JP2010087220A - リードフレーム型基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
- H01L21/4832—Etching a temporary substrate after encapsulation process to form leads
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
【解決手段】イ)金属板第1面に半導体素子搭載部、半導体素子電極接続端子、及び外枠部を、また第2面には外部接続端子、外枠部、及び外枠部の溝部を、それぞれ形成する為のフォトレジストパターンを形成、ロ)第2面の金属板露出部に非貫通の孔部と外枠部の溝部をエッチング形成、ハ)孔部と溝部に平板プレスでプリモールド樹脂の樹脂層を形成、ニ)第1面の半導体素子搭載部、外部接続端子と接続される半導体素子電極接続端子、及び第1外枠部をエッチング形成する。
【選択図】図1
Description
リードフレームは金属板の両面に所望のフォトレジストパターンを形成し、両面からエッチングすることにより、半導体素子搭載部、半導体素子電極との接続部であるインナーリード、アウターリード、これらを固定している外枠部を得ることができる。また、エッチング工法以外に、プレスによる打ち抜き加工によっても得ることができる。
半導体パッケージの組立工程としては、半導体素子搭載部に半導体素子をダイボンディングしたのち、金ワイヤー等を用いて、半導体素子の電極とインナーリードを電気的に接続する。その後、インナーリード部を含む半導体素子近傍を樹脂封止し、外枠部を断裁し、必要に応じてアウターリードに曲げ加工を施す。
しかしながら、これらの基板の製造は工程が複雑になり、コスト高になるとともに、基板内の配線接続にめっきが使用されているため、リードフレームタイプのパッケージに比べ、信頼性が劣るという問題点がある。
BGAタイプのリードフレームでは、外部接続端子11の数が増加すると、半導体素子電極接続端子9側の配線10長が長くなる。この配線は金属板をハーフエッチングして作製するもので、その幅も厚さも小さく、エッチング以降の工程で折れや曲がりが発生して収率は非常に悪くなるという問題があった。
しかし、この工夫もけっして満足できる技術とは言えない。何故なら、これによっても中空状態を完全に回避できるものではないからである。又、プリモールド樹脂の塗布量の調整が非常に難しく、塗布量が多くなると外部接続端子11上にも樹脂層が形成され、なんらかの除去工程が必要になるという問題が懸念される。又、プリモールド樹脂は一般的には熱硬化エポキシ樹脂系であるため、硬化収縮は避けられず、エッチング後の金属表面では密着性が確保できないことがあり、組立工程中の加熱処理で剥離が発生したり、温度サイクルテストにおいて信頼性が確保できないといった問題も懸念される。
前記第2の面の金属板が露出した金属板露出部に、該金属板露出部を貫通しない孔部と、前記第2の外枠部の内側から外側へ横断する溝部を、エッチングにより形成し、
前記孔部と前記溝部に、プリモールド樹脂を平板プレスにて加熱・加圧塗布することによって樹脂層を形成し、
その後、前記第1の面をエッチングすることにより、前記半導体素子搭載部、前記外部接続端子と電気的に接続される前記半導体素子電極接続端子、及び前記第1の外枠部を形成する、
以上の工程を経ることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法である。
一方、リードフレーム型基板の作製時において、配線の折れや曲がり等の不良が発生せず、半導体パッケージ組み立て工程であるワイヤーボンディング時において、ワイヤーボンディング接続端子の下部はプリモールド樹脂層が外部接続端子表面と面一に存在するため、安定して接続が可能となる。
次いで、図1(b)に示すように、この金属板1の両面に、ロールコーターでフォトレジスト(東京応化(株)製、OFPR4000)を5μmの厚さになるようにコーティングした後、90°Cでプレベークを行った。次に、所望のパターンを有するフオトマスクを介して両面からパターン露光し、その後1%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理を行った後に水洗及びポストベークを行い、図1(b)に示すようにフォトレジストパターン2を得た。
フォトレジストパターンとしては、第1の面には、半導体素子搭載部8、半導体素子電極接続端子9、配線10、外枠部12を形成するためのパターンを、第2の面には外部接続端子11、外枠部12、および、外枠部12に内側から外側に向けて幅5mmの溝部4をおよそ10mm間隔に形成するためのパターンを形成した。溝部4を形成するためのパターンとして、30μm径のドットパターンを0.8mmピッチでアレイ状に配置した。
熱硬化樹脂の埋め込み性は良好で、ボイド等の不良は観察されなかった。また、不要な樹脂分はプレス板6と外枠部12の間に形成された溝部4を通り、外枠部12外側に押し出された。このため、外部接続端子11、外枠部12のエッチングされなかった面上には、ほとんど熱硬化樹脂が残存しなかったが、その表面洗浄を兼ねて、60°Cの過マンガン酸カリウムのアルカリ水溶液(40g/L過マンガン酸カリウム+20g/L水酸化ナトリウム)に3分ほど処理を行った。
2 フォトレジストパターン
3 孔部
4 溝部
5 プリモールド樹脂
6 平板プレス板
7 リードフレーム型基板
8 半導体素子搭載部
9 半導体素子電極接続端子
10 配線
11 外部接続端子
12 外枠部
13 半導体素子
14 金線
15 ダイアタッチ材
16 トランスファーモールド樹脂
17 電着ポリイミド層
Claims (2)
- 金属板の第1の面に、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部、該半導体素子の電極と接続する為の半導体素子電極接続端子、及び第1の外枠部を、それぞれ形成する為のフォトレジストのパターンを形成し、又、該金属板の第2の面には、外部接続端子、第2の外枠部、及び該第2の外枠部の少なくとも一部に溝部を、それぞれ形成する為のフォトレジストのパターンを形成し、
前記第2の面の金属板が露出した金属板露出部に、該金属板露出部を貫通しない孔部と、前記第2の外枠部の内側から外側へ横断する溝部を、エッチングにより形成し、
前記孔部と前記溝部に、プリモールド樹脂を平板プレスにて加熱・加圧塗布することによって樹脂層を形成し、
その後、前記第1の面をエッチングすることにより、前記半導体素子搭載部、前記外部接続端子と電気的に接続される前記半導体素子電極接続端子、及び前記第1の外枠部を形成する、
以上の工程を経ることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法。 - 前記第2の面の前記金属板露出部に前記孔部と前記溝部を形成した後、エッチングされた表面に粗化処理を施すこと、
を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム型基板の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008254311A JP5493323B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | リードフレーム型基板の製造方法 |
TW098133072A TWI462253B (zh) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | 導線架基板及其製造方法 |
CN200980138161.4A CN102165586B (zh) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | 引线框基板以及该引线框基板的制造方法 |
KR1020117006868A KR101609405B1 (ko) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | 리드 프레임 기판 및 그 제조 방법 |
PCT/JP2009/005033 WO2010038450A1 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | リードフレーム基板及びその製造方法 |
US13/064,314 US8304294B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-03-17 | Lead frame substrate and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008254311A JP5493323B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | リードフレーム型基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087220A true JP2010087220A (ja) | 2010-04-15 |
JP5493323B2 JP5493323B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=42073230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008254311A Expired - Fee Related JP5493323B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | リードフレーム型基板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304294B2 (ja) |
JP (1) | JP5493323B2 (ja) |
KR (1) | KR101609405B1 (ja) |
CN (1) | CN102165586B (ja) |
TW (1) | TWI462253B (ja) |
WO (1) | WO2010038450A1 (ja) |
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- 2009-09-30 WO PCT/JP2009/005033 patent/WO2010038450A1/ja active Application Filing
- 2009-09-30 KR KR1020117006868A patent/KR101609405B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-09-30 TW TW098133072A patent/TWI462253B/zh not_active IP Right Cessation
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CN102165586B (zh) | 2014-06-04 |
CN102165586A (zh) | 2011-08-24 |
KR101609405B1 (ko) | 2016-04-05 |
WO2010038450A1 (ja) | 2010-04-08 |
US8304294B2 (en) | 2012-11-06 |
TWI462253B (zh) | 2014-11-21 |
KR20110059860A (ko) | 2011-06-07 |
JP5493323B2 (ja) | 2014-05-14 |
US20110169153A1 (en) | 2011-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |