JPH01106456A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH01106456A
JPH01106456A JP62263435A JP26343587A JPH01106456A JP H01106456 A JPH01106456 A JP H01106456A JP 62263435 A JP62263435 A JP 62263435A JP 26343587 A JP26343587 A JP 26343587A JP H01106456 A JPH01106456 A JP H01106456A
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JP
Japan
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sealing resin
main surface
lead frame
electrode terminal
integrated circuit
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JP62263435A
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Hiroshi Kuroda
黒田　啓
Yoshihisa Takase
高瀬　善久
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路をパッケージした半導体集積回
路装置に関するものである。
従来の技術 ポータプルな情報ファイルとしてのＩＣカードはカード
の一部にメモリ、マイクロプロセッサを有する半導体集
積回路装置を埋込んで、リーダーライタを介して情報を
書き込み、読み出し、消去する演算機能を持っているが
、ＩＳＯ規格によりカード厚みは最大０．８４ミリとさ
れており、当然半導体集積回路装置は更に薄くしかも厚
み精度が強く要求される。
当初半導体集積回路装置の基板はガラスエポキシを基体
とする両面基板が主流であったが、ガラスエポキシ基板
ではＩＣカード用半導体集積回路装置に要求する厚み精
度を十分に満足させるものではなかった。
そこでガラスエポキシ基板の代りに厚み精度がよく半導
体集積回路装置の総厚の厚み精度も向上させられるリー
ドフレームを基板とするＩＣカード用半導体集積回路装
置が提案された。このＩＣカード用半導体集積回路装置
の構造を第４図に示し説明する。
複数本の電極端子１とダイパッド２を有するリードフレ
ーム８の上記ダイパッド２にＩＣチップ３がマウントさ
れ、上記ＩＣチップ３のパッド（図示せず）と上記電極
端子１がワイヤ４で接続されており、少なくとも上記電
極端子１の−生面５を露出した形で、しかも上記−主面
５とほぼ平坦に封止樹脂６がトランスファ成形法により
成形された構造となっている。
ところが上記電極端子１の上記−主面６は外部に露出し
、上記電極端子１の薄い側面を含む片面しか上記封止樹
脂６を接融していない。通常トランスファ成形法で成形
する上記封止樹脂６中には成形金型との離形性をよくす
るために、離形剤が入れられていることから、当然上記
電極端子１と上記封止樹脂６との密着性は巾いものでは
ない。
この問題点を解決する方法として、上記封止樹脂６と接
触する他の主面７を粗面化したり、上記電極端子１の一
主面５０面積を他の主面７の面積よシ狭くして（エツジ
にテーパをつけ台形形状とする）密着性の向上を図って
いる。
発明が解決しようとする問題点 このような半導体集積回路装置に用いるリードフレーム
８の厚味は、半導体集積回路装置に総厚の制限があるこ
とから０．１５ミリ以下が通常用いられる。ところが封
止樹脂６とリードフレーム８の他の主面７との密着性を
強化するために、リードフレーム８の断面をテーパ加工
し、わずかに封止樹脂６でリードフレーム８を覆う形と
しているが、リードフレーム８の厚味が０．１６ミリと
非常に薄いため、封止樹脂６でリードフレーム８の端面
を一部覆う形とした場合でもせいぜい厚味分の０．１５
ミリ程度しか覆うことができず、端面にチーハラつけて
も封止樹脂６に対するリードフレーム８の密着強度を著
るしく向上させることはできなかった。また前にも述べ
たが封止樹脂６には離形剤が入っているため、リードフ
レーム８との密゛着性が悪く、例えば熱衝撃試験を行っ
た時に発生する熱的ひすみによりリードフレーム８が剥
れる可能性も生じてくる。更にトランスフ１成形後リー
ドフレーム８の補強バーを封止樹脂６の端面に沿ってほ
ぼ平坦に金星にて切断して個片の半導体集積回路装置に
するわけであるが、補強バーの切断面は金型で切断する
際、わずかなパリが発生することと、完全に封止樹脂６
の端面と平坦にすることは不可能で、わずかに切断面が
突き出る形となる。この状態でカード化しカードの携帯
中あるいは使用中に何らかの異物が切断面にできたノク
リ、あるいは電極端子自体にひっかかり電極端子をはが
してしまう可能性がある０このように電極端子がはがれ
ｆｃｖ１変形するとＩＣカードとしての機能が全く失な
われることになる。
本発明は上記問題点を鑑み、外的な力、熱ひずみ等に対
しても電極端子がはがれて使用不能にならないようなリ
ードフレームの構造を提供するものである。
問題点を解決するための手段 そして上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、リ
ードフレームの一主面の面積を他の主面より狭くし断面
形状を凸型として一主面とほぼ平坦に封止樹脂を成形し
、リードフレームの端面を所定の距離、厚さでほぼ全辺
にわ几って封止樹脂で覆うように構成したものである。
作用 この構成により電極端子のほぼ全辺が封止樹脂でおおわ
れていることから、電極端子を剥す外部からの力が加わ
らず、また熱衝撃試験等による熱ひずみに対しても電極
端子が剥れることがないため信頼性の高い半導体集積回
路装置を作ることが可能となる。
実施例 以下本発明の一実施例について図面を用いながら説明す
る。第２図ａ、ｂは本発明に用いたリードフレームの構
造を示す。第２図ａは上面図、第２図すはムー人′をみ
た断面図である。ダイパッド１１、複数本の電極端子１
２で構成されており、上記ダイパッド１１及び上記電極
端子１２の外部に露出する一主面１３の面積は他の主面
１４より狭く、少なくとも封止樹脂で覆われる部分のリ
ードフレーム２０の断面は凸型の段差部１６が設けられ
ている。ちなみにリードフレーム２０の肉厚がＱ　１５
　ミＩＪの場合上記段差部１５のＷは０．６ミリ、Ｄは
０．１ミリとした。上記段差部１６０所面形状は段差が
１段のみならず複数段形成されていてもかまわない。以
上はダイパッド１１が複数本の電極端子１２の少なくと
も１本と接続されている構造のリードフレームである。
このリードフレーム２ｏの作製方法は一実施例として、
まずプレス機でストレートにパンチングした後続いて別
の金型を用い同じくプレス機によりリードフレーム２０
の端面のみをプレスし所定の量だけ段差部１６を作った
。他の方法としてエツチングによる方法でも同様の段差
部１６を作ることは可能である。
以上の説明はＩＣチップを塔載するダイパッド１１を有
するリードフレーム２０であるが、ダイパッド１１の無
い電極端子１２のみのリードフレームでもかまわない。
以上述べた段付きリードフレーム２ｏを用いた半導体集
積回路装置の製造プロセスを第３図ａ〜Ｃに示す。これ
は第２図のム−Ａ′の断面を表わすものである。ダイパ
ッド１１の他の主面１４にＩＣチップ１６をマウントし
、上記ＩＣチップ１６のパッド（図示せず）と上記電極
端子１２の他の主面１４をワイヤ１７で接続しく第３図
ＬＬ）、続いてトランスファ成形法にて上記１電極端子
１２、及びダイパッド１１の一主面１３を露出させるご
とく、上記−主面１３とほぼ平坦に封止樹脂１８で成形
する（第３図ｂ）。この時リードフレーム２ｏに設けら
れた段差部１６も上記封止樹脂１８で覆われる形となる
。更に金型を用いて上記封止樹脂１８の端面に沿って補
強バー１９を切断して個片の半導体集積回路装置とする
（第３図Ｃ）。
以上のべた半導体集積回路装置の電極端子部の拡大図を
第１図に示す。この第１図によれば電極端子１２の一主
面と封止樹脂１８はほぼ平坦に成形されており、封止樹
脂１８に埋沈した電極端子１２の一部は、露出している
一主面より広がっている構造となっている。このことは
、電極端子１２の端面に形成されている段差部１６を完
全に封止樹脂１８が覆っていることになり、封止樹脂１
８の端面に露出している補強バー１９も同様の凸型であ
ることから外的な力に対しても非常に剥れに強い構造と
なっている。
以上述べてきた実施例の中でＩＣチップ１６のパッドと
電極端子１２の接続にワイヤ１１を用いているが、ワイ
ヤーボンディング法に限定するものではなく、バンプを
利用したフリップチップボンディング方式でもかまわな
い。また同時にリードフレーム２ｏの他の主面側をエツ
チング、サンドブラストメツキ法等で粗面化処理が施こ
されていても良い。更にグイパッド１１が無（ＩＣチッ
プ１６が電極端子１２にかかるようなリードフレーム２
ｏを用いる場合はＩＣチップ１６ｔ−マウントするグイ
ボンド樹脂は絶縁性であることはいうまでもない。
発明の効果 本発明の半導体集積回路装置はリードフレーム基板の端
面に１段以上の段差部を設け、段差部を覆う形で封止樹
脂にて成形しているため、外的な力にも電極端子は剥れ
にくく、熱衝撃試験等の熱ひずみに対しても、電極端子
ははがれないことがら、信頼性の高いものを得ることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体集積回路装置の一実施例におけ
る電極端子部の拡大斜視図、第２図ａ。 ｂは本発明に用いたリードフレームの構造を示す上面図
と断面図、第３図ａ　％　ｃは本発明の半導体集積回路
装置の製造フローを示す断面図、第４図は従来のリード
フレームを用いた半導体集積回路装置の構造を示す断面
図である。 １２・・・・・・電極端子、１３・・・・・・−主面、
１４・・・・・・他の主面、１６・・・・・・段差部、
１６・・・・・・ｒｃチップ、１７・・・・・・ワイヤ
、１Ｂ・・・・・・封止樹脂、１９・・・・・・補強バ
ー、２ｏ・・・・・・リードフレーム。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　複数の電極端子を有するリードフレームの一主面の面
    積が、他の主面より狭く、このリードフレームの断面形
    状は少なくとも１段以上の段差を持つ段差部を有するも
    のであり、半導体集積回路は他の主面にマウントされ、
    少なくとも電極端子の一主面を露出した形で一主面とほ
    ぼ平坦に封止樹脂が成形されている半導体集積回路装置
    。
JP62263435A 1987-10-19 1987-10-19 半導体集積回路装置 Pending JPH01106456A (ja)

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