JP2753746B2 - Ｉｃ搭載用可撓性回路基板及びその製造法 - Google Patents

Ｉｃ搭載用可撓性回路基板及びその製造法

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Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明はICベアチップを可撓性回路基板に対して直接
的に実装可能に構成したIC搭載用可撓性回路基板の製造
法に関する。更に具体的には、本発明は好ましくは無接
着剤可撓性導電積層板を用いて構成した可撓性回路基板
の絶縁基材に穿孔を形成し、この穿孔部にメッキ手段で
突起状接合用導電部を形成し、該突起状接合用導電部に
よりICベアチップのパッドと電気的な接続を図るように
構成したIC搭載用可撓性回路基板の製造法に関する。
「従来の技術」 接合バンプを用いてICベアチップを回路基板に実装す
る方法として、第10図（１）及び（２）の如くICベアチ
ップ１のボンディングパッド２側に形成したバンプ３又
はチップキャリアテープ４側のリードフィンガー５に形
成したバンプ６を用いて熱融着又は超音波ボンディンブ
で接続するタブ方式は公知であり、また、第11図のよう
にICベアチップ１側に形成したバンプ３と回路基板７の
導体パターン８とを半田で接続するフリップチップ方式
も提案されており、斯かるフリップチップ方式の場合に
は、図の如く半田流れ防止ダム９を導体パターン８側に
設けるのが一般的である。
「発明が解決しようとする課題」 上記に於いてタブ方式の場合、ICベアチップ１側にバ
ンプ３を形成する第10図（１）の手法は多数の工程を要
し、コスト高となる。そこで、リードフィンガー５の先
端に同図（２）のようにバンプ６を転写する方法も採用
されつつあるが、この手法ではバンプ製作の為の専用治
具のほか、転写ボンディング工程が必要であって、その
上、高密度化にも限度がある。そして、この両手法では
リードフィンガー５の支持体はないので、その機械的強
度は弱く、また、それらリードフィンガー５の間には絶
縁体がないことから、ボンディング用パッド２を千鳥状
に配置することも不可能であり、更に、リードフィンガ
ー５の突出構造により該フィンガー５は変形し易く、
Ｘ、Ｙ、Ｚ方向とも位置精度を保持することは困難であ
る。
一方、第11図のフリップチップ方式の場合には上記同
様ICベアチップ１側にバンプ３を形成するので、これに
は多数の工程を要し、コスト高となる他、回路基板７の
パッド周辺に対し半田流れ防止ダム９を形成する必要が
あってコスト高となり、且つ高密度化を図る上でも限界
がある。
「課題を解決するための手段」 本発明はそこで、可撓性回路基板を貫通してその回路
配線パターンと電気的に導通化したバンプ用突起部を該
可撓性回路基板の裏面に突出形成し、このバンプ用突起
部の構成に応じてその突起部の表面に接合用金属を被覆
形成し得るように構成したIC搭載用可撓性回路基板を製
作し、この可撓性回路基板の上記バンプ用突起部に対し
てICベアチップを熱融着法又は超音波ボンディング等の
手段で簡便に実装できるように構成したIC搭載用可撓性
回路基板の製造法を提供するものである。
その為に本発明のIC搭載用可撓性回路基板によれば、
好ましくは可撓性絶縁基材と導電層との間に接着剤層の
ない片面又は両面の無接着剤可撓性導電積層板を使用
し、その絶縁基材の一方面に形成した所要の回路配線パ
ターンの所要部位に達するように上記絶縁基材に穿孔を
設け、この穿孔は上記回路配線パターンの所要の部位と
電気的に接合されたメッキ部材からなる導電性部材を備
え、この導電性部材は上記絶縁基材の他方面から突出し
てICボンディングの為のバンプとして機能するICパッド
接合用突起部を形成するように構成したものである。
導電性部材で構成した斯かるICパッド接合用突起部は
ICパッドの配設態様に応じて任意千鳥状の配置も容易で
あって、該接合用突起部はその全部を金、錫、鉛・錫合
金等からなるICパッドに対する接合容易な導電性メッキ
部材で形成できる他、先ず銅メッキ部材で構成してバン
プに該当する先端突出部に上記の如きICパッドとの接合
容易な導電性メッキ部材を被覆するように構成すること
も可能であり、更には穿孔内部を銅メッキ部材で構成す
ると共にバンプ相当部位を該銅メッキ部材に被着した半
田部材で構成することも好適である。
上記の如きIC搭載用可撓性回路基板は種々の手法で製
作できるものであって、無接着剤片面型可撓性導電積層
板を使用する場合には、先ず絶縁基材側から導電層に達
する穿孔を形成したうえ、メッキ手段で該穿孔に充填し
た導電性部材により一端が上記導電層に密着し他端が該
絶縁基材から突出するICパッド接合用突起部を形成した
後、該接合用突起部との関連に於いて上記導電層に対し
て所要の回路配線パターンニング処理を施すという基本
的な各工程からなる手法を採用できる。また、無接着剤
両面型可撓性導電積層板を用いる場合には、その両導電
層の一方面に対して所要の回路配線パターンニング処理
を施すと共に該導電層の他方面に対し上記絶縁基材から
上記回路配線パターンの所要の部位に達する穿孔を形成
する為に必要な導電層除去部を形成し、該除去部に現れ
た上記絶縁基材部分に上記穿孔を形成し、次に該穿孔側
に残された不要な導電層を除去した後、メッキ手段で上
記穿孔に充填した導電性部材により一端が上記回路配線
パターンの所要の部位に密着すると共に他端が上記絶縁
基材から突出するICパッド接合用突起部を形成する基本
的な各工程を採用できる。
同様に、無接着剤両面型可撓性導電積層板を用いる場
合に於いて、その両導電層の一方面に所要の回路配線パ
ターンに対応したレジストパターンを形成し、上記導電
層の他方面には上記絶縁基材から上記回路配線パターン
に該当する導電層の所要部位に達する穿孔を形成する為
に必要な導電層除去部を形成し、該除去部に現れた上記
絶縁基材部分に上記穿孔を形成し、次に該穿孔側に残さ
れた不要な導電層を除去した後、メッキ手段で上記穿孔
に充填した導電性部材によって一端が上記回路配線パタ
ーンに該当する導電層の所要の部位に密着すると共に他
端が上記絶縁基材から突出するICパッド接合用突起部を
形成し、最後に上記レジストパターンを用いて所要の回
路配線パターンニング処理を行なうような基本的な各工
程の採用も好適である。
上記各手法に於いて、既述のICパッド接合用突起部を
形成する為には各種工程の付加又は変更をなし得るもの
で、これらは以下に詳述される。
「実施例」 第１図〜第３図を参照すると、本発明に従って構成さ
れたIC搭載用可撓性回路基板の概念的な要部断面構成図
が示されており、同図に於いて、１及び２は記述したIC
ベアチップとそのボンディングパッドを示し、このICペ
アチップ１は該パッド２を介して本発明に係るIC搭載用
可撓性回路基板10に実装可能な如く、この可撓性回路基
板10は好ましくはポリイミドフィルムの如きポリマー基
材からなる可撓性絶縁基材11と、該絶縁基材11の一方面
に被着形成した所要の回路配線パターン12と、この回路
配線パターン12のうち所定端部に於いて絶縁基材11の接
合部位で電気的に密着接合され且つその絶縁基材11を貫
通してICベアチップ１のボンディングパッド２に突出す
べく形成したICパッド接合用突起部13とを具備すべく構
成されている。斯かるICパッド接合用突起部13は第１図
のように整列した態様のものに限らず、ICベアチップ１
のボンディングパッド２の配置形態に応じて第２図の如
くICパッド接合用突起部13を千鳥状に配置する構成も任
意に採用自在である。また、このようなIC搭載用可撓性
回路基板10に対して第３図の如くICパッド接合用突起部
13が突出している側に他の回路配線パターン14を適宜形
成し、これら表裏両回路配線パターン12、14の所要箇所
を常法によるスルーホール導通部15で接続して両面型IC
搭載用可撓性回路基板10を構成することも可能である。
上記ICパッド接合用突起部13は第４図（１）〜（３）
の如く各種態様で構成できる。即ち、同図（１）の構造
ではこの接合用突起部13Aの全部を金、錫又は鉛・錫合
金等のICパッド２に対する接合容易な導電性部材で構成
した実施例を示し、また、同図（２）の場合では接合用
突起部13Bを銅メッキ部材で形成した上、その突出外面
に上記同様に金、錫又は鉛・錫合金等の導電性部材によ
る被着層13Cを設けてICパッド接合用突起部を構成した
ものである。更に、同図（３）の構造の如く絶縁基材11
を貫通する導電部分13Dを先ず銅メッキ部材で形成する
一方、突起部分はリフロー可能な半田クリーム又は半田
ボールで形成するか或いはディップ半田の当該部に対す
る付着による半田部材13Eで形成してICパッド接合用突
起部を構成した実施例を示す。
斯かるICパッド接合用突起部13は図の如くその突出端
を断面半円弧状に構成するのが好ましく、また、ICベア
チップ１に対するボンディング性を好適に確保可能な構
造として、後述の如く絶縁基材11と回路配線パターン1
2、14との間には接着剤層を介在させない形態が適当で
ある。ICパッド接合用突起部13はいずれにしても、可撓
性絶縁基材11により好適に支持された構造であって、そ
の位置精度や機械的強度を確保しながら高密度な配装形
態を簡便に構成できる。
このようなIC搭載用可撓性回路基板の製品は本発明に
従った種々の手法で製作可能であって、第５図及び第６
図はその一方の製造工程図を示す。即ち、第５図の手法
では同図（１）の如くポリイミドフィルムで代表的なイ
ミド系ポリマーからなる可撓性絶縁基材11の一方面に接
着剤層の介在なしに銅箔等の導電層12Aを一様に被着し
て構成される無接着剤可撓性片面導電積層板を準備す
る。このような無接着剤片面導電積層板は例えば所要の
厚さの銅箔等の導電層12Aに対する絶縁基材11の為のフ
ィルム部材のキャスティング手段若しくは上記の如きフ
ィルム絶縁基材11に対する導電部材のスパッタリングや
イオン蒸着等の手法によって第一の導電層を形成した
後、この導電層上にメッキ手段で第二の導電層を厚付し
て構成することが出来る。
この無接着剤可撓性片面導電積層板の絶縁基材11に対
しては同図（２）に示す如くその外面から導電層12Aに
達する穿孔16をエキシマレーザ手段若しくは強アルカリ
水溶液やヒドラジン等を使用する化学的樹脂エッチング
手段で例えば直径約50μｍ〜100μｍ程度の大きさに穿
設し、斯かる貫通穿設手段で以下に形成すべく回路配線
パターンの位置との関連に於いて絶縁基材11の側から導
電層12Aの所定領域を露出させた後、導電層12Aにマスキ
ング処理を施すか又は施すことなく電解メッキ手段で導
電部材としてICパッドとの接合容易な金、錫又は鉛・錫
合金等からなる導電性メッキ部材を穿孔16に充填処理
し、以って同図（３）の如き一端が導電層12Aに密着接
合すると共に他端が絶縁基材11面から適度に突出するIC
パッド接合用突起部13Aを形成することが出来る。この
接合用突起部13Aの形成工程後には、上記突起部13Aをマ
スクするか又はすることなくこの突起部13Aとの位置関
係に於いて常法でのフォトエッチングに従ったパターン
ニング処理を導電層12Aに施して同図（４）に示すよう
な所要の回路配線パターン12を適宜形成し、以って第４
図（１）で既述の構造に係るIC搭載用可撓性回路基板を
製作できることとなる。
上記の手法の於いて、穿孔16に対する導電性部材の充
填工程を第６図（３）の如く銅メッキ手段で処理して接
合用突起部13Bを形成する場合には、前記と同様な回路
配線パターンニング工程後に同図（５）のとおり銅メッ
キ部材で形成した接合用突起部13Bの外部突出面に対し
てICパッドとの接合容易な金、錫又は鉛・錫合金等から
なる導電性部材をメッキして被着層13Cを形成すること
により、第４図（２）に示すIC搭載用可撓性回路基板の
構造を得ることが出来る。更に、この手法に於いて、第
６図（３）での穿孔16に対する導電性部材の充填工程の
際、銅メッキ部材を穿孔16内に施して該部に導電部分13
Dを形成するように変更し、次いでこの導電部分13Dの露
出面にリフロー可能な半田クリームか半田ボールの付着
処理を施すか或いはディップ半田処理を加えることによ
ってICパッドに接合の容易な導電性突起部13Eを付設し
たICパッド接合用突起部の構造を得ることが出来る。
一方、本発明に係るIC搭載用可撓性回路基板を製造す
るに際して、絶縁基材に形成すべき導電部材充填用穿孔
処理を更に好適に施す手法として既述のイミド系ポリマ
ーからなるフィルム状絶縁基材の両面に接着剤層の介在
なしに所要の導電層を備える無接着剤可撓性両面導電積
層板を用いる製造法もまた好適である。第７図はその一
方による製造工程図であって、同図（１）の如く上記同
様の絶縁基材11の一方面に例えば35μｍ程度の厚い導電
層12Aを有し他方面には２μｍ前後の薄い導電層12Bを有
する無接着剤可撓性両面導電積層板を準備し、先ず厚い
導電層12Aの側には回路配線パターンの為の所要の回路
配線用レジストパターン17を形成すると共に同図（２）
の如く薄い導電層12Bの側に対して以下の穿孔を設ける
為に必要な穿孔用レジストパターン18をフォトレジスト
剤の使用による露光・現像処理で上記レジストパターン
17と同時に形成する。フォトレジスト剤は各種のものを
使用できるが、上記の実施例と同様にドライフォトレジ
ストフィルムの形態のものが好適である。また、このよ
うなフォトレジスト剤としてアルカリ可溶性のものを使
用すると、上記同様に以下の穿孔工程で化学的樹脂エッ
チング手段を採用する場合にはその穿孔処理と同時にこ
れらの両レジストパターン17、18の剥離処理を行うこと
も可能である。
次いで、同図（３）の如く、回路配線用レジストパタ
ーン17側の厚い導電層12Aの露出部分と穿孔用レジスト
パターン18の側に露出する薄い導電層12Bの部位とを同
時にエッチング除去して絶縁基材11の一方面に回路配線
パターン12を、またその他方面に穿孔用導電層除去部19
を各々形成した段階で、強アルカリ水溶液又はヒドラジ
ン等の使用による化学的樹脂エッチング手段か若しくは
エキシマレーザ手段で同図（４）に示すように薄い導電
層12Bをマスク部材の如く機能させながら絶縁基材11に
穿孔16を形成する。
そこで、上記両レジストパターン17、18を剥離した
後、同図（５）の如く薄い導電層12Bの全部をエッチン
グ除去する。そして、終段工程として形成済み回路配線
パターン12側を適宜マスキング処理して第４図（１）〜
（３）で説明した手法の採用により穿孔16に対する電気
メッキ手段でICパッド接合用突起部13を同図（６）のと
おり形成してIC搭載用可撓性回路基板を得ることが出来
る。
ここで、第７図（１）の如き無接着剤可撓性両面導電
積層板を用いながら第８図の実施例に示すように錫、
鉛、錫ニッケル合金又は金等の耐エッチング導電性部材
のメッキ手段でメタルレジストパターンを形成して所要
の回路配線パターンを構成するように工程を変更するこ
とも好適であって、この手法の場合には、厚い導電層12
A側に於ける回路配線パターンの形成部位以外の領域に
同図（２）の如くエッチングレジストパターン17Aを形
成すると共に薄い導電層12B側には上記同様の穿孔用レ
ジストパターン18を各々露光・現像工程で形成した後、
同図（３）のとおり薄い導電層12Bの穿孔該当露出部を
適宜マスク処理して厚い導電層12A上に露出する所要の
回路配線パターンに応じた領域に既述の錫、鉛、錫ニッ
ケル合金又は金等の部材の使用による電気メッキ手段で
耐エッチング導電性部材としてのメタルレジストパター
ン20を形成する。爾後、上記で説明した実施例に於ける
工程の変更に従って同図（４）〜（８）の如く薄い導電
層12Bに対して施す穿孔用導電層除去部19の形成処理工
程、絶縁基材11に対する穿孔16の形成穿設工程、厚い導
電層12A側に対するマスキング処理を伴う薄い導電層12B
の除去処理と穿孔16を用いたICパッド接合用突起部13の
メッキ形成処理工程を順次的に施した後、最後に回路配
線パターン12の為のパターンニング処理工程を行うこと
により、同図（８）の如く耐エッチング導電性部材とし
てのメタルレジストパターン20により上面が被覆された
所要の回路配線パターン12と上記実施例同様にその端部
裏面部位で電気的に接合され絶縁基材11を貫通してその
外面側に突出するICパッド接合用突起部13を備えたIC搭
載用可撓性回路基板を製作することが可能となる。
一方、第８図の製造法に於いて、回路配線パターン12
の為のメタルレジストパターン20を設けることなく第７
図の工程の一部を変更しながら行なう手法も可能であ
り、第９図の製造工程図はその一例を示す。即ち、上記
実施例同様に無接着剤可撓性両面導電積層板の両面にそ
れぞれプロテクトフィルム21、22を一様に付着させた状
態のドライフォトレジストフィルムを被着し、その各面
に対して露光処理を加えて第７図（２）と同様に回路配
線用レジストパターン17と穿孔用レジストパターン18と
を第９図（２）の如く形成する。この露光工程により、
未露光領域17A、18Aは、各々のプロテクトフィルム21、
22により保持された状態であるから、先ず穿孔用レジス
トパターン18側のプロテクトフィルム22のみを取去り現
像処理による未露光領域18Aの除去後、以下、同図
（３）〜（７）に示すように既述の工程と同様の手法に
従った穿孔用導電層のエッチング除去処理での導電層除
去部19の形成工程及び穿孔用レジストパターン18の剥離
除去処理の工程を施し、次いで絶縁基材11に対する穿孔
16の穿設処理、メッキ手段によるICパッド接合用突起部
13の形成工程を順次的に終了した段階で、終段の同図
（６）〜（７）の工程に示す如くマスク手段としてのプ
ロテクトフィルム21の排除と現像処理を伴う回路配線パ
ターンニング処理で所要の回路配線パターン12を形成
し、最後にICパッドの為の接合用突起部13の形成処理工
程を施すことによって、第７図と同様な構造を備えたIC
搭載用可撓性回路基板を得ることが出来る。
上記各製法実施例に於いては、無接着剤タイプの可撓
性片面或いは両面の導電積層板を使用して所要の回路配
線パターンの形成工程の前後に於いて既述の態様からな
るICパッド接合用突起部の各種形成手法を説明したが、
斯かる導電積層板の使用に代えて、好ましくは耐熱性の
良好な可撓性絶縁基材の少なくとも一方面に所要の回路
配線パターンを導電性部材のアディティブ法で適宜形成
した後、絶縁基材に対する樹脂エッチング手段やレーザ
穿設手法の穿孔処理工程を伴う上記の如き態様によるIC
パッド接合用突起部の各種形成法も用途等に応じて採用
できる。また、ICパッド接合用突起部の形成処理工程に
際しその突起部の構成に応じた整形処理の付加や、搭載
すべきICベアチップの形態等に対応させた各種の変更若
しくは追加の工程を配慮することが出来る。
「発明の効果」 バンプとして機能するICパッド接合用突起部は絶縁基
材に埋設されてその先端部が外部に突出した状態で絶縁
基材に支持されているので、機械的強度に優れた位置精
度の高いICパッド接合用突起部を形成することが可能で
ある。
このようなICパッド接合用突起部は千鳥状の配置を含
む種々の態様で多数箇所に任意形成することも容易であ
って、高密度ICに対しても好適に対応できる。
従来のフリップチップ方式の如き半田流れ防止用ダム
の付設は本発明に従ったIC搭載用可撓性回路基板の場合
には不要である。
また、従来のタブ方式で必要な転写バンプの為の転写
工程が不要であって、製品の低コスト化を図れる。
本発明により形成されるICパッド接合用突起部を半田
部材で構成する場合には、この突起部を更に安価に形成
可能である。
無接着剤タイプの可撓性導電積層板を使用するので、
化学的樹脂エッチング法若しくはエキシマレーザ手段の
採用によりICパッド接合用突起部の為の微小な穿孔の形
成が可能であり、又、ICボンディング処理時の耐熱性に
優れたIC搭載用可撓性回路基板を製作できる。
可撓性両面型の導電積層板を使用する場合でも所要の
露光処理を両面同時に行なえるので、回路配線パターン
とICパッド接合用突起部との精密な位置合せを簡便に行
なうことができ、従って、回路配線パターンとICパッド
接合用突起部との高密度化を好適に達成可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に従ってICパッド接合用突起
部を備えるように構成したIC搭載用可撓性回路基板の概
念的な断面構成図、 第２図は同じく千鳥状配置のICパッド接合用突起部を備
えるように構成した本発明の他の実施例に従ったIC搭載
用可撓性回路基板の概念的な断面構成図、 第３図は両面に回路配線パターンを有する形態にICパッ
ド接合用突起部を備させるように構成した本発明の更に
他の実施例に従ったIC搭載用可撓性回路基板の概念的な
断面構成図、 第４図（１）〜（３）は本発明によって構成されたICパ
ッド接合用突起部の各種要部断面構成図、 第５図（１）〜（４）は可撓性片面型の導電積層板を用
いて実施した本発明のIC搭載用可撓性回路基板の一実施
例による製造工程図、 第６図（１）〜（５）は同じく他の実施例に従ったIC搭
載用可撓性回路基板の製造工程図、 第７図（１）〜（６）は可撓性両面型の導電積層板を用
いて実施した本発明のIC搭載用可撓性回路基板の一実施
例による製造工程図、 第８図（１）〜（８）は回路配線パターン形成処理に際
してメタルレジストパターンを併用する他の実施例に従
ったIC搭載用可撓性回路基板の製造工程図、 第９図は同じくプロテクトフィルム付きドライフォトレ
ジストフィルムを用いた実施例の場合の同様な本発明の
製造工程図、 第10図（１）及び（２）は従前のタブ方式によるIC搭載
手法の説明図、そして、 第11図は同じく従来のフリップチップ方式に従ったIC搭
載手法の説明図である。 10:可撓性回路基板 11:可撓性絶縁基材 12:回路配線パターン 12A:厚い導電層 12B:薄い導電層 13:ICパッド接合用突起部 14:裏面の回路配線パターン 15:スルーホール導通部 16:突起部形成用穿孔 17:レジストパターン 18:レジストパターン 19:穿孔用導電層除去部 20:メタルレジストパターン 21:プロテクトフィルム 22:プロテクトフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−10476（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−90568（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−12575（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−128132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−69057（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−144768（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−9578（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】可撓性絶縁基材の両面に導電層を備えると
    共に該可撓性絶縁基材と各導電層との間に接着剤層のな
    い無接着剤可撓性両面導電積層板を用意し、上記両導電
    層の一方面には所要の回路配線パターンニング処理を施
    すと共に該導電層の他方面には上記絶縁基材から上記回
    路配線パターンの所要の部位に達する穿孔を形成する為
    に必要な導電層除去部を形成し、この除去部に現れた上
    記絶縁基材部分に上記穿孔を形成し、次いで該穿孔側に
    残された不要な導電層を除去した後、メッキ手段で上記
    穿孔に充填した導電性部材によって一端が上記回路配線
    パターンの所要部位に密着すると共に他端が上記絶縁基
    材から突出するICパッドの為の接合用突起部を形成する
    ことを特徴とするIC搭載用可撓性回路基板の製造法。
  2. 【請求項２】可撓性絶縁基材の両面に導電層を備えると
    共に該可撓性絶縁基材と各導電層との間に接着剤層のな
    い無接着剤可撓性両面導電積層板を用意し、上記両導電
    層の一方面には所要の回路配線パターンに対応したレジ
    ストパターンを形成し、上記導電層の他方面には上記絶
    縁基材から上記回路配線パターンに該当する導電層の所
    要部位に達する穿孔を形成する為に必要な導電層除去部
    を形成し、この除去部に現れた上記絶縁基材部分に上記
    穿孔を形成し、次に該穿孔側に残された不要な導電層を
    除去した後、メッキ手段で上記穿孔に充填した導電性部
    材によって一端が上記回路配線パターンに該当する導電
    層の所要部位に密着すると共に他端が上記絶縁基材から
    突出するICパッド接合用突起部を形成し、次いで上記レ
    ジストパターンを用いて所要の回路配線パターンニング
    処理を施すことを特徴とするIC搭載用可撓性回路基板の
    製造法。
  3. 【請求項３】前記レジストパターンを耐エッチング導電
    性部材で形成する請求項（２）のIC搭載用可撓性回路基
    板の製造法。
  4. 【請求項４】前記レジストパターンをエッチングレジス
    ト部材で形成する請求項（２）のIC搭載用可撓性回路基
    板の製造法。
  5. 【請求項５】前記エッチングレジスト部材を、プロテク
    トフィルム付ドライフォトレジストフィルムの使用によ
    り形成する請求項（４）のIC搭載用可撓性回路基板の製
    造法。
  6. 【請求項６】前記回路配線パターン形成側の導電層を厚
    く形成し、また、上記他の導電層を薄く形成する請求項
    （１）〜（４）のいずれかに記載のIC搭載用可撓性回路
    基板の製造法。
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