KR100379089B1 - 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지 - Google Patents

리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100379089B1
KR100379089B1 KR10-1999-0044650A KR19990044650A KR100379089B1 KR 100379089 B1 KR100379089 B1 KR 100379089B1 KR 19990044650 A KR19990044650 A KR 19990044650A KR 100379089 B1 KR100379089 B1 KR 100379089B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mounting plate
chip mounting
lead
inner lead
chip
Prior art date
Application number
KR10-1999-0044650A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010037246A (ko
Inventor
서무환
이태헌
정영석
Original Assignee
앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 filed Critical 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
Priority to KR10-1999-0044650A priority Critical patent/KR100379089B1/ko
Priority to JP2000015004A priority patent/JP2001077278A/ja
Priority to US09/687,048 priority patent/US7102208B1/en
Priority to SG200005938A priority patent/SG103824A1/en
Publication of KR20010037246A publication Critical patent/KR20010037246A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100379089B1 publication Critical patent/KR100379089B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part

Abstract

이 발명은 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지에 관한 것으로, 반도체패키지와 마더보드 사이의 솔더 조인트력을 향상시키기 위해, 대략 판상의 프레임몸체와; 상기 프레임몸체 내측에 위치되어 반도체칩이 탑재되는 칩탑재판과; 상기 칩탑재판의 외주연에 일정거리 이격되어 방사상으로 형성된 다수의 내부리드와; 상기 내부리드에 연장되어 다시 프레임몸체에 연결되는 외부리드와; 상기 다수의 내부리드 및 외부리드를 지지할 수 있도록 내부리드와 외부리드의 경계에 형성된 댐바로 이루어진 리드프레임에 있어서, 상기 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 향하는 내부리드의 길이와, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이는 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지.

Description

리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지{leadframe and semiconductor package using it}
본 발명은 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 반도체패키지와 마더보드 사이의 솔더 조인트력을 향상시킬 수 있는 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지에 관한 것이다.
최근의 전자기기 예를 들면, 휴대폰, 셀룰러 폰, 노트북 등의 마더보드에는 많은 수의 반도체칩들이 패키징되어 최소시간내에 그것들이 다기능을 수행할 수 있도록 설계되는 동시에, 전자기기 자체가 초소형화 되어 가는 추세에 있다. 이에 따라 반도체칩이 고집적화됨은 물론, 이를 패키징한 반도체패키지의 크기도 축소되고 있으며, 또한 실장밀도도 고밀도화되어 가고 있다.
이러한 추세에 따라 최근에는 반도체칩의 전기적 신호를 마더보드로 전달해줌은 물론 마더보드(mother board) 상에서 일정한 형태로 지지되도록 하는 반도체패키지의 크기가 대략 1×1mm ~ 10×10mm 내외로 개발되고 있으며, 이러한 반도체패키지의 예로서 MLF(Micro LeadFrame)형 패키지 등이 알려져 있다.
상기한 반도체패키지에 사용되는 통상적인 리드프레임(20')을 도1에 도시하였으며, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 대략 판상의 프레임몸체(22)가 구비되고, 상기 프레임몸체(22)의 중앙에는 반도체칩이 탑재되는 칩탑재판(4)이 형성되어 있다. 상기 칩탑재판(4)의 외주연에는 일정거리 이격된 채 다수의 내부리드(6)가 방사상으로 형성되어 있으며, 상기 내부리드(6)중 적어도 2개에는 단부에 타이바(28)가 형성되어 상기 칩탑재판(4)과 연결되어 있다. 상기 내부리드(6)에 연장되어서는 다시 프레임몸체(22)에 연결되도록 외부리드(26)가 구비되어 있고, 상기 내부리드(6)와 외부리드(26) 사이에는 댐바(24)가 구비되어 있다.
도면중 미설명 부호 4h,6h,28h는 각각 칩탑재판(4), 내부리드(6) 및 타이바(28)에 형성된 할프에칭부를 나타낸다.
또한, 상기 리드프레임(20')에서 내부리드(6)의 길이는 모두 동일한 길이로 형성되어 있다.
한편, 상기 리드프레임(20')을 이용한 반도체패키지(100')의 구조를 도1b 및 도1c에 도시하였다.
도시된 바와 같이 상면에 다수의 입출력패드(2a)가 형성된 반도체칩(2)이 구비되어 있고, 상기 반도체칩(2)의 저면에는 접착제로 칩탑재판(4)이 접착되어 있으며, 상기 칩탑재판(4)은 측면 둘레에 할프에칭부(4h)가 형성되어 있다. 상기 칩탑재판(4)의 외주연에는 방사상으로 배열되어 있으며 칩탑재판(4)을 향하는 단부에 할프에칭부(도시되지 않음)가 형성된 다수의 내부리드(6)가 구비되어 있다. 상기 반도체칩(2)의 입출력패드(2a)와 내부리드(6)는 도전성와이어(8)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 계속해서 상기 반도체칩(2), 도전성와이어(8), 칩탑재판(4) 및 내부리드(6)는 봉지재로 봉지되어 소정의 패키지몸체(10)를 형성하고 있으며, 상기 칩탑재판(4), 내부리드(6) 및 타이바(28)의 저면은 패키지몸체(10) 저면으로 노출되어 있다.
상기와 같은 반도체패키지(100')는 차후 패키지몸체(10) 저면으로 노출된 내부리드(6)의 저면(랜드(land)라고도 함)이 솔더에 의해 마더보드에 융착된다.
그러나 이러한 구조의 리드프레임 또는 반도체패키지는 도1c에 도시된 바와 같이 패키지몸체(10)의 네모서리 근처에 형성된 내부리드와 내부리드의 간격이 일정 간격 G1을 어느 정도 유지하여야 하기 때문에, 나머지 모든 내부리드의 길이도 동일하게 디자인된 문제점이 있다. 상기와 같이 G1이 일정한 간격이 되도록 한 이유는 마더보드에 내부리드를 솔더로 융착시 상기 솔더에 의해 상기 G1 사이에 있는 내부리드끼리 서로 쇼트되는 현상을 억제하기 위함이지만, 나머지의 쇼트될 확률이 없는 내부리드의 길이도 모두 동일하게 형성됨으로써, 마더보드에 장착된 반도체패키지의 전체적인 솔더 조인트력이 저하되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 반도체패키지와 마더보드 사이의 솔더 조인트력을 향상시킬 수 있는 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지를 제공하는데 있다.
도1a는 종래의 리드프레임을 도시한 평면도이고, 도1b 및 도1c는 상기 리드프레임을 이용한 반도체패키지의 단면도 및 저면도이다.
도2는 본 발명에 의한 리드프레임을 도시한 평면도이다.
도3a 및 도3b는 도2의 리드프레임을 이용한 반도체패키지의 단면도 및 저면도이다.
도4는 본 발명의 다른 실시예인 반도체패키지를 도시한 저면도이다.
- 도면중 주요 부호에 대한 설명 -
100; 반도체패키지 2; 반도체칩
2a; 입출력패드 4; 칩탑재판
4h; 칩탑재판의 할프에칭부 6; 내부리드
6h; 내부리드의 할프에칭부 8; 도전성와이어
10; 패키지몸체 20; 리드프레임
22; 프레임몸체 24; 댐바
26; 외부리드 28; 타이바
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 리드프레임은 대략 판상의 프레임몸체와; 상기 프레임몸체 내측에 위치되어 반도체칩이 탑재되는 칩탑재판과; 상기 칩탑재판의 외주연에 일정거리 이격되어 방사상으로 형성된 다수의 내부리드와; 상기 내부리드에 연장되어 다시 프레임몸체에 연결되는 외부리드와; 상기 다수의 내부리드 및 외부리드를 지지할 수 있도록 내부리드와 외부리드의 경계에 형성된 댐바로 이루어진 리드프레임에 있어서, 상기 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를향하는 내부리드의 길이와, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이는 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 내부리드의 길이는 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 향하는 쪽이 가장 크고, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이가 가장 작게 형성될 수 있다.
또한, 상기 내부리드의 길이는 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 향하는 쪽이 가장 작고, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이가 가장 작게 형성될 수도 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체패키지는 다수의 입출력패드가 형성된 반도체칩과; 상기 반도체칩의 저면에 접착제로 접착된 칩탑재판과; 상기 칩탑재판의 외주연에 일정거리 이격되어 형성된 다수의 내부리드와; 상기 반도체칩의 입출력패드와 내부리드를 전기적으로 접속하는 도전성와이어와; 상기 반도체칩, 도전성와이어, 칩탑재판 및 내부리드 등을 봉지재로 봉지하되, 상기 칩탑재판 및 내부리드의 저면과 측면은 외부로 노출되도록 봉지하여 형성된 패키지몸체로 이루어진 반도체패키지에 있어서, 상기 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 향하는 내부리드의 길이와, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이는 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 내부리드의 길이는 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 향하는 쪽이 가장 크고, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이가 가장 작게 형성될 수 있다.
또한, 상기 내부리드의 길이는 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 향하는 쪽이 가장 작고, 칩탑재판의 각 모서리 근처를 향하는 내부리드의 길이가 가장 작게 형성될 수도 있다.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지에 의하면 마더보드와 접촉하는 내부리드의 길이(또는 면적)를 다양하게 변화시킴으로써 실장된 반도체패키지의 솔더 조인트력을 향상시킬 수 있게 된다.
이하 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 발명에 의한 리드프레임(20)을 도시한 평면도이다.
도시된 바와 같이 대략 판상의 프레임몸체(22)가 구비되고, 상기 프레임몸체(22)의 중앙에는 반도체칩이 탑재되는 칩탑재판(4)이 형성되어 있다. 상기 칩탑재판(4)의 외주연에는 일정거리 이격된 채 다수의 내부리드(6)가 방사상으로 형성되어 있으며, 상기 내부리드(6)중 적어도 2개에는 단부에 타이바(28)가 형성되어 상기 칩탑재판(4)에 연결되어 있다. 상기 내부리드(6)에 연장되어서는 다시 프레임몸체(22)에 연결되도록 외부리드(26)가 구비되어 있고, 상기 내부리드(6)와 외부리드(26) 사이에는 봉지 공정중 봉지재가 외부리드(26)쪽으로 유출되지 않토록 댐바(24)가 구비되어 있다. 여기서 도면 부호 4h,6h,28h는 각각 칩탑재판(4), 내부리드(6) 및 타이바(28)에 형성된 할프에칭부를 나타내며 이러한 구성은 종래와 동일하다.
단, 본 발명은 상기 칩탑재판(4)의 각 변 중앙부(4a) 근처를 향하는 내부리드(6a,6b,6c)의 길이와, 칩탑재판(4)의 각 모서리(4b,4c) 근처를 향하는 내부리드(6d,6e)의 길이가 서로 다르게 형성된 것이 특징이다.
즉, 도2에 도시된 바와 같이 칩탑재판(4)의 한 변의 중앙부(4a) 근처를 향하는 내부리드(6a,6b,6c)의 길이는 상기 변의 모서리(4b,4c) 근처를 향하는 내부리드(6d,6e)의 길이보다 길게 형성되어 있다. 이와 마찬가지로 상기 칩탑재판(4)의 다른 변을 향하는 내부리드도 상기와 같은 방법으로 형성되어 있다.
또한, 여기서 도시되어 있지는 않지만 상기 칩탑재판(4)의 한 변의 중앙부(4a) 근처를 향하는 내부리드(6a,6b,6c)의 길이는 상기 변의 단부인 모서리(4b,4c) 근처를 향하는 내부리드(6d,6e)의 길이보다 작게 형성될 수 있다. 이러한 경우는 MLF 패키지에 사용되는 대형 리드프레임일 경우에 사용함이 바람직하며, 그 이유는 하기에서 설명하기로 한다.
도3a 및 도3b는 도2의 리드프레임을 이용한 반도체패키지(100)의 단면도 및 저면도이다.
다수의 입출력패드(2a)가 형성된 반도체칩(2)이 구비되고, 상기 반도체칩(2)의 저면에 접착제로 칩탑재판(4)이 접착되어 있다. 상기 칩탑재판(4)의 외주연에는 일정거리 이격되어 다수의 내부리드(6)가 위치되어 있고, 상기 반도체칩(2)의 입출력패드(2a)와 내부리드(6)는 도전성와이어(8)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 상기 반도체칩(2), 도전성와이어(8), 칩탑재판(4) 및 내부리드(6) 등은 봉지재로 봉지되어 있되, 상기 칩탑재판(4) 및 내부리드(6)의 저면과 측면은 외부로 노출되도록 봉지하여 패키지몸체(10)가 형성되어 있다. 이와 같은 구조는 종래와 동일하다.
다만 본 발명은 상기 칩탑재판(4)의 각 변의 중앙부(4a) 근처를 향하는 내부리드(6a,6b,6c)의 길이와, 칩탑재판(4)의 각 모서리(4b,4c) 근처를 향하는 내부리드(6d,6e)의 길이가 서로 다르게 형성된 것이 특징이다.
즉, 도3b에 도시된 바와 같이 칩탑재판(4)의 한 변의 중앙부(4a) 근처를 향하는 내부리드(6a,6b,6c)의 길이는 상기 변의 단부인 모서리(4b,4c) 근처를 향하는 내부리드(6d,6e)의 길이보다 길게 형성되어 있다. 이와 마찬가지로 상기 칩탑재판(4)의 다른 변을 향하는 내부리드도 상기와 같은 방법으로 형성되어 있다.
또한, 도4에 도시된 바와 같이 상기 칩탑재판(4)의 한 변의 중앙부(4a) 근처를 향하는 내부리드(6a,6b,6c)의 길이는 상기 변의 단부인 모서리(4b,4c) 근처를 향하는 내부리드(6d,6e)의 길이보다 작게 형성될 수 있다. 이러한 경우는 MLF 패키지 외의 다른 대형 리드프레임일 경우에 사용함이 바람직하며, 그 이유는 대형 리드프레임을 사용한 패키지의 경우 그 패키지몸체의 모서리 부분에서 솔더 조인트력이 가장 약하기 때문에 이를 보강하기 위함이다.
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만 여기에만 한정되지 않으며, 본 발명의 범주 및 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.
따라서 본 발명에 의한 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지는 마더보드와 접촉하는 내부리드의 길이를 다양하게 변화시킴으로써 실장된 반도체패키지의 솔더 조인트력을 향상시킬 수 있게 된다.

Claims (6)

  1. (정정) 대략 판상의 프레임몸체와, 상기 프레임몸체 내측에 위치되어 반도체칩이 탑재되는 사각판상의 칩탑재판과, 상기 칩탑재판의 외주연에 일정거리 이격되어 형성된 다수의 내부리드와, 상기 내부리드에 연장되어 다시 프레임몸체에 연결되는 외부리드와, 상기 다수의 내부리드 및 외부리드를 지지할 수 있도록 내부리드와 외부리드의 경계에 형성된 댐바로 이루어진 리드프레임에 있어서,
    상기 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 내부리드가 수직방향으로 향하는 동시에 가장 길게 형성되어 있고, 상기 칩탑재판의 각 모서리 근처로서 가장 근접한 변에 대하여 다른 내부리드가 수직방향으로 향하는 동시에 가장 짧게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  2. (삭제)
  3. (삭제)
  4. (정정) 다수의 입출력패드가 형성된 반도체칩과, 상기 반도체칩의 저면에 접착제로 접착된 칩탑재판과, 상기 칩탑재판의 외주연에 일정거리 이격되어 형성된 다수의 내부리드와, 상기 반도체칩의 입출력패드와 내부리드를 전기적으로 접속하는 도전성와이어와, 상기 반도체칩, 도전성와이어, 칩탑재판 및 내부리드 등을 봉지재로 봉지하되, 상기 칩탑재판 및 내부리드의 저면과 측면은 외부로 노출되도록 봉지하여 형성된 패키지몸체로 이루어진 반도체패키지에 있어서,
    상기 칩탑재판의 각 변 중앙부 근처를 내부리드가 수직방향으로 향하는 동시에 가장 길게 형성되어 있고, 상기 칩탑재판의 각 모서리 근처로서 가장 근접한 변에 대하여 다른 내부리드가 수직방향으로 향하는 동시에 가장 짧게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체패키지.
  5. (삭제)
  6. (삭제)
KR10-1999-0044650A 1999-10-15 1999-10-15 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지 KR100379089B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0044650A KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 1999-10-15 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
JP2000015004A JP2001077278A (ja) 1999-10-15 2000-01-24 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド
US09/687,048 US7102208B1 (en) 1999-10-15 2000-10-13 Leadframe and semiconductor package with improved solder joint strength
SG200005938A SG103824A1 (en) 1999-10-15 2000-10-16 Leadframe and semiconductor package with improved solder joint strength

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1999-0044650A KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 1999-10-15 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010037246A KR20010037246A (ko) 2001-05-07
KR100379089B1 true KR100379089B1 (ko) 2003-04-08

Family

ID=36939437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-0044650A KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 1999-10-15 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7102208B1 (ko)
KR (1) KR100379089B1 (ko)
SG (1) SG103824A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079365A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Oki Electric Ind Co Ltd 基板フレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2008532278A (ja) * 2005-02-23 2008-08-14 エヌエックスピー ビー ヴィ 付加的な接点パッドを備える集積回路パッケージ装置、リードフレームおよび電子装置
KR100673953B1 (ko) * 2005-10-26 2007-01-24 삼성테크윈 주식회사 리드 프레임
US20070096269A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Mediatek Inc. Leadframe for semiconductor packages
JP5255009B2 (ja) * 2010-02-26 2013-08-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8357564B2 (en) * 2010-05-17 2013-01-22 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming prefabricated multi-die leadframe for electrical interconnect of stacked semiconductor die
JP2012028743A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
US8390103B2 (en) * 2010-07-12 2013-03-05 Analog Devices, Inc. Apparatus for integrated circuit packaging

Family Cites Families (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189342A (en) 1971-10-07 1980-02-19 U.S. Philips Corporation Semiconductor device comprising projecting contact layers
US3838984A (en) 1973-04-16 1974-10-01 Sperry Rand Corp Flexible carrier and interconnect for uncased ic chips
US4054238A (en) 1976-03-23 1977-10-18 Western Electric Company, Inc. Method, apparatus and lead frame for assembling leads with terminals on a substrate
JPS5479563A (en) 1977-12-07 1979-06-25 Kyushu Nippon Electric Lead frame for semiconductor
JPS5521128A (en) 1978-08-02 1980-02-15 Hitachi Ltd Lead frame used for semiconductor device and its assembling
US4289922A (en) 1979-09-04 1981-09-15 Plessey Incorporated Integrated circuit package and lead frame
US4417266A (en) 1981-08-14 1983-11-22 Amp Incorporated Power and ground plane structure for chip carrier
FR2524707B1 (fr) 1982-04-01 1985-05-31 Cit Alcatel Procede d'encapsulation de composants semi-conducteurs, et composants encapsules obtenus
US4737839A (en) 1984-03-19 1988-04-12 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Semiconductor chip mounting system
JPH0612796B2 (ja) 1984-06-04 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体装置
US4862246A (en) 1984-09-26 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor device lead frame with etched through holes
US4862245A (en) 1985-04-18 1989-08-29 International Business Machines Corporation Package semiconductor chip
US4756080A (en) 1986-01-27 1988-07-12 American Microsystems, Inc. Metal foil semiconductor interconnection method
US4812896A (en) 1986-11-13 1989-03-14 Olin Corporation Metal electronic package sealed with thermoplastic having a grafted metal deactivator and antioxidant
US5087961A (en) 1987-01-28 1992-02-11 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package
KR960006710B1 (ko) 1987-02-25 1996-05-22 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 면실장형 반도체집적회로장치 및 그 제조방법과 그 실장방법
US4987475A (en) 1988-02-29 1991-01-22 Digital Equipment Corporation Alignment of leads for ceramic integrated circuit packages
US4907067A (en) 1988-05-11 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Thermally efficient power device package
US5096852A (en) 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
US4935803A (en) 1988-09-09 1990-06-19 Motorola, Inc. Self-centering electrode for power devices
EP0361975B1 (en) 1988-09-29 1995-05-24 Tomoegawa Paper Co. Ltd. Adhesive tapes
US5277972B1 (en) 1988-09-29 1996-11-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Adhesive tapes
US5266834A (en) 1989-03-13 1993-11-30 Hitachi Ltd. Semiconductor device and an electronic device with the semiconductor devices mounted thereon
US5070039A (en) 1989-04-13 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of making an integrated circuit using a pre-served dam bar to reduce mold flash and to facilitate flash removal
US4999700A (en) * 1989-04-20 1991-03-12 Honeywell Inc. Package to board variable pitch tab
EP0405755B1 (en) 1989-05-31 1995-11-29 Fujitsu Limited Pin grid array packaging structure
JPH0671062B2 (ja) 1989-08-30 1994-09-07 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US5200362A (en) 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
US5041902A (en) 1989-12-14 1991-08-20 Motorola, Inc. Molded electronic package with compression structures
JP2540652B2 (ja) * 1990-06-01 1996-10-09 株式会社東芝 半導体装置
EP0468379B1 (en) 1990-07-21 1999-11-17 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor device having a package
EP0509065A1 (en) 1990-08-01 1992-10-21 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus
US5029386A (en) 1990-09-17 1991-07-09 Hewlett-Packard Company Hierarchical tape automated bonding method
US5335771A (en) 1990-09-25 1994-08-09 R. H. Murphy Company, Inc. Spacer trays for stacking storage trays with integrated circuits
US5391439A (en) 1990-09-27 1995-02-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Leadframe adapted to support semiconductor elements
US5298685A (en) 1990-10-30 1994-03-29 International Business Machines Corporation Interconnection method and structure for organic circuit boards
US5216278A (en) 1990-12-04 1993-06-01 Motorola, Inc. Semiconductor device having a pad array carrier package
US5172214A (en) 1991-02-06 1992-12-15 Motorola, Inc. Leadless semiconductor device and method for making the same
US5157480A (en) 1991-02-06 1992-10-20 Motorola, Inc. Semiconductor device having dual electrical contact sites
US5172213A (en) 1991-05-23 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Molded circuit package having heat dissipating post
US5221642A (en) 1991-08-15 1993-06-22 Staktek Corporation Lead-on-chip integrated circuit fabrication method
JP2658661B2 (ja) 1991-09-18 1997-09-30 日本電気株式会社 多層印刷配線板の製造方法
JP2518569B2 (ja) 1991-09-19 1996-07-24 三菱電機株式会社 半導体装置
US5200809A (en) 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
US5332864A (en) 1991-12-27 1994-07-26 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit package having an interposer
US5250841A (en) 1992-04-06 1993-10-05 Motorola, Inc. Semiconductor device with test-only leads
US5214845A (en) 1992-05-11 1993-06-01 Micron Technology, Inc. Method for producing high speed integrated circuits
US5539251A (en) 1992-05-11 1996-07-23 Micron Technology, Inc. Tie bar over chip lead frame design
DE69329542T2 (de) 1992-06-05 2001-02-08 Mitsui Chemicals Inc Dreidimensionale leiterplatte, elektronische bauelementanordnung unter verwendung dieser leiterplatte und herstellungsverfahren zu dieser leiterplatte
US5278446A (en) 1992-07-06 1994-01-11 Motorola, Inc. Reduced stress plastic package
JPH0637202A (ja) 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波ｉｃ用パッケージ
JPH0653394A (ja) 1992-07-28 1994-02-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレーム用プレーン支持体
US5592025A (en) 1992-08-06 1997-01-07 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device
KR0128251Y1 (ko) 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
US5608267A (en) 1992-09-17 1997-03-04 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including heat spreader
JP2859057B2 (ja) * 1992-11-27 1999-02-17 三洋電機株式会社 リードフレーム
US5406124A (en) 1992-12-04 1995-04-11 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape
KR960009089B1 (ko) 1993-03-04 1996-07-10 문정환 패키지 성형용 금형 및 그 금형을 이용한 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 및 패키지
US5340771A (en) 1993-03-18 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Techniques for providing high I/O count connections to semiconductor dies
US5327008A (en) 1993-03-22 1994-07-05 Motorola Inc. Semiconductor device having universal low-stress die support and method for making the same
US5474958A (en) 1993-05-04 1995-12-12 Motorola, Inc. Method for making semiconductor device having no die supporting surface
KR0152901B1 (ko) 1993-06-23 1998-10-01 문정환 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2526787B2 (ja) 1993-07-01 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体装置用リ―ドフレ―ム
JP2875139B2 (ja) 1993-07-15 1999-03-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5336931A (en) 1993-09-03 1994-08-09 Motorola, Inc. Anchoring method for flow formed integrated circuit covers
US5641997A (en) 1993-09-14 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic-encapsulated semiconductor device
US5414299A (en) 1993-09-24 1995-05-09 Vlsi Technology, Inc. Semi-conductor device interconnect package assembly for improved package performance
US5517056A (en) 1993-09-30 1996-05-14 Motorola, Inc. Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
US5545923A (en) 1993-10-22 1996-08-13 Lsi Logic Corporation Semiconductor device assembly with minimized bond finger connections
JPH07142627A (ja) 1993-11-18 1995-06-02 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5521429A (en) 1993-11-25 1996-05-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Surface-mount flat package semiconductor device
US5673479A (en) 1993-12-20 1997-10-07 Lsi Logic Corporation Method for mounting a microelectronic circuit peripherally-leaded package including integral support member with spacer
KR970010676B1 (ko) 1994-03-29 1997-06-30 엘지반도체 주식회사 반도체 패키지 및 이에 사용되는 리드 프레임
US5701034A (en) 1994-05-03 1997-12-23 Amkor Electronics, Inc. Packaged semiconductor die including heat sink with locking feature
US5544412A (en) 1994-05-24 1996-08-13 Motorola, Inc. Method for coupling a power lead to a bond pad in an electronic module
US5429992A (en) 1994-05-25 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion
US5766972A (en) 1994-06-02 1998-06-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin encapsulated semiconductor device with bump electrodes
US5604376A (en) 1994-06-30 1997-02-18 Digital Equipment Corporation Paddleless molded plastic semiconductor chip package
US5454905A (en) 1994-08-09 1995-10-03 National Semiconductor Corporation Method for manufacturing fine pitch lead frame
KR0145768B1 (ko) 1994-08-16 1998-08-01 김광호 리드 프레임과 그를 이용한 반도체 패키지 제조방법
JP2820645B2 (ja) 1994-08-30 1998-11-05 アナム インダストリアル カンパニー インコーポレーティド 半導体リードフレーム
US5508556A (en) 1994-09-02 1996-04-16 Motorola, Inc. Leaded semiconductor device having accessible power supply pad terminals
US5543657A (en) 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability
US5581122A (en) 1994-10-25 1996-12-03 Industrial Technology Research Institute Packaging assembly with consolidated common voltage connections for integrated circuits
US5665996A (en) 1994-12-30 1997-09-09 Siliconix Incorporated Vertical power mosfet having thick metal layer to reduce distributed resistance
JPH08222681A (ja) 1995-02-14 1996-08-30 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5650663A (en) 1995-07-03 1997-07-22 Olin Corporation Electronic package with improved thermal properties
US5745984A (en) 1995-07-10 1998-05-05 Martin Marietta Corporation Method for making an electronic module
JP3123638B2 (ja) 1995-09-25 2001-01-15 株式会社三井ハイテック 半導体装置
JP3292798B2 (ja) 1995-10-04 2002-06-17 三菱電機株式会社 半導体装置
US5801440A (en) 1995-10-10 1998-09-01 Acc Microelectronics Corporation Chip package board having utility rings
US5696666A (en) 1995-10-11 1997-12-09 Motorola, Inc. Low profile exposed die chip carrier package
US5689135A (en) 1995-12-19 1997-11-18 Micron Technology, Inc. Multi-chip device and method of fabrication employing leads over and under processes
US5646831A (en) 1995-12-28 1997-07-08 Vlsi Technology, Inc. Electrically enhanced power quad flat pack arrangement
KR0179803B1 (ko) 1995-12-29 1999-03-20 문정환 리드노출형 반도체 패키지
US5866939A (en) * 1996-01-21 1999-02-02 Anam Semiconductor Inc. Lead end grid array semiconductor package
JPH09260575A (ja) 1996-03-22 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びリードフレーム
US5776798A (en) 1996-09-04 1998-07-07 Motorola, Inc. Semiconductor package and method thereof
US5736432A (en) 1996-09-20 1998-04-07 National Semiconductor Corporation Lead frame with lead finger locking feature and method for making same
JP3012816B2 (ja) * 1996-10-22 2000-02-28 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US5814884C1 (en) 1996-10-24 2002-01-29 Int Rectifier Corp Commonly housed diverse semiconductor die
US5814881A (en) 1996-12-20 1998-09-29 Lsi Logic Corporation Stacked integrated chip package and method of making same
US5907769A (en) * 1996-12-30 1999-05-25 Micron Technology, Inc. Leads under chip in conventional IC package
US6028350A (en) * 1998-02-09 2000-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Lead frame with strip-shaped die bonding pad
US6034423A (en) * 1998-04-02 2000-03-07 National Semiconductor Corporation Lead frame design for increased chip pinout
JP3062192B1 (ja) * 1999-09-01 2000-07-10 松下電子工業株式会社 リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7102208B1 (en) 2006-09-05
SG103824A1 (en) 2004-05-26
KR20010037246A (ko) 2001-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100260997B1 (ko) 반도체패키지
KR100477020B1 (ko) 멀티 칩 패키지
KR20010037247A (ko) 반도체패키지
US6853059B1 (en) Semiconductor package having improved adhesiveness and ground bonding
US20060255438A1 (en) Lead frame and resin-encapsulated semiconductor device
KR20030018204A (ko) 스페이서를 갖는 멀티 칩 패키지
KR100369907B1 (ko) 반도체 패키지와 그 반도체 패키지의 기판 실장 구조 및적층 구조
KR100355794B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20010037254A (ko) 반도체패키지
KR100379089B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR100364978B1 (ko) 반도체패키지의 와이어 본딩용 클램프 및 히트블록
KR100393099B1 (ko) 반도체패키지
KR100658903B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR100355797B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조 방법
KR100384334B1 (ko) 반도체패키지
JP2002110889A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20000040218A (ko) 멀티 칩 패키지
KR100526837B1 (ko) 반도체패키지
KR100345163B1 (ko) 볼 그리드 어레이 패키지
KR100364842B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR100370480B1 (ko) 반도체 패키지용 리드 프레임
KR100525450B1 (ko) 반도체 칩 적층형 반도체 패키지
KR200313831Y1 (ko) 바텀리드패키지
KR20010037245A (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20030048247A (ko) 금속패턴이 구비된 칩을 포함하는 센터패드형 비지에이패키지

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130321

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140314

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160322

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180313

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190313

Year of fee payment: 17