JPS63205935A - 放熱板付樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
放熱板付樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS63205935A JPS63205935A JP62037850A JP3785087A JPS63205935A JP S63205935 A JPS63205935 A JP S63205935A JP 62037850 A JP62037850 A JP 62037850A JP 3785087 A JP3785087 A JP 3785087A JP S63205935 A JPS63205935 A JP S63205935A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はトランジスタアレイもしくはダイオードアレイ
などを備える放熱板付樹脂封止型半導体装置の改良に関
する。
などを備える放熱板付樹脂封止型半導体装置の改良に関
する。
(従来の技術)
パワートランジスタ等の電力用半導体素子を組立るに当
っては熱容量が大きくかつ放熱性に富んだヒートシンク
(放熱板を以後ヒートシンクと記載する)を利用する方
式が採用されており、このヒートシンクに直接半導体素
子を配置する際にはオン抵抗が大きな問題となる。
っては熱容量が大きくかつ放熱性に富んだヒートシンク
(放熱板を以後ヒートシンクと記載する)を利用する方
式が採用されており、このヒートシンクに直接半導体素
子を配置する際にはオン抵抗が大きな問題となる。
この解決策の1つとして第2図に示す方式即ち絶縁性が
ありしかも高い熱伝導を発揮するモールド樹脂の開発に
よって、半導体基板にパワートランジスタ等を造り込ん
だ素子20をダイボンディングしたリードフレーム21
のベッド部22とヒートシンク間に、この高熱伝導特性
をもつ封止樹脂層24を通常のトランスファーモールド
法によって充填する方法が実用化されている。
ありしかも高い熱伝導を発揮するモールド樹脂の開発に
よって、半導体基板にパワートランジスタ等を造り込ん
だ素子20をダイボンディングしたリードフレーム21
のベッド部22とヒートシンク間に、この高熱伝導特性
をもつ封止樹脂層24を通常のトランスファーモールド
法によって充填する方法が実用化されている。
更に、特開昭60−160624号公報に開示されたヒ
ートシンクと半導体素子の分離法を第3図イ〜ハによっ
て説明すると、先ずポリイミド、ポリアミドならびにエ
ポキシ等の樹脂製フィルム25に接着剤26を塗布して
から(第3図イ)、一定寸法に定型化したテープ27を
第3図口に示す自動方式によってマウントする。このテ
ープHは巻取リール29ならびに供給リール28に巻き
取られ、裏側のヒータ30で加熱されるヒートシンク3
1に、打抜きポンチ32を備えるプレス33を使用して
テープrをヒートシンク31に加熱圧着方式によって固
定する。その後第3図ハに明らかなように、ヒートシン
ク31にはテープFを介して半導体チップ34がペース
ト35によって実装して、ヒートシンク31と半導体チ
ップ34は絶縁分離する。一方、パワートランジスタや
トライアック等のように半導体基板の底面からの導通が
必要な場合1こはテープη−に予め蒸着等によるメタラ
イズ処理や金属箔の貼付によって電極を設け、ここにこ
れらの素子をダイボンディングする方法が採られている
。
ートシンクと半導体素子の分離法を第3図イ〜ハによっ
て説明すると、先ずポリイミド、ポリアミドならびにエ
ポキシ等の樹脂製フィルム25に接着剤26を塗布して
から(第3図イ)、一定寸法に定型化したテープ27を
第3図口に示す自動方式によってマウントする。このテ
ープHは巻取リール29ならびに供給リール28に巻き
取られ、裏側のヒータ30で加熱されるヒートシンク3
1に、打抜きポンチ32を備えるプレス33を使用して
テープrをヒートシンク31に加熱圧着方式によって固
定する。その後第3図ハに明らかなように、ヒートシン
ク31にはテープFを介して半導体チップ34がペース
ト35によって実装して、ヒートシンク31と半導体チ
ップ34は絶縁分離する。一方、パワートランジスタや
トライアック等のように半導体基板の底面からの導通が
必要な場合1こはテープη−に予め蒸着等によるメタラ
イズ処理や金属箔の貼付によって電極を設け、ここにこ
れらの素子をダイボンディングする方法が採られている
。
(発明が解決しようとする問題点)
前述の第2図に示す方式では高熱放散性と電気絶縁性を
両立させるには限界があった。と言うのはリードフレー
ムのベッド部22とヒートシンク23間の距離を抑えて
高熱放散性を確保しようとすると、この間隙に充填する
封止樹脂層24に空隙が発生して電気絶縁性に難点を生
じるので、両者間の距離として約0.6mm以下に近ず
けることは事実上無理となる。
両立させるには限界があった。と言うのはリードフレー
ムのベッド部22とヒートシンク23間の距離を抑えて
高熱放散性を確保しようとすると、この間隙に充填する
封止樹脂層24に空隙が発生して電気絶縁性に難点を生
じるので、両者間の距離として約0.6mm以下に近ず
けることは事実上無理となる。
第3図に示す素子分離方式は有機絶縁物からなるテープ
を利用しているが、高熱放散性が不充分言い換えると熱
抵抗が悪く、従ってパワーが大きく発熱量が大きい半導
体素子の組立には難点がある。
を利用しているが、高熱放散性が不充分言い換えると熱
抵抗が悪く、従ってパワーが大きく発熱量が大きい半導
体素子の組立には難点がある。
本発明は、上記芝点を克服する現規な放熱板付樹脂封止
型半導体装置を提供することを目的とする。
型半導体装置を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この目的を達成するために1本発明ではリードフレーム
のベッドに必要な半導体素子などの電子回路部品を取着
してからこのベッドとヒートシンク間にセラミック等の
絶縁物層を介在して固着後、常法通り樹脂で封止するこ
とによって、熱放散性に優れかつオン抵抗の少ない樹脂
封止型半導体装置を得るものである。
のベッドに必要な半導体素子などの電子回路部品を取着
してからこのベッドとヒートシンク間にセラミック等の
絶縁物層を介在して固着後、常法通り樹脂で封止するこ
とによって、熱放散性に優れかつオン抵抗の少ない樹脂
封止型半導体装置を得るものである。
(作 用)
このようにリードフレームのベッドとヒートシンク間に
セラミック等の絶縁物層を介在して得られる樹脂封止型
半導体装置は熱抵抗が0.9℃/Vと極めて小さくなる
事実を基に完成したもので、従来の技術側に説明した第
2図の樹脂封止型半導体装vi(511II1口の半導
体素子使用)の熱抵抗4.5℃/Vに比べて際立った値
を示し、その優位性は明らかである。
セラミック等の絶縁物層を介在して得られる樹脂封止型
半導体装置は熱抵抗が0.9℃/Vと極めて小さくなる
事実を基に完成したもので、従来の技術側に説明した第
2図の樹脂封止型半導体装vi(511II1口の半導
体素子使用)の熱抵抗4.5℃/Vに比べて際立った値
を示し、その優位性は明らかである。
(実施例)
第1図により実施例を詳述するが、従来の技術゛ 欄と
重複する記載も都合上あるが、新番号を付して説明する
。
重複する記載も都合上あるが、新番号を付して説明する
。
先ずリードフレーム1を準備するが、そのベッド部2に
塔載する半導体素子3の機種に応じてこのリードフレー
ム1の型も選定されるのは当然で、ピン数の多い半導体
素子3では常法に従ってデュアルインラインタイプのリ
ードフレームを適用し。
塔載する半導体素子3の機種に応じてこのリードフレー
ム1の型も選定されるのは当然で、ピン数の多い半導体
素子3では常法に従ってデュアルインラインタイプのリ
ードフレームを適用し。
ここに半田等4を利用して半導体素子3をベッド部2に
固着する。次に、この半導体素子3に設ける電極とリー
ドフレームの外部リード間を金属細線5によって接続し
て電気的導通を図る。ここで、このリードフレームの材
質としては銅もしくは銅合金を使用することを強調して
おく。この銅系リードフレームを適用しているので、そ
の搬送時には、酸化防止に充分留意して金属細線5によ
るボンディング工程に支障なきよう、又ボンディング工
程時にもリードフレームの酸化防止に努めるのも必要で
ある。
固着する。次に、この半導体素子3に設ける電極とリー
ドフレームの外部リード間を金属細線5によって接続し
て電気的導通を図る。ここで、このリードフレームの材
質としては銅もしくは銅合金を使用することを強調して
おく。この銅系リードフレームを適用しているので、そ
の搬送時には、酸化防止に充分留意して金属細線5によ
るボンディング工程に支障なきよう、又ボンディング工
程時にもリードフレームの酸化防止に努めるのも必要で
ある。
次に相対向する平坦な面を備えたヒートシンク8を用意
し、その−面にAKペースト層9を被着し、ここにセラ
ミック板6を載せて一体化し、更にこのセラミック板6
に矢張りAgペースト等の接着剤7を塗って、ここに前
述の通り半導体素子3を固着した銅もしくは調合金製の
リードフレームベッド部2を配置して合体する。
し、その−面にAKペースト層9を被着し、ここにセラ
ミック板6を載せて一体化し、更にこのセラミック板6
に矢張りAgペースト等の接着剤7を塗って、ここに前
述の通り半導体素子3を固着した銅もしくは調合金製の
リードフレームベッド部2を配置して合体する。
このセラミック板は0.6mm程度に形成し、半導体素
子の大きさが6X6mm程度なら約10+n+++角と
し、材質としてはAg2O3、kQN、 5iC1なら
びにBeO等何れも適用できる。尚、セラミック板6の
一体化に当っては有機接着剤にかえてガラス接着剤も使
用可である。次に、トランスファーモールド金型にこの
組立体を入れて、ヒートシンク8の一方の平坦な面が露
出するようにモールド樹脂10によって封止する。
子の大きさが6X6mm程度なら約10+n+++角と
し、材質としてはAg2O3、kQN、 5iC1なら
びにBeO等何れも適用できる。尚、セラミック板6の
一体化に当っては有機接着剤にかえてガラス接着剤も使
用可である。次に、トランスファーモールド金型にこの
組立体を入れて、ヒートシンク8の一方の平坦な面が露
出するようにモールド樹脂10によって封止する。
この樹脂としては熱伝導率λ=60〜100 X 10
−’cal/cIIlsec℃を示す高熱導率でしかも
絶縁性をもつ材料を選定した。
−’cal/cIIlsec℃を示す高熱導率でしかも
絶縁性をもつ材料を選定した。
このように本発明に係る放熱板付樹脂封止型半導体装置
ではその適用材料に熱放散性が優れたリードフレームや
封止樹脂を採用するのは勿論として、ヒートシンクと、
半導体素子をマウントするリードフレームのベッド部間
にセラミックを介在させて熱抵抗の低減化を達成して高
出力のパワーモジュールを製造したものである。
ではその適用材料に熱放散性が優れたリードフレームや
封止樹脂を採用するのは勿論として、ヒートシンクと、
半導体素子をマウントするリードフレームのベッド部間
にセラミックを介在させて熱抵抗の低減化を達成して高
出力のパワーモジュールを製造したものである。
第1図は本発明に係る放熱板付樹脂封止型半導体装置の
要部を示す断面図、第2図は従来装置の断面図、第3図
イ〜ハはヒートシンクと半導体素子の分離に絶縁シート
適用例の工程を示す断面図である。
要部を示す断面図、第2図は従来装置の断面図、第3図
イ〜ハはヒートシンクと半導体素子の分離に絶縁シート
適用例の工程を示す断面図である。
Claims (1)
- 半導体素子を固着する放熱性の良いリードフレームのベ
ット部を絶縁板を介して放熱板に一体に取着け、前記半
導体素子の電極とこれに不連続状態で配置する外部リー
ド間を接続する金属細線をもつ組立体を、前記放熱板の
一面を露出して封止する樹脂層とを具備することを特徴
とする放熱板付樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62037850A JPS63205935A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 放熱板付樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62037850A JPS63205935A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 放熱板付樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63205935A true JPS63205935A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12509010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62037850A Pending JPS63205935A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 放熱板付樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63205935A (ja) |
Cited By (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH07169882A (ja) * | 1991-05-23 | 1995-07-04 | At & T Corp | モールドされた集積回路パッケージ |
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