熱を、金属板
を通して外部に放熱することができる。即ち、金属板
は、ヒートシンクとしても使われる。チップ裏面と金属
板との間には熱伝導性の樹脂を挿入しても良い。さら
に、金属板が電源系リードを覆う範囲が広いので、イン
ピーダンスの減少を従来より大きくすることができる。

【００３３】

【発明の効果】従来の金属層をテープキャリアの樹脂テ
ープに張り付けたものと同様に導体層１層のテープキャ
リアに基準電位としての電源プレーンが加わったため、
信号線のインピーダンスの制御が容易に行え、高速信号
伝送が可能となる。また、同じく電源系のインピーダン
スを減少させることができるため、電源系のノイズが小
さくできチップの誤作動又は誤動作を防ぐことができ
る。そして、金属板をバンプ電極で電源系リードに接続
したものは、金属板が電源系リードを覆う範囲が広いの
で、インピーダンスの減少を従来より大きくすることが
できる。また、その製造工程も前述した従来例の金属層
を樹脂テープに接合する工程より格段に容易に行うこと
ができ、蒸着金属層による電気的接触のわるさを改善す
る。また、金属板を金属柱で電源系リードに接続したも
のは、接続構造が簡略化される。また、その製造工程も
前記金属層を樹脂テープに接合する工程より容易に行う
ことができる。複数の金属板を用いるものは、その間の
容量をデカップリング・キャパシタとして用いることに
より、電源系のノイズを減少させることが可能になる。
また、金属板をチップと接触することにより、チップで
発生した熱を拡散させるヒートシンクの役割を果たすこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の発明の実施の形態のＴＣＰの平
面図。

【図２】図１のテープキャリアのＡ領域を示す模式平面
図及び断面図。

【図３】図１に示すＴＣＰの製造工程断面図。

【図４】図１に示すＴＣＰの製造工程断面図。

【図５】第２の発明の実施の形態のＴＣＰの部分断面
図。

【図６】第３の発明の実施の形態のＴＣＰの部分平面
図。

【図７】図６のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う部分の
断面図。

【図８】第４の発明の実施の形態のＴＣＰの部分断面
図。

【図９】第５の発明の実施の形態のＴＣＰの部分断面
図。

【図１０】第６の発明の実施の形態のＴＣＰの模式部分
平面図及び断面面。

【図１１】図１に示すＴＣＰの製造工程断面図。

【図１２】図１に示すＴＣＰの製造工程断面図。

【図１３】図１０のＴＣＰの全体を示す平面図。

【図１４】第７の発明の実施の形態のＴＣＰの模式部分
平面図。

【図１５】図１４のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線及びＣ−
Ｃ′線に沿う部分の断面図。

【図１６】第８の発明の実施の形態のＴＣＰの部分断面
図。

【図１７】第９の発明の実施の形態のＴＣＰの部分断面
図。

【図１８】第１０の発明の実施の形態のＴＣＰの部分断
面図。

【図１９】従来のＴＣＰの平面図。

【図２０】従来のＴＣＰの部分断面図。

【符号の説明】

１、１５・・・金属板、 ２・・・樹脂テープ、
３・・・送り孔、４・・・半導体素子用開口部、 ５
・・・アウターリード用開口部、６・・・リード、
７・・・インナーリード、８・・・アウターリード、
９・・・テープキャリア、１０・・・チップ、 １
２、６２、６３、６５、６６・・・バンプ電極、１３、
２０・・・絶縁層、 １４・・・開口部、 １６・
・・貫通孔、１７・・・金属柱、 １８、１９・・・
幅広部、２１、２４・・・導体層、 ２２・・・ビア
ホール、２３・・・ヒートスプレッダ、 ６０・・・
ボンディングツール、６１・・・グランドリード、電源
リード、６４、６８・・・電源リード、 ６７・・・
グランドリード。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子と、 前記半導体素子に形成された接続電極に突起状バンプ電
   極を介して接続されるインナーリード、アウターリード
   及びこのインナーリードとアウターリードとの間に連続
   的に存在する中間リードとから構成された複数のリード
   と、 前記中間リードを支持する樹脂テープと、 前記複数のリードのうち電源リードから選ばれた所定の
   リードが少なくとも２つの突起状バンプ電極を介して前
   記インナーリード及び前記アウターリードに接続された
   金属板とを備え、 前記金属板は、前記樹脂テープ、前記中間リード、前記
   インナーリードの一部及び前記アウターリードの一部と
   対向して配置されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体素子と、 前記半導体素子に形成された接続電極に突起状バンプ電
   極を介して接続されるインナーリード、アウターリード
   及びこのインナーリードとアウターリードとの間に連続
   的に存在する中間リードとから構成された複数のリード
   と、 前記複数のリードのうち電源リードから選ばれた所定の
   リードの中間リードに形成された幅広部と、 前記複数のリードの中間リード及び幅広部を支持する樹
   脂テープと、 前記樹脂テープに対向して設けられた金属板と、 前記樹脂テープの両側端近傍において前記樹脂テープを
   貫通して前記金属板と前記幅広部とを接続する金属柱と
   を備えていることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 前記金属板は、複数の金属板からなり、
   これらの金属板は、それぞれ異なる電位の前記電源リー
   ドに接続されていることを特徴とする請求項１又は請求
   項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記複数の金属板は、同一平面上に配置
   されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装
   置。
5. 【請求項５】 前記複数の金属板のうち１つは、前記樹
   脂テープの下面側に配置され、他の１つは、前記複数の
   リードの上方に配置されてなることを特徴とする請求項
   ３に記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記複数の金属板は、前記樹脂テープの
   下面側又は前記複数のリードの上方のいづれかの側に誘
   電体を介して重ねて配置され、これらの金属板は、それ
   ぞれ異なる電位の前記電源リードに接続されていること
   を特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記複数の金属板のうち、１つは前記樹
   脂テープの下面側に配置され、他の１つは、前記複数の
   リードの上方に配置され、これらの金属板は、同じ電位
   の前記電源リードに接続されていることを特徴とする請
   求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記金属板は、前記半導体素子と接触し
   ていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいづれ
   かに記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 金属板に突起状バンプ電極を形成する工
   程と、 インナーリード、アウターリード及びこのインナーリー
   ドとアウターリードとの間に連続的に存在し樹脂テープ
   に支持された中間リードとから構成された複数のリード
   の前記インナーリードの先端を半導体素子の接続電極に
   突起状バンプ電極を介して接続する工程と、 前記金属板の突起状バンプ電極を、前記樹脂テープの両
   側端近傍において前記インナーリード及び前記アウター
   リードにそれぞれ接合する工程と、 前記複数のリードのうち電源リードから選ばれた所定の
   リードの前記インナーリードと前記アウターリードに接
   続する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
10. 【請求項１０】 インナーリード、アウターリード及び
    このインナーリードとアウターリードとの間に連続的に
    存在する中間リードとから構成された複数のリードと、
    この複数のリードのうちの電源リードから選ばれた所定
    のリードに幅広部を形成し、且つ前記複数のリードの中
    間リード及び前記幅広部を樹脂テープで支持したテープ
    キャリアを用意する工程と、 前記テープキャリアの各リードのインナーリード先端を
    半導体素子の接続電極の突起状バンプ電極を介して接続
    する工程と、 前記金属板を前記樹脂テープに接触させ、この接触状態
    を保持する工程と、 前記金属板、前記樹脂テープ及び前記所定リードの幅広
    部に金属柱を貫通させる工程と、 前記金属柱を押し潰して前記金属板と前記所定のリード
    とを電気的に接続する工程とを備えていることを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 中心領域に半導体素子用開口部を有
    し、周辺部にアウターリード用開口部を有する樹脂テー
    プと、 前記開口部間の樹脂テープに支持され、前記半導体素子
    用開口部の内側に先端部が突出しているインナーリード
    と連続的に繋がる中間リード及びこの中間リードと連続
    的に繋がり、且つアウターリード用開口部の内側に先端
    部が突出するアウターリードとから構成された複数のリ
    ードと、 前記複数のリードのうち電源リードから選ばれた所定の
    リードが少なくとも２つの突起状バンプ電極を介して前
    記インナーリード及び前記アウターリードに接続された
    金属板とを備え、 前記金属板は、前記樹脂テープ、前記中間リード、前記
    インナーリードの一部及び前記アウターリードの一部と
    対向するように配置していることを特徴とする半導体装
    置用テープキャリア。
12. 【請求項１２】 中心領域に半導体素子用開口部を有
    し、周辺部にアウターリード用開口部を有する樹脂テー
    プと、 前記半導体素子に形成された接続電極に突起状バンプ電
    極を介して接続されるインナーリード、アウターリード
    及びこのインナーリードとアウターリードとの間に連続
    的に存在する中間リードとから構成された複数のリード
    と、 前記複数のリードのうち電源リードから選ばれた所定の
    リードの中間リード部に形成された幅広部と、 前記樹脂テープに対向して設けられた金属板と、 前記樹脂テープの両側端近傍において前記樹脂テープを
    貫通して前記金属板と前記幅広部とを接続する金属柱と
    を備えていることを特徴とする半導体装置用テープキャ
    リア。