JP2019145774A - 半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージ - Google Patents

半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージ Download PDF

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Abstract

【課題】半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージを提供する。【解決手段】ソルダリングが容易な半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージのために、上面及び下面を有する伝導性素材のベース基板の下面に、第１溝または第１トレンチを形成する段階と、第１溝または第１トレンチを樹脂で充填する段階と、樹脂を硬化させる段階と、第１溝または第１トレンチの外部に露出されて過充填された樹脂の部分を除去する段階と、第１溝または第１トレンチを充填した樹脂の少なくとも一部が現れるように、ベース基板の上面をエッチングする段階と、ベース基板の下面に、第２溝または第２トレンチを形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板製造方法である。【選択図】図５

Description

本発明は、ソルダリングが容易な半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージに関する。
半導体素子は、半導体パッケージ基板にパッケージングされて使用されるが、そのようなパッケージングのために使用される半導体パッケージ基板は、微細回路パターン及び／またはＩ／Ｏ（input/output）端子を有する。該半導体素子の高性能化及び／または高集積化、並びにそれを利用した電子機器の小型化及び／または高性能化などが進められるにつれ、半導体パッケージ基板の微細回路パターンなどは、その線幅がさらに細くなって複雑度も高くなっている。
既存の半導体パッケージ基板製造時には、銅箔（copper foil）が積層されたＣＣＬ（copper clad laminate）を利用して貫通ホールを形成し、貫通ホール内面をメッキし、上面銅箔と下面銅箔とを電気的に連結し、その後、上面銅箔及び下面銅箔をそれぞれフォトレジストを利用してパターニングするというような過程を介して製造した。しかし、そのような従来の半導体パッケージ基板製造方法には、製造工程が複雑であって精度が低いという問題点があった。
そのために、近来には、製造工程の単純化などのために、伝導性ベース基板に絶縁性物質を充填することにより、半導体パッケージ基板を製造する方法が導入されている。
本発明が解決しようとする課題は、ソルダリングが容易な半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージを提供することを目的とする。しかし、そのような課題は、例示的なものであり、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一観点によれば、上面及び下面を有する伝導性素材のベース基板の下面に、第１溝または第１トレンチを形成する段階と、第１溝または第１トレンチを樹脂で充填する段階と、樹脂を硬化させる段階と、第１溝または第１トレンチの外部に露出されて過充填された樹脂の部分を除去する段階と、第１溝または第１トレンチを充填した樹脂の少なくとも一部が現れるように、ベース基板の上面をエッチングする段階と、ベース基板の下面に、第２溝または第２トレンチを形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板製造方法が提供される。
本実施形態によれば、前記ベース基板の上面をエッチングする段階と、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階は、同時にも進められる。
本実施形態によれば、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階において、第２溝または第２トレンチは、カッティングラインに沿っても形成される。
本実施形態によれば、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階において、第２溝または第２トレンチは、樹脂間に位置するようにも形成される。
本実施形態によれば、前記樹脂で充填する段階以前に、前記第１溝または第１トレンチの内面を粗化する段階をさらに含んでもよい。
本実施形態によれば、第１溝または第１トレンチを介してベース基板の下面に露出された樹脂の面積は、第２溝または第２トレンチを介してベース基板の上面に露出された樹脂の面積より大きくもなる。
本実施形態によれば、ベース基板上にメッキ層を形成する段階をさらに含んでもよい。
本実施形態によれば、前記メッキ層を形成する段階は、第２溝または第２トレンチの内面にメッキ層を形成する段階でもある。
本発明の他の観点によれば、前述の製造方法によって製造された半導体パッケージ基板が提供される。
本発明のさらに他の観点によれば、上面及び下面を有する伝導性素材のベース基板の下面に、第１溝または第１トレンチを形成する段階と、第１溝または第１トレンチを樹脂で充填する段階と、樹脂を硬化させる段階と、第１溝または第１トレンチの外部に露出されて過充填された樹脂の部分を除去する段階と、第１溝または第１トレンチを充填した樹脂の少なくとも一部が現れるように、ベース基板の上面をエッチングする段階と、ベース基板の下面に、第２溝または第２トレンチを形成する段階と、ベース基板上に半導体チップを実装する段階と、第２溝または第２トレンチに沿ってベース基板をカットティングする段階と、を含む半導体パッケージ製造方法が提供される。
本実施形態によれば、前記ベース基板の上面をエッチングする段階と、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階は、同時にも進められる。
本実施形態によれば、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階において、第２溝または第２トレンチは、樹脂間に位置するようにも形成される。
本実施形態によれば、前記ベース基板をカットティングする段階において、ベース基板をカットティングするカッティングラインの幅は、第２溝または第２トレンチの幅よりも狭い。
本実施形態によれば、ベース基板上にメッキ層を形成する段階をさらに含んでもよい。
本発明のさらに他の観点によれば、前述の製造方法によって製造された半導体パッケージが提供される。
前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
そのような一般的であって具体的な側面は、システム、方法、コンピュータプログラム、またはシステム、方法、コンピュータープログラムのいかなる組み合わせを使用しても実施される。
前述のようになされた本発明の一実施形態によれば、ソルダリングが容易な半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージを具現することができる。ここで、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。
本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造過程を概略的に図示する断面図である。 本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造過程を概略的に図示する断面図である。 本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造過程を概略的に図示する断面図である。 本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造過程を概略的に図示する断面図である。 本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造過程を概略的に図示する断面図である。 本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造過程を概略的に図示する断面図である。 本発明の他の一実施形態による半導体パッケージの製造過程の一部を概略的に図示する断面図である。 本発明の他の一実施形態による半導体パッケージの製造過程の一部を概略的に図示する断面図である。 本発明の他の一実施形態による半導体パッケージ構造を概略的に図示する断面図である。
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されるのである。
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は、省略する。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用された。また、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
一方、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。また、膜、領域、構成要素などの部分が、他部分の「上」または「上部」にあるとするとき、他部分の「真上」または「すぐ上部」にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面においては、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３軸に限定されるものではなく、それを含む広義にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交してもよく、互いに直交しない互いに異なる方向を指しもする。
ある実施形態が、異なって具現可能な場合、特定工程順序は、説明される順序と異なるようにも遂行される。例えば、連続して説明される２つの工程が、実質的に同時に遂行されもし、説明される順序と反対の順序にも進められる。
図１ないし図６は、本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板１０の製造過程を概略的に図示する断面図である。
本実施形態による半導体パッケージ基板１０の製造方法によれば、まず、図１に図示されているように、伝導性素材のベース基板１００を準備する。ベース基板１００は、電気伝導性物質を含む平板形状を有することができる。該電気伝導性物質としては、例えば、Ｆｅや、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−ＣｏのようなＦｅ合金；Ｃｕや、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｒ、Ｃｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−ＺｎのようなＣｕ合金などを含んでもよい。ベース基板１００は、板状形態であり、相互反対側である上面１００ｂ及び下面１００ａを有することができる。
その後、図２に図示されているように、ベース基板１００の下面１００ａに、第１溝または第１トレンチ１００ｃを形成する。ここで、第１溝または第１トレンチ１００ｃというのは、ベース基板１００を完全に貫通しないということを意味する。図２は、断面図であるために、示されていないが、ベース基板１００の下面１００ａの第１溝または第１トレンチ１００ｃを除いた部分は、平面図上では、一方向に延長されたりジグザグになったりする配線パターンとも理解される。
そのような第１溝または第１トレンチ１００ｃを形成するために、感光性素材のＤＦＲ（dry film resist）を、ベース基板１００の下面１００ａ上にラミネーティングし、露光及び現像などの過程を経て、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃが形成される部分だけを露出させる。その後、ベース基板１００の下面１００ａにおいて、ＤＦＲが覆われていない部分を、塩化銅または塩化鉄のようなエッチング液を利用してエッチングすることにより、図２に図示されているように、ベース基板１００を貫通しないように下面１００ａに形成された第１溝または第１トレンチ１００ｃを形成することができる。
ベース基板１００の下面１００ａにおいて除去されずに残った部分、すなわち、第１溝または第１トレンチ１００ｃ以外の部分は、その後、配線パターンの役割を行うことができる。従って、ベース基板１００の下面１００ａに、第１溝または第１トレンチ１００ｃを形成するとき、隣接した溝と溝との間、またはトレンチとトレンチとの間の部分の幅は、一般的な配線パターンの幅であるおおよそ２０μｍないし３０μｍになるようにすることが望ましい。
図２に図示されているように、ベース基板１００の下面１００ａ上に、第１溝または第１トレンチ１００ｃを形成するとき、第１溝または第１トレンチ１００ｃの深さは、ベース基板１００の厚みのおおよそ８０％ないし９０％になるようにすることが望ましい。例えば、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃが形成された部分の残存厚は、１０μｍないし４０μｍにもなる。
もし第１溝または第１トレンチ１００ｃの深さがそれよりさらに深くなるならば、半導体パッケージ基板製造過程や、その後のパッケージング過程において、ベース基板１００や半導体パッケージ基板のハンドリングが容易ではない。また、第１溝または第１トレンチ１００ｃの深さがそれよりさらに深くなるならば、場合によっては、第１溝または第１トレンチ１００ｃの形成において、公差などにより、ベース基板１００の下面１００ａと上面１００ｂとを貫通する貫通ホールが形成されもする。一方、第１溝または第１トレンチ１００ｃの深さがそれより浅くなるならば、それは、その後、半導体パッケージ基板の製造において、後工程が容易ではなくなったり、最終的に製造される半導体パッケージ基板の厚みが過度に薄くなったりしてしまう。
その後、図３に図示されているように、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃを樹脂１１０に充填する。樹脂１１０は、電気的に導通されない絶縁性素材からなるものであるならば、十分である。例えば、樹脂１１０は、熱処理によって高分子化されて硬化される熱硬化性樹脂でもある。そのような樹脂１１０は、追って、半導体パッケージ基板の配線パターン間を電気的に絶縁する役割を行う。樹脂１１０の充填は、液状の樹脂１１０物質を利用してもなされ、樹脂１１０成分を含む固相テープを利用してもなされる。
樹脂１１０を充填するとき、図３に図示されているように、樹脂１１０がベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃだけを充填するのではなく、ベース基板１００の下面１００ａの少なくとも一部を覆うこともできる。そのように、樹脂１１０が過塗布された場合には、過塗布された樹脂１１０を、ブラッシング、研削または研磨のような機械的な加工によって除去したり、化学的な樹脂エッチング（resin etching）によって除去したりすることにより、図４に図示されているように、樹脂１１０をベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃ内にのみ位置させる。
ここで、樹脂１１０を充填するとき、図３に図示されているように、過充填するものではなくとも、図４に図示されているように、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃのみを充填するようにすることを考慮することもできるということは言うまでもない。しかし、その場合、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃが樹脂１１０に良好に充填されないこともあるという問題点がある。
その後、ベース基板１００の上面１００ｂをエッチングし、図５に図示されているように、第１溝または第１トレンチ１００ｃを充填した樹脂１１０が露出される部分１００ｄを形成する。ベース基板１００の上面１００ｂをエッチングすることは、多様な方法を介して進められるが、例えば、感光性素材のＤＦＲを、ベース基板１００の上面１００ｂ上にラミネーティングし、露光及び現像などの過程を経て、ベース基板１００の上面１００ｂのエッチングされる部分だけが露出されるようにする。その後、ベース基板１００の上面１００ｂにおいて、ＤＦＲが覆われていない部分を、塩化銅または塩化鉄のようなエッチング液を利用してエッチングすることにより、図５に図示されているように、ベース基板１００の上面１００ｂから、樹脂１１０の少なくとも一部を露出させる。
そのような過程により、図５に図示されているように、ベース基板１００の下面１００ａにも、樹脂１１０間の配線パターン１０２が現れ、ベース基板１００の上面１００ｂにも、樹脂１１０間の配線パターン１０４が現れる。半導体パッケージ基板の場合、上面１００ｂ上の配線パターン１０４と、下面１００ａの配線パターン１０２とが電気的に連結され、従って、上面１００ｂの導電層パターニングと、下面１００ａの導電層パターニングとが事前設定されたようになされなければならない。
それと同時に、ベース基板１００の下面１００ａに、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成する。第２溝または第２トレンチ１００ｅも、第１溝または第１トレンチ１００ｃと同様に、ベース基板１００を完全に貫通しないように形成する。第２溝または第２トレンチ１００ｅは、カッティング領域ＣＡに対応するように形成され、例えば、第２溝または第２トレンチ１００ｅは、一方向（Ｙ軸方向）、及び一方向と直交する他の方向（Ｘ軸方向）に沿っても形成される。カッティング領域ＣＡ、及びカッティングする段階については、図８で詳細に後述する。
そのような第２溝または第２トレンチ１００ｅは、第１溝または第１トレンチ１００ｃが形成されていないところ、すなわち、第１溝または第１トレンチ１００ｃ間にも形成される。製造過程上、第２溝または第２トレンチ１００ｅは、第１溝または第１トレンチ１００ｃに樹脂１１０が充填された後に形成されるものであり、樹脂１１０が形成された間に、第２溝または第２トレンチ１００ｅが形成されると理解される。そのような第２溝または第２トレンチ１００ｅは、追って、半導体パッケージのソルダリングを容易にするウェッタブルフランク（ＷＦ：wettable flank）構造にも活用される。
第２溝または第２トレンチ１００ｅは、カッティング領域ＣＡに対応するようにも形成されるが、そのとき、第２溝または第２トレンチ１００ｅの幅Ｗｅは、カッティング領域ＣＡの幅Ｗｃより広く形成される。もし第２溝または第２トレンチ１００ｅの幅Ｗｅがカッティング領域ＣＡの幅Ｗｃより狭く形成される場合には、半導体パッケージ基板がカッティングされた後、第２溝または第２トレンチ１００ｅがウェッタブルフランク構造に活用されえないので、第２溝または第２トレンチ１００ｅの幅Ｗｅがカッティング領域ＣＡの幅Ｗｃより広く形成されることが重要である。
本実施形態においては、ベース基板１００の上面１００ｂをエッチングすると共に、ベース基板１００の下面１００ａに、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成する。すなわち、ベース基板１００の上面１００ｂ及び下面１００ａを同時にエッチングすることができる。従って、第２溝または第２トレンチ１００ｅの形成において、さらなる工程が必要ではなく、ベース基板１００の上面１００ｂの一部をエッチングする過程において、同時にベース基板１００の下面１００ａに、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成することができる。そのような第２溝または第２トレンチ１００ｅは、ベース基板１００に樹脂１１０が充填された後で形成されるものであり、第２溝または第２トレンチ１００ｅが形成される領域は、既充填の樹脂１１０によってロッキング（locking）されており、所望の幅及び深さを有するように、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成することができる。
その後、図６のように、ベース基板１００の残存する部分の少なくとも一部に、メッキ層１２０を形成することができる。メッキ層１２０は、第２溝または第２トレンチ１００ｅの内面にも形成され、場合によっては、樹脂１１０を除いたベース基板１００の上面１００ｂ、下面１００ａ、第１溝または第１トレンチ１００ｃの内面にも形成される。特に、第２溝または第２トレンチ１００ｅの内面に形成されたメッキ層１２０は、半導体パッケージ基板１０のソルダ接合性（solder wettability）を向上させることができる。そのようなメッキ層１２０は、例えば、Ａｕ、Ｐｄ、ＮｉＰｄＡｕ−alloyなどを利用してメッキすることができる。一方、ベース基板１００の上面１００ｂには、ＯＳＰ（organic solderbility preservative）のような有機膜コーティングまたはanti-tarnishなどの方法が利用されもする。
一方、これまで説明した実施形態による半導体パッケージ基板製造方法において、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃに、樹脂１１０を充填するのに先立ち、第１溝または第１トレンチ１００ｃの内面を粗化する段階を経ることができる。それを介して、樹脂１１０とベース基板１００との接合力を画期的に高めることができる。ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃの内面を粗化するために、プラズマ処理、紫外線処理または過酸化水素・硫酸系溶液を利用することができ、その場合、ベース基板１００の第１溝または第１トレンチ１００ｃの内面粗度は、１５０ｎｍ以上になるようにする。
前述のように、半導体パッケージ基板を製造する過程において、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成し、半導体パッケージをソルダリングすることが容易なように形成することができる。比較例として、半導体パッケージ基板のソルダリングにおいて、直角のコーナーに単純にソルダリングしたり、半導体チップパッケージング後、別個の工程を介して、ソルダリング部分に溝を形成したりする場合を考える。しかし、直角のコーナーに単純にソルダリングする場合には、ソルダ接合性が相当に低下し、別個の工程を介して、ソルダリング部分に溝を形成する場合には、溝を形成する過程において、メタルバリ（metal burr）が発生し、半導体パッケージの品質が低下するという問題点がある。
そのために、本発明の一実施形態による半導体パッケージ基板の製造方法においては、半導体パッケージ基板、すなわち、リードフレーム製造時、別個の工程追加なしに、カッティング領域ＣＡに対応し、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成することにより、半導体チップパッケージング後、別個の工程追加なしに、効率的にウェッタブルフランク構造を形成することができる。
これまでは、半導体パッケージ基板の製造方法についてのみ主に説明したが、本発明は、それらに限定されるものではない。例えば、そのような半導体パッケージ基板の製造方法を利用して製造された半導体パッケージ基板、及びそのような半導体パッケージ基板を利用し、半導体パッケージを形成する方法も、本発明の範囲に属するものである。
図７及び図８は、本発明の他の一実施形態による半導体パッケージ２０の製造過程の一部を概略的に図示する断面図であり、図９は、本発明の他の一実施形態による半導体パッケージ２０構造を概略的に図示する断面図である。
前述の図１ないし図６に続いて、図７を参照すれば、前述の図１ないし図６の製造過程を介して製造された半導体パッケージ基板上に、半導体チップ１３０を実装する。半導体チップ１３０は、半導体パッケージ基板の上面１００ｂの平らな部分に実装され、半導体チップ１３０は、ワイヤ１４０により、ベース基板１００上のリードに電気的、物理的に連結される。ワイヤ１４０は、ワイヤボンディングにより、半導体チップ１３０とリードとに連結される。ワイヤ１４０の一側は、リードに付着され、ワイヤ１４０の他側は、半導体チップ１３０と連結される。
半導体パッケージ基板上に実装された半導体チップ１３０上には、モールディング層１５０を形成することができる。モールディング層１５０は、半導体チップ１３０を、外部から密封する機能を行い、例えば、単一モールディング構造、二重モールディング構造、または三重以上のモールディング構造によっても形成される。そのようなモールディング層１５０は、モールディング層１５０は、樹脂１１０を硬化して形成され、例えば、蛍光体及び光拡散材のうち少なくとも一つを含んでもよい。場合によっては、蛍光体及び光拡散材を含まない透光性材質が使用されもする。
半導体チップ１３０を半導体パッケージ基板１０上に実装した後、図８のように、にベース基板１００をカッティングする。ベース基板１００をカッティングするというすることは、樹脂１１０が充填された半導体パッケージ基板１０をカッティングすることと理解される。図８のように、ベース基板１００は、第２溝または第２トレンチ１００ｅに沿って形成されたカッティング領域ＣＡに沿ってカッティングされる。図５において説明したように、第２溝または第２トレンチ１００ｅの幅Ｗｅは、カッティング領域ＣＡの幅Ｗｃより広く形成される。従って、カッティング後、図９のように、半導体パッケージ基板は、下端部の一角が凹状に掘り込まれた形態のウェッタブルフランク構造（ＷＦ）を具備することになる。それを介して、半導体パッケージ基板のソルダ接合性を向上させることができる。
これまでは、半導体パッケージの製造方法についてのみ説明したが、本発明は、そこに限定されるものではない。例えば、そのような半導体パッケージの製造方法を利用して製造された半導体パッケージも、本発明の範囲に属するものである。
従来には、半導体パッケージ基板のソルダリングにおいて、直角のコーナーに単純にソルダリングしたり、半導体チップパッケージング後、別個の工程を介して、ソルダリング部分に溝を形成したりした。しかし、そのように、直角のコーナーに単純にソルダリングする場合には、ソルダ接合性が相当に低下し、別個の工程を介して、ソルダリング部分に溝を形成する場合には、溝を形成する過程において、メタルバリが発生し、半導体パッケージの品質が低下してしますという問題点があった。
また、半導体パッケージを製造するメーカーは、概して、完成された半導体パッケージ基板、通称リードフレームを供給されて半導体チップを実装し、後工程を進める場合がほとんどである。その場合、半導体パッケージを製造した後、それをソルダリングする過程において、パッケージングメーカーが自主的にソルダリング部分に溝を形成しなければならないという問題点があり、それにより、半導体パッケージ基板及び半導体パッケージ自体の品質が低下してしまうという問題点があった。
それにより、本発明の一実施形態による半導体パッケージの製造方法においては、半導体パッケージ基板、すなわち、リードフレーム製造時、別個の工程追加なしに、カッティング領域ＣＡに対応し、第２溝または第２トレンチ１００ｅを形成することにより、半導体チップパッケージング後、別個の工程追加なしに、効率的にウェッタブルフランク構造（ＷＦ）を形成することができる。また、ウェッタブルフランク構造（ＷＦ）が形成された状態において、半導体パッケージ基板を提供することができ、製品競争力が画期的に向上すると期待される。
本発明は、図面に図示された実施形態を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野において当業者であるならば、それらから、多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。
本発明の、半導体パッケージ基板製造方法、それを利用して製造された半導体パッケージ基板、半導体パッケージ製造方法、及びそれを利用して製造された半導体パッケージは、例えば、半導体素子関連の技術分野に効果的に適用可能である。
１０ 半導体パッケージ基板
２０ 半導体パッケージ
１００ ベース基板
１００ｃ 第１溝または第１トレンチ
１００ｅ 第２溝または第２トレンチ
１０２，１０４ 配線パターン
１１０ 樹脂
１２０ メッキ層
１３０ 半導体チップ
１４０ ワイヤ
１５０ モールディング層

Claims (15)

  1. 上面及び下面を有する伝導性素材のベース基板の下面に、第１溝または第１トレンチを形成する段階と、
    第１溝または第１トレンチを樹脂で充填する段階と、
    樹脂を硬化させる段階と、
    第１溝または第１トレンチの外部に露出されて過充填された樹脂の部分を除去する段階と、
    第１溝または第１トレンチを充填した樹脂の少なくとも一部が現れるように、ベース基板の上面をエッチングする段階と、
    ベース基板の下面に、第２溝または第２トレンチを形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板製造方法。
  2. 前記ベース基板の上面をエッチングする段階と、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階は、同時に進められることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  3. 前記第２溝または第２トレンチを形成する段階において、第２溝または第２トレンチは、カッティングラインに沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  4. 前記第２溝または第２トレンチを形成する段階において、第２溝または第２トレンチは、樹脂間に位置するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  5. 前記樹脂で充填する段階以前に、前記第１溝または第１トレンチの内面を粗化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  6. 第１溝または第１トレンチを介してベース基板の下面に露出された樹脂の面積は、第２溝または第２トレンチを介してベース基板の上面に露出された樹脂の面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  7. ベース基板上にメッキ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  8. 前記メッキ層を形成する段階は、第２溝または第２トレンチの内面にメッキ層を形成する段階であることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ基板製造方法。
  9. 請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載の製造方法によって製造された半導体パッケージ基板。
  10. 上面及び下面を有する伝導性素材のベース基板の下面に、第１溝または第１トレンチを形成する段階と、
    第１溝または第１トレンチを樹脂で充填する段階と、
    樹脂を硬化させる段階と、
    第１溝または第１トレンチの外部に露出されて過充填された樹脂の部分を除去する段階と、
    第１溝または第１トレンチを充填した樹脂の少なくとも一部が現れるように、ベース基板の上面をエッチングする段階と、
    ベース基板の下面に、第２溝または第２トレンチを形成する段階と、
    ベース基板上に半導体チップを実装する段階と、
    第２溝または第２トレンチに沿ってベース基板をカットティングする段階と、
    を含む半導体パッケージ製造方法。
  11. 前記ベース基板の上面をエッチングする段階と、前記第２溝または第２トレンチを形成する段階は、同時に進められることを特徴とする請求項１０に記載の半導体パッケージ製造方法。
  12. 前記第２溝または第２トレンチを形成する段階において、第２溝または第２トレンチは、樹脂間に位置するように形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体パッケージ製造方法。
  13. 前記ベース基板をカットティングする段階において、ベース基板をカットティングするカッティングラインの幅は、第２溝または第２トレンチの幅より狭いことを特徴とする請求項１０に記載の半導体パッケージ製造方法。
  14. ベース基板上にメッキ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体パッケージ製造方法。
  15. 請求項１０ないし１４のうちいずれか１項に記載の製造方法によって製造された半導体パッケージ。
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