JPH09307043A - リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置とそれ
に用いられるリードフレーム部材で、多端子化に対応で
き、生産面やコスト面、さらには品質面優れたリードフ
レーム部材の製造方法を提供する。 【解決手段】 インナーリードと外部回路を接続する外
部端子部を備え、一部が素材の厚さよりも薄肉に形成さ
れたリードフレームと、全体を固定する絶縁性樹脂とか
らなる。リードフレームは２段エッチング加工により作
製され、絶縁性樹脂は前記加工におけるエッチング抵抗
層をそのまま用いたものでこれとリードフレームとはこ
の素材面に沿い一平面を隙間なく形成し、互いに嵌合し
て密着しインナーリードと一体となった外部端子部の組
みを、分離した状態で複数個有し、外部端子部の外部回
路と接続する側の面は前記一平面を形成して、外部に露
出している。
に用いられるリードフレーム部材で、多端子化に対応で
き、生産面やコスト面、さらには品質面優れたリードフ
レーム部材の製造方法を提供する。 【解決手段】 インナーリードと外部回路を接続する外
部端子部を備え、一部が素材の厚さよりも薄肉に形成さ
れたリードフレームと、全体を固定する絶縁性樹脂とか
らなる。リードフレームは２段エッチング加工により作
製され、絶縁性樹脂は前記加工におけるエッチング抵抗
層をそのまま用いたものでこれとリードフレームとはこ
の素材面に沿い一平面を隙間なく形成し、互いに嵌合し
て密着しインナーリードと一体となった外部端子部の組
みを、分離した状態で複数個有し、外部端子部の外部回
路と接続する側の面は前記一平面を形成して、外部に露
出している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームをコア
材として回路を形成した面実装型の樹脂封止型半導体装
置用のリードフレーム部材に関し、特に、ＰＢＧＡ（Ｐ
ｌａｓｔｉｃＢａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプ
の半導体装置用のリードフレーム部材の製造方法に関す
る。
材として回路を形成した面実装型の樹脂封止型半導体装
置用のリードフレーム部材に関し、特に、ＰＢＧＡ（Ｐ
ｌａｓｔｉｃＢａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプ
の半導体装置用のリードフレーム部材の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。高集積化、高機能化された半導体装置において
は、信号の高速処理のためには、パッケージ内のインダ
クタンスが無視できない状況になってきて、パッケージ
内のインダクタンスを低減するために、電源、グランド
の接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げ
るようにして、対応してきた。この為、半導体装置の高
集積化、高機能化は外部端子（ピン）の総数の増加とな
り、ますます多端子（ピン）化が求められるようになっ
てきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタ
ンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図１０（ｂ）に示す単層
リードフレーム１０１０を用いたもので、図１０（ａ）
にその断面図を示すように、ダイパッド１０１１上に半
導体素子１０２０を搭載し、金めっき等の処理がされた
インナーリード先端部１０１２Ａと半導体素子１０２０
の端子（電極パッド）１０２１とをワイヤ１０３０にて
結線した後に、樹脂１０４０で封止し、ダムバー部をカ
ットし、アウターリード１０１３部をガルウイング状に
折り曲げて作製されている。このようなＱＦＰは、パッ
ケージの４方向へ外部回路と電気的に接続するためのア
ウターリードを設けた構造となり、多端子（ピン）化に
対応できるものとして開発されてきた。ここで用いられ
る単層リードフレーム１０１０は、通常、コバール、４
２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金等の導電性に優
れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリソグラフイー技
術を用いたエッチング加工方法やスタンピング法等によ
り、図１０（ｂ）に示すような形状に加工して作製され
ていた。尚、図１０（ｂ）（ロ）は単層リードフレーム
の平面図である図１０（ｂ）（イ）のＦ１−Ｆ２におけ
る断面図である。
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。高集積化、高機能化された半導体装置において
は、信号の高速処理のためには、パッケージ内のインダ
クタンスが無視できない状況になってきて、パッケージ
内のインダクタンスを低減するために、電源、グランド
の接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げ
るようにして、対応してきた。この為、半導体装置の高
集積化、高機能化は外部端子（ピン）の総数の増加とな
り、ますます多端子（ピン）化が求められるようになっ
てきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタ
ンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図１０（ｂ）に示す単層
リードフレーム１０１０を用いたもので、図１０（ａ）
にその断面図を示すように、ダイパッド１０１１上に半
導体素子１０２０を搭載し、金めっき等の処理がされた
インナーリード先端部１０１２Ａと半導体素子１０２０
の端子（電極パッド）１０２１とをワイヤ１０３０にて
結線した後に、樹脂１０４０で封止し、ダムバー部をカ
ットし、アウターリード１０１３部をガルウイング状に
折り曲げて作製されている。このようなＱＦＰは、パッ
ケージの４方向へ外部回路と電気的に接続するためのア
ウターリードを設けた構造となり、多端子（ピン）化に
対応できるものとして開発されてきた。ここで用いられ
る単層リードフレーム１０１０は、通常、コバール、４
２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金等の導電性に優
れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリソグラフイー技
術を用いたエッチング加工方法やスタンピング法等によ
り、図１０（ｂ）に示すような形状に加工して作製され
ていた。尚、図１０（ｂ）（ロ）は単層リードフレーム
の平面図である図１０（ｂ）（イ）のＦ１−Ｆ２におけ
る断面図である。
【０００３】しかしながら、近年の半導体素子の信号処
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度を低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度を低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。
【０００４】これら従来のＱＦＰパッケージがかかえる
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子を裏面にマトリクス状（ア
レイ状）に配置した半田ボールとした表面実装型半導体
装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通常、
このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配線基
板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の
半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホールを
通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとってい
た。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端子ピ
ッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体装置
より広くすることができ、この結果、半導体装置の実装
工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応できた。Ｂ
ＧＡは、一般に図５に示すような構造である。図５
（ｂ）は図５（ａ）の裏面（基板）側からみた図で図５
（ｃ）はスルーホール５５０部を示したものである。こ
のＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイミド系樹脂）を代表
とする耐熱性を有する平板（樹脂板）の基材５０２の片
面に半導体素子５０１を搭載するダイパッド５０５と半
導体素子５０１からボンディングワイヤ５０８により電
気的に接続されるボンディングパッド５１０をもち、も
う一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理
的接続を行う格子状あるいは千鳥状に配置された半田ボ
ールにより形成した外部接続端子５０６をもち、外部接
続端子５０６とボンディングパッド５１０の間を配線５
０４とスルーホール５５０、配線５０４Ａにより電気的
に接続している構造である。しかしながら、このＢＧＡ
は搭載する半導体素子とワイヤの結線を行う回路と、半
導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部
端子用電極とを、基材５０２の両面に設け、これらをス
ルーホール５５０を介して電気的に接続した複雑な構成
であり、樹脂の熱膨張の影響によりスルーホール５５０
に断線を生じることもあり、作製上、信頼性の点で問題
が多かった。
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子を裏面にマトリクス状（ア
レイ状）に配置した半田ボールとした表面実装型半導体
装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通常、
このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配線基
板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の
半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホールを
通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとってい
た。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端子ピ
ッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体装置
より広くすることができ、この結果、半導体装置の実装
工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応できた。Ｂ
ＧＡは、一般に図５に示すような構造である。図５
（ｂ）は図５（ａ）の裏面（基板）側からみた図で図５
（ｃ）はスルーホール５５０部を示したものである。こ
のＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイミド系樹脂）を代表
とする耐熱性を有する平板（樹脂板）の基材５０２の片
面に半導体素子５０１を搭載するダイパッド５０５と半
導体素子５０１からボンディングワイヤ５０８により電
気的に接続されるボンディングパッド５１０をもち、も
う一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理
的接続を行う格子状あるいは千鳥状に配置された半田ボ
ールにより形成した外部接続端子５０６をもち、外部接
続端子５０６とボンディングパッド５１０の間を配線５
０４とスルーホール５５０、配線５０４Ａにより電気的
に接続している構造である。しかしながら、このＢＧＡ
は搭載する半導体素子とワイヤの結線を行う回路と、半
導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部
端子用電極とを、基材５０２の両面に設け、これらをス
ルーホール５５０を介して電気的に接続した複雑な構成
であり、樹脂の熱膨張の影響によりスルーホール５５０
に断線を生じることもあり、作製上、信頼性の点で問題
が多かった。
【０００５】この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の
低下を回避するため、上記図５に示す構造のものの他
に、リードフレームをコア材として回路を形成したＰＢ
ＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）も、近年、種々提案されてきた。これらのリードフ
レームを使用するＰＢＧＡパッケージは、一般には、リ
ードフレーム６１０の外部端子部６１４に対応する箇所
に所定の孔をあけた、絶縁性の固定用フィルム６６０上
にリードフレーム６１０全体を固定して、樹脂封止した
図６（ａ）に示すような構造、ないし固定用テープ６６
０Ａにてインナーリードを固定した図６（ｂ）に示すよ
うな構造をとっていた。
低下を回避するため、上記図５に示す構造のものの他
に、リードフレームをコア材として回路を形成したＰＢ
ＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）も、近年、種々提案されてきた。これらのリードフ
レームを使用するＰＢＧＡパッケージは、一般には、リ
ードフレーム６１０の外部端子部６１４に対応する箇所
に所定の孔をあけた、絶縁性の固定用フィルム６６０上
にリードフレーム６１０全体を固定して、樹脂封止した
図６（ａ）に示すような構造、ないし固定用テープ６６
０Ａにてインナーリードを固定した図６（ｂ）に示すよ
うな構造をとっていた。
【０００６】ここで用いられるリードフレームは、外部
端子部６１３とインナーリード６１２ともリードフレー
ム素材の厚さに作製されており、エッチングによる外形
加工後においては、図７（ａ）に示すように、インナー
リード６１２先端に延設された、インナーリードと一体
的に連結し、インナーリード同志を互いに固定するため
の連結部６１７を設けた状態で、且つ、外部端子部を支
持するための支持リード６１５をダムバー（枠部）６１
６に連結させていた。そして、図６（ａ）に示す半導体
装置６００の場合は、図７（ｂ）に示すように、リード
フレーム全体を固定用フィルム６６０にて固定した後
に、プレスにより本来不要である連結部６１７の除去を
行って、図７（ｃ）に示すようなリードフレーム６１０
と固定用フィルム６６０からなるリードフレーム部材６
７０を得て使用していた。このため、リードフレーム部
材６７０の作製には高価な金型が必要で、且つ生産性の
面でも良くなかった。これに対し、図６（ｂ）に示す半
導体装置６００Ａの場合は、リードフレーム全体でなく
インナーリードを含む一部を固定用テープで固定し、連
結部６１７を除去して、リードフレーム６１０と固定用
テープ６６０Ａとからなるリードフレーム部材６７０Ａ
を得ていたが、やはりリードフレーム部材６７０Ａの作
製には高価な金型が必要で、且つ生産性の面でも良くな
かった。また、図７（ｃ）に示すリードフレーム部材６
７０を用いた場合や、リードフレームの一部を固定した
リードフレーム部材６７０Ａを用いた場合、半導体装置
の作製の際には、図８に示すように、樹脂封止後に枠部
を除去し、外部端子部を支持していた支持リード６１５
を互いに分離する必要があり、金型により枠部を切断除
去していたため、やはり高価な金型が必要で、且つ生産
性の面でも良くなかった。
端子部６１３とインナーリード６１２ともリードフレー
ム素材の厚さに作製されており、エッチングによる外形
加工後においては、図７（ａ）に示すように、インナー
リード６１２先端に延設された、インナーリードと一体
的に連結し、インナーリード同志を互いに固定するため
の連結部６１７を設けた状態で、且つ、外部端子部を支
持するための支持リード６１５をダムバー（枠部）６１
６に連結させていた。そして、図６（ａ）に示す半導体
装置６００の場合は、図７（ｂ）に示すように、リード
フレーム全体を固定用フィルム６６０にて固定した後
に、プレスにより本来不要である連結部６１７の除去を
行って、図７（ｃ）に示すようなリードフレーム６１０
と固定用フィルム６６０からなるリードフレーム部材６
７０を得て使用していた。このため、リードフレーム部
材６７０の作製には高価な金型が必要で、且つ生産性の
面でも良くなかった。これに対し、図６（ｂ）に示す半
導体装置６００Ａの場合は、リードフレーム全体でなく
インナーリードを含む一部を固定用テープで固定し、連
結部６１７を除去して、リードフレーム６１０と固定用
テープ６６０Ａとからなるリードフレーム部材６７０Ａ
を得ていたが、やはりリードフレーム部材６７０Ａの作
製には高価な金型が必要で、且つ生産性の面でも良くな
かった。また、図７（ｃ）に示すリードフレーム部材６
７０を用いた場合や、リードフレームの一部を固定した
リードフレーム部材６７０Ａを用いた場合、半導体装置
の作製の際には、図８に示すように、樹脂封止後に枠部
を除去し、外部端子部を支持していた支持リード６１５
を互いに分離する必要があり、金型により枠部を切断除
去していたため、やはり高価な金型が必要で、且つ生産
性の面でも良くなかった。
【０００７】このような、リードフレームをコア材とし
て用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置において
は、図１０（ｂ）に示す単層リードフレームを用いた半
導体装置に比べ、同じ端子数で外部回路と接続するため
の外部端子ピッチを広くでき、半導体装置の実装工程を
難しくしないで、入出力端子の増加に対応できたが、一
層の多端子化に対しては、インナーリードの狭ピッチ化
が必須でその対応が求められていた。これに対応するた
め、インナーリード部をリードフレーム素材より薄肉に
形成し、狭いピッチ化を達成するエッチング加工方法が
提案されている。このエッチング加工方法の１例を図９
に挙げて説明する。簡単のため、ここでは、インナーリ
ードのみを銅合金からなるリードフレーム素材より薄肉
化したリードフレームの作製する場合を説明する。図９
は、薄肉状に形成するインナーリード先端部の各工程の
断面図である。尚、リードフレーム素材の厚さのままで
外形加工する箇所については、リードフレーム素材の両
面にほぼ同じ形状、サイズのレジストパターンを形成し
てエッチングを行う。図９中、９１０はリードフレーム
素材、９１０Ａは薄肉部、９２０Ａ、９２０Ｂはレジス
トパターン、９３０は第一の開口部、９４０は第二の開
口部、９５０は第一の凹部、９６０は第二の凹部、９７
０は平坦状面、９８０はエッチング抵抗層（充填材層）
である。先ず、厚さが０．１５ｍｍの帯び状板からなる
リードフレーム素材の両面を洗浄、脱脂処理等を行った
後に、重クロム酸カリウムを感光剤としたカゼイン水溶
液の混合液からなるレジストを両面に塗布し、レジスト
を乾燥後、所定のパターン版を用いてリードフレーム素
材の両面のレジストの所定領域をそれぞれ露光し、現像
処理を行い、所定形状の第一の開口部９３０、第二の開
口部９４０をもつレジストパターン９２０Ａ、９２０Ｂ
を形成する。（図９（ａ）） 第一の開口部９３０は、後のエッチング加工においてリ
ードフレーム素材９１０をこの開口部からベタ状にリー
ドフレーム素材９１０よりも薄肉に腐蝕するためのもの
で、レジストの第二の開口部９４０は、インナーリード
先端部の形状を形成するためのものである。次いで、液
温５０°Ｃ、比重４６ボーメの塩化第二鉄溶液を用い
て、スプレー圧３．０ｋｇ／ｃｍ2 にて、レジストパタ
ーンが形成されたリードフレーム素材９１０の両面をエ
ッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部
９５０の深さｈが所定の深さにに達した時点でエッチン
グを止める。（図９（ｂ）） 第１回目のエッチングにおいてリードフレーム素材９１
０の両面から同時にエッチングする理由は、両面からエ
ッチングすることにより、後述する第２回目のエッチン
グ時間を短縮するためで、レジストパターン９２０Ｂ側
からのみの片面エッチングの場合と比べ、第１回目エッ
チングと第２回目エッチングのトータル時間が短縮され
る。
て用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置において
は、図１０（ｂ）に示す単層リードフレームを用いた半
導体装置に比べ、同じ端子数で外部回路と接続するため
の外部端子ピッチを広くでき、半導体装置の実装工程を
難しくしないで、入出力端子の増加に対応できたが、一
層の多端子化に対しては、インナーリードの狭ピッチ化
が必須でその対応が求められていた。これに対応するた
め、インナーリード部をリードフレーム素材より薄肉に
形成し、狭いピッチ化を達成するエッチング加工方法が
提案されている。このエッチング加工方法の１例を図９
に挙げて説明する。簡単のため、ここでは、インナーリ
ードのみを銅合金からなるリードフレーム素材より薄肉
化したリードフレームの作製する場合を説明する。図９
は、薄肉状に形成するインナーリード先端部の各工程の
断面図である。尚、リードフレーム素材の厚さのままで
外形加工する箇所については、リードフレーム素材の両
面にほぼ同じ形状、サイズのレジストパターンを形成し
てエッチングを行う。図９中、９１０はリードフレーム
素材、９１０Ａは薄肉部、９２０Ａ、９２０Ｂはレジス
トパターン、９３０は第一の開口部、９４０は第二の開
口部、９５０は第一の凹部、９６０は第二の凹部、９７
０は平坦状面、９８０はエッチング抵抗層（充填材層）
である。先ず、厚さが０．１５ｍｍの帯び状板からなる
リードフレーム素材の両面を洗浄、脱脂処理等を行った
後に、重クロム酸カリウムを感光剤としたカゼイン水溶
液の混合液からなるレジストを両面に塗布し、レジスト
を乾燥後、所定のパターン版を用いてリードフレーム素
材の両面のレジストの所定領域をそれぞれ露光し、現像
処理を行い、所定形状の第一の開口部９３０、第二の開
口部９４０をもつレジストパターン９２０Ａ、９２０Ｂ
を形成する。（図９（ａ）） 第一の開口部９３０は、後のエッチング加工においてリ
ードフレーム素材９１０をこの開口部からベタ状にリー
ドフレーム素材９１０よりも薄肉に腐蝕するためのもの
で、レジストの第二の開口部９４０は、インナーリード
先端部の形状を形成するためのものである。次いで、液
温５０°Ｃ、比重４６ボーメの塩化第二鉄溶液を用い
て、スプレー圧３．０ｋｇ／ｃｍ2 にて、レジストパタ
ーンが形成されたリードフレーム素材９１０の両面をエ
ッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部
９５０の深さｈが所定の深さにに達した時点でエッチン
グを止める。（図９（ｂ）） 第１回目のエッチングにおいてリードフレーム素材９１
０の両面から同時にエッチングする理由は、両面からエ
ッチングすることにより、後述する第２回目のエッチン
グ時間を短縮するためで、レジストパターン９２０Ｂ側
からのみの片面エッチングの場合と比べ、第１回目エッ
チングと第２回目エッチングのトータル時間が短縮され
る。
【０００８】次いで、第一の開口部９３０側の腐蝕され
た第一の凹部９５０にエッチング抵抗層９８０としての
耐エッチング性のあるホットメルト型ワックスを、ダイ
コータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕され
た第一の凹部９５０に埋め込む。レジストパターン９２
０Ｂ上も該エッチング抵抗層９８０に塗布された状態と
する。（図９（ｃ）） エッチング抵抗層９８０を、レジストパターン９２０Ｂ
上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部９５０を含
む一部にのみ塗布することは難しい為に、図４（ｃ）に
示すように、第一の凹部９５０とともに、第一の開口部
９３０側全面にエッチング抵抗層９８０を塗布する。エ
ッチング抵抗層９８０は、アルカリ溶解型のワックスで
あるが、基本的にエッチング液に耐性があり、エッチン
グ時にある程度の柔軟性のあるものが好ましく、特に上
記ワックスに限定されず、ＵＶ硬化型のものでも良い。
このようにエッチング抵抗層９８０をインナーリード先
端部の形状を形成するためのパターンが形成された面側
の腐蝕された第一の凹部９５０に埋め込むことにより、
後工程でのエッチング時に第一の凹部９５０が腐蝕され
て大きくならないようにしているとともに、高精細なエ
ッチング加工に対しての機械的な強度補強をしており、
スプレー圧を高く（３．０ｋｇ／ｃｍ2 ）することがで
き、これによりエッチングが深さ方向に進行し易すくな
る。この後、第２回目エッチングを行い、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された第一の凹部９５０形成面側からリード
フレーム素材９１０をエッチングし、貫通させ、インナ
ーリード先端薄肉部を形成する。（図９（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、リードフレ
ーム面に平行なエッチング形成面は平坦であるが、この
面を挟む２面はインナーリード側にへこんだ凹状であ
る。次いで、洗浄、エッチング抵抗層９８０の除去、レ
ジスト膜（レジストパターン９２０Ａ、９２０Ｂ）の除
去を行い、インナーリード９９０が薄肉に微細加工され
たリードフレームを得る。（図９（ｅ）） エッチング抵抗層９８０とレジスト膜（レジストパター
ン９２０Ａ、９２０Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶
液により溶解除去する。
た第一の凹部９５０にエッチング抵抗層９８０としての
耐エッチング性のあるホットメルト型ワックスを、ダイ
コータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕され
た第一の凹部９５０に埋め込む。レジストパターン９２
０Ｂ上も該エッチング抵抗層９８０に塗布された状態と
する。（図９（ｃ）） エッチング抵抗層９８０を、レジストパターン９２０Ｂ
上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部９５０を含
む一部にのみ塗布することは難しい為に、図４（ｃ）に
示すように、第一の凹部９５０とともに、第一の開口部
９３０側全面にエッチング抵抗層９８０を塗布する。エ
ッチング抵抗層９８０は、アルカリ溶解型のワックスで
あるが、基本的にエッチング液に耐性があり、エッチン
グ時にある程度の柔軟性のあるものが好ましく、特に上
記ワックスに限定されず、ＵＶ硬化型のものでも良い。
このようにエッチング抵抗層９８０をインナーリード先
端部の形状を形成するためのパターンが形成された面側
の腐蝕された第一の凹部９５０に埋め込むことにより、
後工程でのエッチング時に第一の凹部９５０が腐蝕され
て大きくならないようにしているとともに、高精細なエ
ッチング加工に対しての機械的な強度補強をしており、
スプレー圧を高く（３．０ｋｇ／ｃｍ2 ）することがで
き、これによりエッチングが深さ方向に進行し易すくな
る。この後、第２回目エッチングを行い、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された第一の凹部９５０形成面側からリード
フレーム素材９１０をエッチングし、貫通させ、インナ
ーリード先端薄肉部を形成する。（図９（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、リードフレ
ーム面に平行なエッチング形成面は平坦であるが、この
面を挟む２面はインナーリード側にへこんだ凹状であ
る。次いで、洗浄、エッチング抵抗層９８０の除去、レ
ジスト膜（レジストパターン９２０Ａ、９２０Ｂ）の除
去を行い、インナーリード９９０が薄肉に微細加工され
たリードフレームを得る。（図９（ｅ）） エッチング抵抗層９８０とレジスト膜（レジストパター
ン９２０Ａ、９２０Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶
液により溶解除去する。
【０００９】尚、上記のように、エッチングを２段階に
わけて行うエッチング加工方法を、一般には２段エッチ
ング加工方法と言っており、特に、精度的に優れた加工
方法である。図９に示す、リードフレームの製造におい
ては、２段エッチング加工方法と、パターン形状を工夫
することにより部分的にリードフレーム素材を薄くしな
がら外形加工する方法とが伴行して採られている。尚、
リードフレームのインナーリードを薄肉に形成する方法
は、上記エッチング加工方法に限定されるものではな
い。
わけて行うエッチング加工方法を、一般には２段エッチ
ング加工方法と言っており、特に、精度的に優れた加工
方法である。図９に示す、リードフレームの製造におい
ては、２段エッチング加工方法と、パターン形状を工夫
することにより部分的にリードフレーム素材を薄くしな
がら外形加工する方法とが伴行して採られている。尚、
リードフレームのインナーリードを薄肉に形成する方法
は、上記エッチング加工方法に限定されるものではな
い。
【００１０】上記の方法によるインナーリードを薄肉と
した微細化加工は、第二の凹部９６０の形状と、最終的
に得られるインナーリード先端部の厚さｔに左右される
もので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くすると、図
９（ｅ）に示す、平坦幅Ｗ１を１００μｍとして、イン
ナーリード先端部ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工
可能となる。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅
Ｗ１を７０μｍ程度とすると、インナーリード先端部ピ
ッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができるが、板
厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次第ではインナーリード先端
部ピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能となる。
した微細化加工は、第二の凹部９６０の形状と、最終的
に得られるインナーリード先端部の厚さｔに左右される
もので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くすると、図
９（ｅ）に示す、平坦幅Ｗ１を１００μｍとして、イン
ナーリード先端部ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工
可能となる。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅
Ｗ１を７０μｍ程度とすると、インナーリード先端部ピ
ッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができるが、板
厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次第ではインナーリード先端
部ピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９の
工程等によって得られるリードフレームにおいては、イ
ンナーリードの薄肉化にともないインナーリード部が不
安定となり、図７に示すように、インナーリード先端部
同志を連結する連結部６１７を除去する必要があり、図
８に示すようにダムバー（枠部）６１４を切断除去する
必要があり、生産性やコストの面で問題があるばかりで
なく、インナーリードの位置精度や品質を維持すること
が難しくなってきたため、その対応が求められていた。
本発明は、これらに対応するためのもので、一層の多端
子化に対応でき生産面やコスト面、さらには品質面で、
従来の図７（ｃ）に示すリードフレーム部材、図６に示
す半導体装置に比べ有利なリードフレーム部材、半導体
装置を提供しようとするものである。同時に、該リード
フレーム部材の製造方法を提供しようとするものであ
る。
工程等によって得られるリードフレームにおいては、イ
ンナーリードの薄肉化にともないインナーリード部が不
安定となり、図７に示すように、インナーリード先端部
同志を連結する連結部６１７を除去する必要があり、図
８に示すようにダムバー（枠部）６１４を切断除去する
必要があり、生産性やコストの面で問題があるばかりで
なく、インナーリードの位置精度や品質を維持すること
が難しくなってきたため、その対応が求められていた。
本発明は、これらに対応するためのもので、一層の多端
子化に対応でき生産面やコスト面、さらには品質面で、
従来の図７（ｃ）に示すリードフレーム部材、図６に示
す半導体装置に比べ有利なリードフレーム部材、半導体
装置を提供しようとするものである。同時に、該リード
フレーム部材の製造方法を提供しようとするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
部材は、少なくとも、インナーリードと、該インナーリ
ードと一体的に連結し、リードフレーム素材の一面に沿
い二次元的に配列された外部回路と電気的接続を行うた
めの外部端子部とを備え、一部がリードフレーム素材の
厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、リード
フレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹脂封止
型半導体装置用のリードフレーム部材であって、リード
フレームは２段エッチング加工により作製されたもの
で、絶縁性樹脂は前記２段エッチング加工におけるエッ
チング抵抗層をそのまま用いたものであり、前記リード
フレームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂とはリ
ードフレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成し、且
つ、絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以下で、
絶縁性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して密着し
ており、且つ、リードフレームはインナーリードと一体
となった外部端子部の組みを、それぞれ分離した状態で
複数個有し、外部端子部の外部回路と接続する側の面は
前記一平面を形成して、外部に露出していることを特徴
とするものである。そして、上記において、インナーリ
ード部全体がリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に外
形加工されていることを特徴とするものである。そして
また、上記におけるリードフレーム部材は、半導体素子
を複数個搭載できることを特徴とするものである。
部材は、少なくとも、インナーリードと、該インナーリ
ードと一体的に連結し、リードフレーム素材の一面に沿
い二次元的に配列された外部回路と電気的接続を行うた
めの外部端子部とを備え、一部がリードフレーム素材の
厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、リード
フレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹脂封止
型半導体装置用のリードフレーム部材であって、リード
フレームは２段エッチング加工により作製されたもの
で、絶縁性樹脂は前記２段エッチング加工におけるエッ
チング抵抗層をそのまま用いたものであり、前記リード
フレームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂とはリ
ードフレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成し、且
つ、絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以下で、
絶縁性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して密着し
ており、且つ、リードフレームはインナーリードと一体
となった外部端子部の組みを、それぞれ分離した状態で
複数個有し、外部端子部の外部回路と接続する側の面は
前記一平面を形成して、外部に露出していることを特徴
とするものである。そして、上記において、インナーリ
ード部全体がリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に外
形加工されていることを特徴とするものである。そして
また、上記におけるリードフレーム部材は、半導体素子
を複数個搭載できることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の半導体装置は、少なくとも、イン
ナーリードと、該インナーリードと一体的に連結し、リ
ードフレーム素材の一面に沿い二次元的に配列された外
部回路と電気的接続を行うための外部端子部とを備え、
一部がリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成され
たリードフレームと、リードフレーム全体を固定する絶
縁性樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置用のリードフ
レーム部材であって、リードフレームは２段エッチング
加工により作製されたもので、絶縁性樹脂は前記２段エ
ッチング加工におけるエッチング抵抗層をそのまま用い
たものであり、前記リードフレームの一面側でリードフ
レームと絶縁性樹脂とはリードフレーム素材面に沿い一
平面を隙間なく形成し、且つ、絶縁性樹脂の厚みがリー
ドフレームの厚さ以下で、絶縁性樹脂とリードフレーム
とが互いに嵌合して密着しており、且つ、リードフレー
ムはインナーリードと一体となった外部端子部の組み
を、それぞれ分離した状態で複数個有し、外部端子部の
外部回路と接続する側の面は前記一平面を形成して、外
部に露出しているリードフレーム部材を樹脂封止したこ
とを特徴とするものである。そして、上記において、リ
ードフレームの外部端子部（バンプ）の表面に半田等か
らなる外部回路と接続するための端子部を設けたＢＧＡ
タイプであることを特徴とするものである。
ナーリードと、該インナーリードと一体的に連結し、リ
ードフレーム素材の一面に沿い二次元的に配列された外
部回路と電気的接続を行うための外部端子部とを備え、
一部がリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に形成され
たリードフレームと、リードフレーム全体を固定する絶
縁性樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置用のリードフ
レーム部材であって、リードフレームは２段エッチング
加工により作製されたもので、絶縁性樹脂は前記２段エ
ッチング加工におけるエッチング抵抗層をそのまま用い
たものであり、前記リードフレームの一面側でリードフ
レームと絶縁性樹脂とはリードフレーム素材面に沿い一
平面を隙間なく形成し、且つ、絶縁性樹脂の厚みがリー
ドフレームの厚さ以下で、絶縁性樹脂とリードフレーム
とが互いに嵌合して密着しており、且つ、リードフレー
ムはインナーリードと一体となった外部端子部の組み
を、それぞれ分離した状態で複数個有し、外部端子部の
外部回路と接続する側の面は前記一平面を形成して、外
部に露出しているリードフレーム部材を樹脂封止したこ
とを特徴とするものである。そして、上記において、リ
ードフレームの外部端子部（バンプ）の表面に半田等か
らなる外部回路と接続するための端子部を設けたＢＧＡ
タイプであることを特徴とするものである。
【００１４】本発明のリードフレーム部材の製造方法
は、少なくとも、インナーリードと、該インナーリード
と一体的に連結し、リードフレーム素材の一面に沿い二
次元的に配列された外部回路と電気的接続を行うための
外部端子部とを備え、一部がリードフレーム素材の厚さ
よりも薄肉に形成されたリードフレームと、リードフレ
ーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹脂封止型半
導体装置用のリードフレーム部材であって、リードフレ
ームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂とはリード
フレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成し、且つ、
絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以下で、絶縁
性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して密着してお
り、且つ、リードフレームはインナーリードと一体とな
った外部端子部の組みを、それぞれ分離した状態で複数
個有し、外部端子部の外部回路と接続する側の面は前記
一平面を形成して、外部に露出しているリードフレーム
部材の製造方法であって、（ａ）リードフレーム素材の
両面に感光性のレジストを塗布した後、表裏両面に所定
の絵柄をもつレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）少なくともリードフレーム素材の第一の面からエ
ッチングして孔部を形成する第一のエッチング加工を施
し、リードフレーム素材を貫通させずにエッチングを止
める工程と、（ｃ）第一のエッチング加工により形成さ
れたリードフレーム素材の第一の面の孔部に、耐エッチ
ング性を有する、硬化性絶縁性樹脂を埋め込む工程と、
（ｄ）リードフレーム素材の第二の面からエッチングし
て貫通させる第二のエッチング加工を施し、リードフレ
ームを外形加工する工程と、（ｅ）リードフレームの第
一の面側から研磨して、少なくとも第一の面側にエッチ
ングにより形成された外部端子部（バンプ）面を露出さ
せる工程とを有するもので、且つ、少なくとも、前記リ
ードフレーム素材の第一の面に形成された孔部にはリー
ドフレーム素材を薄板化するための孔部があることを特
徴とするものである。
は、少なくとも、インナーリードと、該インナーリード
と一体的に連結し、リードフレーム素材の一面に沿い二
次元的に配列された外部回路と電気的接続を行うための
外部端子部とを備え、一部がリードフレーム素材の厚さ
よりも薄肉に形成されたリードフレームと、リードフレ
ーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹脂封止型半
導体装置用のリードフレーム部材であって、リードフレ
ームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂とはリード
フレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成し、且つ、
絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以下で、絶縁
性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して密着してお
り、且つ、リードフレームはインナーリードと一体とな
った外部端子部の組みを、それぞれ分離した状態で複数
個有し、外部端子部の外部回路と接続する側の面は前記
一平面を形成して、外部に露出しているリードフレーム
部材の製造方法であって、（ａ）リードフレーム素材の
両面に感光性のレジストを塗布した後、表裏両面に所定
の絵柄をもつレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）少なくともリードフレーム素材の第一の面からエ
ッチングして孔部を形成する第一のエッチング加工を施
し、リードフレーム素材を貫通させずにエッチングを止
める工程と、（ｃ）第一のエッチング加工により形成さ
れたリードフレーム素材の第一の面の孔部に、耐エッチ
ング性を有する、硬化性絶縁性樹脂を埋め込む工程と、
（ｄ）リードフレーム素材の第二の面からエッチングし
て貫通させる第二のエッチング加工を施し、リードフレ
ームを外形加工する工程と、（ｅ）リードフレームの第
一の面側から研磨して、少なくとも第一の面側にエッチ
ングにより形成された外部端子部（バンプ）面を露出さ
せる工程とを有するもので、且つ、少なくとも、前記リ
ードフレーム素材の第一の面に形成された孔部にはリー
ドフレーム素材を薄板化するための孔部があることを特
徴とするものである。
【００１５】尚、上記において、２段エッチング加工と
は、エッチングの加工精度を上げる方法として従来より
知られる方法であり、簡単には、リードフレーム素材の
両面に所定の絵柄からなるレジストパターンを形成し、
少なくとも貫通させずに第一のエッチング加工を行い、
リードフレーム素材の一方の面の加工孔部に耐エッチン
グ性のエッチング抵抗層を充填した後、反対側の面から
第二のエッチング加工を行い貫通させる方法を言ってい
る。本発明における２段エッチング方法とは、更に、リ
ードフレームを作製する際にリードフレーム素材を部分
的薄肉化するハーフエッチング方法を併用したものであ
り、エッチングの加工精度を上げ、且つ、微細化を可能
とする。
は、エッチングの加工精度を上げる方法として従来より
知られる方法であり、簡単には、リードフレーム素材の
両面に所定の絵柄からなるレジストパターンを形成し、
少なくとも貫通させずに第一のエッチング加工を行い、
リードフレーム素材の一方の面の加工孔部に耐エッチン
グ性のエッチング抵抗層を充填した後、反対側の面から
第二のエッチング加工を行い貫通させる方法を言ってい
る。本発明における２段エッチング方法とは、更に、リ
ードフレームを作製する際にリードフレーム素材を部分
的薄肉化するハーフエッチング方法を併用したものであ
り、エッチングの加工精度を上げ、且つ、微細化を可能
とする。
【００１６】
【作用】本発明のリードフレーム部材は、上記のような
構成にすることにより、インナーリードや外部端子（バ
ンプ）の固定を確実にでき、且つ、インナーリードの微
細化を可能としたリードフレーム部材の提供を可能とし
ている。詳しくは、リードフレームを外形加工する２段
エッチング加工の際に使用するエッチング抵抗層をその
まま剥離せず、リードフレーム全体を固定する絶縁性樹
脂とすることにより、リードフレーム全体をエッチング
抵抗層でもある絶縁性樹脂で強固に固定でき、且つ、２
段エッチング加工の際に微細加工したい箇所の板厚を薄
くして微細化加工を可能とし、これを達成している。具
体的には、インナーリードがリードフレーム素材の厚さ
よりも薄肉にした状態で外形加工されていることによ
り、インナーリード先端の狭いピッチ化のみならずイン
ナーリード間の狭間隔化に対応できるものとしている。
そして、インナーリードや外部端子部を、半導体素子を
複数個搭載できるように配置して設けることにより、マ
ルチチップの半導体装置用にも適用できるものとしてい
る。更にＣＳＰにも適用が可能である。また、従来の図
７（ｃ）に示すリードフレーム部材においては、インナ
ーリードを微細加工したリードフレームを用いる場合に
は、図７（ａ）に示すように、インナーリード同志を連
結して固定する連結部６１７を設けた状態でエッチング
加工した後に、インナーリード固定用のテープ６２０を
貼り（図７（ｂ））、連結部６１７を除去する複雑な工
程が必要であり、更に、図７（ｃ）に示す従来のリード
フレーム部材を用い、半導体装置を作製する際には、図
８に示すように、外部端子部６１３を支持するための支
持リード６１５を樹脂封止した後に、ダムバー（枠部）
６１４をプレスにて除去する必要があり、生産性の面、
コストの面でも問題となっていたが、本発明のリードフ
レーム部材は、インナーリードと一体となった外部端子
部の組みを、それぞれ分離した状態で有するもので、こ
れらの問題に対応できるものである。
構成にすることにより、インナーリードや外部端子（バ
ンプ）の固定を確実にでき、且つ、インナーリードの微
細化を可能としたリードフレーム部材の提供を可能とし
ている。詳しくは、リードフレームを外形加工する２段
エッチング加工の際に使用するエッチング抵抗層をその
まま剥離せず、リードフレーム全体を固定する絶縁性樹
脂とすることにより、リードフレーム全体をエッチング
抵抗層でもある絶縁性樹脂で強固に固定でき、且つ、２
段エッチング加工の際に微細加工したい箇所の板厚を薄
くして微細化加工を可能とし、これを達成している。具
体的には、インナーリードがリードフレーム素材の厚さ
よりも薄肉にした状態で外形加工されていることによ
り、インナーリード先端の狭いピッチ化のみならずイン
ナーリード間の狭間隔化に対応できるものとしている。
そして、インナーリードや外部端子部を、半導体素子を
複数個搭載できるように配置して設けることにより、マ
ルチチップの半導体装置用にも適用できるものとしてい
る。更にＣＳＰにも適用が可能である。また、従来の図
７（ｃ）に示すリードフレーム部材においては、インナ
ーリードを微細加工したリードフレームを用いる場合に
は、図７（ａ）に示すように、インナーリード同志を連
結して固定する連結部６１７を設けた状態でエッチング
加工した後に、インナーリード固定用のテープ６２０を
貼り（図７（ｂ））、連結部６１７を除去する複雑な工
程が必要であり、更に、図７（ｃ）に示す従来のリード
フレーム部材を用い、半導体装置を作製する際には、図
８に示すように、外部端子部６１３を支持するための支
持リード６１５を樹脂封止した後に、ダムバー（枠部）
６１４をプレスにて除去する必要があり、生産性の面、
コストの面でも問題となっていたが、本発明のリードフ
レーム部材は、インナーリードと一体となった外部端子
部の組みを、それぞれ分離した状態で有するもので、こ
れらの問題に対応できるものである。
【００１７】本発明の半導体装置は、本発明のリードフ
レームを用いることにより、図６に示す従来のものに比
べ、製造工程が簡略化され、生産性の面コスト面で有利
で、且つ、一層の多端子化に対応できるＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の作製を可能とするものである。
そして、半導体素子を複数個搭載したマルチチップの半
導体装置やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）の提供も可能とするものである。
レームを用いることにより、図６に示す従来のものに比
べ、製造工程が簡略化され、生産性の面コスト面で有利
で、且つ、一層の多端子化に対応できるＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の作製を可能とするものである。
そして、半導体素子を複数個搭載したマルチチップの半
導体装置やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）の提供も可能とするものである。
【００１８】本発明のリードフレーム部材の製造方法
は、上記のような構成にすることにより、本発明のリー
ドフレーム部材の製造を可能とするものであり、これに
より、本発明の半導体装置の製造をも可能とするもので
ある。具体的には、リードフレーム素材の両面に感光性
のレジストを塗布した後、表裏両面に所定の絵柄をもつ
レジストパターンを形成する工程と、少なくともリード
フレーム素材の第一の面からエッチングして孔部を形成
する第一のエッチング加工を施し、リードフレーム素材
を貫通させずにエッチングを止める工程と、第一のエッ
チング加工により形成されたリードフレーム素材の第一
の面の孔部に、耐エッチング性を有する、硬化性絶縁性
樹脂を埋め込む工程と、リードフレーム素材の第二の面
からエッチングして貫通させる第二のエッチング加工を
施し、リードフレームを外形加工する工程と、リードフ
レームの第一の面側から研磨して、少なくとも第一の面
側にエッチングにより形成された外部端子部（バンプ）
面を露出させる工程とを有し、且つ、少なくとも、前記
リードフレーム素材の第一の面に形成された孔部にはリ
ードフレーム素材を薄板化するための孔部があることに
よりこれを達成している。
は、上記のような構成にすることにより、本発明のリー
ドフレーム部材の製造を可能とするものであり、これに
より、本発明の半導体装置の製造をも可能とするもので
ある。具体的には、リードフレーム素材の両面に感光性
のレジストを塗布した後、表裏両面に所定の絵柄をもつ
レジストパターンを形成する工程と、少なくともリード
フレーム素材の第一の面からエッチングして孔部を形成
する第一のエッチング加工を施し、リードフレーム素材
を貫通させずにエッチングを止める工程と、第一のエッ
チング加工により形成されたリードフレーム素材の第一
の面の孔部に、耐エッチング性を有する、硬化性絶縁性
樹脂を埋め込む工程と、リードフレーム素材の第二の面
からエッチングして貫通させる第二のエッチング加工を
施し、リードフレームを外形加工する工程と、リードフ
レームの第一の面側から研磨して、少なくとも第一の面
側にエッチングにより形成された外部端子部（バンプ）
面を露出させる工程とを有し、且つ、少なくとも、前記
リードフレーム素材の第一の面に形成された孔部にはリ
ードフレーム素材を薄板化するための孔部があることに
よりこれを達成している。
【００１９】
【実施例】本発明のリードフレーム部材の実施例を挙げ
図に基づいて説明する。図１（ａ）は本実施例のリード
フレーム部材を簡略化して示した平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２における断面を示した
拡大断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ３から
みた一部拡大平面図である。また、図２（ａ）は図１
（ａ）に示すリードフレームの約１／４部分の拡大図で
あり、図２（ｂ）は、従来のリードフレームの約１／４
部分の拡大図である。尚、図１（ａ）に示すリードフレ
ーム部材は簡略化した概略図で、全体を分かり易くする
ために図２に比べ、インナーリードの数、外部端子部の
数を少なくしてある。図１、図２中、１００はリードフ
レーム、１００Ｓは平面、１１０はリードフレーム、１
１１はダイパッド、１１２はインナーリード、１１３は
外部端子部、１１３Ｓリードフレーム素材面、１１４は
ダムバー（枠）、１１５は支持リード、１１７は連結
部、１２０は絶縁性樹脂、１３０は銀めっきである。本
実施例のリードフレーム部材１００は、ＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材で、２段
エッチング加工により作製された、少なくとも、インナ
ーリードと、該インナーリードと一体的に連結し、リー
ドフレーム素材の一面に沿い二次元的に配列された外部
回路と電気的接続を行うための外部端子部（バンプ）と
を備え、且つインナーリード部全体がリードフレーム素
材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、リ
ードフレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなるもの
である。そして、リードフレーム全体を固定する絶縁性
樹脂は、リードフレームをエッチング加工する際のエッ
チング抵抗層をそのまま用いたもので、リードフレーム
の一面側でリードフレームと絶縁性樹脂とはリードフレ
ーム素材面に沿い平面１００Ｓを隙間なく形成してい
る。そして、絶縁性樹脂の厚み１２０Ｔと、薄肉に形成
されたインナーリードの厚み１１２Ｔとを合わせてリー
ドフレーム素材の厚みｔ0 となり、絶縁性樹脂とリード
フレームとは互いに嵌合して密着している。
図に基づいて説明する。図１（ａ）は本実施例のリード
フレーム部材を簡略化して示した平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２における断面を示した
拡大断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ３から
みた一部拡大平面図である。また、図２（ａ）は図１
（ａ）に示すリードフレームの約１／４部分の拡大図で
あり、図２（ｂ）は、従来のリードフレームの約１／４
部分の拡大図である。尚、図１（ａ）に示すリードフレ
ーム部材は簡略化した概略図で、全体を分かり易くする
ために図２に比べ、インナーリードの数、外部端子部の
数を少なくしてある。図１、図２中、１００はリードフ
レーム、１００Ｓは平面、１１０はリードフレーム、１
１１はダイパッド、１１２はインナーリード、１１３は
外部端子部、１１３Ｓリードフレーム素材面、１１４は
ダムバー（枠）、１１５は支持リード、１１７は連結
部、１２０は絶縁性樹脂、１３０は銀めっきである。本
実施例のリードフレーム部材１００は、ＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材で、２段
エッチング加工により作製された、少なくとも、インナ
ーリードと、該インナーリードと一体的に連結し、リー
ドフレーム素材の一面に沿い二次元的に配列された外部
回路と電気的接続を行うための外部端子部（バンプ）と
を備え、且つインナーリード部全体がリードフレーム素
材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、リ
ードフレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなるもの
である。そして、リードフレーム全体を固定する絶縁性
樹脂は、リードフレームをエッチング加工する際のエッ
チング抵抗層をそのまま用いたもので、リードフレーム
の一面側でリードフレームと絶縁性樹脂とはリードフレ
ーム素材面に沿い平面１００Ｓを隙間なく形成してい
る。そして、絶縁性樹脂の厚み１２０Ｔと、薄肉に形成
されたインナーリードの厚み１１２Ｔとを合わせてリー
ドフレーム素材の厚みｔ0 となり、絶縁性樹脂とリード
フレームとは互いに嵌合して密着している。
【００２０】リードフレーム１１０は、銅材を素材と
し、図９に示す２段エッチング加工方法により作製され
たＢＧＡタイプの半導体装置用のリードフレームである
が、エッチング抵抗層をそのままリードフレーム固定用
の絶縁性樹脂とすることより、図７に示すように、従
来、必要とされていた、インナーリードと一体的に連結
したインナーリード同志を固定するための連結部や外部
端子部を固定するためのリードを必要としない。インナ
ーリード１１２の厚さ１１２Ｔは４０μｍ、インナーリ
ード部１１２以外の厚さは０．１５ｍｍでリードフレー
ム素材の板厚ｔ0 のままである。また、インナーリード
１１２の先端部ピッチは０．１２ｍｍと狭いピッチで、
半導体装置の多端子化に対応できるものとしている。
し、図９に示す２段エッチング加工方法により作製され
たＢＧＡタイプの半導体装置用のリードフレームである
が、エッチング抵抗層をそのままリードフレーム固定用
の絶縁性樹脂とすることより、図７に示すように、従
来、必要とされていた、インナーリードと一体的に連結
したインナーリード同志を固定するための連結部や外部
端子部を固定するためのリードを必要としない。インナ
ーリード１１２の厚さ１１２Ｔは４０μｍ、インナーリ
ード部１１２以外の厚さは０．１５ｍｍでリードフレー
ム素材の板厚ｔ0 のままである。また、インナーリード
１１２の先端部ピッチは０．１２ｍｍと狭いピッチで、
半導体装置の多端子化に対応できるものとしている。
【００２１】絶縁性樹脂１２０は、リードフレーム１１
０作製のための２段エッチング加工における耐エッチン
グ性のエッチング抵抗層を兼ねるもので、本実施例の場
合はリードフレーム１１０の素材である銅材と熱膨張率
が近いエポキシ樹脂をＵＶ（紫外線）と熱により硬化さ
せたものであり、半導体装置作製の際の金めっき、銀め
っきに耐えるものでもある。
０作製のための２段エッチング加工における耐エッチン
グ性のエッチング抵抗層を兼ねるもので、本実施例の場
合はリードフレーム１１０の素材である銅材と熱膨張率
が近いエポキシ樹脂をＵＶ（紫外線）と熱により硬化さ
せたものであり、半導体装置作製の際の金めっき、銀め
っきに耐えるものでもある。
【００２２】次いで、本発明のリードフレーム部材の製
造方法の実施例を図３に基づいて説明する。本実施例
は、図１、図２に示す上記実施例のリードフレーム部材
１００の製造方法である。先ず、脱脂、洗浄等の前処理
を施した厚み０．１５ｍｍの銅材からなるリードフレー
ム素材３００の両面に重クロム酸カリウムを感光剤とす
るカゼインレジストを塗布した後、乾燥処理、所定のパ
ターン版による露光、現像処理等を経て、所望の絵柄か
らなる耐エッチング性のレジストパターン３２０Ａ、３
２０Ｂをリードフレーム素材３１０の表裏に形成した。
（図３（ａ）） レジストパターン３２０Ｂ側が外部端子部形成側であ
る。次いで、レジストパターン３２０Ｂ側はエッチング
液に触れないように全面をラミネートフィルム３５０に
よりカバーした後、レジストパターン３２０Ａ側からの
み第一のエッチング加工を行い、第一の凹部３３０Ａを
形成した。（図３（ｂ）） 第一の凹部３３０Ａの深さｔ1 を１１０μｍとしてエッ
チングを終了した。次いで、レジストパターン３２０Ａ
側について、レジストパターン３２０Ａをアルカリ溶液
で剥離し、洗浄処理、乾燥等を施した後、第一の凹部３
３０Ａに完全に埋まるように、溶剤を含むエポキシ樹脂
からなる耐エッチング性の絶縁性樹脂３４０を充填し
た。（図３（ｃ）） 尚、絶縁性樹脂３４０と金属面との密着性を向上させる
ために金属表面に黒化処理等を行っても良い。絶縁性樹
脂３４０はスキージーロールによりコーティングしてリ
ードフレームの素材面３００Ｓをも覆うようにして第一
の孔部３３０Ａに充填した。絶縁性樹脂３４０を充填す
るコーティング方法としては、特にこの方法に限定はさ
れない。他にスクリーン印刷、ダイコート、カーテンコ
ート等がある。次いで、ラミネートフィルム３５０を取
り外し、絶縁性樹脂３４０を硬化させた後、レジストパ
ターン３２０Ｂ側から第二のエッチング加工を行い、第
二の凹部３３０Ｂを形成して、貫通させる外形加工を行
った。（図３（ｄ）） 尚、絶縁性樹脂３４０をリードフレーム素材面３００Ｓ
上には薄くしかない場合や、リードフレーム素材面３０
０Ｓ上に無いように第一の凹部３３０Ａを充填した場合
には、第二のエッチング加工の際、反対面側をラミネー
トフィルムで覆っておきエッチング液からリードフレー
ム素材面３００Ｓを保護しておくと良い。この後、レジ
ストパターン３２０Ｂを剥離、除去した。（図３
（ｅ）） 尚、レジストパターン３２０Ｂを剥離、除去は、酸ない
しアルカリ溶液にて可能である。次いで、第一の凹部側
のリードフレーム素材面３００Ｓから外側にある絶縁性
樹脂を研磨し、リードフレーム素材面３００Ｓと一平面
を形成するようにした。（図３（ｆ））
造方法の実施例を図３に基づいて説明する。本実施例
は、図１、図２に示す上記実施例のリードフレーム部材
１００の製造方法である。先ず、脱脂、洗浄等の前処理
を施した厚み０．１５ｍｍの銅材からなるリードフレー
ム素材３００の両面に重クロム酸カリウムを感光剤とす
るカゼインレジストを塗布した後、乾燥処理、所定のパ
ターン版による露光、現像処理等を経て、所望の絵柄か
らなる耐エッチング性のレジストパターン３２０Ａ、３
２０Ｂをリードフレーム素材３１０の表裏に形成した。
（図３（ａ）） レジストパターン３２０Ｂ側が外部端子部形成側であ
る。次いで、レジストパターン３２０Ｂ側はエッチング
液に触れないように全面をラミネートフィルム３５０に
よりカバーした後、レジストパターン３２０Ａ側からの
み第一のエッチング加工を行い、第一の凹部３３０Ａを
形成した。（図３（ｂ）） 第一の凹部３３０Ａの深さｔ1 を１１０μｍとしてエッ
チングを終了した。次いで、レジストパターン３２０Ａ
側について、レジストパターン３２０Ａをアルカリ溶液
で剥離し、洗浄処理、乾燥等を施した後、第一の凹部３
３０Ａに完全に埋まるように、溶剤を含むエポキシ樹脂
からなる耐エッチング性の絶縁性樹脂３４０を充填し
た。（図３（ｃ）） 尚、絶縁性樹脂３４０と金属面との密着性を向上させる
ために金属表面に黒化処理等を行っても良い。絶縁性樹
脂３４０はスキージーロールによりコーティングしてリ
ードフレームの素材面３００Ｓをも覆うようにして第一
の孔部３３０Ａに充填した。絶縁性樹脂３４０を充填す
るコーティング方法としては、特にこの方法に限定はさ
れない。他にスクリーン印刷、ダイコート、カーテンコ
ート等がある。次いで、ラミネートフィルム３５０を取
り外し、絶縁性樹脂３４０を硬化させた後、レジストパ
ターン３２０Ｂ側から第二のエッチング加工を行い、第
二の凹部３３０Ｂを形成して、貫通させる外形加工を行
った。（図３（ｄ）） 尚、絶縁性樹脂３４０をリードフレーム素材面３００Ｓ
上には薄くしかない場合や、リードフレーム素材面３０
０Ｓ上に無いように第一の凹部３３０Ａを充填した場合
には、第二のエッチング加工の際、反対面側をラミネー
トフィルムで覆っておきエッチング液からリードフレー
ム素材面３００Ｓを保護しておくと良い。この後、レジ
ストパターン３２０Ｂを剥離、除去した。（図３
（ｅ）） 尚、レジストパターン３２０Ｂを剥離、除去は、酸ない
しアルカリ溶液にて可能である。次いで、第一の凹部側
のリードフレーム素材面３００Ｓから外側にある絶縁性
樹脂を研磨し、リードフレーム素材面３００Ｓと一平面
を形成するようにした。（図３（ｆ））
【００２３】また、絶縁性樹脂としても、エポキシ樹脂
には特に限定はされない。絶縁性樹脂がソルダーレジス
トのような感光性の樹脂であれば、前記研磨を行わず、
外部端子部となる箇所のみ、フオトリソグラフィーによ
り露出させることも可能である。
には特に限定はされない。絶縁性樹脂がソルダーレジス
トのような感光性の樹脂であれば、前記研磨を行わず、
外部端子部となる箇所のみ、フオトリソグラフィーによ
り露出させることも可能である。
【００２４】次に本発明の半導体装置の実施例を図４を
基づいて説明する。本実施例の半導体装置は、図１、図
２に示す実施例のリードフレーム部材１００を用いて樹
脂封止したものである。図４は、本実施例の半導体装置
の簡略化した断面を示した断面図で、図１のＡ１−Ａ２
に対応する位置での断面である。本実施例の半導体装置
４００はＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置で、実施
例１のリードフレーム部材１００を用い、絶縁性樹脂１
２０側でない面のダイパッド上に半導体素子４２０を搭
載し、インナーリード１１２の絶縁性樹脂１２０側でな
い面とワイヤ４３０により電気的に接続しており、外部
回路とは外部端子部（バンプ）１１３の表面１１３Ｓに
施しためっき部４５０を介して半田ボールからなる外部
電極４６０を設けている。実施例１のリードフレーム部
材１００を用いているため、封止用樹脂４４０は半導体
素子搭載側にのみ設けたもので、簡単な構造で、ダムバ
ー（枠）１１４の切断も必要としないものである。
基づいて説明する。本実施例の半導体装置は、図１、図
２に示す実施例のリードフレーム部材１００を用いて樹
脂封止したものである。図４は、本実施例の半導体装置
の簡略化した断面を示した断面図で、図１のＡ１−Ａ２
に対応する位置での断面である。本実施例の半導体装置
４００はＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置で、実施
例１のリードフレーム部材１００を用い、絶縁性樹脂１
２０側でない面のダイパッド上に半導体素子４２０を搭
載し、インナーリード１１２の絶縁性樹脂１２０側でな
い面とワイヤ４３０により電気的に接続しており、外部
回路とは外部端子部（バンプ）１１３の表面１１３Ｓに
施しためっき部４５０を介して半田ボールからなる外部
電極４６０を設けている。実施例１のリードフレーム部
材１００を用いているため、封止用樹脂４４０は半導体
素子搭載側にのみ設けたもので、簡単な構造で、ダムバ
ー（枠）１１４の切断も必要としないものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明のリードフレーム部材は、上記の
ように、インナーリードと外部端子部の組みを、それぞ
れ互いに分離した状態で安定して固定できるリードフレ
ーム部材であり、従来のように、インナーリード同志を
固定する連結部や外部端子部を固定するためのリードや
枠部を必要としないもので、半導体装置作製の際におけ
る、インナーリード同志を連結する連結部の除去や、ダ
ムバーや枠部の除去を必要としないものとしている。即
ち、本発明のリードフレーム部材は、図７（ｃ）に示
す、従来のリードフレーム部材に比べ、生産性の面、コ
スト面で優れている。この結果、従来に比べ、生産性の
面、コスト面で優れ、且つ一層の多端子化に対応でき
る、リードフレームをコア材として回路を形成したＢＧ
Ａタイプの半導体装置の提供を可能としている。
ように、インナーリードと外部端子部の組みを、それぞ
れ互いに分離した状態で安定して固定できるリードフレ
ーム部材であり、従来のように、インナーリード同志を
固定する連結部や外部端子部を固定するためのリードや
枠部を必要としないもので、半導体装置作製の際におけ
る、インナーリード同志を連結する連結部の除去や、ダ
ムバーや枠部の除去を必要としないものとしている。即
ち、本発明のリードフレーム部材は、図７（ｃ）に示
す、従来のリードフレーム部材に比べ、生産性の面、コ
スト面で優れている。この結果、従来に比べ、生産性の
面、コスト面で優れ、且つ一層の多端子化に対応でき
る、リードフレームをコア材として回路を形成したＢＧ
Ａタイプの半導体装置の提供を可能としている。
【図１】実施例のリードフレーム部材の概略図
【図２】実施例のリードフレーム部材に使用されたリー
ドフレームの一部平面図
ドフレームの一部平面図
【図３】実施例のリードフレーム部材の工程図
【図４】実施例の半導体装置の断面図
【図５】ＢＧＡ半導体装置を説明するための図
【図６】従来のリードフレームをコア材としたＢＧＡタ
イプの半導体装置の断面図
イプの半導体装置の断面図
【図７】従来のリードフレーム部材を説明するための図
【図８】従来のリードフレームをコア材としたＢＧＡタ
イプの半導体装置の工程図
イプの半導体装置の工程図
【図９】２段エッチング法によるリードフレームの製造
方法
方法
【図１０】単層リードフレームとそれを用いた半導体装
置の図
置の図
１００ リードフレーム部材 １１０ リードフレーム １１１ ダイパッド １１２ インナーリード １１２Ａ インナーリード先端部 １１３ 外部端子部 １１３Ｓ リードフレーム素材面 １１４ ダムバー（枠部） １１５ 支持リード １１７ 連結部 １２０ 絶縁性樹脂 １３０ 銀めっき ３１０ リードフレーム素材 ３１０Ｓ リードフレーム素材面 ３２０Ａ、３２０Ｂ レジストパターン ３３０Ａ 第一の凹部 ３３０Ｂ 第二の凹部 ３４０ エッチング抵抗層 ３５０ ラミネートフィルム ３６０、３６０Ａ リードフレーム部材 ３７１ ダイパッド ３７２ インナーリード ３７３ 外部端子部 ３７３Ｓ リードフレーム素材面 ３７４ ダムバー（枠部） ４００ 半導体装置 ４２０ 半導体素子 ４２１ 電極部（パッド） ４３０ ワイヤ ４４０ 封止用樹脂 ５０１ 半導体素子 ５０２ 基材 ５０３ モールドレジン ５０４、５０４Ａ 配線 ５０５ ダイパッド ５０６ 外部接続端子 ５０８ ボンディングワイヤ ５１０ ボンディングパッド ５１８ めっき部 ５５０ スルホール ５５１ 熱伝導ビア ６００、６００Ａ ＢＧＡパッケージ ６１０ リードフレーム ６１１ ダイパッド ６１２ インナーリード ６１４ 外部端子部 ６１５ 支持リード ６１６ ダムバー（枠部） ６１７ 連結部 ６１８ 固定用テープ ６１９ 封止用樹脂 ６２０ 半導体素子 ６２１ 端子 ６３０ ワイヤ ６４０ 封止用樹脂 ６６０ 固定用フィルム ６６０Ａ 固定用テープ ６７０、６７０Ａ リードフレーム部材 ９１０ リードフレーム素材 ９２０Ａ、９２０Ｂ レジストパターン ９３０ 第一の開口部 ９４０ 第二の開口部 ９５０ 第一の凹部 ９６０ 第二の凹部 ９７０ 平坦状面 ９８０ エッチング抵抗層 ９９０ インナーリード １０００ 半導体装置 １０１０ （単層）リードフレーム １０１１ ダイパッド １０１２ インナーリード １０１３ アウターリード １０１４ ダムバー １０１５ フレーム（枠）部 １０２０ 半導体素子 １０２１ 電極部（パッド） １０３０ ワイヤ １０４０ 封止樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１０月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも、インナーリードと、該イン
ナーリードと一体的に連結し、リードフレーム素材の一
面に沿い二次元的に配列された外部回路と電気的接続を
行うための外部端子部とを備え、一部がリードフレーム
素材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、
リードフレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹
脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材であって、
リードフレームは２段エッチング加工により作製された
もので、絶縁性樹脂は前記２段エッチング加工における
エッチング抵抗層をそのまま用いたものであり、前記リ
ードフレームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂と
はリードフレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成
し、且つ、絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以
下で、絶縁性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して
密着しており、且つ、リードフレームはインナーリード
と一体となった外部端子部の組みを、それぞれ分離した
状態で複数個有し、外部端子部の外部回路と接続する側
の面は前記一平面を形成して、外部に露出していること
を特徴とするリードフレーム部材。 - 【請求項２】 請求項１において、インナーリード部全
体がリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に外形加工さ
れていることを特徴とするリードフレーム部材。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、半導体素子
を複数個搭載できることを特徴とするリードフレーム部
材。 - 【請求項４】 少なくとも、インナーリードと、該イン
ナーリードと一体的に連結し、リードフレーム素材の一
面に沿い二次元的に配列された外部回路と電気的接続を
行うための外部端子部とを備え、一部がリードフレーム
素材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、
リードフレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹
脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材であって、
リードフレームは２段エッチング加工により作製された
もので、絶縁性樹脂は前記２段エッチング加工における
エッチング抵抗層をそのまま用いたものであり、前記リ
ードフレームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂と
はリードフレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成
し、且つ、絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以
下で、絶縁性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して
密着しており、且つ、リードフレームはインナーリード
と一体となった外部端子部の組みを、それぞれ分離した
状態で複数個有し、外部端子部の外部回路と接続する側
の面は前記一平面を形成して、外部に露出しているリー
ドフレーム部材を樹脂封止したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項５】 請求項４において、リードフレームの外
部端子部の表面に半田等からなる外部回路と接続するた
めの端子部を設けたＢＧＡタイプであることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項６】 少なくとも、インナーリードと、該イン
ナーリードと一体的に連結し、リードフレーム素材の一
面に沿い二次元的に配列された外部回路と電気的接続を
行うための外部端子部とを備え、一部がリードフレーム
素材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、
リードフレーム全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹
脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材であって、
リードフレームの一面側でリードフレームと絶縁性樹脂
とはリードフレーム素材面に沿い一平面を隙間なく形成
し、且つ、絶縁性樹脂の厚みがリードフレームの厚さ以
下で、絶縁性樹脂とリードフレームとが互いに嵌合して
密着しており、且つ、リードフレームはインナーリード
と一体となった外部端子部の組みを、それぞれ分離した
状態で複数個有し、外部端子部の外部回路と接続する側
の面は前記一平面を形成して、外部に露出しているリー
ドフレーム部材の製造方法であって、（ａ）リードフレ
ーム素材の両面に感光性のレジストを塗布した後、表裏
両面に所定の絵柄をもつレジストパターンを形成する工
程と、（ｂ）少なくともリードフレーム素材の第一の面
からエッチングして孔部を形成する第一のエッチング加
工を施し、リードフレーム素材を貫通させずにエッチン
グを止める工程と、（ｃ）第一のエッチング加工により
形成されたリードフレーム素材の第一の面の孔部に、耐
エッチング性を有する、硬化性絶縁性樹脂を埋め込む工
程と、（ｄ）リードフレーム素材の第二の面からエッチ
ングして貫通させる第二のエッチング加工を施し、リー
ドフレームを外形加工する工程と、（ｅ）リードフレー
ムの第一の面側から研磨して、少なくとも第一の面側に
エッチングにより形成された外部端子部（バンプ）面を
露出させる工程とを有するもので、且つ、少なくとも、
前記リードフレーム素材の第一の面に形成された孔部に
はリードフレーム素材を薄板化するための孔部があるこ
とを特徴とするリードフレーム部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13970796A JPH09307043A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13970796A JPH09307043A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307043A true JPH09307043A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=15251554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13970796A Pending JPH09307043A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | リードフレーム部材とその製造方法、および該リードフレーム部材を用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09307043A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005093616A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006128455A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2010038452A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 凸版印刷株式会社 | リードフレーム基板とその製造方法、及び半導体装置 |
| WO2010038450A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 凸版印刷株式会社 | リードフレーム基板及びその製造方法 |
| WO2010109788A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | 凸版印刷株式会社 | 半導体素子基板、その製造方法及び半導体装置 |
| WO2010116615A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | 凸版印刷株式会社 | 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 |
| WO2011055984A2 (en) * | 2009-11-04 | 2011-05-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Leadframe and method of manufacuring the same |
| WO2011059205A2 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lead frame and manufacturing method of the same |
| KR101107756B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-01-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 리드 프레임 및 그 제조 방법 |
| JP2012164877A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN104766832A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 海成帝爱斯株式会社 | 制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板 |
| KR20150081146A (ko) * | 2014-01-03 | 2015-07-13 | 해성디에스 주식회사 | 반도체 패키지 기판 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 기판 |
| US9299588B2 (en) | 2013-05-06 | 2016-03-29 | Haesung Ds Co., Ltd | Method of manufacturing lead frame |
| US10818579B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-10-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and electronic component device |
-
1996
- 1996-05-10 JP JP13970796A patent/JPH09307043A/ja active Pending
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005093616A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006128455A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4651359B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8558363B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-10-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Lead frame substrate and method of manufacturing the same, and semiconductor device |
| WO2010038452A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 凸版印刷株式会社 | リードフレーム基板とその製造方法、及び半導体装置 |
| WO2010038450A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 凸版印刷株式会社 | リードフレーム基板及びその製造方法 |
| JP2010087221A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム型基板とその製造方法、及び半導体装置 |
| JP2010087220A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム型基板の製造方法 |
| US8304294B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-06 | Toppan Printing Co., Ltd. | Lead frame substrate and method of manufacturing the same |
| KR20110074514A (ko) * | 2008-09-30 | 2011-06-30 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 리드 프레임 기판과 그 제조 방법, 및 반도체 장치 |
| TWI502711B (zh) * | 2008-09-30 | 2015-10-01 | Toppan Printing Co Ltd | 導線架基板及其製造方法與半導體裝置 |
| JP2010232216A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体素子基板、その製造方法及び半導体装置 |
| US8535979B2 (en) | 2009-03-25 | 2013-09-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing substrate for semiconductor element |
| CN102362345A (zh) * | 2009-03-25 | 2012-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 半导体元件基板及其制造方法、半导体器件 |
| US8319322B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-11-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Substrate for semiconductor element, method for manufacturing substrate for semiconductor element, and semiconductor device |
| WO2010109788A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | 凸版印刷株式会社 | 半導体素子基板、その製造方法及び半導体装置 |
| WO2010116615A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | 凸版印刷株式会社 | 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 |
| US8535987B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-09-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate for semiconductor element, and semiconductor device |
| CN102365737A (zh) * | 2009-03-30 | 2012-02-29 | 凸版印刷株式会社 | 半导体元件用基板的制造方法及半导体器件 |
| JP2010238694A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 |
| WO2011055984A2 (en) * | 2009-11-04 | 2011-05-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Leadframe and method of manufacuring the same |
| WO2011055984A3 (en) * | 2009-11-04 | 2011-09-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Leadframe and method of manufacuring the same |
| WO2011059205A2 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lead frame and manufacturing method of the same |
| WO2011059205A3 (en) * | 2009-11-11 | 2011-10-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lead frame and manufacturing method of the same |
| KR101107756B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-01-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 리드 프레임 및 그 제조 방법 |
| JP2012164877A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US9299588B2 (en) | 2013-05-06 | 2016-03-29 | Haesung Ds Co., Ltd | Method of manufacturing lead frame |
| CN104766832A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 海成帝爱斯株式会社 | 制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板 |
| KR20150081146A (ko) * | 2014-01-03 | 2015-07-13 | 해성디에스 주식회사 | 반도체 패키지 기판 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 기판 |
| US10818579B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-10-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and electronic component device |
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