JP2014116632A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の金属層上に第2の金属層を形成したベース基板を準備する工程と、前記第2の金属層上にパターニングされたレジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層から露出した前記第2の金属層上に電鋳により複数の半導体素子搭載部及び電極端子部を形成する工程と、前記レジストマスク層を除去する工程と、前記半導体素子搭載部に半導体素子を搭載し、半導体素子と前記電極端子部とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子搭載部、半導体素子及び電極端子部を樹脂封止し、樹脂封止体を形成する工程と、前記第2の金属層を含むベース基板を剥離除去する工程、を順次経ること。
【選択図】 図1
Description
図3(a)は、ステンレスやアルミ、銅等から成る導電性基板11を示す。
以下、製造方法を工程順に説明する。
図3(b)に示す、導電性基板11上に、半導体素子搭載用のアイランド部及び外部導出用の電極部を形成するための所定パターンから成るレジストマスク層4を形成する工程、
図3(c)に示す、導電性基板11の露出面についてマイクロエッチング等の表面活性化処理を実施した後、実装用金属層5としてAuやAgをめっき形成する工程、
図3(d)に示す、実装用金属層5の上にアイランド部と電極部となる電鋳層6を電鋳形成し、電鋳物7とする工程、
図3(e)に示す、導電性基板11よりレジストマスク層4を除去する工程、
次いで図4(f)に示す、電鋳物7のアイランド部に半導体素子8を搭載し、半導体素子8と電極部をワイヤボンディング9により電気的に接続する工程、
図4(g)に示す、導電性基板11上の半導体素子8、アイランド部、電極部およびボンディングワイヤ9を樹脂封止して樹脂封止体10とする工程、
図4(h)に示す、導電性基板11を剥離して樹脂封止体10を得る工程、
図4(i)に示す、樹脂封止体10を切断して半導体装置を個片化する工程、
とにより製作される。
第1の金属層1の厚さは用途に応じて適宜設定してよいが、例えば、板厚0.10mmのCu板を用いてもよい。
第1の金属層がCu板から成る場合、その表面を酸洗浄することで活性化させることができる。酸洗浄には硫酸、塩酸等が好適に使用でき、Cu板表面の酸化被膜を除去できれば、その他の薬品を使用してもよい。更に、第1の金属層と第2の金属層との密着性をより強固なものとするために、マイクロエッチングを実施してもよい。
いずれにしても、活性化処理は第1の金属層と第2の金属層との密着性向上を主目的とするため、第1の金属層上の汚れや酸化膜等の密着性阻害要因を除去できる処理を実施すればよく、電解脱脂やアルカリ洗浄を併用しても構わない。
第2の金属層2の厚さは0.1〜1μmの範囲で形成することが望ましい。0.1μmよりも薄い場合は、その後の酸化膜厚設定が難しくなり、ベース基板剥離工程における適度な剥離強度が発現し難くなる。電鋳1μmを超えて厚過ぎる場合は、金属層形成のコストが上昇すると共に、第1の金属層1と第2の金属層2との内部応力差によるベース基板の反りが大きくなり、各工程での取り扱いが難しくなる。
このワイヤボンディング工程において電鋳物7は加熱されるが、実装用金属層5が拡散し難い金属により第2の金属層2は形成されているため、実装用金属層5が第1の金属層1へ拡散することを抑制でき、実装時の接合不良等を防止することができる。
このとき、封止樹脂を硬化させるために電鋳フレーム全体も加熱されるが、実装用金属層5が拡散し難い金属により第2の金属層2は形成されているため、実装用金属層5が第1の金属層1へ拡散することを抑制でき、実装時の接合不良等を防止することができる。
前記製造方法により、表面実装型の半導体装置を安定的に量産することが可能となる。
2 第2の金属層
3 ベース基板
4 レジストマスク層
5 実装用金属層
6 電鋳層
7 電鋳物
8 半導体素子
9 ボンディングワイヤ
10 樹脂封止体
11 導電性基板
Claims (3)
- 半導体装置の製造方法において、
活性化処理により第1の金属層上に活性化面を形成した後、実装用金属が拡散し難い第2の金属層を前記活性化面上に形成したベース基板を準備する工程と、
前記第2の金属層上にパターニングされたレジストマスク層を形成する工程と、
前記レジストマスク層から露出した前記第2の金属層上に前記第2の金属層の酸化膜を介して実装用金属層を形成する工程と、
前記実装用金属層上に電鋳により複数の半導体素子搭載部及び電極端子部を形成する工程と、
前記レジストマスク層を除去する工程と、
前記半導体素子搭載部に半導体素子を搭載し、半導体素子と前記電極端子部とを電気的に接続する工程と、
前記半導体素子搭載部、半導体素子及び電極端子部を樹脂封止し、樹脂封止体を形成する工程と、
前記第2の金属層を含むベース基板を剥離除去する工程と、
を順次経ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の金属層がCuから成り、前記第2の金属層がNiから成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記実装用金属層はAu、Ag又はPdから成ることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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