JP2003258147A - 配線基板及びその製造方法、電子部品並びに電子機器 - Google Patents

配線基板及びその製造方法、電子部品並びに電子機器

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JP2003258147A JP2002053615A JP2002053615A JP2003258147A JP 2003258147 A JP2003258147 A JP 2003258147A JP 2002053615 A JP2002053615 A JP 2002053615A JP 2002053615 A JP2002053615 A JP 2002053615A JP 2003258147 A JP2003258147 A JP 2003258147A
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land
wiring board
wiring
protective film
substrate
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Hideki Yuzawa
秀樹 湯澤
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線の断線を防止するとともに基板上の保護
膜の剥離を防止することにある。 【解決手段】 配線基板１０は、ランド２２及びランド
２２に接続するライン２８からなる配線２０と、配線２
０を支持する基板１２と、基板１２に設けられ開口部４
２を有する保護膜４０と、を含み、ランド２２は、ライ
ン２８との接続部２６を含む部分であって保護膜４０に
覆われてなる第１の部分２３と、開口部４２から露出す
る第２の部分２４と、を含み、少なくともランド２２の
第１の部分２３に、基板１２を露出する穴３０が形成さ
れてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板及びその
製造方法、電子部品並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体チップをテープに実装するＣＯＦ
（Chip On Film）実装が知られている。テープには配線
が形成されるとともに、配線を覆う保護膜（例えばソル
ダレジスト）が形成されている。配線の端子は、ライン
よりも幅の大きいランドになっている。そして、保護膜
は、ラインと、ランドにおけるラインとの接続部と、を
覆って保護するとともに、接続部を避けたランドの一部
を開口している。すなわち、保護膜の端部（開口端部）
の少なくとも一部が、ランド上に設けられている。
【０００３】しかしながら、保護膜（絶縁材料）とラン
ド（金属）とは密着力が弱いため、両者の剥離が生じや
すかった。特に、保護膜を形成した後、ランドの露出部
にメッキ処理を施すと、保護膜とランドとの界面にメッ
キ液が染み込むことによって、保護膜が剥離することが
あった。保護膜が剥離すると、露出した配線によって、
マイグレーションや酸化などが起こり、半導体装置の信
頼性を損なうことがあった。
【０００４】本発明は、上述した課題を解決するための
ものであり、その目的は、配線の断線を防止するととも
に基板上の保護膜の剥離を防止することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る配線
基板は、基板と、前記基板の上に設けられ、ランド及び
前記ランドに接続するラインからなる配線と、前記基板
と前記配線との上に設けられ、開口部を有する保護膜
と、を含み、前記ランドは、前記ラインとの接続部を含
む部分であって前記保護膜に覆われてなる第１の部分
と、前記開口部から露出する第２の部分と、を含み、少
なくとも前記ランドの前記第１の部分に、前記基板を露
出する穴が形成されてなる。
【０００６】本発明によれば、保護膜で覆われたランド
の第１の部分に、基板を露出する穴が形成されている。
これによって、ランドの領域内で、保護膜の材料が基板
に密着するので、保護膜と基板との接着力が向上する。
したがって、基板上、ランド上の保護膜の剥離を防止す
ることができる。
【０００７】さらに、保護膜は、少なくともランドにお
けるラインとの接続部を覆っているので、熱ストレスな
どで配線が断線するのを防止することができる。
【０００８】（２）この配線基板において、前記保護膜
の端部の少なくとも一部は、前記ランドの上に設けられ
ており、少なくとも前記保護膜の端部が設けられた部分
における前記ランドの幅は、前記ランドと前記ラインの
接続部における前記ラインの幅よりも大きい。
【０００９】（３）この配線基板において、前記穴は、
前記第１の部分のみに形成されてもよい。
【００１０】これによれば、第２の部分には基板を露出
する穴が形成されていない。第２の部分は、端子として
使用される領域である。そのため、接合領域を大きくす
ることができる。例えば、ロウ材を設ける領域を大きく
することができる。
【００１１】（４）この配線基板において、前記穴は、
前記第１及び第２の部分に形成されてもよい。
【００１２】これによれば、第２の部分にも基板を露出
する穴が形成されている。これによって、例えば、第２
の部分に設けられるメッキ液が第１の部分に進行するの
を、穴によって防止することができる。
【００１３】（５）この配線基板において、前記穴は、
前記第１の部分から前記第２の部分に連通してもよい。
【００１４】（６）この配線基板において、前記穴は、
前記第２の部分の方向に延びるスリットであってもよ
い。
【００１５】（７）この配線基板において、前記穴は、
複数形成されてもよい。
【００１６】これによって、保護膜の材料がランドに凹
凸にかみ合うので、さらに効果的に、基板上の保護膜の
剥離を防止することができる。
【００１７】（８）この配線基板において、複数の前記
穴は、前記第１及び第２の部分の境界線と平行な方向に
並んでもよい。
【００１８】（９）この配線基板において、前記第２の
部分には、メッキ処理による金属皮膜が形成されてもよ
い。
【００１９】これによれば、メッキ液が第１の部分に進
行しにくくなっているので、保護膜と基板との剥離を防
止することができる。
【００２０】（１０）この配線基板において、前記配線
は、少なくとも銅で形成され、前記金属皮膜は、金で形
成されてもよい。
【００２１】（１１）この配線基板において、前記基板
は、フレキシブル基板であってもよい。
【００２２】（１２）本発明に係る電子部品は、上記配
線基板と、前記ランドの前記第２の部分と電気的に接続
する端子を有し、前記配線基板に実装されてなる電子素
子と、を含む。
【００２３】（１３）この電子部品において、前記電子
素子は、半導体チップであり、前記半導体チップは、前
記端子としてのバンプを有してもよい。
【００２４】（１４）本発明に係る電子機器は、上記電
子部品を有する。
【００２５】（１５）本発明に係る配線基板の製造方法
は、基板に、ランド及び前記ランドに接続するラインか
らなる配線を形成する工程と、前記ランドに、前記基板
を露出する穴を形成する工程と、開口部を有する保護膜
を形成することによって、前記ランドに、前記ラインと
の接続部及び前記穴の少なくとも一部を含む部分であっ
て前記保護膜に覆われてなる第１の部分と、前記開口部
から露出する第２の部分と、を設ける工程と、を含む。
【００２６】本発明によれば、ランドの第１の部分に、
基板を露出する穴を形成する。これによって、ランドの
領域内で、保護膜の材料が基板に密着するので、保護膜
と基板との接着力が向上する。したがって、基板上の保
護膜の剥離を防止することができるため、例えば、後の
工程でメッキ処理を施す際に、メッキ液が第１の部分に
進行することを防ぐことができる。
【００２７】さらに、保護膜は、少なくともランドにお
けるラインとの接続部を覆っているので、例えば、後の
工程で熱処理を施す際に、熱ストレスなどで配線が断線
するのを防止することができる。
【００２８】（１６）この配線基板の製造方法におい
て、前記配線となる導電膜に開口を有するレジストを設
け、前記レジストをマスクとして、前記導電膜の前記開
口から露出する部分をエッチングすることによって、前
記穴を形成してもよい。
【００２９】これによって、簡単に穴を形成することが
できる。
【００３０】（１７）この配線基板の製造方法におい
て、前記穴を形成する工程を、前記配線を形成する工程
と同時に行ってもよい。
【００３１】これによって、少ない工程で製造すること
ができる。
【００３２】（１８）この配線基板の製造方法におい
て、前記保護膜を形成する工程後に、前記ランドの前記
第２の部分にメッキ処理を施すことをさらに含んでもよ
い。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の
実施の形態に限定されるものではない。
【００３４】（配線基板）図１（Ａ）〜図４は、本実施
の形態に係る配線基板を説明する図である。図１（Ａ）
は、配線基板の部分拡大図であり、図１（Ｂ）は、図１
（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線断面図である。なお、図２〜図４
は、本実施の形態の変形例を示す図である。配線基板
（又は回路基板）１０は、基板１２と、配線２０と、保
護膜４０と、を含む。
【００３５】基板１２は、有機系（例えばエポキシ基
板）、無機系（例えばセラミック基板、ガラス基板）又
はそれらの複合構造（例えばガラスエポキシ基板）から
なるものであってもよく、材料は限定されない。図１
（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す例では、基板１２は、フレ
キシブル基板（可撓性基板）である。フレキシブル基板
として、例えば、ポリエステル基板やポリイミド基板な
どが挙げられる。基板１２は、ＣＯＦ（Chip On Film）
用基板やＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板であ
ってもよい。
【００３６】基板１２には、複数の配線２０が形成され
ている。すなわち、配線２０は、基板１２によって支持
されている。配線２０は、図１（Ｂ）に示すように、基
板１２の一方の面に形成されてもよく、あるいは両方の
面に形成されてもよい。配線２０とは、少なくとも２点
の電気的な接続を図る部分を指し、独立して形成された
複数の配線２０を配線パターンと称してもよい。配線２
０は、単一層（例えば銅層）で構成されてもよく、複数
層（例えば銅層及びニッケル層など）で構成されてもよ
い。
【００３７】配線２０は、ランド（パッド）２２及びラ
ンド２２に接続するライン２８からなる。ランド２２
は、電子素子との電気的な接続を図るための端子であ
り、ライン２８は、ランド２２に信号を供給するための
信号線である。なお、図１（Ａ）に示す例では、ランド
２２は、表面実装用の端子である。変形例として、ラン
ド２２は貫通穴を有する挿入実装用の端子（図示しな
い）であってもよい。
【００３８】ランド２２は、三角形、矩形又は多角形な
どの角形状（角部が丸くなっている形状も含む）をなし
てもよく、あるいは円形状をなしてもよい。図１（Ａ）
に示す例では、ランド２２は、矩形（詳しくは長方形）
をなしている。そして、ランド２２の端部にはライン２
８が接続されている。ライン２８は、ランド２２の辺の
中間部（図１（Ａ）では辺の中央部）に接続されてもよ
いし、ランド２２の角部に接続されてもよい。
【００３９】１つのランド２２に、１つのライン２８が
接続されることが多いが、１つのランド２２に、複数の
ライン２８が接続されてもよい。あるいは、１つのライ
ン２８が複数本に分岐して、それら複数本の分岐部（図
示しない）が１つのランド２２に接続されてもよい。あ
るいは、ライン２８が他の部分よりも幅の大きい補強部
（図示しない）を有し、該補強部とランド２２とが接続
されてもよい。これによれば、ランド２２とライン２８
との間の断線を防止することができる。
【００４０】ランド２２の幅は、ライン２８の幅よりも
大きい。図１（Ａ）に示す例でいえば、保護膜４０の端
部（開口端部）うち少なくとも一部はランド２２上に設
けられるが、少なくとも保護膜４０の端部が設けられた
部分におけるランド２２の幅は、ランド２２とライン２
８との接続部におけるライン２８の幅よりも大きくても
よい。ここで、ライン２８の幅とはライン２８の延びる
方向と直交方向の長さであり、ランド２２の幅とはライ
ン２８の幅と同一方向の長さをいう。ランド２２を設け
ることで、ライン２８を細くすることができる。したが
って、基板１２上での配線２０の引き回しの自由度を向
上させることができる。
【００４１】保護膜４０は、絶縁性を有する材料（例え
ば樹脂）で形成される。保護膜４０は、開口部４２を有
する。開口部４２は、ランド２２の一部（詳しくは第２
の部分２４）を露出する。開口部４２は、１つのランド
２２の第２の部分２４を露出してもよいし、複数のラン
ド２２の第２の部分２４を露出してもよい。図１（Ａ）
に示す例では、開口部４２は、基板１２の一部も露出す
る。保護膜４０は、ライン２８を覆うことが好ましい。
こうすることで、ライン２８の断線を防止することがで
きる。保護膜４０は、開口部４２を除いて、基板１０上
にも設けられる。本実施の形態では、保護膜４０は、ロ
ウ材を選択的に設けるためのソルダレジストである。保
護膜４０は、最終製品（半導体装置）として配線基板１
０上に残るので、所望の耐熱性などを有する材質を選択
することが好ましい。
【００４２】ランド２２は、第１及び第２の部分２３、
２４からなる。第１の部分２３は、ランド２２における
ライン２８との接続部２６を含む。すなわち、第１の部
分２３は、ランド２２におけるライン２８側の基端部で
ある。第１の部分２３は、保護膜４０に覆われている。
第２の部分２４は、第１の部分２３を除く残りの部分で
ある。すなわち、第２の部分２４は、ランド２２の先端
部である。第２の部分２４は、保護膜４０の開口部４２
から露出している。
【００４３】第１の部分２３の大きさ（面積又は長さ）
は、第２の部分２４の大きさとほぼ同じであってもよ
い。あるいは、第１の部分２３の大きさは、第２の部分
２４よりも大きくてもよい。これによれば、保護膜４０
でランド２２を覆う領域を大きくすることができるの
で、ランド２２の剥離を防止するとともに、配線２０の
断線を防止することができる。あるいは、第１の部分２
３の大きさは、第２の部分２４よりも小さくてもよい。
これによれば、ランド２２における露出領域を大きくす
ることができるので、後述するように、基板１２に実装
される半導体チップ５０や電子素子の端子との接合領域
を大きくすることができる。例えば、ロウ材を良好に設
けることができる。
【００４４】ランド２２には、１つ又は複数の穴３０が
形成されている。穴３０は、基板１２を露出する貫通穴
である。穴３０は、少なくともランド２２の第１の部分
２３に形成される。
【００４５】図１（Ａ）に示す例では、複数（例えば３
つ）の穴３０が形成されている。複数の穴３０は、第１
及び第２の部分２３、２４に形成されてもよい。こうす
ることで、例えば、第２の部分２４にメッキ処理を施す
場合に、メッキ液が第２の部分２４から第１の部分２３
に進行するのを、穴３０によって防止することができ
る。穴３０の開口面積（又は個数）は、第１の部分２３
の方が第２の部分２４よりも大きい（又は多い）ことが
好ましい。こうすることで、第２の部分２４におけるロ
ウ材を設ける領域を大きくすることができる。
【００４６】穴３０は、第１の部分２３から第２の部分
２４に連通していてもよい。言い換えれば、穴３０は、
第１の部分２３から第２の部分２４に連続的に開口して
いてもよい。穴３０は、第２の部分２４の方向に延び
る、すなわち、第１及び第２の部分２３、２４の境界線
と交差する方向に穴３０の長手方向を有するスリット
（又は長穴）であってもよい。こうすることで、簡単に
第１及び第２の部分２３、２４に渡る穴を形成すること
ができる。そして、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すよ
うに、複数の穴３０は、第１及び第２の部分２３、２４
の境界線と平行な方向に並んでいてもよい。あるいは、
複数の穴３０は、第１及び第２の部分２３、２４の境界
線と交差する方向に並んでもよい。なお、穴３０の形状
は、上述の例に限定されない。
【００４７】ランド２２の第２の部分２４には、金属皮
膜２５が形成されてもよい（図５参照）。金属皮膜２５
は、メッキ処理によって形成される。本実施の形態で
は、ランド２２に穴３０が形成されているため、メッキ
液が第１の部分２３に進行しない又は進行しにくいよう
になっている。すなわち、保護膜４０とランド２２との
間にメッキ液が染み込むのを防止することができる。そ
のため、保護膜４０が基板１２、ランド２２から剥離す
るのを防止することができる。例えば、配線２０の材料
が少なくとも銅を含む場合に、金属皮膜２５は金で形成
されてもよい。金はロウ材に濡れやすい。したがって、
配線２０と他の電子素子とのロウ接合を良好に達成する
ことができる。
【００４８】本実施の形態によれば、保護膜４０で覆わ
れたランド２２の第１の部分２３に、基板１２を露出す
る穴３０が形成されている。これによって、図１（Ｂ）
に示すように、ランド２２の領域内で、保護膜４０の材
料が基板１２に密着するので、保護膜４０と基板１２と
の接着力が向上する。したがって、基板１２上の保護膜
４０の剥離を防止することができる。さらに、保護膜４
０は、少なくともランド２２におけるライン２８との接
続部２６を覆っているので、熱ストレスなどで配線２０
が断線するのを防止することができる。複数の穴３０を
形成することによって、図１（Ｂ）に示すように、保護
膜４０の材料がランド２２に凹凸にかみ合うので、さら
に効果的に、基板１２上の保護膜４０の剥離を防止する
ことができる。
【００４９】本発明は、上述の例に限定されるものでは
なく、以下に示すように様々な変形が可能である。な
お、以下の変形例では、上述に説明した特定事項を可能
な限り適用することができる。
【００５０】図２に示すように、穴３２は、第１の部分
２３のみに形成されてもよい。その場合、穴３２の一部
は、第１及び第２の部分２３、２４の境界線に近い位置
（例えばほぼ接する位置）に設けられることが好まし
い。こうすることで、メッキ液が第２の部分２４から第
１の部分２３に進行するのを防止するとともに、第２の
部分２４におけるロウ材を設けるための領域を大きくす
ることができる。これによれば、第２の部分２４には基
板１２を露出する穴３２が形成されていない。第２の部
分２４は、端子として使用される領域である。そのた
め、ロウ材を設ける領域を大きくすることができる。な
お、穴３２のその他の構成は、上述の穴３０で説明した
通りである。
【００５１】図３に示すように、１つのランド２２に、
１つの穴３４が形成されてもよい。図３に示す例では、
穴３４は、第１及び第２の部分２３、２４に（例えば連
通して）形成されているが、第１の部分２３のみに形成
されてもよい。穴３０の開口形状は、三角形、矩形、多
角形などの角形状又は円形などであってもよく、例えば
ランド２２の形状の相似形であってもよい。
【００５２】図４に示すように、１つのランド２２に、
複数の穴３６が密集して形成されてもよい。複数の穴３
６は、メッシュ状に形成されている。穴３６は、保護膜
４０の材料で埋められる程度の小穴である。図４に示す
例では、穴３６は、第１及び第２の部分２３、２４に形
成されているが、第１の部分２３のみに形成されてもよ
い。穴３６は、円形状の丸穴であってもよく、その形状
は問わない。
【００５３】なお、これらの変形例においても上述の効
果を達成することができる。
【００５４】（半導体装置）図５は、本実施の形態に係
る半導体装置を説明する図である。半導体装置１は、配
線基板１０と、半導体チップ５０と、を含む。さらに、
これらの端子間にロウ材６０（例えばハンダ）を含んで
もよい。
【００５５】半導体チップ５０には、複数のパッド５２
を有する。パッド５２は、集積回路の形成された面側に
形成されることが多い。パッド５２は、アルミニウム系
又は銅系の金属で形成されることが多い。各パッド５２
上には、バンプ５４が形成されることが多い。バンプ５
４は、金バンプであることが多い。金は、ロウ材６０に
濡れやすい。したがって、バンプ５４とランド２２との
ロウ接合を良好に達成することができる。バンプ５４と
ランド２２との接合は、ロウ材による接合に限定され
ず、その他の金属接合、接着材接合等の一般の接合方式
が適用できる。
【００５６】半導体チップ２０は、配線基板１０にフェ
ースダウン実装される。図５に示す例では、バンプ５４
とランド２２（詳しくは第２の部分２４）とは、ロウ接
合によって電気的に接続されている。
【００５７】半導体チップ５０と配線基板１０との間に
樹脂６２が設けられてもよい。樹脂６２は、例えばエポ
キシ系の材料からなるものであってもよい。半導体チッ
プ５０が配線基板１０にフェースダウン実装される場
合、樹脂６２はアンダーフィル材と呼ばれる。樹脂６２
は、保護膜４０と別材料であってもよいし、同一材料で
あってもよい。
【００５８】上述では、配線基板１０の一方の面に半導
体チップ５０が実装された例を示したが、本発明は、配
線基板１０の両面に半導体チップ５０が実装された形態
も含む。その場合、配線基板１０の両面に、配線２０及
び保護膜４０が形成されてもよい。
【００５９】なお、上述の半導体チップに替えて、電子
素子（能動素子又は受動素子）を配線基板１０に表面実
装して、電子部品を製造してもよい。詳しくは、電子素
子は、１つ又は複数の端子を有し、端子とランド２２と
がロウ接合等の接合方式により接合されてもよい。その
場合、端子はバンプであることが好ましい。電子素子
は、例えば抵抗、コンデンサ又は光素子などであっても
よい。
【００６０】（配線基板の製造方法）図６（Ａ）〜図６
（Ｄ）は、本実施の形態に係る配線基板の製造方法を示
す図である。本実施の形態では、基板１２に配線２０及
び穴３０を形成し、保護膜４０を形成する。図６（Ａ）
〜図６（Ｄ）に示す例では、配線２０及び穴３０を同時
に形成する。
【００６１】リール・トゥ・リール搬送の方式を適用し
て、配線基板１０を製造してもよい。その場合、基板１
２はフレキシブル基板である。そして、基板１２は、長
尺状をなし、電気的に独立した複数の配線パターンを形
成できるようになっている。これによれば、製造工程を
流れ作業で行えるので、生産効率が向上し、製造コスト
を削減することができる。
【００６２】図６（Ａ）に示すように、配線２０の材料
となる導電膜１４を基板１２に設ける。その場合、導電
膜１４は、接着材料（図示しない）を介して基板１２に
貼り付けられて、３層基板を構成してもよい。その場
合、本実施の形態で説明するように、フォトリソグラフ
ィを適用した後にエッチングして配線２０を形成しても
よい。変形例として、導電膜１４を、接着剤なしで基板
１２に形成して２層基板を構成してもよい。例えば、ス
パッタリング等によって配線２０を形成してもよいし、
無電解メッキで配線２０を形成するアディティブ法を適
用してもよい。
【００６３】図６（Ｂ）に示すように、導電膜１４上に
感光性のレジスト７０（ポジ型又はネガ型を問わない）
を形成する。レジスト７０は、導電膜１４の全体に設け
た後に、所定の工程（露光及び現像など）を行い選択的
にパターニングする。詳しくは、レジスト７０を、配線
２０を形成する領域に残す。その場合、配線２０とラン
ド２２の穴３０を同時に形成するために、レジスト７０
の開口部７２を、穴３０を形成する領域に配置する。変
形例として、配線２０をパターニングした後に、穴３０
を形成するためのレジストを配線２０上に設けてもよ
い。
【００６４】図６（Ｃ）に示すように、レジスト７０か
ら露出する領域をエッチングする。すなわち、レジスト
７０をマスクとして使用し、配線２０及びランド２２
（詳しくは第１の部分２３）の穴３０を同時に形成す
る。
【００６５】図６（Ｄ）に示すように、保護膜４０を形
成する。保護膜４０のパターニング工程（開口部４２の
形成工程）では、フォトリソグラフィ技術を適用して形
成してもよいし、印刷法又はインクジェット方式を適用
してもよい。
【００６６】その後、ランド２２の第１の部分２３にメ
ッキ処理を施してもよい。例えば、配線基板１０をメッ
キ浴に浸して、保護膜４０の開口部４２から露出する第
１の部分２３に金属皮膜２５を形成する。メッキ処理
は、電気メッキであってもよいし、無電解メッキであっ
てもよい。
【００６７】本実施の形態によれば、ランド２２の第１
の部分２３に、基板１２を露出する穴３０を形成する。
これによって、図６（Ｄ）に示すように、ランド２２の
領域内で、保護膜４０の材料が基板１２に密着するの
で、保護膜４０と基板１２との接着力が向上する。した
がって、基板１２上の保護膜４０の剥離を防止すること
ができる。
【００６８】なお、本実施の形態に係る半導体装置の製
造方法は、上述の配線基板の製造方法を含み、配線基板
１０に半導体チップ５０を搭載する。配線基板１０に
は、１つ又は複数の半導体チップ５０を搭載する。詳細
は、上述の半導体装置において説明した通りである。
【００６９】（電子機器）本発明の実施の形態に係る半
導体装置１又は配線基板１０を有する電子機器として、
図７にはノート型パーソナルコンピュータ１００が示さ
れ、図８には携帯電話２００が示されている。
【００７０】本実施の形態に係る電子機器は、電気光学
装置（図示しない）を有してもよい。電気光学装置は、
表示パネル（例えばガラス基板）に配線基板１０が電気
的に接続されている。電気光学装置は、例えば、液晶装
置、プラズマディスプレイ装置、エレクトロルミネセン
スディスプレイ装置などであって、電気光学物質（液晶
・放電ガス・発光材料など）を有する。
【００７１】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本実施の形態に
係る配線基板を示す図である。
【図２】図２は、本実施の形態の変形例に係る配線基板
を示す図である。
【図３】図３は、本実施の形態の変形例に係る配線基板
を示す図である。
【図４】図４は、本実施の形態の変形例に係る配線基板
を示す図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る半導体装置を示す
図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、本実施の形態に係
る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る電子機器を示す図
である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る電子機器を示す図
である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 １０ 配線基板 １２ 基板 １４ 導電膜 ２０ 配線 ２２ ランド ２３ 第１の部分 ２４ 第２の部分 ２５ 金属皮膜 ２６ 接続部 ２８ ライン ３０ 穴 ３２ 穴 ３４ 穴 ３６ 穴 ４０ 保護膜 ４２ 開口部 ５０ 半導体チップ ５４ バンプ ６０ ロウ材 ６２ 樹脂 ７０ レジスト

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、 前記基板の上に設けられ、ランド及び前記ランドに接続
    するラインを含む配線と、 前記基板と前記配線との上に設けられ、開口部を有する
    保護膜と、 を含み、 前記ランドは、前記ラインとの接続部を含む部分であっ
    て前記保護膜に覆われてなる第１の部分と、前記開口部
    から露出する第２の部分と、を含み、 少なくとも前記ランドの前記第１の部分に、前記基板を
    露出する穴が形成されてなる配線基板。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の配線基板において、 前記保護膜の端部の少なくとも一部は、前記ランドの上
    に設けられており、 少なくとも前記保護膜の端部が設けられた部分における
    前記ランドの幅は、前記ランドと前記ラインの接続部に
    おける前記ラインの幅よりも大きい配線基板。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の配線基板
    において、 前記穴は、前記第１の部分のみに形成されてなる配線基
    板。
  4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の配線基板
    において、 前記穴は、前記第１及び第２の部分に形成されてなる配
    線基板。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の配線基板において、 前記穴は、前記第１の部分から前記第２の部分に連通し
    てなる配線基板。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
    の配線基板において、 前記穴は、前記第２の部分の方向に延びるスリットであ
    る配線基板。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
    の配線基板において、 前記穴は、複数形成されてなる配線基板。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の配線基板において、 複数の前記穴は、前記第１及び第２の部分の境界線と平
    行な方向に並んでなる配線基板。
  9. 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかに記載
    の配線基板において、 前記第２の部分には、メッキ処理による金属皮膜が形成
    されてなる配線基板。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の配線基板において、 前記配線は、少なくとも銅で形成され、 前記金属皮膜は、金で形成されてなる配線基板。
  11. 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
    記載の配線基板において、 前記基板は、フレキシブル基板である配線基板。
  12. 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれかに
    記載の配線基板と、 前記ランドの前記第２の部分と電気的に接続する端子を
    有し、前記配線基板に実装されてなる電子素子と、 を含む電子部品。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の電子部品において、 前記電子素子は、半導体チップであり、 前記半導体チップは、前記端子としてのバンプを有する
    電子部品。
  14. 【請求項１４】 請求項１２又は請求項１３に記載の電
    子部品を有する電子機器。
  15. 【請求項１５】 基板に、ランド及び前記ランドに接続
    するラインからなる配線を形成する工程と、 前記ランドに、前記基板を露出する穴を形成する工程
    と、 開口部を有する保護膜を形成することによって、前記ラ
    ンドに、前記ラインとの接続部及び前記穴の少なくとも
    一部を含む部分であって前記保護膜に覆われてなる第１
    の部分と、前記開口部から露出する第２の部分と、を設
    ける工程と、を含む配線基板の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載の配線基板の製造方法
    において、 前記配線となる導電膜に開口を有するレジストを設け、
    前記レジストをマスクとして、前記導電膜の前記開口か
    ら露出する部分をエッチングすることによって、前記穴
    を形成する配線基板の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１５又は請求項１６に記載の配
    線基板において、 前記穴を形成する工程を、前記配線を形成する工程と同
    時に行う配線基板の製造方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１５から請求項１７のいずれか
    に記載の配線基板において、 前記保護膜を形成する工程後に、前記ランドの前記第２
    の部分にメッキ処理を施すことをさらに含む配線基板の
    製造方法。
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