JP2861841B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JP2861841B2 JP2861841B2 JP6314168A JP31416894A JP2861841B2 JP 2861841 B2 JP2861841 B2 JP 2861841B2 JP 6314168 A JP6314168 A JP 6314168A JP 31416894 A JP31416894 A JP 31416894A JP 2861841 B2 JP2861841 B2 JP 2861841B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法、特にファインパターン化、低価格化が容易で製造
過程におけるリードの変形を防止することができリード
への必要に応じてのメッキが容易な新規なリードフレー
ムの製造方法に関する。
方法、特にファインパターン化、低価格化が容易で製造
過程におけるリードの変形を防止することができリード
への必要に応じてのメッキが容易な新規なリードフレー
ムの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等半導体装置の集積密度が
高くなり端子数が多くなるに従って半導体素子の電極の
電気的導出手段として、銅などの金属板をプレス加工或
いはエッチング等により多数のリードを一体化したリー
ドフレームに代えてＴＡＢテープタイプのリードフレー
ムが用いられる傾向にある。ＴＡＢテープタイプのリー
ドフレームは、ポリイミドのごときテープ状に成形した
耐熱性樹脂をベースとし、該テープ状のベースの表面に
例えば銅等からなるリードを形成したものである（特開
平５−１９８６１８号公報）。
高くなり端子数が多くなるに従って半導体素子の電極の
電気的導出手段として、銅などの金属板をプレス加工或
いはエッチング等により多数のリードを一体化したリー
ドフレームに代えてＴＡＢテープタイプのリードフレー
ムが用いられる傾向にある。ＴＡＢテープタイプのリー
ドフレームは、ポリイミドのごときテープ状に成形した
耐熱性樹脂をベースとし、該テープ状のベースの表面に
例えば銅等からなるリードを形成したものである（特開
平５−１９８６１８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＴＡＢテー
プタイプのリードフレームには、第１にポリイミドのご
とき絶縁性を有する樹脂材料をベースとし、その上に例
えば銅等の金属膜を形成し、この金属膜を選択エッチン
グすることにより所定のパターンを有するリードを形成
するというリードの形成方法を採らざるを得ないので、
リードのファインパターン化に限界があった。というの
は、金属膜は絶縁性を有する樹脂性ベースとなじみが悪
く、そのため薄くて緻密な膜質のリード用膜、例えば銅
膜の形成が難しい。
プタイプのリードフレームには、第１にポリイミドのご
とき絶縁性を有する樹脂材料をベースとし、その上に例
えば銅等の金属膜を形成し、この金属膜を選択エッチン
グすることにより所定のパターンを有するリードを形成
するというリードの形成方法を採らざるを得ないので、
リードのファインパターン化に限界があった。というの
は、金属膜は絶縁性を有する樹脂性ベースとなじみが悪
く、そのため薄くて緻密な膜質のリード用膜、例えば銅
膜の形成が難しい。
【０００４】そのため、リード幅を狭くすることが制約
されるうえ、サイドエッチングという現象が生じるから
である。また、ベースは剛性体でなく、可撓性を有しツ
ールツーツールで保管、組立等が行われ、カールし易い
ので、取扱いが難しく、それを下地とするリードの形成
も難しい。これもリードのファインパターン化を制約す
る要因となっていた。
されるうえ、サイドエッチングという現象が生じるから
である。また、ベースは剛性体でなく、可撓性を有しツ
ールツーツールで保管、組立等が行われ、カールし易い
ので、取扱いが難しく、それを下地とするリードの形成
も難しい。これもリードのファインパターン化を制約す
る要因となっていた。
【０００５】第２に、リードを絶縁性を有するベースの
上に形成するので、例えばインナーリード上或いはアウ
ターリード上に接合用の金属を電解メッキする場合、リ
ード間が絶縁されているので、各リードに電解メッキの
ための電位を付与するためだけの回路を形成し、電解メ
ッキ後その回路を除去する必要があり、その回路を形成
するための余分なスペースを設ける必要があるだけでな
く、工数が多くなり、コスト増を招くという問題があっ
た。第３に、リードのベース（キャリア）としてポリイ
ミドのごとき高価な樹脂を用い、このベースは最終的に
は大部分が除去されるものであったので、材料の無駄が
多く、これがコスト低減を阻む要因となるという問題も
あった。
上に形成するので、例えばインナーリード上或いはアウ
ターリード上に接合用の金属を電解メッキする場合、リ
ード間が絶縁されているので、各リードに電解メッキの
ための電位を付与するためだけの回路を形成し、電解メ
ッキ後その回路を除去する必要があり、その回路を形成
するための余分なスペースを設ける必要があるだけでな
く、工数が多くなり、コスト増を招くという問題があっ
た。第３に、リードのベース（キャリア）としてポリイ
ミドのごとき高価な樹脂を用い、このベースは最終的に
は大部分が除去されるものであったので、材料の無駄が
多く、これがコスト低減を阻む要因となるという問題も
あった。
【０００６】第４に、ＴＡＢテープはツールツーツール
によるテープキャリア生産方式で製造されるので、少品
種大量生産には向くが、最近重要性が高まっている多品
種小量生産には不向きであり、しかも、設備の規格によ
りＴＡＢテープの大きさ、特に幅が制約され、延いては
回路パターンにも制約があるので、これから増えようと
する多様なニーズに応えることが難しいという問題もあ
った。
によるテープキャリア生産方式で製造されるので、少品
種大量生産には向くが、最近重要性が高まっている多品
種小量生産には不向きであり、しかも、設備の規格によ
りＴＡＢテープの大きさ、特に幅が制約され、延いては
回路パターンにも制約があるので、これから増えようと
する多様なニーズに応えることが難しいという問題もあ
った。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、リードのファインパターン化が容易
で、リードにインナーリードボンディング性等のために
電解メッキが必要となる場合におけるその電解メッキを
特別な配線或いは回路形成を要することなく行うことが
でき、高価な樹脂材料の無駄をなくすことができ、しか
も製造設備による規格の制約を受けることなくリードパ
ターン等の設計をすることができる新規なリードフレー
ムの製造方法を提供することを目的とする。
されたものであり、リードのファインパターン化が容易
で、リードにインナーリードボンディング性等のために
電解メッキが必要となる場合におけるその電解メッキを
特別な配線或いは回路形成を要することなく行うことが
でき、高価な樹脂材料の無駄をなくすことができ、しか
も製造設備による規格の制約を受けることなくリードパ
ターン等の設計をすることができる新規なリードフレー
ムの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１のリードフレー
ムの製造方法は、リード形成用基板の表面にエッチング
ストップ膜を介してリードを形成する工程と、該リード
形成用基板の両面に選択的にエッチングマスク膜を形成
して表裏両面からエッチングすることによりホールを形
成すると共に、リード形成用基板のリード形成領域に対
応する部分を薄くする工程と、該リード形成用基板の表
面に、デバイスホールとそれより外側に位置するアウタ
ーリードボンディング用スリットを有するリード保持膜
を貼り付ける工程と、該リード形成用基板のリード形成
領域に対応する薄くされた部分を裏面からの選択的エッ
チングにより除去する工程と、上記エッチングストップ
膜をエッチングにより除去する工程と、を有することを
特徴とする。
ムの製造方法は、リード形成用基板の表面にエッチング
ストップ膜を介してリードを形成する工程と、該リード
形成用基板の両面に選択的にエッチングマスク膜を形成
して表裏両面からエッチングすることによりホールを形
成すると共に、リード形成用基板のリード形成領域に対
応する部分を薄くする工程と、該リード形成用基板の表
面に、デバイスホールとそれより外側に位置するアウタ
ーリードボンディング用スリットを有するリード保持膜
を貼り付ける工程と、該リード形成用基板のリード形成
領域に対応する薄くされた部分を裏面からの選択的エッ
チングにより除去する工程と、上記エッチングストップ
膜をエッチングにより除去する工程と、を有することを
特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１のリードフレームの製造方法によれ
ば、リードをリード形成用基板上に形成されたエッチン
グストップ膜上に形成するので、リードの下地が剛性を
有する金属となり、薄くて緻密な膜質のリードの形成が
容易となり、しかもエッチングストップ膜を通じて全リ
ードに電解メッキに必要な電位の付与ができる。従っ
て、各リードに電解メッキのための電位を付与するため
の特別な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メッ
キ法を駆使した選択メッキによりファインパターンのリ
ードの形成ができる。また、インナーリードボンディン
グのボンディング性を良くする等のためにリードにメッ
キをする必要がある場合におけるそのメッキもやはり電
解メッキにより簡単に行うことができる。
ば、リードをリード形成用基板上に形成されたエッチン
グストップ膜上に形成するので、リードの下地が剛性を
有する金属となり、薄くて緻密な膜質のリードの形成が
容易となり、しかもエッチングストップ膜を通じて全リ
ードに電解メッキに必要な電位の付与ができる。従っ
て、各リードに電解メッキのための電位を付与するため
の特別な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メッ
キ法を駆使した選択メッキによりファインパターンのリ
ードの形成ができる。また、インナーリードボンディン
グのボンディング性を良くする等のためにリードにメッ
キをする必要がある場合におけるそのメッキもやはり電
解メッキにより簡単に行うことができる。
【００１０】そして、製造の便宜のために必要なスプロ
ケットホール或いは変形防止に必要なスリット状ホール
等のホールはリード形成用基板両面からの選択的エッチ
ング工程により形成することができ、普通のＴＡＢテー
プと同じように作業性良く製造を進めることができる。
また、リード保持膜は少なくとも現在の技術では例えば
ポリイミドのごとき高価な樹脂を用いざるを得ないが、
しかし、リード保持膜の貼り付けは最終的に必要となる
所定のパターンに成形したリード保持膜を用意してお
き、それを貼り付けることにより行い、貼り付けたリー
ド保持膜を後で無駄に除去することはなく、高価な材料
の大きな無駄をなくすことができ、延いてはリードフレ
ームの低価格化を図ることが可能となる。
ケットホール或いは変形防止に必要なスリット状ホール
等のホールはリード形成用基板両面からの選択的エッチ
ング工程により形成することができ、普通のＴＡＢテー
プと同じように作業性良く製造を進めることができる。
また、リード保持膜は少なくとも現在の技術では例えば
ポリイミドのごとき高価な樹脂を用いざるを得ないが、
しかし、リード保持膜の貼り付けは最終的に必要となる
所定のパターンに成形したリード保持膜を用意してお
き、それを貼り付けることにより行い、貼り付けたリー
ド保持膜を後で無駄に除去することはなく、高価な材料
の大きな無駄をなくすことができ、延いてはリードフレ
ームの低価格化を図ることが可能となる。
【００１１】また、リード保持膜のデバイスホールの外
側にボンディング用スリットを設けたので、インナーリ
ードボンディング、即ち、リードのインナーリードと半
導体チップの電極とのボンディングと、樹脂封止を終了
した後において必要となるアウターリードボンディン
グ、即ちリードのアウターリードの実装基板の配線への
ボンディングは、そのボンディング用スリットを通して
ボンディングツールをアウターリードの上にあてて実装
基板の配線に押さえることにより行うことができ、リー
ドフレームの実装基板への接続が容易である。尚、この
アウターリードボンディングの終了後、アウターリード
のボンディング部より外側はリード保持膜と共にカット
されるが、カットされるリード保持膜の量は少なく、大
きな無駄にはならない。そして、本リードフレームの製
造方法においては、ツールツーツールによるテープキャ
リア生産方式を用いないので、最近重要性が高まってい
る多品種小量生産に最適であり、しかも、設備の規格に
より大きさ、特に幅が制約されたり、回路パターンが制
約されたりすることがなく、これから増えようとする多
様なニーズに柔軟に応えることができる。
側にボンディング用スリットを設けたので、インナーリ
ードボンディング、即ち、リードのインナーリードと半
導体チップの電極とのボンディングと、樹脂封止を終了
した後において必要となるアウターリードボンディン
グ、即ちリードのアウターリードの実装基板の配線への
ボンディングは、そのボンディング用スリットを通して
ボンディングツールをアウターリードの上にあてて実装
基板の配線に押さえることにより行うことができ、リー
ドフレームの実装基板への接続が容易である。尚、この
アウターリードボンディングの終了後、アウターリード
のボンディング部より外側はリード保持膜と共にカット
されるが、カットされるリード保持膜の量は少なく、大
きな無駄にはならない。そして、本リードフレームの製
造方法においては、ツールツーツールによるテープキャ
リア生産方式を用いないので、最近重要性が高まってい
る多品種小量生産に最適であり、しかも、設備の規格に
より大きさ、特に幅が制約されたり、回路パターンが制
約されたりすることがなく、これから増えようとする多
様なニーズに柔軟に応えることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明リードフレーム
の製造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図であ
る。 （Ａ）図１（Ａ）に示すように、三層構造のベース１を
用意する。該ベース１は、例えば銅からなる厚さ例えば
１５０μｍのリード形成用基板２の表面に例えばアルミ
ニウムからなる厚さ例えば３μｍのエッチングストップ
膜２を、更に該エッチングストップ膜２の表面に厚さ例
えば２μｍ程度の薄い金属、例えば銅からなるメッキ下
地膜４を積層してなるものである。尚、リード形成用基
板２は自身がリードとはならず最終的には必要でなくな
るが、しかし非常に薄いリードを形成するにあたって基
板としてその後もフレームとして過度的に必要なもので
ある。
明する。図１（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明リードフレーム
の製造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図であ
る。 （Ａ）図１（Ａ）に示すように、三層構造のベース１を
用意する。該ベース１は、例えば銅からなる厚さ例えば
１５０μｍのリード形成用基板２の表面に例えばアルミ
ニウムからなる厚さ例えば３μｍのエッチングストップ
膜２を、更に該エッチングストップ膜２の表面に厚さ例
えば２μｍ程度の薄い金属、例えば銅からなるメッキ下
地膜４を積層してなるものである。尚、リード形成用基
板２は自身がリードとはならず最終的には必要でなくな
るが、しかし非常に薄いリードを形成するにあたって基
板としてその後もフレームとして過度的に必要なもので
ある。
【００１３】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、ベ
ース１の裏面（反メッキ下地膜４側の面）を全面的に、
表面を選択的にレジスト膜（ドライフィルム或いは液状
のレジスト）５で覆い、その状態で例えば銅を電解メッ
キすることにより厚さ例えば３０μｍ程度のリード６を
形成する。尚、いわずもがななことであるが、ベース１
の表面を覆うレジスト膜５のパターンは形成すべきリー
ドのパターンに対してネガのパターンである。このよう
に形成されるリード３はＴＡＢテープタイプのリードフ
レームに比較して極めてファインパターン化を図ること
ができる。
ース１の裏面（反メッキ下地膜４側の面）を全面的に、
表面を選択的にレジスト膜（ドライフィルム或いは液状
のレジスト）５で覆い、その状態で例えば銅を電解メッ
キすることにより厚さ例えば３０μｍ程度のリード６を
形成する。尚、いわずもがななことであるが、ベース１
の表面を覆うレジスト膜５のパターンは形成すべきリー
ドのパターンに対してネガのパターンである。このよう
に形成されるリード３はＴＡＢテープタイプのリードフ
レームに比較して極めてファインパターン化を図ること
ができる。
【００１４】というのは、リード６をエッチングストッ
プ膜３上のメッキ下地膜４上に形成するので、リード６
の下地が剛性を有する金属となり、薄くて緻密な膜質の
リードの形成が容易となり、しかも電解メッキ法を駆使
した選択メッキ法によりリードの形成を行うので、選択
エッチング法におけるようなサイドエッチングの生じる
おそれがないからである。そして、エッチングストップ
膜３、メッキ下地層４及びリード形成用基板２を通じて
全リードに電解メッキに必要な電位の付与ができるの
で、各リードに電解メッキのための電位を付与するため
の特別な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メッ
キ法を駆使した選択メッキによりファインパターンのリ
ードの形成ができる。これが本リードフレームの製造方
法の従来のＴＡＢテープタイプのリードフレームの製造
方法に対する最も優れた利点の一つである。尚、リード
３上にインナーリードボンディング或いはアウターリー
ドボンディングのボンディング性を良くするためにメッ
キを施す必要がある場合には、リード３形成に引き続い
てそのメッキを例えば電解メッキにより行う。すると、
やはり、電解メッキのための電位を付与するための特別
な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メッキ法を
駆使した選択メッキを行うことができる。
プ膜３上のメッキ下地膜４上に形成するので、リード６
の下地が剛性を有する金属となり、薄くて緻密な膜質の
リードの形成が容易となり、しかも電解メッキ法を駆使
した選択メッキ法によりリードの形成を行うので、選択
エッチング法におけるようなサイドエッチングの生じる
おそれがないからである。そして、エッチングストップ
膜３、メッキ下地層４及びリード形成用基板２を通じて
全リードに電解メッキに必要な電位の付与ができるの
で、各リードに電解メッキのための電位を付与するため
の特別な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メッ
キ法を駆使した選択メッキによりファインパターンのリ
ードの形成ができる。これが本リードフレームの製造方
法の従来のＴＡＢテープタイプのリードフレームの製造
方法に対する最も優れた利点の一つである。尚、リード
３上にインナーリードボンディング或いはアウターリー
ドボンディングのボンディング性を良くするためにメッ
キを施す必要がある場合には、リード３形成に引き続い
てそのメッキを例えば電解メッキにより行う。すると、
やはり、電解メッキのための電位を付与するための特別
な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メッキ法を
駆使した選択メッキを行うことができる。
【００１５】（Ｃ）次に、上記レジスト膜５を除去し、
その後、フレーム１の両面に選択的にレジスト膜（例え
ばドライフィルム）７を形成し、該レジスト膜７をマス
クとしてフレーム１の両面からエッチングすることによ
り、スプロケットホール或いはリード変形防止用のスリ
ット状ホール等のホール８を形成すると共に、リード形
成用基板２裏面のリード形成領域と対応する部分を凹部
９にしてリード形成用基板２の該部の厚さを薄くする。
従って、表側のレジスト膜７はホール８を形成すべき部
分以外を覆うパターンに、裏側のレジスト膜７はホール
８と、リード形成領域に対応する部分が露出し、それ以
外の部分を覆うパターンに形成される。図１（Ｃ）はそ
のエッチング時の状態を示す。尚、このエッチングは、
銅に対してもアルミニウムに対してもエッチング性を有
する塩化第２鉄系のエッチング液を用いて行い、エッチ
ング厚さはベース１の厚さの約２分の１にし、ホール８
が貫通孔になるようにしなければならない。
その後、フレーム１の両面に選択的にレジスト膜（例え
ばドライフィルム）７を形成し、該レジスト膜７をマス
クとしてフレーム１の両面からエッチングすることによ
り、スプロケットホール或いはリード変形防止用のスリ
ット状ホール等のホール８を形成すると共に、リード形
成用基板２裏面のリード形成領域と対応する部分を凹部
９にしてリード形成用基板２の該部の厚さを薄くする。
従って、表側のレジスト膜７はホール８を形成すべき部
分以外を覆うパターンに、裏側のレジスト膜７はホール
８と、リード形成領域に対応する部分が露出し、それ以
外の部分を覆うパターンに形成される。図１（Ｃ）はそ
のエッチング時の状態を示す。尚、このエッチングは、
銅に対してもアルミニウムに対してもエッチング性を有
する塩化第２鉄系のエッチング液を用いて行い、エッチ
ング厚さはベース１の厚さの約２分の１にし、ホール８
が貫通孔になるようにしなければならない。
【００１６】（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、ベ
ース１のリード３が形成された領域上に例えばポリイミ
ドからなるリード保持膜１０を貼り付ける。該リード保
持膜１０はデバイスホール１１と、その外側に位置する
ボンディング用スリット１２を有する。その貼り付け後
のリードフレームを上から視ると、リード６のインナー
リード６ｉが上記デバイスホールから内側に食み出しア
ウターリード６ｏが上記アウターリードボンディング用
スリット１１をよぎっている。このリード保持膜１０は
リードフレームの不要部分が除去され各リード３間が電
気的に独立しても各リード３間の位置関係を保持するた
めのもので、最終的には、ＴＡＢテープにおけるキャリ
アテープに相当する役割を担う。
ース１のリード３が形成された領域上に例えばポリイミ
ドからなるリード保持膜１０を貼り付ける。該リード保
持膜１０はデバイスホール１１と、その外側に位置する
ボンディング用スリット１２を有する。その貼り付け後
のリードフレームを上から視ると、リード６のインナー
リード６ｉが上記デバイスホールから内側に食み出しア
ウターリード６ｏが上記アウターリードボンディング用
スリット１１をよぎっている。このリード保持膜１０は
リードフレームの不要部分が除去され各リード３間が電
気的に独立しても各リード３間の位置関係を保持するた
めのもので、最終的には、ＴＡＢテープにおけるキャリ
アテープに相当する役割を担う。
【００１７】（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、ベ
ース１の表面を全面的に、裏面を選択的にレジスト膜１
３で覆い、その状態でリード形成用基板２のリード形成
領域に対応する部分、即ち、上記凹部９をエッチングす
ることによりリード形成領域のエッチングストップ膜３
より裏側に存在する銅２を完全に除去し、エッチングス
トップ膜３の裏面を露出させる。これは各リード６間が
エッチングストップ膜３により電気的につながった状態
をなくすためのエッチングストップ膜３のエッチングを
行うことができる状態をつくるために行うものである。
このエッチングは、アルミニウムからなるエッチングス
トップ膜３がエッチングストッパとして機能してリード
３をエッチングから護ることができるように、過酸化水
素と硫酸の混合水溶液（混合比は例えば過酸化水素８
％、硫酸１０％）を用いて行う。
ース１の表面を全面的に、裏面を選択的にレジスト膜１
３で覆い、その状態でリード形成用基板２のリード形成
領域に対応する部分、即ち、上記凹部９をエッチングす
ることによりリード形成領域のエッチングストップ膜３
より裏側に存在する銅２を完全に除去し、エッチングス
トップ膜３の裏面を露出させる。これは各リード６間が
エッチングストップ膜３により電気的につながった状態
をなくすためのエッチングストップ膜３のエッチングを
行うことができる状態をつくるために行うものである。
このエッチングは、アルミニウムからなるエッチングス
トップ膜３がエッチングストッパとして機能してリード
３をエッチングから護ることができるように、過酸化水
素と硫酸の混合水溶液（混合比は例えば過酸化水素８
％、硫酸１０％）を用いて行う。
【００１８】（Ｆ）次に、アルミニウムエッチング用エ
ッチング液を用いてアルミニウムからなるエッチングス
トップ膜３をエッチングにより除去し、更に、銅エッチ
ング用エッチング液を用いて銅からなるメッキ下地層４
を除去する。これにより、各リード３はそれぞれ電気的
に他から独立した状態で例えばポリイミドからなるリー
ド保持膜１０により保持された状態になり、リードフレ
ームが完成する。
ッチング液を用いてアルミニウムからなるエッチングス
トップ膜３をエッチングにより除去し、更に、銅エッチ
ング用エッチング液を用いて銅からなるメッキ下地層４
を除去する。これにより、各リード３はそれぞれ電気的
に他から独立した状態で例えばポリイミドからなるリー
ド保持膜１０により保持された状態になり、リードフレ
ームが完成する。
【００１９】このようなリードフレームの製造方法によ
れば、前述のようにリード３のファインパターン化が容
易であり、また、リード３へのメッキも必要に応じて電
解メッキにより非常に簡単に行うことができる。そし
て、製造の便宜のために必要なスプロケットホール或い
は変形防止に必要なスリット状ホール等のホール８はベ
ース１両面からの選択的エッチングにより形成すること
ができ、普通のＴＡＢテープと同じように作業性良く製
造を進めることができる。また、リード保持膜１０はポ
リイミドのごとき高価な樹脂を用いているが、しかし、
最終的に必要となる所定のパターンに成形したリード保
持膜を用意しておき、それを貼り付けることにより行
い、貼り付けたリード保持膜１０を後で無駄に除去する
ことはなく、高価な材料の大きな無駄をなくすことがで
き、延いてはリードフレームの低価格化を図ることが可
能となる。尚、リードフレームの製造途中における量産
の便宜のために必要なフレームの役割はリード形成用基
板２が担う。そして、本リードフレームの製造方法にお
いては、ツールツーツールによるテープキャリア生産方
式を用いないので、最近重要性が高まっている多品種小
量生産に最適であり、しかも、設備の規格により大き
さ、特に幅が制約されたり、回路パターンが制約された
りすることがなく、これから増えようとする多様なニー
ズに柔軟に応えることができる。
れば、前述のようにリード３のファインパターン化が容
易であり、また、リード３へのメッキも必要に応じて電
解メッキにより非常に簡単に行うことができる。そし
て、製造の便宜のために必要なスプロケットホール或い
は変形防止に必要なスリット状ホール等のホール８はベ
ース１両面からの選択的エッチングにより形成すること
ができ、普通のＴＡＢテープと同じように作業性良く製
造を進めることができる。また、リード保持膜１０はポ
リイミドのごとき高価な樹脂を用いているが、しかし、
最終的に必要となる所定のパターンに成形したリード保
持膜を用意しておき、それを貼り付けることにより行
い、貼り付けたリード保持膜１０を後で無駄に除去する
ことはなく、高価な材料の大きな無駄をなくすことがで
き、延いてはリードフレームの低価格化を図ることが可
能となる。尚、リードフレームの製造途中における量産
の便宜のために必要なフレームの役割はリード形成用基
板２が担う。そして、本リードフレームの製造方法にお
いては、ツールツーツールによるテープキャリア生産方
式を用いないので、最近重要性が高まっている多品種小
量生産に最適であり、しかも、設備の規格により大き
さ、特に幅が制約されたり、回路パターンが制約された
りすることがなく、これから増えようとする多様なニー
ズに柔軟に応えることができる。
【００２０】また、リード保持膜１０のデバイスホール
１１の外側にボンディング用スリット１２を設けたの
で、インナーリードボンディング、即ち、リードのイン
ナーリードと半導体チップの電極とのボンディングと、
樹脂封止を終了した後において必要となるアウターリー
ドボンディング、即ちリードのアウターリードの実装基
板の配線へのボンディングは、そのボンディング用スリ
ットを通してボンディングツールをアウターリードの上
にあてて実装基板の配線に押さえることにより行うこと
ができ、リードフレームの実装基板への接続が容易であ
る。尚、このアウターリードボンディングの終了後、ア
ウターリードのボンディング部の外側はリード保持膜と
共にカットされるが、カットされるリード保持膜の量は
少なく、大きな無駄にはならない。これ等の点について
は、次に述べる実装の説明において明確にされる。
１１の外側にボンディング用スリット１２を設けたの
で、インナーリードボンディング、即ち、リードのイン
ナーリードと半導体チップの電極とのボンディングと、
樹脂封止を終了した後において必要となるアウターリー
ドボンディング、即ちリードのアウターリードの実装基
板の配線へのボンディングは、そのボンディング用スリ
ットを通してボンディングツールをアウターリードの上
にあてて実装基板の配線に押さえることにより行うこと
ができ、リードフレームの実装基板への接続が容易であ
る。尚、このアウターリードボンディングの終了後、ア
ウターリードのボンディング部の外側はリード保持膜と
共にカットされるが、カットされるリード保持膜の量は
少なく、大きな無駄にはならない。これ等の点について
は、次に述べる実装の説明において明確にされる。
【００２１】図２（Ａ）乃至（Ｃ）は上記リードフレー
ムについての実装工程を工程順に示す断面図である。 （Ａ）図１に示した方法で製造されたリードフレーム
を、図２（Ａ）に示すように、半導体チップ１４にイン
ナーリードボンディング、即ち、リード６のインナーリ
ード６ｉと半導体チップ１４の電極との接合を行う。こ
の接合はボンディングツールをデバイスホール１１に通
してインナーリード６ｉに当ててこれを半導体チップ１
４の電極に押圧して行う。 （Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、樹脂１５で例え
ばポッティングにより封止をする。
ムについての実装工程を工程順に示す断面図である。 （Ａ）図１に示した方法で製造されたリードフレーム
を、図２（Ａ）に示すように、半導体チップ１４にイン
ナーリードボンディング、即ち、リード６のインナーリ
ード６ｉと半導体チップ１４の電極との接合を行う。こ
の接合はボンディングツールをデバイスホール１１に通
してインナーリード６ｉに当ててこれを半導体チップ１
４の電極に押圧して行う。 （Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、樹脂１５で例え
ばポッティングにより封止をする。
【００２２】（Ｃ）次に、リードフレームのアウターリ
ード６ｏをプリント実装基板１６の配線膜１７に接合、
即ちアウターリードボンディングし、その後、そのリー
ドフレームを接合部の外側においてカットし、カットさ
れたリードフレームの外側部分を除去する。図２（Ｃ）
はその除去後の状態を示す。尚、このアウターリードボ
ンディングは、ボンディング用スリット１２にボンディ
ングツール１８を通し、これをアウターリード６ｏに当
ててプリント実装基板１６の配線膜１７に押圧すること
により行う。そして、カットするまで、エッチングスト
ップ膜２の残存部分がリードフレームのフレームとして
の役割を果たし続け、アウターリードボンディング後カ
ットにより除去されて役割を終える。このとき、ポリイ
ミドからなるリード保持膜１０の周縁部も除去されるが
除去量が極めて少ないのでポリイミドの大量の無駄が生
じるおそれはない。
ード６ｏをプリント実装基板１６の配線膜１７に接合、
即ちアウターリードボンディングし、その後、そのリー
ドフレームを接合部の外側においてカットし、カットさ
れたリードフレームの外側部分を除去する。図２（Ｃ）
はその除去後の状態を示す。尚、このアウターリードボ
ンディングは、ボンディング用スリット１２にボンディ
ングツール１８を通し、これをアウターリード６ｏに当
ててプリント実装基板１６の配線膜１７に押圧すること
により行う。そして、カットするまで、エッチングスト
ップ膜２の残存部分がリードフレームのフレームとして
の役割を果たし続け、アウターリードボンディング後カ
ットにより除去されて役割を終える。このとき、ポリイ
ミドからなるリード保持膜１０の周縁部も除去されるが
除去量が極めて少ないのでポリイミドの大量の無駄が生
じるおそれはない。
【００２３】
【発明の効果】請求項１のリードフレームの製造方法に
よれば、リードをリード形成用基板上に形成されたエッ
チングストップ膜上に形成するので、リードの下地が剛
性を有する金属となり、薄くて緻密な膜質のリードの形
成が容易となり、しかもエッチングストップ膜を通じて
全リードに電解メッキに必要な電位の付与ができる。従
って、各リードに電解メッキのための電位を付与するた
めの特別な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メ
ッキ法を駆使した選択メッキによりファインパターンの
リードの形成ができる。また、インナーリードボンディ
ングのボンディング性を良くする等のためにリードにメ
ッキをする必要がある場合におけるそのメッキもやはり
電解メッキにより簡単に行うことができる。
よれば、リードをリード形成用基板上に形成されたエッ
チングストップ膜上に形成するので、リードの下地が剛
性を有する金属となり、薄くて緻密な膜質のリードの形
成が容易となり、しかもエッチングストップ膜を通じて
全リードに電解メッキに必要な電位の付与ができる。従
って、各リードに電解メッキのための電位を付与するた
めの特別な回路の形成或いは配線を行うことなく電解メ
ッキ法を駆使した選択メッキによりファインパターンの
リードの形成ができる。また、インナーリードボンディ
ングのボンディング性を良くする等のためにリードにメ
ッキをする必要がある場合におけるそのメッキもやはり
電解メッキにより簡単に行うことができる。
【００２４】そして、製造の便宜のために必要なスプロ
ケットホール或いは変形防止に必要なスリット状ホール
等のホールはリード形成用基板両面からの選択的エッチ
ング工程により形成することができ、普通のＴＡＢテー
プタイプのものと同じように作業性良く製造を進めるこ
とができる。また、リード保持膜は少なくとも現在の技
術では例えばポリイミドのごとき高価な樹脂を用いざる
を得ないが、しかし、リード保持膜の貼り付けは最終的
に必要となる所定のパターンに成形したリード保持膜を
用意しておき、それを貼り付けることにより行い、貼り
付けたリード保持膜を後で無駄に除去することはなく、
高価な材料の大きな無駄をなくすことができ、延いては
リードフレームの低価格化を図ることが可能となる。
ケットホール或いは変形防止に必要なスリット状ホール
等のホールはリード形成用基板両面からの選択的エッチ
ング工程により形成することができ、普通のＴＡＢテー
プタイプのものと同じように作業性良く製造を進めるこ
とができる。また、リード保持膜は少なくとも現在の技
術では例えばポリイミドのごとき高価な樹脂を用いざる
を得ないが、しかし、リード保持膜の貼り付けは最終的
に必要となる所定のパターンに成形したリード保持膜を
用意しておき、それを貼り付けることにより行い、貼り
付けたリード保持膜を後で無駄に除去することはなく、
高価な材料の大きな無駄をなくすことができ、延いては
リードフレームの低価格化を図ることが可能となる。
【００２５】また、リード保持膜のデバイスホールの外
側にボンディング用スリットを設けたので、インナーリ
ードボンディング、即ち、リードのインナーリードと半
導体チップの電極とのボンディングと、樹脂封止を終了
した後において必要となるアウターリードボンディン
グ、即ちリードのアウターリードの実装基板の配線への
ボンディングは、そのボンディング用スリットを通して
ボンディングツールをアウターリードの上にあてて実装
基板の配線に押さえることにより行うことができ、リー
ドフレームの実装基板への接続が容易である。尚、この
アウターリードボンディングの終了後、アウターリード
のボンディング部の外側はリード保持膜と共にカットさ
れるが、カットされるリード保持膜の量は少なく、大き
な無駄にはならない。そして、本リードフレームの製造
方法においては、ツールツーツールによるテープキャリ
ア生産方式を用いないので、最近重要性が高まっている
多品種小量生産に最適であり、しかも、設備の規格によ
り大きさ、特に幅が制約されたり、回路パターンが制約
されたりすることがなく、これから増えようとする多様
なニーズに柔軟に応えることができる。
側にボンディング用スリットを設けたので、インナーリ
ードボンディング、即ち、リードのインナーリードと半
導体チップの電極とのボンディングと、樹脂封止を終了
した後において必要となるアウターリードボンディン
グ、即ちリードのアウターリードの実装基板の配線への
ボンディングは、そのボンディング用スリットを通して
ボンディングツールをアウターリードの上にあてて実装
基板の配線に押さえることにより行うことができ、リー
ドフレームの実装基板への接続が容易である。尚、この
アウターリードボンディングの終了後、アウターリード
のボンディング部の外側はリード保持膜と共にカットさ
れるが、カットされるリード保持膜の量は少なく、大き
な無駄にはならない。そして、本リードフレームの製造
方法においては、ツールツーツールによるテープキャリ
ア生産方式を用いないので、最近重要性が高まっている
多品種小量生産に最適であり、しかも、設備の規格によ
り大きさ、特に幅が制約されたり、回路パターンが制約
されたりすることがなく、これから増えようとする多様
なニーズに柔軟に応えることができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明リードフレームの製
造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
造方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示した方法で製造さ
れたリードフレームについての実装工程を工程順に示す
断面図である。
れたリードフレームについての実装工程を工程順に示す
断面図である。
２ リード形成用基板（銅基板） ３ エッチングストップ膜（アルミニウム膜） ６ リード ６ｉ インナーリード ６ｏ アウターリード ８ ホール １０ リード保持膜 １１ デバイスホール １２ ボンディング用スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−87539（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208860（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129490（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−152478（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−268148（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/60
Claims (1)
- 【請求項１】 金属からなるリード形成用基板の表面に
エッチングストップ膜を介して多数のリードを形成する
工程と、 上記リード形成用基板の上記リードが形成された表面側
にリード形成領域を覆いホールを形成すべき部分を露出
させるエッチングマスク膜を、裏面に少なくともリード
形成領域及び上記ホールを形成すべき部分を露出させフ
レームとなる部分を覆うエッチングマスク膜を形成した
状態で、該リード形成用基板を表裏両面からエッチング
することによりホールを形成すると共に、リード形成用
基板のリード形成領域に対応する部分を薄くする工程
と、 上記リード形成用基板の表面に、デバイスホールとそれ
より外側に位置するアウターリードボンディング用スリ
ットを有し絶縁材料からなるリード保持膜を、上から視
て上記リードのインナーリードが上記デバイスホールか
ら内側に食み出しアウターリードが上記アウターリード
ボンディング用スリットをよぎるようなリードに対する
位置関係で貼り付ける工程と、 上記リード形成用基板のリード形成領域に対応する薄く
された部分を裏面からの選択的エッチングにより除去す
る工程と、 上記エッチングストップ膜をエッチングにより除去する
工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの製造方法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6314168A JP2861841B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | リードフレームの製造方法 |
| US08/730,782 US5901436A (en) | 1994-11-22 | 1996-10-16 | Method of manufacturing lead frame |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6314168A JP2861841B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | リードフレームの製造方法 |
| US08/730,782 US5901436A (en) | 1994-11-22 | 1996-10-16 | Method of manufacturing lead frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148625A JPH08148625A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2861841B2 true JP2861841B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=26567844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6314168A Expired - Fee Related JP2861841B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5901436A (ja) |
| JP (1) | JP2861841B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG60099A1 (en) * | 1996-08-16 | 1999-02-22 | Sony Corp | Semiconductor package and manufacturing method of lead frame |
| JP3003624B2 (ja) * | 1997-05-27 | 2000-01-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US6495394B1 (en) | 1999-02-16 | 2002-12-17 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. | Chip package and method for manufacturing the same |
| US6249053B1 (en) * | 1998-02-16 | 2001-06-19 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. | Chip package and method for manufacturing the same |
| KR20000071383A (ko) * | 1999-02-26 | 2000-11-25 | 마쯔노고오지 | 배선층 전사용 복합재와 그 제조방법 및 장치 |
| US6782610B1 (en) * | 1999-05-21 | 2004-08-31 | North Corporation | Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base |
| JP3973340B2 (ja) * | 1999-10-05 | 2007-09-12 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法 |
| JP4794714B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
| CN102224586B (zh) * | 2008-09-25 | 2013-12-11 | Lg伊诺特有限公司 | 多行引线框架和半导体封装的结构和制造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260168A (en) * | 1989-10-13 | 1993-11-09 | The Foxboro Company | Application specific tape automated bonding |
| JP2797542B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1998-09-17 | ソニー株式会社 | リードフレームの製造方法 |
| JP2753746B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1998-05-20 | 日本メクトロン株式会社 | Ｉｃ搭載用可撓性回路基板及びその製造法 |
| US5258330A (en) * | 1990-09-24 | 1993-11-02 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
| US5148265A (en) * | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
| JPH0752744B2 (ja) * | 1991-04-04 | 1995-06-05 | チッソ株式会社 | リ−ド強度のすぐれたフィルムキャリアの製造方法 |
| JP3044872B2 (ja) * | 1991-09-25 | 2000-05-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| DE69218344T2 (de) * | 1991-11-29 | 1997-10-23 | Hitachi Chemical Co Ltd | Herstellungsverfahren für eine gedruckte Schaltung |
| JP2856061B2 (ja) * | 1994-01-19 | 1999-02-10 | ソニー株式会社 | リードフレームとその製造方法 |
| DE69527473T2 (de) * | 1994-05-09 | 2003-03-20 | Nec Corp | Halbleiteranordnung bestehend aus einem Halbleiterchip, der mittels Kontakthöckern auf der Leiterplatte verbunden ist und Montageverfahren |
| JP2833996B2 (ja) * | 1994-05-25 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | フレキシブルフィルム及びこれを有する半導体装置 |
| US5656550A (en) * | 1994-08-24 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Method of producing a semicondutor device having a lead portion with outer connecting terminal |
| US5679194A (en) * | 1995-05-04 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Fabrication of leads on semiconductor connection components |
-
1994
- 1994-11-22 JP JP6314168A patent/JP2861841B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-16 US US08/730,782 patent/US5901436A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5901436A (en) | 1999-05-11 |
| JPH08148625A (ja) | 1996-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |