JPS59200451A - 二層構造よりなるボンデイングパツドを有する混成集積回路基板の製造方法 - Google Patents

二層構造よりなるボンデイングパツドを有する混成集積回路基板の製造方法

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JPS59200451A
JPS59200451A JP7306483A JP7306483A JPS59200451A JP S59200451 A JPS59200451 A JP S59200451A JP 7306483 A JP7306483 A JP 7306483A JP 7306483 A JP7306483 A JP 7306483A JP S59200451 A JPS59200451 A JP S59200451A
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JP
Japan
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plating
resist
gold
nickel
copper foil
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Application number
JP7306483A
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Hideo Hirai
日出夫 平井
Fumio Kato
加藤 文夫
Takashi Shoji
孝志 荘司
Naoaki Oishi
大石 直明
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Niles Parts Co Ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Niles Parts Co Ltd
Showa Denko KK
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Publication date
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Publication of JPS59200451A publication Critical patent/JPS59200451A/ja
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    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は二層構造よりなるボンディング・(ラドを有
する混成集積回路基板の製造方法に関するものでちる。
混成集積回路いわゆる・・イブリッドICは種々の利点
から各種電子機器に多く使用され、その小型化、信頼性
の向上、コストの低減化に寄与している。しかしながら
従来の混成集積回路基板は金細線によるワイヤーボンテ
ィングについて+3)な配慮が々されておらず、従来の
製造法によってはこの金細線によるワイヤーボンディン
グに適する金メッキされた二層構造よシなるボンデイン
グノクツドをこの基板上に形成させることは困難でちっ
た。
従来の混成集積回路基板は次の通シの工程k fh’1
て製造されていた。
アツベ等の金属製の基板1に絶縁性接着剤2を介して銅
箔3を貼着する第1工程(第1図a参照);該銅箔3の
全面にニッケルメッキ4を形成する第2工程(第1図す
参照); 導電路を形成するためのエッチングレジスH−ニッケル
メッキ上に印刷する第3工程(第1図C参照); 露出したニッケルメッキ4及びその下層の銅箔3をエツ
チングして導電路を形成する第4工程(第1図1参照)
; ニッケルメッキの表面のエツチングレジスト5を溶解除
去する第5工程(第1図C参照);ニッケルメッキの表
面の所定場所にニッケルエツチング用レジスト6を印刷
する第6エ程(第1図1参照); ニッケルメッキ40表面からニッケルエツチング用レジ
スト6を溶解除去する第8工程(第1図り参照); 半田レジストγを印刷する第9工程(第1図1参照): そしてこの様にして製造した混成集積回路基板のニッケ
ルメッキの表面をポンディングパッド14、ニッケルメ
ッキされていない銅箔表面を半導体チップ等の回路各素
子の固着部15とし、第2図に示す様に各回路素子の固
着及び各回路素子とは(ンデイングパッドとの間の細線
による接続を行っていた。なおこの第2図中11は半導
体チップ、10は固着用半田、11aはボンディング用
電極、12は接続用の金細線である。
しかしながらこの半導体チップ11のボンディング用電
極11aは低エネルギーによるホンディング作業を可能
にする為、金製のものが圧倒的に多く、その接続には必
然的に金細線を使用しなければならないが、この金細線
はニッケル製のポンディングパッド14とはなじみが悪
く、接続部の接続抵抗が大きく、又引張り強度が小さく
、更に経年変化によって強度低下も発生し、接続箇所の
信頼性は極めて低かった。
この為、ニッケルメッキのポンプイングツぐソド14の
上に更に金メッキを行い、金細線とのなじみを良くする
ことが試みられているが、従来の製法ではこの金メツキ
作業を確実に行うことは困難であった。つまり従来の製
法ではこの金メッキはニッケルメッキ工程のあとに行わ
れることになるが、この場合金メッキはニッケルメッキ
4の全表面ではなく、部分的に行うこととなる為、ニッ
ケルメッキ40表面に対するレジスト印刷等の準備工程
が必要となシ、それに伴いニッケルメッキ40表面に汚
れ、不純物の付着等の問題が生ずることは避けられず、
ニッケルメッキ4に対する金メッキの鍍着力が低下し、
各種ストレスによる金メッキの剥離が生じ易いという大
きな問題があった。
又上述の従来の製法では部分的なニッケルメッキは不可
能であシ、銅箔3の全表面に万遍なくメッキが行われて
おシ、極めて不経済であった。
この発明はこの従来の混成集積回路基板の製法の欠点を
除去したものであシ、ポンディングパッドとすべき部分
のみにニッケル及び金からなる二層のメッキを簡単、確
実に行うことができ、金細線による接続に適合した強度
、信頼性にも富み、経年変化による強度低下のおそれも
ない優秀な混成集積回路基板を製造することができる方
法を提供することを目的とするものである。
以下第3図に基づいて本発明に係る混成集積回路基板の
製造方法を説明する。即ち、まず、はじめに第3図(a
)に示す様に金属製の基板1に絶縁性接着剤2を介して
銅箔3を貼着する。
この金属製の基板1はアルミ製であり、絶縁性接着剤2
としてはエポキシ樹脂系接着剤及びポリイミド系接着剤
が使用される。
そしてその後、第3図(b)に示す様に銅箔3の表面に
ニッケル及び金メッキの為のメッキ用レジスト8を印刷
する。つまシこの工程によってポンディングパッドとす
べき箇所以外の部分はメッキ用レジスト8で被覆される
次に第3図(C)に示す様にニッケルメッキ4を施し、
更に第3図(d)に示す様にこのニッケルメッキ4の上
面に金メッキ9を施す。この場合、ニッケルメッキ4以
外はメッキ用レジスト8によって榎れているのでニッケ
ルメッキ4以外への金の鍍着はすく、ニッケルメッキ4
の表面にのみ金が鍍着することとなシ、金メッキ9はニ
ッケルメッキ4の上面にのみなされる。つまシボンデイ
ングパッドとなるべき箇所はニッケルと金によって二正
にメッキが行われたことになる。そしてこの金メッキ9
が完了した後、第3図(e)に示す様にメッキ用レジス
ト8の溶解除去が行われ、その後銅箔3に所望の導電路
を形成する為のエツチングレジスト5が第3図(f)に
示す様に銅箔2及び金メツキ90表面に印刷され、第3
図(g)に示す様に銅箔2のエツチングが行われ導電路
が形成される。
そして、この導電路形成後第3図(h)に示す様にエツ
チングレジスト5を溶解除去し、銅箔2の露出部分を半
導体チップ等の各回路素子の固着部15とし、金メツキ
90表面をボンディング・くラド14とする。そして最
後に第3図(i)に示す様に固着部15及びボンチイン
グツくラド14を残して半田レジストI全印刷する。
つまシ本発明においては 0〕 金属製の基板に絶縁性接着剤にて銀箔を貼着する
工程; (ロ)銅箔表面にメッキ用レジストを印刷する工程;(
ハ) ニッケルメッキ工程; に)金メツキ工程; (ホ) メッキ用レジストの溶解工程:(へ)エツチン
グレジスト印刷工程; (ト)  エッチング工程: ケ)エツチングレジスト溶解工程; (IJ)  半田レジスト印刷工程; 09工程からなっているものである。そしてこの様にし
て形成された混成集積回路基板上には第4図に示す様に
半導体チップ11等の各回路素子が固着され、ポンディ
ングパッド14との間に金細線13が接続され所望の回
路が形成される。
この発明は斜上の工程によりニッケル及び金の二層構造
よシなるボンティング・;ラドを廂する混成集積回路基
板を製造するものであり、ニソケノトメッキ工程と金メ
ツキ工程の間には他の工程が介在する余地はなく、ニッ
ケルメッキ直後に金メッキが行われるものであシ、ニッ
ケルメッキの表面が汚れたシ、不純物が付着することも
なく、両者が強固に固着し、剥離のおそれのない製品を
得ることができる。又本発明の製造方法によって得た製
品においては、ボンディング・よラドが金メッキされた
二層構造となっているので、金細線との接続も完全に行
うことができ、接続箇所の接触抵抗も低く、品質の優秀
な混成集積回路を得ることができる。
更に本発明に係る製造方法においてはニッケルメッキ、
金メッキはポンディングパッドとすべき箇所にのみ部分
的に行われるにすぎない為、従来の製法に比してメッキ
部分の面積が著しく小さく、メッキ劃料を節約すること
ができると共にメッキに要する時間を著しく短縮するこ
とができる効果を有する。
以上述べた如く残本発明は金メッキされたポンディング
パッドを有する混成集積回路基板を正確、迅速、低廉に
製造することができるすぐれた効果を有し、各種電子機
器の信頼性の向上、製造コストの低減、製造の合理化に
寄与し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の混成集積回路基板の製造方法を説明する
為の各工程別の基板の断面図、第2図はボンディングが
行わnた状態を示す基板の断面図、第3図はこの発明に
係る製造方法を欽、明する為の各工程別の基板の断面図
、鎖4図はそのホン7ングが行われた状態を示す基板の
断1酌図である。 1・・・基板、2・・・絶縁性接着剤、3・・・鋼箔、
4ニツケルメツキ、5・・・エツチングレジスト、6ニ
ツケルエツチング用レジスト、7・・・用6田レジスト
、8・・・メッキ用レジスト、9・・・金メッキ、10
・・・固着用半田、11・・・半導体チップ、11a・
・・ボンディング用電極、12・・・接続用(Dg線、
13fJ+83L 14・・・ポンプイングツくラド、
15・・・固着部。 特許出願人 ナイルス部品株式会社 昭和電工株式会社 代理人弁理士 藤  吉     豪・、、t;z、−
′ 第1図(a) 第1図(b) 第1図(C) 第 1 図(小 第1図(e) 第1図(f) 第 1 図(9) 第1目出 第2図 第4図 第3図(a) 第3図(b) 第 3 図(e)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 金属製の基板に絶縁性接着剤を介して銅箔を貼着する工
    程; メッキ用レジストを印刷する工程: 銅箔上にニッケルメッキを行う工程: ニッケルメッキ上に金メッキを行う工程−基板上からメ
    ッキ用レジストを溶解除去する工程; 銅箔上に導電路形成の為のエツチングレジストを印刷す
    る工程; エツチングを行う工程; エツチングレジストを溶解除去する工程;銅箔上に半田
    レジストを印刷する工程;とからなることを%徴とする
    二層構造よυカるポンディングパッドを有する混成集積
    回路基板の製造方法。
JP7306483A 1983-04-27 1983-04-27 二層構造よりなるボンデイングパツドを有する混成集積回路基板の製造方法 Pending JPS59200451A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264581A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Ibiden Co Ltd パッケージ及びその製造方法
CN106852007A (zh) * 2016-12-30 2017-06-13 广东致卓环保科技有限公司 应用于pcb表面处理的双层镍金工艺

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264581A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Ibiden Co Ltd パッケージ及びその製造方法
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