KR20020058209A - 반도체패키지 - Google Patents

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KR20020058209A
KR20020058209A KR1020000086246A KR20000086246A KR20020058209A KR 20020058209 A KR20020058209 A KR 20020058209A KR 1020000086246 A KR1020000086246 A KR 1020000086246A KR 20000086246 A KR20000086246 A KR 20000086246A KR 20020058209 A KR20020058209 A KR 20020058209A
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semiconductor
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백종식
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마이클 디. 오브라이언
앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
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Abstract

이 발명은 반도체패키지에 관한 것으로, 저가인 동시에, 내습성이 강하고 두께가 더욱 얇아지도록, 대략 평면인 제1면과 제2면을 가지며, 평면상에 대략 방사상으로 배열된 다수의 리드와; 상기 리드의 제2면과 일정 거리 이격되어 위치되고, 대략 평면인 제1면과 제2면을 가지며, 상기 제1면이 상기 리드의 제2면을 향하는 동시에, 상기 제1면에는 다수의 입출력패드가 형성된 반도체칩과; 상기 반도체칩의 각 입출력패드와 상기 각 리드의 제2면을 상호 전기적으로 접속시키는 다수의 도전성 범프와; 상기 반도체칩, 도전성 범프 및 제1면을 제외한 리드가 봉지재로 봉지되어 형성된 봉지부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

Description

반도체패키지{Semiconductor package}
본 발명은 반도체패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 반도체칩을 플립칩 기술에 의해 리드프레임에 탑재한 반도체패키지에 관한 것이다.
통상 종래의 플립칩 기술을 이용한 반도체패키지는 반도체칩의 입출력패드에 도전성 범프를 형성한 후, 상기 반도체칩을 뒤집어(Face Down) 인쇄회로기판의 일정 영역에 리플로우(Reflow)시킨 구조를 하며, 이러한 종래의 반도체패키지(100')가 도1에 도시되어 있다.
도시된 바와 같이 하면에 다수의 입출력패드(2')가 형성된 반도체칩(1')이 구비되어 있고, 상기 입출력패드(2')에는 일정 두께의 도전성 범프(3')가 형성되어 있다. 또한, 상기 도전성 범프(3')는 인쇄회로기판(10')의 범프랜드(11b')에 융착되어 있다. 상기 인쇄회로기판(10')은 통상 수지층(12')을 기본층으로 그 상,하면에 범프랜드(11b') 및 볼랜드(11a')를 포함하는 배선패턴(11')이 복잡하게 형성되어 있고, 상기 수지층(12') 상,하면의 배선패턴(11')은 도전성 비아홀(14')에 의해 상호 연결되어 있다. 또한, 상기 범프랜드(11b') 및 볼랜드(11a')를 제외한 배선패턴(11') 및 수지층(12')의 표면은 절연성 솔더마스크(13')로 코팅되어 있다.
한편, 상기 인쇄회로기판(10')의 상면 및 반도체칩(1') 등은 외부 환경으로부터 보호되도록 봉지부(4')에 의해 감싸여져 있으며, 상기 인쇄회로기판(10')의 하면중 볼랜드(11a')에는 다수의 도전성볼(5')이 융착되어 마더보드(도시되지 않음)에 실장 가능한 형태로 되어 있다.
이러한 반도체패키지(100')는 반도체칩(1')의 전기적 신호가 입출력패드(2'), 도전성범프(3'), 배선패턴(11')중 범프랜드(11b'), 도전성 비아홀(14') 및 볼랜드(11a'), 그리고 도전성볼(5')을 통하여 마더보드에 전달되며, 상기 마더보드의 전기적 신호는 상기한 역순으로 전달된다.
그러나, 이러한 종래의 반도체패키지는 고가의 인쇄회로기판을 사용함으로써 반도체패키지의 가격이 높아지는 단점이 있다. 즉, 상기 인쇄회로기판은 통상 제조 방법이 복잡하고 또는 생산수율이 낮기 때문에 그 가격이 매우 고가이며, 전체 패키징 비용의 대략 60% 이상을 차지하고 있는 실정이다. 따라서, 반도체패키지의 제조 공정중 상기 인쇄회로기판으로 인한 가격 부담이 크게 작용하고 있다.
또한, 종래의 반도체패키지에서 상기 인쇄회로기판의 수지층 및 솔더마스크는 수분 흡수율이 큼으로써, 반도체패키지의 내습성이 약하다. 따라서 습도가 높은 지역에서는 상기 반도체패키지의 수명이 빠르게 단축되는 단점이 있다.
더불어, 상기 인쇄회로기판 및 그 하면에 부착된 도전성 볼의 전체적 두께는 반도체칩의 두께보다 훨씬 두껍기 때문에 결국 반도체패키지의 전체적 두께가 두꺼워지고, 이로 인해 최신의 초박형화한 전자기기의 사용이 부적합한 단점도 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 반도체칩을 플립칩 기술에 의해 리드프레임에 탑재함으로써, 저가의 반도체패키지를 구현하는 동시에, 내습성이 강하고 두께를 더욱 얇게 할 수 있는 반도체패키지를 제공하는데 있다.
도1은 종래의 반도체패키지를 도시한 단면도이다.
도2는 본 발명에 의한 반도체패키지를 도시한 단면도이다.
도3은 도2의 반도체패키지에 이용된 리드프레임의 일례를 도시한 평면도이다.
도4a 및 도4b는 리드프레임의 일정 영역을 확대 도시한 평면도 및 단면도이다.
- 도면중 주요 부호에 대한 설명 -
100; 본 발명에 의한 반도체패키지
1; 리드1a; 리드의 제1면
1b; 리드의 제2면1c; 리드의 제3면
1d; 범프랜드1e; 외부 입출력단자
1f; 댐바2; 반도체칩
2a; 칩의 제1면2b; 칩의 제2면
2c; 입출력패드3; 도전성범프
4; 보호막5; 봉지부
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지는 대략 평면인 제1면과 제2면을 가지며, 평면상에 대략 방사상으로 배열된 다수의 리드와; 상기 리드의 제2면과 일정 거리 이격되어 위치되고, 대략 평면인 제1면과 제2면을 가지며, 상기 제1면이 상기 리드의 제2면을 향하는 동시에, 상기 제1면에는 다수의 입출력패드가 형성된 반도체칩과; 상기 반도체칩의 각 입출력패드와 상기 각 리드의 제2면을 상호 전기적으로 접속시키는 다수의 도전성 범프와; 상기 반도체칩, 도전성 범프 및 제1면을 제외한 리드가 봉지재로 봉지되어 형성된 봉지부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 리드는 상기 도전성 범프가 용이하게 융착되도록, 상기 도전성 범프와 대응하는 제2면의 일정 영역에 대략 원형인 범프랜드가 형성될 수 있다.
이때, 범프랜드를 제외한 리드의 제2면 전체에 일정 두께의 보호막이 더 형성될 수 있다.
또한, 상기 보호막은 폴리이미드(Polyimide), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중 어느 하나에 의해 형성될 수 있다.
더불어, 상기 리드는 제1면과 제2면 사이에 제3면이 더 형성됨과 동시에, 상기 제3면은 봉지부 내측에 위치되고, 상기 봉지부 하면에는 외부 입출력단자 역할을 하는 상기 리드의 제1면이 배열된 채 노출될 수 있다.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 반도체패키지에 의하면, 저가의 리드프레임을 이용함으로써, 반도체패키지의 가격이 낮아지는 장점이 있다. 즉, 상기 리드프레임은 종래의 인쇄회로기판에 비해 그 가격이 대단히 저렴함으로써, 결국 반도체패키지의 가격도 저하된다.
또한, 상기 리드프레임은 종래 인쇄회로기판에 비해 내습성이 강함으로, 보다 가혹한 환경에서 상기 반도체패키지가 오래 견딜 수 있는 장점이 있다.
더불어, 상기 리드프레임의 일면이 직접 마더보드에 실장될 수 있는 형태를 함으로써, 종래에 비해 반도체패키지의 두께가 현저히 얇아지는 장점이 있다.
이하 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 발명에 의한 반도체패키지(100)를 도시한 단면도이다.
대략 평면인 제1면(1a)과 제2면(1b)을 가지는 리드(1)가 일정 영역을 중심으로 상호 대향되게 형성되어 있다. 상기 리드(1)는 주지된 바와 같이 통상적인 구리(Cu), 철(Fe), 또는 구리 합금 등으로 이루진 것이다.
이어서, 상기 리드(1)의 제2면(1b)과 일정 거리 이격되어서는, 대략 평면인 제1면(2a)과 제2면(2b)을 가지고, 상기 제1면(2a)이 상기 리드(1)의 제2면(1b)을 향하는 동시에, 상기 제1면(2a)에는 다수의 입출력패드(2c)가 형성된 반도체칩(2)이 구비되어 있다.
상기 반도체칩(2)의 제1면(2a)에 형성된 각 입출력패드(2c)는 골드(Au) 또는 솔더(Solder)와 같은 도전성범프(3)에 의해 상기 리드(1)의 제2면(1b)중 일정 영역(범프랜드(1d))에 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 상기 반도체칩(2), 도전성범프(3) 및 제1면(1a)을 제외한 리드(1)는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound)와 같은 봉지재로 봉지되어 단면상 대략 사각 모양을 하는 봉지부(5)가 형성되어 있다.
여기서, 상기 리드(1)의 평면 구조는 도3에 도시된 바와 중앙부에 다수의 범프랜드(1d)(제2면(1b)에 형성됨)가 형성되어 있고, 상기 범프랜드(1d)로부터 외측으로 연장된 일정 영역에는 다수의 외부 입출력단자(1e)(제1면(1a)에 형성됨)가 형성되어 있으며, 상기 각 리드(1)는 외측 둘레의 댐바(1f)에 의해 지지되는 구조를 한다. 상기 댐바(1f)는 반도체패키지(100) 제조 공정중 제거되는 부분이다.
상기 반도체칩(2)의 제1면(2a)에 형성된 입출력패드(2c)는 상기 도전성범프(3)에 의해 상기 범프랜드(1d)에 접속된다.
한편, 상기 범프랜드(1d)와 외부 입출력단자(1e)가 동일한 위치에 형성된 경우에는 상기 범프랜드(1d)의 크기가 과도하게 크기 때문에 상기 도전성범프(3)의 융착이 어려운 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 상기 범프랜드(1d)와 외부 입출력단자(1e)가 동일한 위치에 형성되어 있을 경우, 상기 범프랜드(1d)의 일정 영역이 대략 원형을 유지하며 외측으로 오픈되도록 상기 리드(1)의 제2면(1b)에 일정 두께의 보호막(4)이 형성되어 있다. 즉, 상기 보호막(4)은 도전성범프(3)가 리드(1)의 제2면(1b)을 따라 과도하게 일정 범위 이상으로 흘러가지 않토록 하는 역할을 한다. 상기 보호막(4)은 상기 범프랜드(1d) 근처에만 형성하거나 또는 상기 범프랜드(1d)를 제외한 리드(1)의 제2면(1b) 전체에 형성한다.
상기 보호막(4)은 폴리이미드(Polyimide), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중 어느 하나에 의해 형성될 수 있으며, 여기서 그 재질을 한정하는 것은 아니다.
계속해서, 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 상기 리드(1)는 제1면(1a)과 제2면(1b) 사이에 제3면(1c)이 더 형성될 수 있다. 이때, 상기 제3면(1c)은 봉지부(5) 내측에 위치됨으로써, 봉지부(5)와의 락킹(Locking) 효과가 증대되어 상기 리드(1)가 봉지부(5)의 상,하 또는 좌,우 방향으로 이탈되지 않도록 한다. 또한, 상기 리드(1)중 외부 입출력단자(1e) 역할을 하는 제1면(1a)은 봉지부(5) 하면에 배열된 상태로 노출됨으로써, 차후 마더보드에 실장 가능하게 되어 있다.
여기서, 상기 제3면(1c)은 리드(1)의 제1면(1a)중 일정 영역(외부 입출력단자(1e)가 될 영역)을 제외한 나머지 영역을 화학 용액으로 부분 에칭함으로써 구현 가능하다.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 의한 반도체패키지에 의하면, 저가의 리드프레임을 이용함으로써, 반도체패키지의 가격이 낮아지는 효과가 있다. 즉, 상기 리드프레임은 종래의 인쇄회로기판에 비해 그 가격이 대단이 저렴함으로써, 결국 반도체패키지의 가격도 저하된다.
또한, 상기 리드프레임은 종래 인쇄회로기판에 비해 내습성이 강함으로, 보다 가혹한 환경에서 상기 반도체패키지가 오래 견딜 수 있는 효과가 있다.
더불어, 상기 리드프레임의 일면이 직접 마더보드에 실장될 수 있는 형태를 함으로써, 종래에 비해 반도체패키지의 두께가 현저히 얇아지는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 대략 평면인 제1면과 제2면을 가지며, 평면상에 대략 방사상으로 배열된 다수의 리드와;
    상기 리드의 제2면과 일정 거리 이격되어 위치되고, 대략 평면인 제1면과 제2면을 가지며, 상기 제1면이 상기 리드의 제2면을 향하는 동시에, 상기 제1면에는 다수의 입출력패드가 형성된 반도체칩과;
    상기 반도체칩의 각 입출력패드와 상기 각 리드의 제2면을 상호 전기적으로 접속시키는 다수의 도전성 범프와;
    상기 반도체칩, 도전성 범프 및 제1면을 제외한 리드가 봉지재로 봉지되어 형성된 봉지부를 포함하여 이루어진 반도체패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리드는 상기 도전성 범프가 용이하게 융착되도록, 상기 도전성 범프와 대응하는 제2면의 일정 영역에 대략 원형인 범프랜드가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지.
  3. 제2항에 있어서, 상기 범프랜드를 제외한 리드의 제2면 전체에 일정 두께의 보호막이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보호막은 폴리이미드(Polyimide), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중 어느 하나에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체패키지.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 리드는 제1면과 제2면 사이에 제3면이 더 형성됨과 동시에, 상기 제3면은 봉지부 내측에 위치되고, 상기 봉지부 하면에는 외부 입출력단자 역할을 하는 상기 리드의 제1면이 배열된 채 노출된 것을 특징으로 하는 반도체패키지.
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US (2) US6803645B2 (ko)
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100861511B1 (ko) * 2002-07-24 2008-10-02 삼성테크윈 주식회사 리이드 프레임과 그것을 구비한 반도체 팩키지 및, 반도체팩키지의 제조 방법
US6894376B1 (en) 2003-06-09 2005-05-17 National Semiconductor Corporation Leadless microelectronic package and a method to maximize the die size in the package
US7087986B1 (en) * 2004-06-18 2006-08-08 National Semiconductor Corporation Solder pad configuration for use in a micro-array integrated circuit package
TWI236110B (en) * 2004-06-25 2005-07-11 Advanced Semiconductor Eng Flip chip on leadframe package and method for manufacturing the same
US7645640B2 (en) * 2004-11-15 2010-01-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with leadframe substrate
US8067823B2 (en) * 2004-11-15 2011-11-29 Stats Chippac, Ltd. Chip scale package having flip chip interconnect on die paddle
US7880313B2 (en) * 2004-11-17 2011-02-01 Chippac, Inc. Semiconductor flip chip package having substantially non-collapsible spacer
TWI237364B (en) * 2004-12-14 2005-08-01 Advanced Semiconductor Eng Flip chip package with anti-floating mechanism
US8039956B2 (en) * 2005-08-22 2011-10-18 Texas Instruments Incorporated High current semiconductor device system having low resistance and inductance
US7335536B2 (en) 2005-09-01 2008-02-26 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating low resistance, low inductance interconnections in high current semiconductor devices
GB0815870D0 (en) * 2008-09-01 2008-10-08 Cambridge Silicon Radio Ltd Improved qfn package
JP5493323B2 (ja) * 2008-09-30 2014-05-14 凸版印刷株式会社 リードフレーム型基板の製造方法
KR101796116B1 (ko) 2010-10-20 2017-11-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법
US20120299171A1 (en) * 2011-05-27 2012-11-29 International Business Machines Corporation Leadframe-based ball grid array packaging
CN102842515A (zh) * 2011-06-23 2012-12-26 飞思卡尔半导体公司 组装半导体器件的方法
CN102394232A (zh) * 2011-11-29 2012-03-28 杭州矽力杰半导体技术有限公司 一种引线框架及应用其的芯片倒装封装装置
KR101538543B1 (ko) * 2013-08-13 2015-07-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US10128171B1 (en) * 2016-03-25 2018-11-13 Marvell International Ltd. Leadframe with improved half-etch layout to reduce defects caused during singulation
CN107919339B (zh) * 2016-10-11 2022-08-09 恩智浦美国有限公司 具有高密度引线阵列的半导体装置及引线框架

Family Cites Families (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2596993A (en) * 1949-01-13 1952-05-20 United Shoe Machinery Corp Method and mold for covering of eyelets by plastic injection
US3435815A (en) * 1966-07-15 1969-04-01 Micro Tech Mfg Inc Wafer dicer
US3734660A (en) * 1970-01-09 1973-05-22 Tuthill Pump Co Apparatus for fabricating a bearing device
US4189342A (en) * 1971-10-07 1980-02-19 U.S. Philips Corporation Semiconductor device comprising projecting contact layers
US3838984A (en) 1973-04-16 1974-10-01 Sperry Rand Corp Flexible carrier and interconnect for uncased ic chips
US4054238A (en) 1976-03-23 1977-10-18 Western Electric Company, Inc. Method, apparatus and lead frame for assembling leads with terminals on a substrate
JPS5479563A (en) * 1977-12-07 1979-06-25 Kyushu Nippon Electric Lead frame for semiconductor
US4332537A (en) * 1978-07-17 1982-06-01 Dusan Slepcevic Encapsulation mold with removable cavity plates
JPS5521128A (en) * 1978-08-02 1980-02-15 Hitachi Ltd Lead frame used for semiconductor device and its assembling
JPS5588356A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Hitachi Ltd Semiconductor device
US4289922A (en) * 1979-09-04 1981-09-15 Plessey Incorporated Integrated circuit package and lead frame
JPS575959A (en) 1980-06-09 1982-01-12 Ishikawa Seisakusho Kk Winding of cheese dyeing package of polyamide extensible bulky yarn
US4417266A (en) * 1981-08-14 1983-11-22 Amp Incorporated Power and ground plane structure for chip carrier
US4451224A (en) * 1982-03-25 1984-05-29 General Electric Company Mold device for making plastic articles from resin
FR2524707B1 (fr) 1982-04-01 1985-05-31 Cit Alcatel Procede d'encapsulation de composants semi-conducteurs, et composants encapsules obtenus
US4646710A (en) * 1982-09-22 1987-03-03 Crystal Systems, Inc. Multi-wafer slicing with a fixed abrasive
JPS59227143A (ja) 1983-06-07 1984-12-20 Dainippon Printing Co Ltd 集積回路パツケ−ジ
US4737839A (en) * 1984-03-19 1988-04-12 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Semiconductor chip mounting system
JPS60195957A (ja) 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ム
JPH0612796B2 (ja) 1984-06-04 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS6139555A (ja) 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Corp 放熱板付樹脂封止形半導体装置
US4862246A (en) * 1984-09-26 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor device lead frame with etched through holes
US4862245A (en) * 1985-04-18 1989-08-29 International Business Machines Corporation Package semiconductor chip
JPS629639A (ja) 1985-07-05 1987-01-17 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
US4727633A (en) * 1985-08-08 1988-03-01 Tektronix, Inc. Method of securing metallic members together
US4756080A (en) 1986-01-27 1988-07-12 American Microsystems, Inc. Metal foil semiconductor interconnection method
US4812896A (en) 1986-11-13 1989-03-14 Olin Corporation Metal electronic package sealed with thermoplastic having a grafted metal deactivator and antioxidant
US5087961A (en) * 1987-01-28 1992-02-11 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package
JPS63205935A (ja) 1987-02-23 1988-08-25 Toshiba Corp 放熱板付樹脂封止型半導体装置
KR960006710B1 (ko) * 1987-02-25 1996-05-22 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 면실장형 반도체집적회로장치 및 그 제조방법과 그 실장방법
JP2509607B2 (ja) 1987-03-23 1996-06-26 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US5059379A (en) * 1987-07-20 1991-10-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of resin sealing semiconductor devices
US4942454A (en) * 1987-08-05 1990-07-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Resin sealed semiconductor device
US5122860A (en) * 1987-08-26 1992-06-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Integrated circuit device and manufacturing method thereof
JPH01106456A (ja) 1987-10-19 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
US4987475A (en) * 1988-02-29 1991-01-22 Digital Equipment Corporation Alignment of leads for ceramic integrated circuit packages
US4907067A (en) * 1988-05-11 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Thermally efficient power device package
US5096852A (en) * 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
WO1990000813A1 (en) * 1988-07-08 1990-01-25 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device
US4935803A (en) * 1988-09-09 1990-06-19 Motorola, Inc. Self-centering electrode for power devices
US5277972B1 (en) 1988-09-29 1996-11-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive tapes
KR930009213B1 (ko) 1988-09-29 1993-09-24 이노우에 다카오 접착 테이프
US5057900A (en) * 1988-10-17 1991-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and a manufacturing method for the same
US5018003A (en) * 1988-10-20 1991-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Lead frame and semiconductor device
US5266834A (en) * 1989-03-13 1993-11-30 Hitachi Ltd. Semiconductor device and an electronic device with the semiconductor devices mounted thereon
US5070039A (en) * 1989-04-13 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of making an integrated circuit using a pre-served dam bar to reduce mold flash and to facilitate flash removal
JPH02306639A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂封入方法
FR2659157B2 (fr) * 1989-05-26 1994-09-30 Lemaire Gerard Procede de fabrication d'une carte dite carte a puce, et carte obtenue par ce procede.
US5417905A (en) * 1989-05-26 1995-05-23 Esec (Far East) Limited Method of making a card having decorations on both faces
DE69023819T2 (de) * 1989-05-31 1996-04-11 Fujitsu Ltd Packungsstruktur mit einem Steckerstift-Gitter.
WO1993017457A1 (en) * 1989-07-01 1993-09-02 Ryo Enomoto Substrate for mounting semiconductor and method of producing the same
JPH0671062B2 (ja) * 1989-08-30 1994-09-07 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US5200362A (en) 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
US5041902A (en) 1989-12-14 1991-08-20 Motorola, Inc. Molded electronic package with compression structures
US5151039A (en) * 1990-04-06 1992-09-29 Advanced Interconnections Corporation Integrated circuit adapter having gullwing-shaped leads
US5118298A (en) * 1991-04-04 1992-06-02 Advanced Interconnections Corporation Through hole mounting of integrated circuit adapter leads
ATE186795T1 (de) 1990-07-21 1999-12-15 Mitsui Chemicals Inc Halbleiteranordnung mit einer packung
AU8519891A (en) 1990-08-01 1992-03-02 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus
US5029386A (en) * 1990-09-17 1991-07-09 Hewlett-Packard Company Hierarchical tape automated bonding method
US5335771A (en) * 1990-09-25 1994-08-09 R. H. Murphy Company, Inc. Spacer trays for stacking storage trays with integrated circuits
US5391439A (en) * 1990-09-27 1995-02-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Leadframe adapted to support semiconductor elements
US5298685A (en) 1990-10-30 1994-03-29 International Business Machines Corporation Interconnection method and structure for organic circuit boards
US5216278A (en) 1990-12-04 1993-06-01 Motorola, Inc. Semiconductor device having a pad array carrier package
US5157480A (en) 1991-02-06 1992-10-20 Motorola, Inc. Semiconductor device having dual electrical contact sites
US5172214A (en) 1991-02-06 1992-12-15 Motorola, Inc. Leadless semiconductor device and method for making the same
US5281849A (en) * 1991-05-07 1994-01-25 Singh Deo Narendra N Semiconductor package with segmented lead frame
US5168368A (en) * 1991-05-09 1992-12-01 International Business Machines Corporation Lead frame-chip package with improved configuration
US5172213A (en) 1991-05-23 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Molded circuit package having heat dissipating post
US5221642A (en) 1991-08-15 1993-06-22 Staktek Corporation Lead-on-chip integrated circuit fabrication method
JP2658661B2 (ja) 1991-09-18 1997-09-30 日本電気株式会社 多層印刷配線板の製造方法
JP2518569B2 (ja) * 1991-09-19 1996-07-24 三菱電機株式会社 半導体装置
US5200809A (en) 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
US5332864A (en) 1991-12-27 1994-07-26 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit package having an interposer
JPH06120374A (ja) * 1992-03-31 1994-04-28 Amkor Electron Inc 半導体パッケージ構造、半導体パッケージ方法及び半導体パッケージ用放熱板
US5250841A (en) * 1992-04-06 1993-10-05 Motorola, Inc. Semiconductor device with test-only leads
US5539251A (en) * 1992-05-11 1996-07-23 Micron Technology, Inc. Tie bar over chip lead frame design
US5214845A (en) 1992-05-11 1993-06-01 Micron Technology, Inc. Method for producing high speed integrated circuits
DE69329542T2 (de) 1992-06-05 2001-02-08 Mitsui Chemicals Inc Dreidimensionale leiterplatte, elektronische bauelementanordnung unter verwendung dieser leiterplatte und herstellungsverfahren zu dieser leiterplatte
US5278446A (en) 1992-07-06 1994-01-11 Motorola, Inc. Reduced stress plastic package
JPH0637202A (ja) * 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波ic用パッケージ
JPH0653394A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレーム用プレーン支持体
GB9216079D0 (en) 1992-07-28 1992-09-09 Foseco Int Lining of molten metal handling vessel
US5592025A (en) * 1992-08-06 1997-01-07 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device
KR0128251Y1 (ko) * 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
JPH0692076A (ja) 1992-09-16 1994-04-05 Oki Electric Ind Co Ltd Icカードモジュール用リードフレーム形状
US5608267A (en) 1992-09-17 1997-03-04 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including heat spreader
JP2670408B2 (ja) * 1992-10-27 1997-10-29 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US5859471A (en) 1992-11-17 1999-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads
US5409362A (en) * 1992-11-24 1995-04-25 Neu Dynamics Corp. Encapsulation molding equipment
US5406124A (en) 1992-12-04 1995-04-11 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape
US5340771A (en) * 1993-03-18 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Techniques for providing high I/O count connections to semiconductor dies
US5327008A (en) 1993-03-22 1994-07-05 Motorola Inc. Semiconductor device having universal low-stress die support and method for making the same
US5358905A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having die pad locking to substantially reduce package cracking
US5474958A (en) 1993-05-04 1995-12-12 Motorola, Inc. Method for making semiconductor device having no die supporting surface
KR0152901B1 (ko) * 1993-06-23 1998-10-01 문정환 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2526787B2 (ja) 1993-07-01 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体装置用リ―ドフレ―ム
JP2875139B2 (ja) * 1993-07-15 1999-03-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5336931A (en) 1993-09-03 1994-08-09 Motorola, Inc. Anchoring method for flow formed integrated circuit covers
US5641997A (en) 1993-09-14 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic-encapsulated semiconductor device
US5414299A (en) * 1993-09-24 1995-05-09 Vlsi Technology, Inc. Semi-conductor device interconnect package assembly for improved package performance
US5517056A (en) * 1993-09-30 1996-05-14 Motorola, Inc. Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
US5545923A (en) * 1993-10-22 1996-08-13 Lsi Logic Corporation Semiconductor device assembly with minimized bond finger connections
US5452511A (en) * 1993-11-04 1995-09-26 Chang; Alexander H. C. Composite lead frame manufacturing method
US5521429A (en) 1993-11-25 1996-05-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Surface-mount flat package semiconductor device
KR970010676B1 (ko) 1994-03-29 1997-06-30 엘지반도체 주식회사 반도체 패키지 및 이에 사용되는 리드 프레임
JPH07288309A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法並びに半導体モジュール
US5701034A (en) 1994-05-03 1997-12-23 Amkor Electronics, Inc. Packaged semiconductor die including heat sink with locking feature
JP3243116B2 (ja) 1994-05-17 2002-01-07 株式会社日立製作所 半導体装置
US5544412A (en) * 1994-05-24 1996-08-13 Motorola, Inc. Method for coupling a power lead to a bond pad in an electronic module
US5604376A (en) 1994-06-30 1997-02-18 Digital Equipment Corporation Paddleless molded plastic semiconductor chip package
US5454905A (en) * 1994-08-09 1995-10-03 National Semiconductor Corporation Method for manufacturing fine pitch lead frame
KR0145768B1 (ko) 1994-08-16 1998-08-01 김광호 리드 프레임과 그를 이용한 반도체 패키지 제조방법
US5508556A (en) * 1994-09-02 1996-04-16 Motorola, Inc. Leaded semiconductor device having accessible power supply pad terminals
US5543657A (en) * 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability
US5581122A (en) * 1994-10-25 1996-12-03 Industrial Technology Research Institute Packaging assembly with consolidated common voltage connections for integrated circuits
JP3475306B2 (ja) 1994-10-26 2003-12-08 大日本印刷株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3400877B2 (ja) * 1994-12-14 2003-04-28 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5528076A (en) * 1995-02-01 1996-06-18 Motorola, Inc. Leadframe having metal impregnated silicon carbide mounting area
JPH08306853A (ja) 1995-05-09 1996-11-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
KR0163526B1 (ko) 1995-05-17 1999-02-01 김광호 자외선/오존을 조사하여 접속패드에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법
JPH098205A (ja) 1995-06-14 1997-01-10 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH098206A (ja) 1995-06-19 1997-01-10 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびbgaタイプの樹脂封止型半導体装置
JPH098207A (ja) 1995-06-21 1997-01-10 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
US5650663A (en) 1995-07-03 1997-07-22 Olin Corporation Electronic package with improved thermal properties
JP3163961B2 (ja) 1995-09-22 2001-05-08 日立電線株式会社 半導体装置
JP3123638B2 (ja) 1995-09-25 2001-01-15 株式会社三井ハイテック 半導体装置
US5696666A (en) 1995-10-11 1997-12-09 Motorola, Inc. Low profile exposed die chip carrier package
US5646831A (en) 1995-12-28 1997-07-08 Vlsi Technology, Inc. Electrically enhanced power quad flat pack arrangement
US5866939A (en) * 1996-01-21 1999-02-02 Anam Semiconductor Inc. Lead end grid array semiconductor package
US5760465A (en) 1996-02-01 1998-06-02 International Business Machines Corporation Electronic package with strain relief means
US5977613A (en) 1996-03-07 1999-11-02 Matsushita Electronics Corporation Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein
JPH09260568A (ja) 1996-03-27 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100220154B1 (ko) 1996-04-01 1999-09-01 김규현 반도체 패키지의 제조방법
US6001671A (en) 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
US5776798A (en) 1996-09-04 1998-07-07 Motorola, Inc. Semiconductor package and method thereof
US5736432A (en) 1996-09-20 1998-04-07 National Semiconductor Corporation Lead frame with lead finger locking feature and method for making same
JP3012816B2 (ja) 1996-10-22 2000-02-28 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US6072228A (en) 1996-10-25 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Multi-part lead frame with dissimilar materials and method of manufacturing
US5981314A (en) 1996-10-31 1999-11-09 Amkor Technology, Inc. Near chip size integrated circuit package
TW351008B (en) 1996-12-24 1999-01-21 Matsushita Electronics Corp Lead holder, manufacturing method of lead holder, semiconductor and manufacturing method of semiconductor
JP3538290B2 (ja) 1997-01-09 2004-06-14 株式会社ルネサステクノロジ 配線部材およびこれを有するリードフレーム
US5894108A (en) 1997-02-11 1999-04-13 National Semiconductor Corporation Plastic package with exposed die
US5986885A (en) 1997-04-08 1999-11-16 Integrated Device Technology, Inc. Semiconductor package with internal heatsink and assembly method
US6025640A (en) 1997-07-16 2000-02-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device
US5977630A (en) 1997-08-15 1999-11-02 International Rectifier Corp. Plural semiconductor die housed in common package with split heat sink
US6130473A (en) 1998-04-02 2000-10-10 National Semiconductor Corporation Lead frame chip scale package
US6229200B1 (en) 1998-06-10 2001-05-08 Asat Limited Saw-singulated leadless plastic chip carrier
US6294100B1 (en) 1998-06-10 2001-09-25 Asat Ltd Exposed die leadless plastic chip carrier
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6281568B1 (en) 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad

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