JPS59227143A - 集積回路パツケ−ジ - Google Patents

集積回路パツケ−ジ

Info

Publication number
JPS59227143A
JPS59227143A JP58101317A JP10131783A JPS59227143A JP S59227143 A JPS59227143 A JP S59227143A JP 58101317 A JP58101317 A JP 58101317A JP 10131783 A JP10131783 A JP 10131783A JP S59227143 A JPS59227143 A JP S59227143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
lead
chip
terminal
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58101317A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Nishikawa
誠一 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP58101317A priority Critical patent/JPS59227143A/ja
Publication of JPS59227143A publication Critical patent/JPS59227143A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積＠Ｉ＠　＃Ｒツケージに関する。
近年電子回路の代名詞的存在となった集積回路は、半導
体素子等により構成されたＩＣチップ、このＩＣチップ
の端子を外部に接続するため及び集積回路を機械的に支
持するためのリード、ならびＫＩＣチップの封止および
ＩＣチップとリードとの接続部分の封止、さらに集積回
路全体のノ・ウジングとしてのｐＲツケージからなって
いる。
このパッケージには樹脂タイプのものとセラミックタイ
プのものがあり、まず樹脂タイプのものは第１図または
第２図に示すような構造となってａｅツケージ（ＤＩＰ
）と呼ばれ、ＩＣチップ１をリードフレーム２上に設置
してＩＣチップの端子とリードフレーム２のリードとを
ワイヤメンディングした上でＩＣチップ１およびＩＣチ
ップ１とリードとの接続部分を樹脂モールド３により封
止してなる。また第２図のものはフラット／ぞツヶージ
と呼ばれ、リードフレーム２のリードが平面内に引き出
されている。
一方セラミックタイプのものは第３図（ａ）　、　（ｂ
）Ｋ示すように、ＩＣチップ１をセラミック基板４上忙
設置してＩＣチップ１の端子をセラミック基板４の周縁
に設けたメタライズ電極５＆Ｃワイヤボンデイングし蓋
６ｔ−被せてなるものである。
これら樹脂タイプおよびセラミックタイプの集積回路は
それぞれ一長一短があるが、コスト的に見た場合忙は樹
脂タイプのものが遥か忙利用し易い。
しかしながら、樹脂タイプのものはリードが集積回路の
側方に出るため、いくつかの集積回路を所定面領域内に
並置しようとする場合に実装密度が上げられないという
欠点がある。
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、リードを
頂面、底面の少くとも一方に設けてなる樹脂モールド型
巣積回路ｐＲツケージを提供するものである。
以下第４図乃至第１１図を参照して本発明を実施例につ
き説明する。
第４図は本発明の集積回路忙用いるリードフレームの一
例を平面形状で示したものであり、中央部ＫＩＣチップ
１を設置するためのＩＣチッゾマウント部２ａが設けら
れ、このマウント部２ｍ’％７取囲んでリード２ｂが８
個設けられている。リード２ｂの１つはマウント部２色
に連結されている。
そして、各リード２ｂの中央部には端子２ｃが設けられ
ている。この端子２ｃはリードフレーム２の平面に対し
垂直方向に突出していて、後に樹脂モールド３が施され
た状態で樹脂表面から露出するよ５になっている。
そして切断線ＣＬで切断されることにより１つの集積回
路が出来上る。
第５図（ａ）　、　（ｂ）は本発明に係る集積回路ノｅ
ツケージの外観形状を示したもので、同図（ａ）はリー
ド１２、ｂの樹脂モールド側方への突出部分を切断した
もの、同図（ｂ）は適当の長さだけり−ド２ｂｔ残した
ものを示している。これらは何れも外部回路等との接続
を主として端子２ｅＫより行うからり−ド２ｂの長さは
せいぜい集積回路を固定するために必要な程度でよく、
また固定全接着等の他の手段によって行うことにより集
積回路の実装密度を向上し得る。なお、リード２ｂを集
積回路の同定に利用すれば剥落防止効果が得られる。
第６図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｅ）は第４図のリー
ドフレームを用いて構成した本発明に係る集積回路の側
断面形状を示したもので、同図（ａ）は端子Ｃが樹脂モ
ールド３の樹脂表面から突出した例、同図（ｂ）は端子
Ｃが樹脂表面と同一面をなす場合、同図（ｅ）は端子Ｃ
が樹脂表面より窪んでいる場合をそれぞれ示している。
各場合とも端子２Ｃの表面には金メッキ等を施しておく
ことが好ましい。
これら各場合ともＩＣテップ１はリードフレーム２に対
し端子２ｅと反対側に設けである。これは、ＩＣチップ
１會端子２ｃと同−例に設けた場合、端子２ｃの突出寸
法をＩＣチップ１の高さよりも大としなければならず、
それ忙はリードフレーム２の板厚をかなり大にする等の
対策が必要なためである。したがってマウント部２ａを
リード２ｂより一段下げる等のＩＣチッゾｌの頂部がよ
り低くなる手段を講じるか、あるいは端子２ｃをリード
フレーム２とは別個［Ｊｌｌｉ作しリードフレーム２上
に付着させる方法を採るかすれば、ＩＣチップ１と端子
２ｃとをリードフレーム２の同−例に配しても差支えな
い。
第７図（ａ）　、　（ｂ）はリードフレーム２を折曲げ
成形すること釦より端子２ｅｆ形成した場合の集積回路
の側断面形状を示したもので、同図（ａ）が端子２ｃの
突出したもの、同図（ｂ）が端子２ｃが突出しないもの
を示している。
第８図（ａ）　、　（ｂ）は上述のワイヤボンディング
と異なり、ギヤングダンディングによりＩＣチップ１と
リード２ｂとを接続してなる集積回路の例を示しており
、同図（＆）の場合は端子２ｃが樹脂モールド３の樹脂
表面から突出した例、同図（ｂ）の場合は同一面をなす
例である。図示しないが９６図（ｃ）の例のように端子
２ｃが樹脂表面より窪んだものも勿論可能である、 第９図（ａ）　、　（ｂ）はギヤングボンディングによ
る第７図（ａ）　、　（ｂ）に相当する構造の側断面形
状を示したものであり、ＩＣチップ１が直接リード２ｂ
に接続される外は第７図と同様である。
第１（１図（ａ３　、　（ｂ）は第９図（ａ）　、　（
ｂ）の集積回路の平面形状を示したもので、リード２ｂ
のＩＣチップ１寄りの端ＳはＩＣチップ１の端子に位置
合わせできるように端部同士が接近し且つ尖っており、
ＩＣチップ１の端子に直接接続される。そしてリード２
ｂの・ぞツケージから突出した部分は短（成形されてい
る。
第１１図（ａ）　、　（ｂ）は上述の集積回路なＩＣカ
ードすなわちプラスチックカードに集積回路を組込んだ
もので、例えば銀行の自動支払機等において使用される
ものに＃Ｉ込んだ例を示している。上述の集積回路ＩＯ
はプラスチックカード加の表面所定領域に同図（ａ）に
示すように配される。そして組込構造を断面で示したの
が同図（ｂ）であり、集積回路】０は接着剤等によりカ
ードかの一方のオーバーレイ５に固着される。カード加
は一対のセンターコア４゜４が貼り合わせたもの又は一
枚のセンターコアに一対のオーバーレイ５．５が貼着さ
れてなり、センターコア４とオーバーレイ５との間に印
刷が施されている。カードかの全厚みは０．６〜０．８
　言禦であり、集積回路ｌＯはそれよりも薄く製作でき
るから、カードかの面と集積回路１０の面を同一面とす
ることは容易である。
このカードは所定のカード処理機に挟入されると端子２
ｃを介してカード処理機と集積回路との間での信号授受
が行われ、カード処理される。
本発明は上述のように、集積回路の頂面等に端子金有す
るようにしたため、％に、ＩＣカード組込み忙適した集
積回路が得られる。そして、このＩＣカードの組込み時
にはリード２ｂが集積回路制御から突出したものを用い
れば剥落防止のための補強が行われる。またカード以外
に適用しても集積回路の実装密度を向上することがｒ：
ぎる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）　、　（ｂ）および第２図は従来の樹脂タ
イプ集積回路の構造説明図、第３図（ａ）　、　（ｂ）
は同じくセラミックタイプ集積回路の構造説明図、第４
図は本発明に係る集積回路製作に用いるエツチングで端
子を設けたリードフレームの一例を示す平面図、第５図
（ａ）　、　（ｂ）は本発明に係る集積回路の外観形状
を示す図、第６図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は第
４図のリードフレームを用いて構成した集積回路の断面
構造を示す図、第７図（ａ）　、　（ｂ）は折曲げによ
り端子を形成したリードフレームによる集積回路の断面
構造を示す図、第８図（ａ）　、　（ｂ）および第９図
（ａ）　、　（ｂ）はギヤングボンディングによる集積
回路の断面構造を示す図、第１Ｏ図（ａ）　、　（ｂ）
はギヤングボンディングによる集積回路の平面構造を示
す図、第１１図（ω、（ｂ）は本発明に係る集積回路を
ＩＣカードに適用した場合の説明図である。 １・・・ＩＣチップ、２・・・リードフレーム、２１Ｌ
・・・ＩＣチップマクント部、２ｂ−リード、２ｃ・・
・端子、３・・・樹脂モールド、４・・・セラミック基
板、５・・・メタライズ電極、６・・−蓋、ＩＯ・・・
集積回路、Δ）・・・カード。 出願人代理人　　　猪　股　　　　清 （。）　第５図 Ｏ 第６図 （Ｃ） Ｃ １ 第７図 第８図 Ｃ 第９図 （ａ） （ｂ） Ｃ 第１Ｏ図 ｂ ｂ− 手続補正書 昭和閏年７月２日 特許庁長官　　　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和閏年特許願第１０１３１７号 ２、発明の名称 一積回路パッケージ ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （２８９）大日本印刷株式会社 ７、補正の対象 明細書および図面 ８、補正の内容

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームのリード部にＩＣチップが接続され
    た上で樹脂モールドが施され、次いで前記リードフレー
    ムの不要部分が切断されることにより構成される集積回
    路において、前記リードフレームのリード部を樹脂モー
    ルドの表面に露出させたことを特徴とする集積回路。 ２、特許請求の範囲第１項記載の集積回路において、前
    記リード露出部分は金メッキ層で被われてなる集積回路
    。 ３、特許請求の範囲第１項記載の集積回路忙おいて、前
    記リード露出部分はニッケルメッキ層および金メッキ層
    の２層メッキ層で被われてなる集積回路。 ４、特許請求の範囲第１項記載の集積回路においワイヤ
    ダンディングにより接続されてなる集積回路。 ５、特許請求の範囲第１項記載の集積回路におい文、前
    記リードフレームと前記ＩＣチップとはイヤングゲンデ
    インダにより接続されてなる集積回路。
JP58101317A 1983-06-07 1983-06-07 集積回路パツケ−ジ Pending JPS59227143A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58101317A JPS59227143A (ja) 1983-06-07 1983-06-07 集積回路パツケ−ジ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58101317A JPS59227143A (ja) 1983-06-07 1983-06-07 集積回路パツケ−ジ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59227143A true JPS59227143A (ja) 1984-12-20

Family

ID=14297431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58101317A Pending JPS59227143A (ja) 1983-06-07 1983-06-07 集積回路パツケ−ジ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59227143A (ja)

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61128548A (ja) * 1984-11-27 1986-06-16 Matsushita Electronics Corp 半導体装置
JPH0774277A (ja) * 1994-07-11 1995-03-17 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JP2519332B2 (ja) * 1988-07-08 1996-07-31 沖電気工業株式会社 半導体装置
JPH0997868A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム部材及びその製造方法
US6433277B1 (en) 1998-06-24 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
US6455356B1 (en) 1998-10-21 2002-09-24 Amkor Technology Methods for moding a leadframe in plastic integrated circuit devices
US6476478B1 (en) 1999-11-12 2002-11-05 Amkor Technology, Inc. Cavity semiconductor package with exposed leads and die pad
US6605865B2 (en) 2001-03-19 2003-08-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with optimized leadframe bonding strength
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
US6611047B2 (en) 2001-10-12 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with singulation crease
US6627977B1 (en) 2002-05-09 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including isolated ring structure
US6686651B1 (en) 2001-11-27 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Multi-layer leadframe structure
US6700187B2 (en) 2001-03-27 2004-03-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method for manufacturing the same
US6713322B2 (en) 2001-03-27 2004-03-30 Amkor Technology, Inc. Lead frame for semiconductor package
US6756658B1 (en) 2001-04-06 2004-06-29 Amkor Technology, Inc. Making two lead surface mounting high power microleadframe semiconductor packages
US6798046B1 (en) 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US6803645B2 (en) 2000-12-29 2004-10-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including flip chip
US6833609B1 (en) 1999-11-05 2004-12-21 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6858919B2 (en) 2000-03-25 2005-02-22 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
US6885086B1 (en) 2002-03-05 2005-04-26 Amkor Technology, Inc. Reduced copper lead frame for saw-singulated chip package
US6927478B2 (en) 2001-01-15 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Reduced size semiconductor package with stacked dies
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US7102216B1 (en) 2001-08-17 2006-09-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making
JP2010103577A (ja) * 2010-02-09 2010-05-06 Rohm Co Ltd 半導体装置
US7906855B1 (en) 2008-01-21 2011-03-15 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US8154111B2 (en) 1999-12-16 2012-04-10 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
US8691632B1 (en) 2002-11-08 2014-04-08 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US8866278B1 (en) 2011-10-10 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O configuration
US8900995B1 (en) 2010-10-05 2014-12-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US8981572B1 (en) 2011-11-29 2015-03-17 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9082833B1 (en) 2011-01-06 2015-07-14 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9159672B1 (en) 2010-08-02 2015-10-13 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US9184118B2 (en) 2013-05-02 2015-11-10 Amkor Technology Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9184148B2 (en) 2013-10-24 2015-11-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method therefor
US9275939B1 (en) 2011-01-27 2016-03-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US9324614B1 (en) 2010-04-06 2016-04-26 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US9631481B1 (en) 2011-01-27 2017-04-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US10811341B2 (en) 2009-01-05 2020-10-20 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device with through-mold via

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5667761A (en) * 1979-11-08 1981-06-08 Toshiba Corp Time axis extender for high frequency signal wave-form

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5667761A (en) * 1979-11-08 1981-06-08 Toshiba Corp Time axis extender for high frequency signal wave-form

Cited By (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61128548A (ja) * 1984-11-27 1986-06-16 Matsushita Electronics Corp 半導体装置
JP2519332B2 (ja) * 1988-07-08 1996-07-31 沖電気工業株式会社 半導体装置
JPH0774277A (ja) * 1994-07-11 1995-03-17 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH0997868A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム部材及びその製造方法
US8963301B1 (en) 1998-06-24 2015-02-24 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package and method of making the same
US8853836B1 (en) 1998-06-24 2014-10-07 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package and method of making the same
US6433277B1 (en) 1998-06-24 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6684496B2 (en) 1998-06-24 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6630728B2 (en) 1998-06-24 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and leadframe for making the package
US9224676B1 (en) 1998-06-24 2015-12-29 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package and method of making the same
US6521987B1 (en) 1998-10-21 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and method for making the package
US6455356B1 (en) 1998-10-21 2002-09-24 Amkor Technology Methods for moding a leadframe in plastic integrated circuit devices
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
US6825062B2 (en) 1998-11-20 2004-11-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
US6833609B1 (en) 1999-11-05 2004-12-21 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6476478B1 (en) 1999-11-12 2002-11-05 Amkor Technology, Inc. Cavity semiconductor package with exposed leads and die pad
US8154111B2 (en) 1999-12-16 2012-04-10 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
US6858919B2 (en) 2000-03-25 2005-02-22 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US9362210B2 (en) 2000-04-27 2016-06-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6803645B2 (en) 2000-12-29 2004-10-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including flip chip
US6927478B2 (en) 2001-01-15 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Reduced size semiconductor package with stacked dies
US6605865B2 (en) 2001-03-19 2003-08-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with optimized leadframe bonding strength
US6713322B2 (en) 2001-03-27 2004-03-30 Amkor Technology, Inc. Lead frame for semiconductor package
US6700187B2 (en) 2001-03-27 2004-03-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method for manufacturing the same
US6756658B1 (en) 2001-04-06 2004-06-29 Amkor Technology, Inc. Making two lead surface mounting high power microleadframe semiconductor packages
US7102216B1 (en) 2001-08-17 2006-09-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making
US6611047B2 (en) 2001-10-12 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with singulation crease
US6686651B1 (en) 2001-11-27 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Multi-layer leadframe structure
US6798046B1 (en) 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US6885086B1 (en) 2002-03-05 2005-04-26 Amkor Technology, Inc. Reduced copper lead frame for saw-singulated chip package
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
US6627977B1 (en) 2002-05-09 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including isolated ring structure
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
US9406645B1 (en) 2002-11-08 2016-08-02 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US9871015B1 (en) 2002-11-08 2018-01-16 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US10665567B1 (en) 2002-11-08 2020-05-26 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US8691632B1 (en) 2002-11-08 2014-04-08 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US9054117B1 (en) 2002-11-08 2015-06-09 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US8952522B1 (en) 2002-11-08 2015-02-10 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US7906855B1 (en) 2008-01-21 2011-03-15 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US11869829B2 (en) 2009-01-05 2024-01-09 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device with through-mold via
US10811341B2 (en) 2009-01-05 2020-10-20 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device with through-mold via
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US10546833B2 (en) 2009-12-07 2020-01-28 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
JP2010103577A (ja) * 2010-02-09 2010-05-06 Rohm Co Ltd 半導体装置
US9324614B1 (en) 2010-04-06 2016-04-26 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US9159672B1 (en) 2010-08-02 2015-10-13 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8900995B1 (en) 2010-10-05 2014-12-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9082833B1 (en) 2011-01-06 2015-07-14 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US9275939B1 (en) 2011-01-27 2016-03-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US9978695B1 (en) 2011-01-27 2018-05-22 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US9508631B1 (en) 2011-01-27 2016-11-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US9631481B1 (en) 2011-01-27 2017-04-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US8866278B1 (en) 2011-10-10 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O configuration
US8981572B1 (en) 2011-11-29 2015-03-17 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US11043458B2 (en) 2011-11-29 2021-06-22 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Method of manufacturing an electronic device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode
US9947623B1 (en) 2011-11-29 2018-04-17 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode
US9431323B1 (en) 2011-11-29 2016-08-30 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode
US10410967B1 (en) 2011-11-29 2019-09-10 Amkor Technology, Inc. Electronic device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US10090228B1 (en) 2012-03-06 2018-10-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US10014240B1 (en) 2012-03-29 2018-07-03 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9184118B2 (en) 2013-05-02 2015-11-10 Amkor Technology Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9543235B2 (en) 2013-10-24 2017-01-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method therefor
US9184148B2 (en) 2013-10-24 2015-11-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method therefor
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59227143A (ja) 集積回路パツケ−ジ
USRE35109E (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2875139B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6225146B1 (en) Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US7011251B1 (en) Die down multi-media card and method of making same
JP3207738B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR100299384B1 (ko) 볼 그리드 어레이 패키지
JP2000294719A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
US5929513A (en) Semiconductor device and heat sink used therein
US7851902B2 (en) Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device
JP3540793B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6753597B1 (en) Encapsulated semiconductor package including chip paddle and leads
JPH0719859B2 (ja) Ｉｃカード用モジュールの製造方法
TWI249834B (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP3495566B2 (ja) 半導体装置
JPS58178544A (ja) リ−ドフレ−ム
US5343615A (en) Semiconductor device and a process for making same having improved leads
KR100537893B1 (ko) 리드 프레임과 이를 이용한 적층 칩 패키지
JPS59227148A (ja) 集積回路用リ−ドフレ−ム
JP4569048B2 (ja) 面実装型半導体パッケージおよびその製造方法
KR100290783B1 (ko) 반도체 패키지
KR100252862B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조방법
KR100253708B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPS6334510B2 (ja)
JPH0595018A (ja) 半導体装置の製造方法