JP2010238694A - 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属板に感光性樹脂層を形成し露光・現像により、第一面に接続用ポスト形成用、また第二面に配線パターン形成用の各レジストパターンを形成し、その後、第一面は中途エッチングで接続用ポストを形成し、プリモールド用液状樹脂を充填し離型フィルムを介して加圧硬化し、研磨加工で上底面を露出、又、第二面はエッチングで配線パターンを形成することで、基板本体のパターン周囲に溝状の構造を形成する。
【選択図】図2
Description
面積が狭く、端子数が多い場合には、配線層を多層化し、積層する手法がとられる場合もある。この方法によると、多端子化には対応できるが、基板の構造が複雑になり、信頼性や安定性が低下し、例えば車載用などには向かないという問題もある。
いずれの場合においても、半導体素子の小型化、多ピン化高速化に対応して、インターポーザの半導体素子との接続部分のファインピッチ化及び、高速信号対応が進んでいる。微細化の進展を考慮すると、端子部分のピッチは80〜120μmが必要である。
この問題を解決し、リードフレームのさらなるファインピッチ化を実現する方法として、例えば特許文献1に開示されているような、プリモールド樹脂を金属配線の支持体とした構造の、リードフレームの構造に少し似た特徴をもつ半導体素子用基板が挙げられる。
以上のようにして製造した半導体素子用基板においては、金属がプリモールド樹脂によって支持された構造となっているため、金属の厚さをファインエッチングが可能なレベルまで小さくしても、安定したエッチングが可能である。
さらに、プリモールド樹脂の表面張力のために、樹脂が球状になって、狭い範囲にとどまる場合もあり、その場合は注入した樹脂が少量であっても、高さが大きくなり、接続用ポストの底面に達してしまう不良も発生しやすい問題もある。
しかし、この手法も生産性の面で問題があり、また、表面張力のために樹脂が球状になって狭い範囲にとどまる場合もあり、その場合は注入した樹脂が少量であっても高さが大きくなり、接続用ポストの底面にプリモールド樹脂が付着して、接続性に支障をきたす不良も起こり得る。
具体的には、まず計算上、第一の面に充填するのに必要な量以上のプリモールド樹脂を第一の面上に塗布し、その上に、プリモールド樹脂が硬化した際に、容易に剥離できる材質のフィルムまたは板状のカバーをかける。そして、その上からプレス加工を行い、第一の面の細部にも樹脂を充填した後、樹脂を硬化させる。そして、カバーを除去し、第一の面上を覆っているプリモールド樹脂に対して、例えばバフなどによる研磨加工を行い、接続用ポストの上底面が露出するまで、プリモールド樹脂を除去する。
このようにすれば、比較的容易に、基板を支持するのに十分な厚さをもち、かつ確実に接続用ポストを露出させたプリモールド樹脂層を得ることができる。
ここで、材料となる金属板の中において、ほとんどの場合、基板本体となる部分は材料の中央付近に割り付けられており、その外側、材料の周辺部には、基板が出来上がった後で、半導体チップ等の部品を実装したり、また金型内に装着してモールド加工を行ったりする際のアライメントをとるためのアライメントマークが配置されている。
第一の面に塗布する樹脂量については、なるべく過剰な部分が出ないように、計算されるべきではあるが、それでも外側に広がる部分はゼロにはならず、またある方向にのみ大きく広がる場合もあり得る。その場合に、過剰な樹脂が上記のアライメント用のマークにまで達してしまうと、マークを覆い隠すこととなり後加工に支障をきたすと云う問題もある。
(イ)金属板の面に感光性樹脂層を形成し、所定のパターンに選択的に露光し現像を行うことによって、該金属板の第一の面の側には、接続用ポスト形成用のレジストパターンを、又、第二の面の側には、配線パターン形成用のレジストパターンを、それぞれ形成し、
しかる後に、
(ロ)該第一の面の側については、該第一の面の側から金属板の中途までエッチングを行い、接続用ポストを形成し、該エッチングされた面にプリモールド用の液状樹脂を充填し、該充填した面を離型フィルムを介して加圧し、その後に硬化し、該第一の面に研磨加工を行い、該接続用ポストの上底面を該プリモールド樹脂層から露出させること、又、該第二の面の側については、該第二の面の側からエッチングを行い配線パターンを形成すること、
以上の(イ)(ロ)を経ることにより、基板本体のパターンの周囲に該金属板の厚さ方向途中までの深さをもつ溝状の構造を形成すること、
を特徴とする半導体素子用基板の製造方法である。
各フレームには、樹脂封止時に金型に入れる際のアライメント用として、長辺端付近の4箇所に直径0.6mmの円形の穴12が開いている。(図4参照)
各ブロックの周囲には、前記の穴とブロックを分断する位置に、幅1mmの溝13が配置されている。溝は第一のエッチングを行う際に作られるため、その深さについては、第一面においてエッチングされる他の部分と、概ね同じになる。
なお、第1回目のエッチングでは、エッチング処理を行う部位の銅基板をエッチング処理で完全に溶解除去するものではなく、所定の厚さの銅基板となった段階でエッチング処理を終了するよう、中途までエッチング処理を行う。
この段階まで加工して、銅板材はフレーム単位に断裁した。
しかし、電解めっき法では、めっき電流を供給するためのめっき電極の形成が必要になり、めっき電極を形成する分、配線領域が狭くなり、配線の引き回しが困難になる。そのため、本実施例では、供給用電極が不要な、無電解ニッケル/パラジウム/金めっき形成法を採用した。
次いで、面付けされた半導体基板に断裁を行い、個々の半導体基板を得た。
2 ・・・感光性レジスト
3 ・・・レジストパターン
4 ・・・接続用ポスト
5 ・・・アイランド
6 ・・・液状プリモールド樹脂(硬化前)
7 ・・・カバーフィルム(液状樹脂プレス用)
8 ・・・液状プリモールド樹脂(硬化後)
9 ・・・配線
10・・・アイランド表面
11・・・カバーフィルム(エッチング保護用)
12・・・アライメント用穴
13・・・溝状構造
14・・・固定用接着剤
15・・・半導体チップ
16・・・中央平坦部
17・・・リード
21・・・ブロック
22・・・フレーム
Claims (3)
- (イ)金属板の面に感光性樹脂層を形成し、所定のパターンに選択的に露光し現像を行うことによって、該金属板の第一の面の側には、接続用ポスト形成用のレジストパターンを、又、第二の面の側には、配線パターン形成用のレジストパターンを、それぞれ形成し、
しかる後に、
(ロ)該第一の面の側については、該第一の面の側から金属板の中途までエッチングを行い、接続用ポストを形成し、該エッチングされた面にプリモールド用の液状樹脂を充填し、該充填した面を離型フィルムを介して加圧し、その後に硬化し、該第一の面に研磨加工を行い、該接続用ポストの上底面を該プリモールド樹脂層から露出させること、又、該第二の面の側については、該第二の面の側からエッチングを行い配線パターンを形成すること、
以上の(イ)(ロ)を経ることにより、基板本体のパターンの周囲に該金属板の厚さ方向途中までの深さをもつ溝状の構造を形成すること、
を特徴とする半導体素子用基板の製造方法。 - 前記溝状の構造は、基板本体のパターンを取り囲んで繋がっていること、を特徴とする請求項1に記載の半導体素子用基板の製造方法。
- 請求項1又は2のいずれかに記載の半導体素子用基板の製造方法により得られた半導体素子用基板に半導体素子が実装され、該半導体素子用基板と該半導体素子との間の電気的接続がワイヤーボンディングでなされていること、を特徴とする半導体装置。
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