KR930009213B1 - 접착 테이프 - Google Patents

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KR930009213B1
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유키노리 사쿠모토
시게유키 요코야마
아키히로 시부야
아쓰시 고시무라
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이노우에 다카오
가부시키가이샤 도모에가와세이시쇼
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Abstract

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Description

접착 테이프
제 1 도는 접착층이 내열성 베이스 필름의 한면에 적층된 본 발명에 따른 전자부품용 접착 테이프의 개략적인 단면도.
제 2 도는 접착층이 내열성 베이스 필름의 한면에 적층되고 보호층이 접착층 상에 추가로 적층된 본 발명에 따른 전자부품용 접착 테이프의 개략적인 단면도.
제 3 도는 접착층이 내열성 베이스 필름의 양면에 적층된 본 발명에 따른 전자부품용 접착 테이프의 개략적인 단면도.
제 4 도는 접착층이 내열성 베이스 필름의 양면에 적층되고 보호층이 각각의 접착체층 상에 추가로 적층된 본 발명에 따른 전자부품용 접착 테이프의 개략적인 단면도.
제 5 도는 접착 테이프가 납 프레임(lead frame)상에 부착된 상태를 도시한 납 프레임의 평면도.
제 6a 도 및 제 6b 도는 제 5 도에 도시한 납 프레임의 부분확대도.
제 7 도는 본 발명의 실시예에서 사용된 박리시험 방법을 예시한 도면.
본 발명은 전자부품, 예를 들어 수지 밀봉형 전자기구에 사용하기 위한 접착 테이프, 특히 납 프레임용 내부 납 핀(lead pin)을 수지 밀봉형 반도체 기구에 고정시키기 위하여 사용하는 접착 테이프에 관한 것이다.
수지 밀봉 반도체 기구에 사용된 접착 테이프에는 납 프레임을 고정시키기 위한 테이프, 다이 패드 테이프, 탭 테이프(tab pare)등이 포함된다. 예를 들어 납 프레임을 고정시키기 위한 접착 테이프의 경우, 접착 테이프는 납 프레임 자체 및 반도체 기구의 제조를 위한 전체 조립절차의 생산성 및 수율을 증가시키기 위하여 그리고 내부납 핀의 고정을 위하여 사용되며, 따라서 보통 이들은 납 프레임의 제조자에 의하여 납프레임상에 부착되어지고 반도체 기구의 제조자에게 이송되어져서 집적회로(IC)를 장착한 후에 수지로 밀봉된다. 바꾸어 말하면, 접착 테이프는 반도체 기구의 패키지내에 통합된다. 따라서, 접착 테이프 예를 들어 납 프레임을 고정시키기 위한 접착 테이프는, 반도체 수준에 대한 일반적인 신뢰도 및 테이핑시의 작업 적성 또는 취급용이성은 물론, 테이핑 직후의 실온에서 뿐아니라 IC 조립 절차에서 가열한 후에 충분히 높은 접착강도를 가져야 한다.
지금까지는 납 프레임상에 내부납 핀을 고정시키기 위한 접착 테이프로서, 다양한 접착 테이프, 예를 들어 폴리이미드 필름과 같은 베이스 필름 위에 폴리아크릴로니트릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지 또는 합성고무 수지 예를 들어 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체 단독이나 다른 수지와 혼합 또는 개질된 수지로 이루어진 접착제가 피복되고 B단계로 전환된 접착 테이프가 사용되어 왔다.
공지된 바와 같이, 반도체 기구는 압력쿡커시험(이하, PCT라 한다)에서와 같이 가혹한 조건하의 신뢰도 시험을 거쳐야 한다. 따라서 납 프레임을 수지 성형 패키지에 고정시키기 위한 접착 테이프는 동일 조건하에서 충분한 신뢰도를 반드시 가져야 한다. 반도체 기구에 사용된 재료가 가져야 하는 다수의 신뢰도 중에서, 납 프레임을 고정시키기 위한 접착 테이프로서 특히 중요한 것은 전류 누출 특성이다. 이는 납 프레임을 고정시키기 위한 접착 테이프가 부착되는 테이프 부위를 통하여 전류가 흐르는 현상에 해당하며, 소량의 전류를 보다 양호한 전류 누출특성을 의미한다.
한편, 최근에는 반도체 소자의 집적도에 있어서 현저한 개선이 있었고 또한 반도체의 소형화가 급속히 진행되어, 납 프레임 핀의 수는 증가하고 납 프레임의 각각의 내부납 핀은 보다 얇아지고 핀 사이의 거리는 짧아지는 결과를 초래하였다. 이는 각 핀의 위치설정의 정확도에 관한 보다 엄격한 요건을 초래하였다.
이러한 여건하에서, 통상의 납 프레임 고정용 접착 테이프를 사용한 반도체 기구는 납핀간에 충분한 절연 특성을 나타내지 않으며, 따라서 그의 전류누출 특성도 빈약하다. 또한 통상의 접착 테이프의 전류누출 특성이 어떤 인자에 좌우되고 그리고 이들을 어떻게 개선할 수 있는지가 매우 불투명하다.
따라서, 본 발명의 목적은 개선된 전류누출 특성을 갖는 전자부품용 접착 테이프를 제공하는 것이다. 통상의 접착 테이프의 결점을 극복하기 위하여 본 발명자들은 지지체로서 거의 허용가능한 전류누출 특성을 갖는 내열성 베이스 필름과 이 베이스 피름의 표면상에 피복된 소위 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체/페놀계 수지로 이루어진 접착층을 사용하여 접착 테이프의 조성 및 다양한 특성과 전류누출 특성과의 관계에 대한 광범위한 연구를 수행한 결과, 특정한 조성을 갖는 접착 테이프를 사용함으로써 상기의 목적을 달성할 수 있음을 알게 되었다.
본 발명은 이와 같은 사실에 근거하고 있으며 ; (a) 내열성 베이스 필름 및 (b) 언급된 내열성 베이스 필름의 적어도 한 면에 적층된 접착층으로 이루어지고 ; 언급된 접착층이 (i) 레솔(resol)형 페놀수지 및 (ii) 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체로 이루어지며 언급된 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체 100중량부당 언급된 레솔형 페놀수지 100 내지 500중량부의 비율이고 언급된 레솔형 페놀수지가 비스페놀 A형 수지, 알킬페놀형 수지, 페놀형 수지, 및 페놀 성분으로서 비스페놀 A, 알킬페놀 및 페놀로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 함유하는 이의 축중합형 페놀수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 전자부품용 접착테이프를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 제 1 내지 4 도는 본 발명에 따른 전자부품용 접착 테이프의 개략적인 단면도이다. 제 1 및 제 2 도에 있어서, 내열성 베이스 필름(1)의 한쪽 표면상에 접착층(2)가 적층되고 있다. 제 2 도에서 보호층(3)이 접착층(2)의 표면상에 추가로 적층되고 있다. 제 3 및 4 도에서, 접착층(2) 및 (2')은 내열성 베이스 필름(1)의 대향 표면상에 적층되어 있다. 제 4 도에서, 보호층(3) 및 (3')은 각각 접착층(2) 및 (2')상에 적층되어 있다.
이하, 본 발명 접착 테이프의 각 층의 구조에 대하여 설명한다.
A. 내열성 베이스 필름
내열성 베이스 필름으로서는 폴리이미드, 폴리에테르-에테르-케톤, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술파이드 및 폴리파라브산으로 구성된 유기 베이스 필름, 더욱 특히 내열성 베이스 필름, 및 에폭시 수지-유리직물 및 에폭시 수지-폴리이미드-유리직물과 같은 복합 내열성 베이스 필름을 사용할 수 있으며, 베이스 필름의 두께는 5~300μm 바람직하게는 10~150μm 좀더 바람직하게는 12.5~150μm 가장 바람직하게는 25~75μm이다.
B. 접착층
접착층은 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체(이하, NBR이라 한다) 및 레솔형 페놀수지의 혼합물로 구성된다.
NBR로서는 니트릴 함량이 10~45중량% 바람직하게는 20~45중량%의 정도로 비교적 높고 분자량이 20,000~1,000,000 바람직하게는 100,000 내지 500,000인 니트릴 고무를 사용할 수 있다. NBR은 가열시 자기 가교 특성을 나타내도록 하기 위하여 가황제 예를 들어, 퀴논, 디알킬 퍼옥사이드 및 퍼옥시케탈을 임의로 함유할 수 있다.
레솔형 페놀수지는 비스페놀 A형 수지, 알킬페놀형 수지, 페놀형 수지, 및 페놀성분으로서 비스페놀 A, 알킬페놀 및 페놀로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 함유하는 이의 공축합형 페놀수지를 포함한다.
페놀 성분이 비스페놀 A인 레솔형 페놀수지로서는 출발 화합물로서는 비스페놀 A를 사용하여 합성되고 하기의 기본 골격을 가지며 링 앤드 볼 방법(ring and ball method)에 의하여 측정된 연화점이 70~90℃인 것을 사용할 수 있다.
Figure kpo00001
페놀 성분이 알킬페놀인 레솔형 페놀수지로서는 주로 페놀성 히드록실기에 대하여 오르토- 또는 파라-위치에 알킬기를 갖는 알킬벤젠을 출발 화합물로 사용하여 합성된 것을 사용할 수 있다. 알킬기의 예에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 3급 부틸기, 노닐기 등이 포함된다. 예를 들어 하기의 기본 골격을 가지며 링 앤드 볼 방법으로 측정된 연화점이 80~100℃인 P-3급 부틸페놀형 레솔 페놀수지를 사용할 수 있다.
Figure kpo00002
페놀 성분이 페놀인 레솔형 페놀수지는 출발물질로서 비치환된 페놀과 포름알데히드를 사용하여 합성되는 것이다.
상기 기술된 레솔형 페놀수지가 접착층에 사용되는 경우, 생성된 접착 테이프는 탁월한 작업적성과 접착성 및 양호한 전류누출 특성을 나타낸다.
본 발명의 접착 테이프의 접착층에서 레솔형 페놀수지의 페놀성분은 다른 페놀성분 예를 들어 P-페닐페놀형 또는 바이페닐형 페놀로부터 유도된 공중합형의 페놀수지를 함유할 수 있다. 또한, 소량의 노볼락형 페놀수지 또는 에폭시 수지를 레솔형 페놀수지와 블렌드시킬 수 있다.
필요하다면, 충전제를 레솔형 페놀수지와 혼합시킬 수 있다.
접착층 중의 NBR에 대한 레솔형 페놀수지의 비율은 NBR 100중량부당 50~500중량부, 바람직하게는 100~500중량부, 더욱 바람직하게는 100~300중량부이다. 레솔형 페놀수지의 함량이 NBR 100중량부당 50중량부 미만인 경우에는 누출전류값이 지나치게 높아서 허용될 수 없으며, 상기의 함량이 NBR 100중량부당 500중량부를 넘는 경우에는 충분한 접착층과 양호한 작업적성을 갖는 접착 테이프를 수득할 수 없다.
본 발명에서 상기 기술된 조성을 갖는 접착층은 건조 및 B-단계후의 피복두께가 2~50μm, 바람직하게는 7~30μm, 더욱 바람직하게는 10~30μm이다.
C. 보호층
본 발명의 전자부품용 접착 테이프에는 필요시 접착층상에 보호층이 제공될 수 있다. 보호층으로서는 폴리에틸렌 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소수지 필름, 종이 등을 사용할 수 있으며, 필요하다면 실리콘 수지 등을 사용하여 박리 특성을 부여할 수 있다. 보호층의 두께는 1~200μm, 바람직하게는 5~100μm, 더욱 바람직하게는 10~100μm, 가장 바람직하게는 12.5~50μm이다.
본 발명의 전자부품용 접착 테이프가 접착층이 내열성 베이스 필름의 한쪽 표면상에 적층되어 있는 구조를 갖는 경우, 테이프는 바람직하게는 하기의 특성 (1), (2) 및 (3)을 갖는다.
(1) 후술되는 조건하에 접착 테이프로부터 추출된 유기 및 무기 이온성 불순물을 함유하는 추출물의 전기전도도는 70μs/cm 보다 높지 않다.
(2) 전자부품용 접착 테이프중 술페이트 이온의 농도는 300ppm 보다 높지 않다.
(3) 내열성 베이스 필름의 표면이 성형화합물과 접촉되는 경우, 접착 테이프는 180°박리시험에서 200g/1.5cm 이상의 접착강도를 갖는다.
본 발명에 있어서, 상기 기술된 특성 (1), (2) 및 (3)은 하기의 조건하에서 측정된 것이다.
1) 전기 전도도의 측정조건
1-a) 테이프의 예비처리조건
보호층을 벗겨낸 후에 접착 테이프를 이온성 불순물로 오염되지 않도록 주의 하면서 약 1cm2의 크기의 조각으로 절단한다.
1-b) 추출조건
1-b-1) 충분히 세척한 내열성 둥근바닥 유리 플라스크에 10g의 시료를 넣고, 전기 전도도가 5μs/cm 보다 높지 않은 탈이온 100g을 가한다.
1-b-2) 유리 플라스크에 충분히 세척한 환류 콘덴서를 장착하고, 내용물을 100℃로 가열한 다음, 20시간 정치시킨다.
1-c) 측정 조건
추출물의 전기 전도도는 전도도 측정기를 사용하여 측정한다.
2) 술페이트 이온 농도의 측정조건
2-a) 테이프의 예비처리조건
보호층을 벗겨낸 후에 접착 테이프를 이온성 불순물로 오염되지 않도록 주의하면서 약 3cm2의 크기의 조각으로 절단한다.
2-b) 측정용 시료의 제조조건
상기 기술된 예비처리 후에 시료(1g)를 산소 봄브 또는 실린더 방법에 의해 연소시키고, 25ml의 탈이온수에 흡수시켜 시료용액을 제조한다.
2-c) 측정조건
시료 용액중의 술페이트 이온의 농도를 이온 크로마토그래피에 의해 측정하고, 수득된 결과를 시료의 농도로 환산한다.
3) 180°박리시험
3-a) 측정용 시료의 제조
3-a-1) 보호층을 벗겨낸 후에 시료 테이프를 너비 15mm×길이 150mm의 크기를 조절한다.
3-a-2) 지지체로서 금속판상에 균일한 두께를 갖도록 경화전에 성형 화합물을 위치시킨다.
3-a-3) 성형 화합물의 표면상에 상기 3-a-1)에서 제조한 시료 테이프의 측정하려는 표면을 접착시키고, 120℃로 가열한 다음, 자체 중량 2kg의 로울로 가압한다.
3-a-4) 상기 3-a-3)에서 제조한 시료를 건조기 내에서 175℃로 5시간 가열하여 성형화합물을 경화시켜 성형화합물에 대한 접착력을 측정하기 위한 시료를 제조한다.
3-b) PCT 조건
포화성 압력쿡커 시험기를 사용하여 상기 설명한 시료를 121℃ 및 2atm의 조건하에 50시간 동안 처리한다.
3-c) 측정방법
유니버셜 시험기를 사용하여 시료의 180°박리 강도를 측정한다.
본 발명의 전자부품용 접착 테이프에서 상기 특성을 만족시키는 경우, 그의 전류누출 특성은 탁월하다. 예를 들어, 접착 테이프를, 168이상의 핀을 갖는 퀘드 플랫 패키지(QFP ; guad flat package)등에 사용하는 경우, 만족할 만한 전류누출 특성을 수득한다. 또한, 상기 설명한 특성(3)을 만족하는 경우, 전류누출 측정치의 변동을 최소화할 수 있다.
Ⅰ. 본 발명의 바람직한 태양에 있어서, 특정한 레솔형 페놀수지 및 특정한 분자량 분포를 갖는 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체의 배합물을 사용한다.
즉, 레솔형 페놀수지로서 비스페놀 A형 수지, 알킬페놀형 수지, 및 페놀성분으로서 비스페놀 A 및 알킬페놀로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 함유하는 이들의 축중합형 페놀수지로 이루어진 군으로부터 선택된 수지를 사용한다. 한편, 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체로서는 수평균 분자량(MN)이 20,000~200,000이고 수평균 분자량(MN)에 대한 중량 평균 분자량(MW)이 MW/MN≥2.5의 범위내인 것을 사용한다.
이 태양에 있어서, 분자량은 하기 표 1에 나타낸 조건하에 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한다.
[표 1]
Figure kpo00003
아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체의 수평균 분자량이 20,000미만인 경우, B단계로 전환된 후의 접착층의 표면은 비교적 점착성으로 되며, 표면 특성의 개선을 인지할 수 없다. 한편, 상기의 수평균 분자량이 200,000을 넘는 경우, 접착 테이프의 접착력에 있어서의 개선정도 특히 테이프를 저온에서 접착하는 경우의 개선정도는 불만족스럽다. 또한, 수평균 분자량에 대한 중량 평균 분자량의 비(MW/MN)가 상기한 범위를 벗어나는 경우에도 접착력의 증진을 달성할 수 없다.
이 태양에 있어서, 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체는 그의 분자량 분포에서 GPC 크로마토그램의 피이크 1개 이상을 가질 수 있다.
또한, 이 태양에 있어서 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체 100중량부 당 50~300중량부의 양으로 레솔형 페놀수지를 사용하는 것이 바람직하다. NBR 100중량부당 레솔형 페놀수지의 함량이 50중량부 미만인 경우에는 접착층 표면의 블록킹(blocking)이 증가하며, 상기 함량이 300중량부 보다 큰 경우에는 접착강도가 감소함을 관찰하였다.
다른 조건은 상기 기술한 바와 같은 수 있다.
이 태양에 있어서, 수지 밀봉형 반도체 기구에 사용하기 위한 접착 테이프에 대하여 요구되는 다양한 특성들 중에서 테이핑 및 열 자기이력(thermal hystersis) 직후의 접착강도가 특히 증진되는데, 이 특성은 반도체 칩을 150~250℃에서 1~3시간동안 납 프레임에 접착하는 다이 접착절차에 반도체를 적용했을 경우 또는 납 프레임의 내부 납의 극한점을 150~350℃의 온도에서 약 1시간~약 30분 동안 금제 와이어로 반도체 칩상의 와이어 패드에 연결하는 와이어 접착 절차에 반도체를 적용했을 경우, 납 프레임 상에 부착된 접착 테이프가 직면하는 것이다.
Ⅱ. 다른 바람직한 태양에 있어서, 다음과 같은 특성을 추가로 갖는 내열성 베이스 필름을 사용한다.
열팽창 계수 : 20~300℃에서의 너비에 따른 선형 열팽창의 평균계수(ASTM D-696-44에 따라 측정) 0.4×10-5~2.5×10-5cm/cm/℃.
열수축도 : 300℃에서 3분간 가열한 후 너비에 따른 치수변화의 계수(JIS C2318-6.3.5에 따라 측정) 0.15% 이하.
(1) 열팽창 계수
내열성 베이스 필름용 재료로서는 상기 설명한 바와 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그러나, 위에서 정의된 선형 열팽창의 평균 계수를 얻기 위하여는 후술되는 처리를 수행해야하는데, 그 이유는 다양한 유기 필름은 20~300℃에서의 열팽창의 평균 계수가 1.0×10-5~15×10-5cm/cm/℃의 범위내인 것이 일반적이며 따라서 극히 일부를 제외한 거의 대부분이 본 태양에 대하여 요구되는 것으로 위에서 기술한 범위를 벗어나는 평균 계수를 갖기 때문이다.
(1-i) 무기 충전제를 유기 베이스 필름에 첨가한다.
(1-ii) 유기 베이스 필름을 구성하는 주성분 물질로서는 낮은 열팽창 계수를 갖는 것, 예를 들어 하기식의 반복 단위를 함유하는 폴리이미드 베이스 재료를 사용한다.
Figure kpo00004
(2) 열수축도
일반적으로, 다양한 유기 필름의 열수축은 다음의 2가지 원인에 의하여 야기된다.
(2-1) 에폭시 수지 또는 폴리이미드 등의 열경화성 수지를 주성분으로 하는 유기 필름에 있어서, 필름을 구성하는 수지의 열경화 반응은 충분하지 않으며, 따라서 필름은 후속되는 가열에 의하여 수축한다.
(2-2) 수지를 연신시켜 필름을 성형하는 경우 연신등으로 인하여 변형 스트레스가 필름에 발생하고, 변형 스트레스는 가열에 의하여 완화되어 필름의 수축을 야기한다.
따라서, 조립단계중의 가열에 기인하는 열 수축은 필름을 1차 열처리시킴으로써 상기 설명한 범위내의 값으로 감소시킬 수 있다. 열처리는 예를들어 필름을 유리 필름을 2개의 대향하는 적외선 히터에 통과시키거나, 필름을 로울의 표면에 접촉시킨 상태에서 280~360℃로 가열된, 복수의 로울사이에 1~10분간 통과시킴으로써 수행한다.
이 바람직하게는 태양에 따르면, 내부 납핀의 위치이탈에 의하여 야기되는 소위 납 이동(lead shift)은 위에서 설명한 바와 같은 반도체 기구의 조립절차중에 직면하는 열 자기이력에 기인한다.
첨부된 도면을 참조하여 납 이동현상을 설명한다. 제 5 도는 납 프레임을 고정시키기 위한 접착 테이프가 부착되어 있는 4방향 다수 핀 납 프레임을 도시한 것이다. 제 5 도에서, 접착 테이프(11a) 및 (11b)는 거의 4각형을 이루도록 내부납핀(12)에 부착되어 있다. 제 6a 및 6b 도는 제 5 도에 도시한 납 프레임이 부분확대도이다. 제 6a 도는 납 프레임이 열 자기이력을 받기 전의 상태를 나타낸 것이며, 제 6b 도는 납 프레임이 열자기이력을 받은 후의 상태를 나타낸 것이다. 제 6a 및 6b 도에 있어서, 접착 테이프(11a) 및 (11b)는 거의 4각형을 이루도록 내부납 핀(12)에 부착된다. 참고번호(13)은 납 프레임의 다이패드에 연결된 지지봉(support bar)을 나타낸다. 제 6a 도에 도시한 상태의 납 프레임을 300℃로 3분간 가열하는 경우, 지지봉(13)과 이에 인접한 내부납 핀(12a)과의 거리(제 6a 도에서는 부호 A로 그리고 제 6b 도에서는 B로 나타냄)는 제 6b 도에 도시한 바와 같이 확장되며, 따라서 내부납 핀의 위치이탈을 야기시킨다. 그 결과, 반도체 칩과 내부납 핀이 서로 연결되는 와이어 접착단계를 적절히 수행할 수 없다. 이 내부납 절차중에 와이어 접착 단계의 효율을 저하시키거나 인접하는 내부납 핀과 접촉하는 이동된 내부납 핀에 의해 야기된 와이어 간의 단락을 초래하며, 반도체 기구는 더 이상 사용할 수 없게 된다.
위에서 설명한 바와 같이, 발생하는 상기의 문제들은 본 발명의 바람직한 태양에 따른 상기의 대응책에 의하여 방지할 수 있다.
Ⅲ. 다른 본 발명의 태양에 있어서, 접착층은 유기 또는 무기 충전제를 추가로 함유한다.
사용가능한 무기 충전제의 예에는 분쇄실리카, 용융 실리카, 알루미나, 산화티탄, 산화 베릴륨, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 질화티탄, 질화붕소, 질화실리콘, 붕소화 티탄, 붕소화 텅스텐, 실리콘 카바이드, 티타늄 카바이드, 지르코늄 카바이드, 몰리브덴 카바이드, 및 트리메틸실록시기 등으로 표면이 처리된 이들 물질이 포함된다. 유기 충전제의 예로는 폴리이미드, 레솔 페놀 수지, 에폭시 수지, 아크릴계 수지, 스티렌수지, 실리콘 수지, 나일론, 폴리아미드이미드, 폴리에테르-에테르-케톤, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드 등을 들 수 있다. 유기 및 무기 충전제는 0.1~50μm의 평균 입경을 가질 수 있다. 그러나, 그의 최대 입경은 접착 층의 두께를 초월하지 않는 것이 바람직하다.
이 태양에 있어서, 유기 또는 무기 충전제는 접착층에 접착층 총중량을 기준으로 0.5~80중량%의 양으로 함유되어야 한다. 충전제의 양이 0.5중량% 미만인 경우, 충전제의 효과는 수득되지 않는다. 한편, 충전제의 양이 80중량%를 초과하면, 접착층은 부서지기 쉬워지며 따라서 적당한 작업적성을 제공할 수 없다.
이 태양에 사용된 접착층은, 샌드 밀, 3축로울 밀, 뱀버리 믹서 등을 사용하는 교반에 의하여 접착제를 충진제와 혼합시키거나 분산기를 사용하고 분산시키고, 생성된 혼합물을 1~150μm의 두께로 피복한 다음, B단계로 경화시킴으로써 제조할 수 있다. 다양한 열가소성 수지 예를들어 폴리에테르-에테르-케톤, 폴리에스테르, 폴리아미드이미드 등을 단독으로 가하거나 열경화성 수지와의 블렌드로서 가할 수 있다.
접착층에 유기 또는 무기 충전제를 가하는 것은 위에서 기술된 납 이동 특성을 개선하는 것은 물론이고 사용된 접착제의 유전상수 및 접착 특성을 제어하는데 있어서 유용하다.
[실시예]
본 발명은 후술되는 실시예를 참조하여 보다 구체적으로 설명될 것이다. 그러나, 실시예로 본 발명을 한정하는 것으로 간주되어서는 아니된다. 별도로 명시하지 않는한, 모든 부 및 백분률은 중량 기준이다.
[실시예 1]
표 2에 나타낸 물질과 용매로서 메틸에틸케톤(이하, MEK라 한다)을 사용하여 제 3 도에 나타낸 혼합비를 갖는 접착제 용액 1~8을 제조한다.
[표 2]
Figure kpo00005
주 1 : Nippon Zeon Co., Ltd. 에서 합성한 NBR. 중합촉매, 중합후의 PH 조절제 등을 고려한다. 특히 칼슘이온 및 술페이트 이온의 농도를 저하시킨다. 무늬점도 : 50, 결합된 아크릴로니트릴 함량 : 37%.
주 2 : Nippon Zeon Co., Ltd. 에서 합성된 NBR. 무늬점도 : 78, 결합된 아크릴로니트릴 함량 : 41%.
주 3 : Showa Kobunshi Kogyo Co., Ltd. 에서 제조하는 비스페놀 A형 레솔 페놀 수지. 연화점 : 73~90℃
주 4 : Taoka KagaKu Kogyo Co., Ltd. 에서 제조하는 알킬페놀형 레솔 페놀 수지. 연화점 : 75~90℃
주 5 : Showa Kobunshi Kogyo Co., Ltd. 에서 제조하는 레솔 페놀 수지. 연화점 80~100℃
주 6 : Arakawa Kagaku Kogyo Co., Ltd. 에서 제조하는 레솔 페놀 수지. 기본구조로서 페놀형 구조를 함유하는 액체 저 분자량 수지. 메탄올/이소프로필 알콜 등 휘발성분 : 약 3.5%, 25℃ 점도 245CPS, 140℃의 겔화 시간 : 약 8분.
[표 3]
Figure kpo00006
생성된 접착제 용액 1~8을 두께 50μm의 폴리이미드 필름("Capton 200H", E.I. Du Pont de Nemours 제조)의 한쪽 표면상에 두께 20±3μm로 피복하고, 150℃에서 5분간 건조시켜 접착 테이프 1~8을 제조한다. 이들 접착테이프를 전류 누출 특성을 측정하기 위하여 사용하고, 위에서 기술한 방법으로 전기 전도도, 술페이트 이온 농도 및 성형 화합물에 대한 접착력을 측정한다. 얻어진 결과를 표 4에 나타낸다.
[표 4]
Figure kpo00007
상기 수득한 접착 테이프를 사용하영 PCT후의 전류특성의 변화를 하기 조건하에 측정한다.
a. 크기가 너비 1mm×길이 5mm인 접착 테이프를 100-핀 QFP납 프레임의 피검용 핀 사이에 부착한다.
b. 상기 a에서의 납 프레임은 성형하고 댐 바(dam bar)를 절단한다.
c. 10V의 전압을 피검용 핀 사이에 걸어주고, 초기 누출전류값을 측정한다.
d. 측정용 시료를 PCT(포화형, 121℃/2a±m)로 500시간 처리하고, PCT 500시간후의 누출전류값을 상기 c에서와 동일한 방법으로 측정한다.
얻어진 결과를 표 5에 나타낸다.
[표 5]
Figure kpo00008
[실시예 2]
NBR 및 레솔 형 페놀 수지로서 상기 표 2에 나타낸 NBR(1) 및 페놀 수지(4)를 사용하여 피검 접착제 용액 9~12를 제조한다. 접착제 용액을 건조두께 25±5μm의 층을 형성하도록 두께 50μm의 아피칼(Apical)(Kanegafachi Kaguku Kogyo co., Ltd. 에서 제조하는 폴리이미드 필름) 및 Ultem(Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.에서 제조하는 폴리에테르이미드 필름)상에 피복하고 165℃에서 3분간 건조시켜 접착 테이프 9~16을 제조한다. 표 6는 시료에 사용된 내열성 필름과 접착제 용액간의 관계를 나타낸다.
[표 6]
Figure kpo00009
접착제 용액 9 :
a. 탈이온수(100부)를 스테인레스 스틸용기에 넣고, 여기에 1부의 페놀 수지(4)를 가한다. 생성 혼합물을 잘 교반하고, 용기의 바닥에 가라앉은 페놀 수지 성분을 수집하고, 50℃, 감압하의 진공건조기에 위치시켜 수함량을 제거한다. 용해수를 제거한 후에 수득된 페놀수지 100부에 MEK(100부)를 가하여 페놀 수지용액 A를 수득한다.
b. 100부의 NBR에 400부의 MEK를 가하고, 생성혼합물을 교반하여 잘 용해시켜 NBR 용액 A를 수득한다.
c. 100부의 NBR 용액에 약 250부의 페놀 수지 용액 A를 가하고, 생성 혼합물을 잘 교반한다.
d. 상기의 c에서 제조된 NBR-페놀 수지 혼합 용액을 가압 반응기에 도입시키고, 80℃에서 2시간 동안 교반하여 접착제 용액 9를 수득한다(NBR : 페놀 수지의 비=100 : 625, 고체함량기준).
접착제 용액 10
a. 상기 접착제 용액 9의 제조예에서 사용된 NBR 용액 A 100부에 페놀 수지 용액 A 100부를 가하고, 잘 교반시킨다.
b. 상기 a에서 제조된 NBR-페놀 수지 혼합용액을 가압 반응기에 도입시키고, 80℃에서 2시간 동안 교반하여 접착제 용액 10을 수득한다.(NBR : 페놀 수지의 비=100 : 250, 고체함량기준).
접첵제 용액 11
a. 상기 접착제 용액 9의 제조예에서 사용된 NBR 용액 A 100부에 페놀 수지용액 A 20부를 가하고, 잘 교반시킨다.
b. 상기 a에서 제조된 NBR-페놀 수지 혼합용액을 가압 반응기에 도입시키고, 80℃에서 2시간동안 교반하여 접착제 용액 11을 수득한다(NBR : 페놀 수지의 비=100 : 50, 고체함량기준).
접착제 용액 12
a. 상기 접착제 용액 9의 제조예에서 사용된 NBR 용액 A 100부에 페놀 수지 용액(4) 77부를 가하고, 잘 교반한다.
b. 상기 a에서 제조된 NBR-페놀 수지 혼합용액을 가압용기에 도입시키고, 80℃에서 2시간 동안 교반하여 접착제 용액 12를 수득한다.(NBR : 페놀 수지의 비=100 : 250, 고체함량기준).
접착제 테이프를 제조하고, 위에서 설명한 방법에 따라서 추출수의 전기전도도, 시스템 내에 함유된 술페이트 이온의 농도, 및 내열성 필름과 성형재료간의 접착력에 대하여 측정한다. 얻어진 결과를 하기 표 7에 나타낸다.
[표 7]
Figure kpo00010
접착제 테이프를 사용하여 실시예 1에서와 동일한 조건하에 PCT 시험후에 전류 특성의 변화를 측정한다.
얻어진 결과를 표 8에 나타낸다.
[표 8]
Figure kpo00011
[실시예 3]
하기 표 9에 나타낸 물질 및 MEK를 용매로서 사용하여 하기 표 10에 나타낸 혼합비를 갖는 접착제 용액 13~17를 제고한다.
[표 9]
Figure kpo00012
주 1 : Nippon Zeon Co., Ltd. 에서 합성하는 NBR
무늬점도 : 63, 결합된 아크릴로니트릴 함량 : 41%.
중량평균분자량/수평균 분자량=4.2
주 2 : Showa Kobunshi Kogyo Co., Ltd. 에서 제조된 비스페놀 A형 레솔 페놀 수지.
연화점 ; 70~90℃
주 3 : Showa Kobunshi Kogyo Co., Ltd. 에서 제조된 P-노닐페닐형 레솔 페놀 수지(알킬페놀형 레솔 페놀 수지).
연화점 : 82~90℃
주 4 : Arakawa Kagaku Kogyo Co., Ltd. 에서 제조된 레솔 페놀 수지.
기본 구조로서 페놀형 구조를 함유하는 액체 저분자량 수지.
메탄올/이소프로필 알콜 등 휘발성분 약 3.5%. 25℃점도 : 245CpS.
140℃에서의 겔화시간 : 약 8분.
[표 10]
Figure kpo00013
생성된 접착제 용액 13~17올 20μm의 두께로 두께 50μm의 폴리이미드 필름("Upilex 50s", Ube Kosan Co., Ltd. 제조)의 한쪽 면에 도포시키고 160℃에서 3분간 건조시키고 접착 테이프 17~21을 제조한다. 납프레임을 고정시키기 위한 것들로 대표되는 접착 테이프에 의한 테이핑을 가상하여, 상기에서 수득한 접착 테이프를 42-핀 42-알로이 납 프레임에 부착시키고 200℃의 온도 및 4kg.f/cm2의 압력에서 너비 1.5mm×길이 10mm의 적용크기의 조건하에서 0.3초 동안 가압하여 테이핑을 수행한다. 제 7 도에 나타낸 방법으로 유니버셜 시험기를 사용하여 테이프의 박리강도를 측정함으로써 테이핑 직후의 실온에서의 접착강도 및 250℃로 1시간 가열한 후의 접착강도(이하, 열자기이력후의 접착강도라 한다)의 감소를 시험한다. 즉, 접착층(2)가 적층된 내열성 필름(1)로 이루어진 접착 테이프를 납 프레임상에 고정된 복수의 핀(4)에 부착시키고, 접착 테이프를 제 7 고에 도시한 바와 같이 납프레임의 중심부에서 핀 사이에 위치한 연동용 부재 또는 후크(5) 상에 현수시킨다. 이어서, 후크(5)를 접착 면에 직각 방향으로 견인하여 접착 테이프의 박리 강도를 측정한다. 수득된 결과를 표 11에 나타낸다.
[표 11]
Figure kpo00014
상기 표 11의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 접착 테이프 17 및 18은 충분한 접착력과 매우 양호한 표면 특성을 나타낸다. 한편, 대조예의 접착 테이프 19 및 21은 열등한 접착력을 나타낸다. 대조예의 접착 테이프 20은 충분한 접착력을 나타내기는 하지만, 접착층의 표면이 블록킹되며 그의 표면특성은 열등하고 실용적으로 허용될 수 있다.
[실시예 4]
표 12에 나타낸 물질과 MEK를 용매로 사용하여 표 13에 나타낸 혼합비를 갖는 접착제 용액 18 및 19를 제조한다.
[표 12]
Figure kpo00015
주 5 : Nippon Zeon Co., Ltd. 에서 합성된 NBR.
무늬점도 : 63, 결합된 아크릴로니트릴 함량 : 41%.
수평균분자량 : 약 73,000.
중량평균분자량/수평균 분자량=4.15.
주 6 : Nippon Zeon Co., Ltd. 에서 합성된 NBR.
연화점 : 70~90℃
무늬점도 : 73. 결합된 아크릴로니트릴 함량 : 40%.
중량평균분자량/수평균 분자량=4.15.
주 7 : Showa Kobunshi Kogyo Co., Ltd. 에서 제조된 크레졸형 레솔 페놀 수지(알킬페놀형 레솔 페놀 수지).
연화점 : 80~100℃
[표 13]
Figure kpo00016
생성된 접착제 용액 18 및 19를 20μm의 건조두께로 두께 50μm의 폴리이미드 필름("Avical 50HH" Kanegafuchi Kagaku Kogyo Co., Ltd. 에서 제조)의 한쪽 면에 피복시키고, 160℃에서 3분간 건조시키고 접착 테이프 22 및 23을 제조한다. 납 프레임을 고정시키기 위한 것들로 대표되는 접착 테이프에 의한 테이핑을 가상하여, 상기와 같이 수득된 접착 테이프를 42-핀 구리-합금 납 프레임에 부착시키고, 200℃의 온도 및 4kg.f/cm2의 압력에서 너비 1.5mm×길이 10mm의 적용크기의 조건하에서 0.3초간 가압한다. 실시예 3에서와 동일한 방법으로 유니버셜 시험기를 사용하여 테이프의 박리강도를 측정함으로써 테이핑 직후의 실온에서의 접착강도 및 250°에서 1시간 가열한 후의 접착강도(이하, 열 자기이력후의 접착강도라 한다)의 감소를 검사한다. 얻어진 결과를 표 14에 나타낸다.
[표 14]
Figure kpo00017
상기 표 4의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 접착 테이프 22는 대조용 접착 테이프 23에 비하여 충분한 접착력을 나타낸다.
[실시예 5]
표 15에 나타낸 다양한 베이스필름상에 접착제로서 아크릴 기본 접착제(Teisan Resin SG-70L, Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd. 에서 제조)를 피복하고, 피복된 베이스 필름을 고온공기가 순환되는 150℃의 건조기내에서 10분간 건조시켜 두께 15±2μm의 B단계 접착층을 제조한다. 이와 같이 수득한 접착시트를 베이스 필름의 운전방향(기계방향)에 따라서 각각 너비 20mm 및 17mm크기의 조각으로 절단하여 접착테이프를 수득하고, 이것을 납 이동의 측정용 시료로서 사용한다. 이 접착 테이프를 사용하여 하기와 같은 방법으로 납 이동을 측정한다. 얻어진 결과를 표 16에 나타낸다.
(1) 시료
측정하려는 시료를 베이스 필름의 운전방향(기계방향)에 따라서 17mm 또는 20mm의 너비로 절단한다.
(2) 측정하려는 납 프레임
납 이동을 측정하기 위한 납 프레임으로서 128-핀 QFP납 프레임을 사용한다. 제 6a 도에 도시한 납 프레임 부분 사이의 거리(A)를 납 이동의 측정전에 측정한계 1μm로 측정한다. 수득된 값을 A라 명명한다.
(3) 테이핑
납 프레임 테이핑 기계로서 Sumitomo Kinzoku Kozan Co., Ltd. 에서 제조된 4-방향 테이핑 기계를 사용하여 테이핑 한다.
(4) 열처리
조립 단계에서의 반도체 기구의 열 자기이력을 가상하여 테이핑한 납 프레임을 열판상에서 300℃로 3분간 열처리한다.
(5) 납 이동의 측정
제 6b 도에 나타낸 부분사이의 거리(B)를 측정한계 1μm로 측정하고, 얻어진 값을 B라 명명한다. 이어서, 하기 식에 따라서 납 이동 비 α(%)를 산출해 낸다.
Figure kpo00018
[표 15]
Figure kpo00019
[표 15](계속)
Figure kpo00020
[표 16]
Figure kpo00021
표 16에 나타낸 결과는 본 발명의 시료가 낮은 납 이동 비율을 가짐을 명백히 나타낸다.
[실시예 6]
표 17에 나타낸 다양한 베이스 필름에 접착제로서 나일론 기본 접착제(Toresin FS-410, Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd. 에서 제조)를 피복하고, 피복된 베이스 필름을 150℃의 고온 공기가 순환되는 건조기 내에서 10분간 건조시켜 두께 25±2μm의 B-단계 접착층을 형성한다. 이와 같이 제조한 접착 시이트를 베이스 필름의 운전방향(기계방향)에 따라 각각 너비 20mm 및 17mm 크기의 조각으로 절단하여 접착 테이프를 수득하고, 이것을 납 이동의 측정을 위한 시료로서 사용한다. 접착 테이프를 사용하여 실시예 5에서와 동일한 방법으로 납 이동을 측정한다.
수득된 결과를 표 18에 나타낸다.
[표 17]
Figure kpo00022
[표 17](계속)
Figure kpo00023
[표 18]
Figure kpo00024
표 18에 나타난 결과는 본 발명의 시료가 낮은 납이동 비율을 가짐을 명확히 나타낸다.
[실시예 7]
아피칼(Apical) 50AH로 이루어진 베이스 필름(폴리이미드 필름, 두께 50μm, Kanegafuchi Kagaku Co., Ltd. 에서 제조)상에 표 19에 나타낸 충전제와 혼연되고 분산된 접착제로서 아크릴 기본 접착제의 혼합물(Teisan resin SG-7DL, Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd. 에서 제조)을 피복한다. 피복된 베이스 필름을 150℃의 고온공기가 순환되는 건조기 내에서 10분간 건조시켜 두께 15±2μm의 B단계 접착층을 형성한다. 이와같이 제조한 접착시트를 베이스 필름의 운전방향(기계방향)으로 각각 너비 20mm 및 17mm의 크기의 조각으로 절단하여 접착테이프를 제조하고, 이것을 납 이동의 측정을 위한 시료로서 사용한다. 이와 같이 제조한 접착 테이프를 사용하여 접착층의 두께가 시료 8~11에서 5μm이고 시료 5에서 0.5μm인 것을 제외하고는 실시예 5에서와 동일한 방법으로 납이동을 측정한다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 19]
Figure kpo00025
[표 20]
Figure kpo00026
상기 표 20에 나타난 결과는 충전제의 첨가는 납이동 비율을 크게 저하시킴을 명백히 보여준다.
[실시예 8]
표 21에 나타낸 다양한 베이스 필름상에 접착제로서 나일론 기본 접착제(Toresin FS-10, Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd. 에서 제조)를 피복하고, 피복된 베이스 필름을 150℃의 고온 공기가 순환되는 건조기내에서 10분간 건조시켜 두께 25±2μm의 B단계 접착층을 형성한다. 이와같이 제조된 접착 시트를 베이스 필름의 운전방향(기계방향)으로 각각 너비 20mm 및 17mm의 크기의 조각으로 절단하여 접착 테이프를 수득하고, 이것을 납 이동의 측정을 위한 시료로서 사용한다. 접착 테이프를 사용하여 실시예 7에서와 동일한 방법으로 납이동을 측정한다.
얻어진 결과를 표 22에 나타낸다.
[표 21]
Figure kpo00027
[표 21](계속)
Figure kpo00028
[표 22]
Figure kpo00029
표 22에 나타난 결과는 본 발명의 시료 14, 15, 17, 18, 20 및 21이 낮은 납이동 비율을 가짐을 명확히 보여준다.

Claims (7)

  1. (a) 내열성 베이스 필름 및 (b) 언급된 베이스 필름의 적어도 한면에 적층된 접착층으로 이루어지고, 언급된 접착층은 (i) 레솔형 페놀 수지 및 (ii) 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체로 이루어지며 언급된 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체 100중량부당 언급된 레솔형 페놀 수지 100~500중량부의 비율이고 언급된 레솔형 페놀 수지는 비스페놀 A형 수지, 알킬 페놀형 수지, 페놀형 수지, 및 페놀 성분으로서 비스페놀 A, 알킬페놀 및 페놀로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 성분을 함유하는 이의 공축합형 페놀수지로 이루어진 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 전자 부품용 접착 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서, 언급된 접착층이 내열성 베이스 필름의 한면에 적층되고, 언급된 접착 테이프로부터 추출된 유기 및 무기 이온성 불순물을 함유하는 추출물이 70μs/cm 이하의 전기전도도를 갖는 접착 테이프.
  3. 제 1 항에 있어서, 언급된 접착 테이프가 300ppm이하의 농도로 술페이트 이온을 함유하는 접착 테이프.
  4. 제 1 항에 있어서, 언급된 접착층이 내열성 베이스 필름의 한 면에 적층되고, 언급된 내열성 베이스 필름의 다른 면이 성형화합물에 접착되는 경우에 접착 테이프가 180°박리 시험에서 200g/1.5cm 이상의 접착 강도를 갖는 접착 테이프.
  5. 제 1 항에 있어서, 언급된 레솔형 페놀수지가 비스페놀 A형 수지, 알킬페놀형 수지, 및 페놀 성분으로서 알킬페놀 및 비스페놀 A로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 성분을 함유하는 이의 공축합형 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 선택되며, 언급된 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체가 20,000~200,000의 수평균 분자량(MN)을 가지며, 언급된 아크릴로니트릴/부타디엔 공중합체의 수평균 분자량(MN)에 대한 중량평균분자량(MW)의 비가 MW/MN≥2.5의 범위인 접착 테이프.
  6. 제 1 항에 있어서, 언급된 내열성 베이스 필름이 20 내지 300℃에서 너비 방향의 선형 열팽창의 평균계수(ASTM D-696-44에 따라 측정) 0.4×10-5×2.5×10-5cm/cm/℃를 가지며 300℃로 3분간 가열한 후에 너비 방향의 치수변화계수(JIS C 2318-6.3.5에 따라 측정)가 0.15%이하인 접착 테이프.
  7. 제 1 항에 있어서, 언급된 접착층이 무기 충전제 및 유기 충전제로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 충전제를 접착층의 중량을 기준으로 0.5~80중량%의 양으로 함유하는 접착 테이프.
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Families Citing this family (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2257707B (en) * 1991-05-27 1995-11-01 Nippon Zeon Co Adhesive composition
DE69514201T2 (de) * 1994-11-24 2000-08-03 Dow Corning Toray Silicone Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP2896754B2 (ja) * 1995-06-08 1999-05-31 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
WO1998028788A1 (en) * 1996-12-24 1998-07-02 Nitto Denko Corporation Manufacture of semiconductor device
JP3903447B2 (ja) * 1998-01-21 2007-04-11 リンテック株式会社 粘着シート
MY124687A (en) * 1998-05-20 2006-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Insulating adhesive for electronic parts, and lead frame and semiconductor device using the same
US8330270B1 (en) 1998-06-10 2012-12-11 Utac Hong Kong Limited Integrated circuit package having a plurality of spaced apart pad portions
US6229200B1 (en) 1998-06-10 2001-05-08 Asat Limited Saw-singulated leadless plastic chip carrier
US7270867B1 (en) 1998-06-10 2007-09-18 Asat Ltd. Leadless plastic chip carrier
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6281568B1 (en) 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
DE19851191A1 (de) * 1998-11-06 2000-05-25 Beiersdorf Ag Abdeckband und seine Verwendung
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
US6359334B1 (en) 1999-06-08 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Thermally conductive adhesive tape for semiconductor devices and method using the same
US6774480B1 (en) 1999-07-30 2004-08-10 Micron Technology, Inc. Method and structure for manufacturing improved yield semiconductor packaged devices
JP3417354B2 (ja) * 1999-08-19 2003-06-16 ソニーケミカル株式会社 接着材料及び回路接続方法
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6476478B1 (en) 1999-11-12 2002-11-05 Amkor Technology, Inc. Cavity semiconductor package with exposed leads and die pad
KR100421774B1 (ko) 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100559664B1 (ko) 2000-03-25 2006-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
DE10021243A1 (de) * 2000-04-29 2001-11-08 Beiersdorf Ag Abdeckband und seine Verwendung
KR20020058209A (ko) 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100731007B1 (ko) * 2001-01-15 2007-06-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
KR100394030B1 (ko) * 2001-01-15 2003-08-06 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
US6605865B2 (en) 2001-03-19 2003-08-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with optimized leadframe bonding strength
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100393448B1 (ko) 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
US6756658B1 (en) 2001-04-06 2004-06-29 Amkor Technology, Inc. Making two lead surface mounting high power microleadframe semiconductor packages
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
TW588345B (en) * 2001-09-28 2004-05-21 Sony Corp Optical recording medium and its manufacturing method
US6611047B2 (en) 2001-10-12 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with singulation crease
US6798046B1 (en) 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US6885086B1 (en) 2002-03-05 2005-04-26 Amkor Technology, Inc. Reduced copper lead frame for saw-singulated chip package
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
US6627977B1 (en) 2002-05-09 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including isolated ring structure
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
US7732914B1 (en) 2002-09-03 2010-06-08 Mclellan Neil Cavity-type integrated circuit package
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
JP2006505944A (ja) 2002-11-12 2006-02-16 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 補強ストリップを有するモジュールを備えたデータキャリア
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
WO2010019832A2 (en) 2008-08-13 2010-02-18 Designer Molecules, Inc. Amide-extended crosslinking compounds and methods for use thereof
US8513375B2 (en) * 2003-05-05 2013-08-20 Designer Molecules, Inc. Imide-linked maleimide and polymaleimide compounds
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US6921967B2 (en) 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7875688B2 (en) * 2004-06-04 2011-01-25 Designer Molecules, Inc. Free-radical curable polyesters and methods for use thereof
US7091581B1 (en) 2004-06-14 2006-08-15 Asat Limited Integrated circuit package and process for fabricating the same
US7411289B1 (en) 2004-06-14 2008-08-12 Asat Ltd. Integrated circuit package with partially exposed contact pads and process for fabricating the same
US7786248B2 (en) * 2004-08-20 2010-08-31 Designer Molecules, Inc. Underfill compositions and methods for use thereof
US7595225B1 (en) 2004-10-05 2009-09-29 Chun Ho Fan Leadless plastic chip carrier with contact standoff
KR100635053B1 (ko) * 2005-06-21 2006-10-16 도레이새한 주식회사 전자부품용 접착테이프
US7358119B2 (en) * 2005-01-12 2008-04-15 Asat Ltd. Thin array plastic package without die attach pad and process for fabricating the same
US7348663B1 (en) 2005-07-15 2008-03-25 Asat Ltd. Integrated circuit package and method for fabricating same
US7410830B1 (en) 2005-09-26 2008-08-12 Asat Ltd Leadless plastic chip carrier and method of fabricating same
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
KR100844383B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
US7868113B2 (en) 2007-04-11 2011-01-11 Designer Molecules, Inc. Low shrinkage polyester thermosetting resins
JP5133598B2 (ja) 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 封止用熱硬化型接着シート
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
DE102008062127A1 (de) * 2008-12-16 2010-07-01 Tesa Se Flächenelement zur Erzeugung von Röntgenstrahlung
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8415812B2 (en) * 2009-09-03 2013-04-09 Designer Molecules, Inc. Materials and methods for stress reduction in semiconductor wafer passivation layers
US8710682B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-29 Designer Molecules Inc, Inc. Materials and methods for stress reduction in semiconductor wafer passivation layers
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9931812B2 (en) 2012-12-27 2018-04-03 Nitto Shinko Corporation Insulating paper for oil-immersed motors
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
TWI735411B (zh) * 2014-06-18 2021-08-11 日商味之素股份有限公司 附保護薄膜之接著片
CN110467894B (zh) * 2019-09-03 2021-09-17 航天特种材料及工艺技术研究所 一种粘接剂及其制备方法和应用
EP4314180A1 (en) * 2021-03-30 2024-02-07 3M Innovative Properties Company Adhesive precursor composition and heat-expandable temporary adhesive therefrom

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3421961A (en) * 1966-01-10 1969-01-14 Ncr Co Method of making high density electrical connections
GB1243566A (en) * 1968-10-04 1971-08-18 Bridgestone Tire Co Ltd Solution-type adhesive
US3873638A (en) * 1971-04-26 1975-03-25 Minnesota Mining & Mfg Tacky blend of butadiene-acrylonitrile copolymer thermosettable material having acrylate and epoxy groups peroxide and epoxy curing agent
US3837984A (en) * 1972-01-19 1974-09-24 Illinois Tool Works Thermosetting adhesive and articles using the same
US3784496A (en) * 1972-02-24 1974-01-08 Dow Chemical Co Rubber and amine modified phenolic resins
JPS5214745A (en) * 1975-07-23 1977-02-03 Yoshitomi Pharmaceut Ind Ltd Preparation of phenylcarbamic acid esters
US4456496A (en) * 1975-10-02 1984-06-26 Goodyear Aerospace Corporation Method of making an elastomeric fabric container
DE2612438C2 (de) * 1976-03-24 1983-04-28 Aeg Isolier- Und Kunststoff Gmbh, 3500 Kassel Haftvermittlerschicht zur Herstellung von Leiterplatten
JPS6030353B2 (ja) * 1978-07-21 1985-07-16 旭化成株式会社 耐熱性接着層を有するポリイミドフイルム
GB2048271B (en) * 1979-03-15 1983-08-03 Mitsui Toatsu Chemicals Phenolic resin epoxide rubber compositions
JPS56118857A (en) * 1980-02-25 1981-09-18 Nitto Electric Ind Co Thermofusing polyimide composite film and its manufacture
JPS57146337A (en) * 1981-03-06 1982-09-09 Toshiba Corp Switching device
JPS59108072A (ja) * 1982-12-11 1984-06-22 Nitto Electric Ind Co Ltd 常温粘着性を有する熱硬化性接着シ−ト
JPS6151076A (ja) * 1984-08-21 1986-03-13 Tomoegawa Paper Co Ltd 接着テ−プ
JPS61146337A (ja) * 1984-12-21 1986-07-04 Furukawa Electric Co Ltd:The タ−ンテ−ブル式粉・粒体自動供給装置
US4578315A (en) * 1985-02-13 1986-03-25 Schenectady Chemicals Inc. Phenolic resins, carboxylic resins and the elastomers containing adhesive
US4977003A (en) * 1985-02-20 1990-12-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Nontacky acrylonitrile/butadiene adhesive tape
US4862245A (en) * 1985-04-18 1989-08-29 International Business Machines Corporation Package semiconductor chip
US4762747A (en) * 1986-07-29 1988-08-09 Industrial Technology Research Institute Single component aqueous acrylic adhesive compositions for flexible printed circuits and laminates made therefrom
US4892602A (en) * 1986-08-19 1990-01-09 Oike Industrial Co., Ltd. Heat-sensitive transfer medium
JPS63110034A (ja) * 1986-10-27 1988-05-14 Mazda Motor Corp ４輪駆動車のトランスフア構造
US4861648A (en) * 1988-03-14 1989-08-29 Gila River Products, Inc. Materials for laminating flexible printed circuits
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
US5277972B1 (en) * 1988-09-29 1996-11-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive tapes

Also Published As

Publication number Publication date
DE68922812D1 (de) 1995-06-29
US5891566A (en) 1999-04-06
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US5683806A (en) 1997-11-04
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DE68922812T2 (de) 1995-12-07
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EP0361975A3 (en) 1991-11-21

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