TW201939620A - 半導體封裝基板及其製造方法、半導體封裝及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種製造半導體封裝基板的方法、一種使用製造半導體封裝基板的方法來製造的半導體封裝基板、一種製造半導體封裝的方法以及一種使用製造半導體封裝的方法來製造的半導體封裝。製造半導體封裝基板的方法包含：在具有頂部表面和底部表面且由導電材料形成的基底基板的底部表面中形成多個第一凹槽或第一溝槽；用樹脂填充多個第一凹槽或溝槽；固化樹脂；去除過度填充於多個第一凹槽或溝槽中的樹脂的暴露部分；對基底基板的頂部表面進行蝕刻以暴露填充於多個第一凹槽或溝槽中的樹脂的至少部分；以及在基底基板的底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽。

Description

半導體封裝基板的製造方法以及以此方法製成的半導體封裝基板、以及半導體封裝的製造方法以及以此方法製成的半導體封裝
一或多個實施例涉及一種製造以簡易方式對其執行焊接的半導體封裝基板的方法和使用所述方法製造的半導體封裝基板，以及一種製造半導體封裝的方法和使用所述方法製造的半導體封裝。 [相關申請案資料] 本申請案要求2018年2月23日在韓國智慧財產權局提交的第10-2018-0022231號韓國專利申請案的權益，所述申請案的公開內容以全文引用的方式併入本文中。
半導體裝置通過將其封裝在半導體封裝基板上來使用。為了封裝半導體裝置，半導體封裝基板包含精細電路圖案和/或輸入/輸出（input/output；I/O）端子。隨著半導體裝置的性能和/或整合度的改進，且使用這類半導體裝置來製造的電子裝置具有減小的體積和改進的性能，半導體封裝基板的精細電路圖案等的關鍵尺寸（critical dimension）已變得更小且其複雜度已變得更高。
現有半導體封裝基板通過以下操作來製造：通過使用其上堆疊有銅箔的覆銅層壓板（copper clad laminate；CCL）來形成通孔，用金屬鍍敷通孔的內部以電連接堆疊在CCL的頂部表面和底部表面上的銅箔，以及通過使用光刻膠來圖案化上部表面銅箔和下部表面銅箔。然而，就高製程複雜度和低精度來說，製造現有半導體封裝基板的方法是不利的。
因而最近，已引入一種通過用絕緣材料填充導電基底基板以簡化製造製程來製造半導體封裝基板的方法。
一或多個實施例是針對一種製造以簡易方式對其執行焊接的半導體封裝基板的方法和使用所述方法製造的半導體封裝基板，以及一種製造半導體封裝的方法和使用所述方法製造的半導體封裝。然而，這些方面僅僅是實例，且因而本公開的範圍不應理解為受其限制。
額外方面將部分地在以下描述中予以闡述，且部分地將從描述中顯而易見，或可通過對所提出的實施例的實踐而獲悉。
根據一或多個實施例，一種製造半導體封裝基板的方法包含：在基底基板的底部表面中形成多個第一凹槽或多個第一溝槽，所述基底基板具有頂部表面和底部表面且由導電材料形成；用樹脂填充多個第一凹槽或溝槽；固化樹脂；去除過度填充於多個第一凹槽或溝槽中的樹脂的暴露部分；對基底基板的頂部表面進行蝕刻以暴露填充於多個第一凹槽或溝槽中的樹脂的至少部分；以及在基底基板的底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽。
在一個實施例中，對基底基板的頂部表面的蝕刻與第二凹槽或溝槽的形成可同時執行。
在一個實施例中，第二凹槽或溝槽的形成可包含沿切割線形成第二凹槽或溝槽。
在一個實施例中，第二凹槽或溝槽的形成可包含在用樹脂填充的相鄰的多個第一凹槽或溝槽之間形成第二凹槽或溝槽。
在一個實施例中，在用樹脂對多個第一凹槽或溝槽的填充之前，方法可進一步包含使多個第一凹槽或溝槽的內部表面粗糙化。
在一個實施例中，經由多個第一凹槽或溝槽暴露於基底基板的底部表面上的樹脂的面積可大於經由第二凹槽或溝槽暴露於基底基板的頂部表面上的樹脂的面積。
在一個實施例中，方法可進一步包含在基底基板上形成鍍層。
在一個實施例中，鍍層的形成可包含在第二凹槽或溝槽的內部表面上形成鍍層。
根據一或多個實施例，提供一種通過上文所描述的方法來製造的半導體封裝基板。
根據一或多個實施例，一種製造半導體封裝的方法包含：在基底基板的底部表面中形成多個第一凹槽或多個第一溝槽，所述基底基板具有頂部表面和底部表面且由導電材料形成；用樹脂填充多個第一凹槽或溝槽；固化樹脂；去除過度填充於多個第一凹槽或溝槽中的樹脂的暴露部分；對基底基板的頂部表面進行蝕刻以暴露填充於多個第一凹槽或溝槽中的樹脂的至少部分；在基底基板的底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽；在基底基板上安裝半導體晶片；以及沿第二凹槽或溝槽切割基底基板。
在一個實施例中，對基底基板的頂部表面的蝕刻與溝槽的第二凹槽的形成可同時執行。
在一個實施例中，第二凹槽或溝槽的形成可包含在用樹脂填充的相鄰的多個第一凹槽或溝槽之間形成第二凹槽或溝槽。
在一個實施例中，在基底基板的切割中，用於切割基底基板的切割線的寬度可小於第二凹槽或溝槽的寬度。
在一個實施例中，方法可進一步包含在基底基板上形成鍍層。
根據一或多個實施例，提供一種通過上文所描述的方法來製造的半導體封裝。
這些和其它方面、特徵以及效應將從隨附圖式、專利範圍以及以下描述中顯而易見。
如本文中所闡述的一般方面和特殊方面可使用系統、方法、電腦程式或其組合來實施。
可在本公開中做出各種修改且可實施各種實施例。因此，實例實施例在圖式中加以說明且在本文中進行詳細描述。本公開的有利特徵以及實現所述特徵的方法將從待結合圖式在下文詳細描述的實施例中顯而易見。然而，本公開不限於此且可以許多不同形式實施。如本文中所使用，術語“和/或”包含相關聯的所列項目中的一或多個的任何組合以及所有組合。當“…中的至少一個”的表述伴隨著一列元件時，其修飾一列元件的所有元件而不是修飾一列元件中的單個元件。
在下文中，將參考隨附圖式詳細地描述實施例。在參考圖式描述實施例時，為相同或相應元件分配相同的附圖標記，且在本文中不進行過多描述。
在以下實施例中，術語“第一”、“第二”等並不用以限定本公開的範圍，且僅用以區分一個元件與另一元件。如本文中所使用，除非上下文另外明確地指示，否則單數形式“一（a/an）”和“所述”還意圖包含複數形式。
應理解，當在本文中使用時，術語“包括（comprises）”和/或“包括（comprising）”指明所陳述特徵或元件的存在，但不排除一或多個其它特徵或元件的存在或添加。應理解，當如層、區域或元件的元件被稱作在另一元件“上”或“上方”時，所述元件可直接在另一元件上或另一元件可插入於其間。
在圖式中，為解釋方便起見，可放大元件的大小。舉例來說，為解釋方便起見而任意地說明圖式中所說明的每一元件的大小和厚度，且因此實施例不應理解為限於此。
如本文中所使用，x軸、y軸以及z軸不限於正交坐標系的三條軸線且可廣泛地理解為任何三條軸線。舉例來說，x軸、y軸以及z軸可彼此垂直但可指示非正交的不同方向。
當可以不同方式來實施一實施例時，可以不同於此處所描述的次序來執行某一製程。舉例來說，連續描述的兩個製程可基本上同時執行或以與本文中所描述次序相反的次序執行。
圖1到圖6是說明根據一實施例的製造半導體封裝基板的製程的示意性橫截面視圖。
在根據本發明實施例的製造半導體封裝基板10的方法中，首先，如圖1中所說明來製備由導電材料形成的基底基板100。基底基板100可呈包含導電材料的平板形式。導電材料的實例可包含鐵（iron；Fe）；Fe合金（如Fe-Ni或Fe-Ni-Co）；銅（copper；Cu）；Cu合金（如Cu-Sn、Cu-Zr、Cu-Fe或Cu-Zn）等。基底基板100可為包含頂部表面100b和底部表面100a的板形狀，所述頂部表面與底部表面是相對表面。
其後，如圖2中所說明，第一凹槽或溝槽100c在基底基板100的底部表面100a中形成。此處，第一凹槽或溝槽100c可理解為不完全穿透基底基板100。雖然在作為橫截面視圖的圖2中未繪示，但在從平面視圖觀察時，除了形成於底部表面100a中的第一凹槽或溝槽100c以外的基底基板100的剩餘部分可理解為在一個方向上延伸的互連圖案或捲繞互連圖案。
為了形成第一凹槽或溝槽100c，使基底基板100的底部表面100a與感光性幹膜抗蝕劑（dry film resist；DFR）層壓，且隨後暴光並顯影以僅暴露其中待形成第一凹槽或溝槽100c的基底基板100僅部分。隨後，用如氯化銅或氯化鐵的蝕刻溶液對未由DFR覆蓋的基底基板100的底部表面100a的部分進行蝕刻，從而在底部表面100a中形成並不穿透基底基板100的第一凹槽或溝槽100c，如圖2中所示出。
基底基板100的底部表面100a的剩餘部分（即其除了第一凹槽或溝槽100c以外的部分）稍後可充當互連圖案。因此，當在基底基板100的底部表面100a中形成第一凹槽或溝槽100c時，相鄰第一凹槽或溝槽100c之間的間隙的寬度可等於一般互連圖案的寬度，即約20微米到30微米。
當第一凹槽或溝槽100在如圖2中所說明的基底基板100的底部表面100a中形成時，第一凹槽或溝槽100c的深度可為基底基板100的厚度的約80%到90%。舉例來說，形成第一凹槽或溝槽100c的基底基板100的剩餘部分的厚度可在約10微米到約40微米的範圍內。
當第一凹槽或溝槽100c的深度大於基底基板100的厚度的約80%到90%時，基底基板100或半導體封裝基板10在半導體封裝基板製造製程或稍後的封裝製程中可能不易於操控。在一些情況下，當第一凹槽或溝槽100c的深度大於基底基板100的厚度的約80%到90%時，可由於在形成第一凹槽或溝槽100c期間的公差而形成穿透基底基板100的底部表面100a和頂部表面100b的通孔。當第一凹槽或溝槽100c的深度小於基底基板100的厚度的約80%到90%時，後續製程在稍後製造半導體封裝基板時可能不易於執行，或最終所製造的半導體基板可能過薄。
其後，如圖3中所示，用樹脂110填充基底基板100的第一凹槽或溝槽100c。樹脂110可以是具有非電學特性的任何類型的絕緣材料。舉例來說，樹脂110可以是在加熱時聚合並固化的熱固性樹脂。樹脂110在半導體封裝基板10的互連圖案之間電絕緣。在樹脂110的填充中，可使用呈液態的樹脂110或含有樹脂110的固體型膠帶。
在樹脂110的填充中，不僅僅是基底基板100的第一凹槽或溝槽100c，而且基底基板100的底部表面100a的至少部分也可被樹脂110填充，如圖3中所示出。當如上文所描述過度填充樹脂110時，可利用機械切削（如刷擦、研磨或拋光）或化學切削（如蝕刻）來去除過度填充的樹脂110以致樹脂110僅填充基底基板100的第一凹槽或溝槽100c的內部，如圖4中所示出。
作為另一種選擇，基底基板100的僅第一凹槽或溝槽100c可如圖4中所示來填充樹脂110而不是如圖3中所示的過度填充樹脂110。然而，在這種情況下，基底基板100的第一凹槽或溝槽100c可能不被樹脂110適當地填充。
隨後，對基底基板100的頂部表面100b進行蝕刻以形成暴露填充於第一凹槽或溝槽100c中的樹脂110的部分100d，如圖5中所示出。可以不同方式對基底基板100的頂部表面100b進行蝕刻。舉例來說，基底基板100的頂部表面100b可以感光性DFR一起層壓，且隨後暴露並顯影以暴露僅待蝕刻的基底基板100的頂部表面100b的部分。其後，可使用如氯化銅或氯化鐵的蝕刻溶液對未由DFR覆蓋的基底基板100的頂部表面100b的部分進行蝕刻，從而暴露在如圖5中所示出的基底基板100的頂部表面100b上的樹脂110的一部分。
通過以上製程，如圖5中所示出，獲得在用樹脂110填充的基底基板100的底部表面100a的部分之間的互連圖案102和用樹脂110填充的基底基板100的頂部表面100b的部分之間的互連圖案104。在半導體封裝基板10中，頂部表面100b的互連圖案104與底部表面100a的互連圖案102電連接，且因此需要對頂部表面100b和底部表面100a執行如先前所設定的導電層圖案化。
同時，第二凹槽或溝槽100e在基底基板100的底部表面100a中形成。類似於第一凹槽或溝槽100c，第二凹槽或溝槽100e可形成為不完全穿透基底基板100。第二凹槽或溝槽100e可形成為與切割區域CA相對應。舉例來說，第二凹槽或溝槽100e可在一個方向（Y軸方向）上和垂直於所述方向的另一方向（X軸方向）上形成。將參考以下圖8詳細地描述切割區域CA以及切割基底基板100。
第二凹槽或溝槽100e可在未形成第一凹槽或溝槽100c的基底基板100的底部表面100a的部分中形成（即在相鄰的第一凹槽或溝槽100c之間）。在製造期間，第二凹槽或溝槽100e在用樹脂110填充第一凹槽或溝槽100c之後形成，且因此可理解為在用樹脂110填充的第一凹槽或溝槽100c之間形成。第二凹槽或溝槽100e可用作促進稍後焊接半導體封裝的可潤濕（wettable）側翼結構。
第二凹槽或溝槽100e可形成為與切割區域CA相對應。在這種情況下，第二凹槽或溝槽100e的寬度We大於切割區域CA的寬度Wc。當第二凹槽或溝槽100e的寬度We小於切割區域CA的寬度Wc時，第二凹槽或溝槽100e在切割半導體封裝基板10之後不能用作可潤濕側翼結構，且因此將第二凹槽或溝槽100e的寬度We設定成大於切割區域CA的寬度Wc至關重要。
在本實施例中，第二凹槽或溝槽100e在基底基板100的底部表面100a中形成，同時伴以對基底基板100的頂部表面100b的蝕刻。即，可同時對基底基板100的頂部表面100b和底部表面100a進行蝕刻。因此，第二凹槽或溝槽100e可在不執行額外製程的情況下於基底基板100的底部表面100a中形成，與對基底基板100的頂部表面100b的部分的蝕刻同時進行。第二凹槽或溝槽100e在用樹脂110填充基底基板100之後形成。其中形成有第二凹槽或溝槽100e的區域由所填充的樹脂110鎖住，且因而可形成具有所需寬度和深度的第二凹槽或溝槽100e。
隨後，如圖6中所說明，鍍層120可在基底基板100的剩餘部分中的至少一些上形成。鍍層120可在第二凹槽或溝槽100e的內部表面上形成，且可在基底基板100的頂部表面100b和底部表面100a上以及在一些情況下除了樹脂110以外的第一凹槽或溝槽100c的內部表面上形成。具體地說，形成於第二凹槽或溝槽100e的內部表面上的鍍層120可改進半導體封裝基板10的焊料可潤濕性。鍍層120可用例如AU、Pd、NiPdAu合金或類似物來電鍍。可在基底基板100的頂部表面100b上塗布如有機可焊性保護層（organic solderability preservative；OSP）的有機膜或可對所述頂部表面執行抗銹蝕。
在根據上述實施例的半導體封裝基板製造方法中，在用樹脂110填充基底基板100的第一凹槽或溝槽100c之前，可使第一凹槽或溝槽100c的內部粗糙化。因此，可顯著增加樹脂110與基底基板100之間的粘合性。可通過等離子體處理、紫外線處理或過氧化氫/硫酸基溶液來使基底基板100的第一凹槽或溝槽100c的內部粗糙化。在這種情況下，基底基板100的第一凹槽或溝槽100c的內部可具有150納米或大於150納米的粗糙度。
如上文所描述，可形成第二凹槽或溝槽100e以便於在半導體封裝基板10的製造期間焊接半導體封裝。在一比較例中，可通過僅焊接其直角拐點或在待于半導體晶片封裝之後利用單獨製程來在焊接的部分處形成溝槽來焊接半導體封裝基板。然而，當僅焊接直角拐點時，可能顯著降低焊料可潤濕性，且可能在溝槽的形成期間出現金屬毛刺，進而降低半導體封裝的性能。
因此，在製造根據一實施例的半導體封裝基板的方法中，可通過以下操作而有效形成可潤濕側翼結構：在半導體封裝基板的製造期間（即在引線框架的製造期間）的半導體晶片封裝之後，在不執行額外製程的情況下形成與切割區域CA相對應的第二凹槽或溝槽100e。
雖然已在上文描述了製造半導體封裝基板的方法，但本公開不限於此。舉例來說，使用製造半導體封裝基板的方法所製造的半導體封裝基板以及使用半導體封裝基板製造半導體封裝的方法可理解為屬於本公開的範圍內。
圖7和圖8是說明根據另一實施例的製造半導體封裝20的製程的部分的示意性橫截面視圖。圖9是說明根據另一實施例的半導體封裝20的結構的示意性橫截面視圖。
參考圖1到圖6以及圖7，半導體晶片130安裝在通過上文參考圖1到圖6所描述的製程來製造的半導體封裝基板10上。半導體晶片130可安裝在半導體封裝基板的頂部表面100b的平面部分上，且經由導線140以電氣方式和物理方式連接到基底基板100上的引線。導線140可通過導線接合來耦合到半導體晶片130和引線。導線140的一側附接到引線且其另一側耦合到半導體晶片130。
可在半導體封裝基板10上的半導體晶片130上形成模製層150。模製層150可配置成從外部密封半導體晶片130，且以例如單層模製結構、雙層模製結構或具有三層或大於三層的模製結構來形成。模製層150可由固化樹脂110形成，且包含例如螢光物質和光擴散劑中的至少一種。在一些情況下，可以使用不含有螢光物質和光擴散劑的透明材料。
在半導體晶片130安裝在半導體封裝基板10上之後，如圖8中所示出來切割基底基板100。對基底基板100的切割可理解為對用樹脂110填充的半導體封裝基板10進行切割。如圖8中所說明，可沿著沿第二凹槽或溝槽100e所形成的切割區域CA來切割基底基板100。如上文參考圖5所描述，第二凹槽或溝槽100e的寬度We可大於切割區域CA的寬度Wc。因此，在切割基底基板100時，半導體封裝基板10具有可潤濕側翼結構WF，即下端的拐角的凹陷，如圖9中所示。可由於可潤濕側翼結構WF而改進半導體封裝基板10的焊料可潤濕性。
已在上文描述了製造半導體封裝的方法，但本公開不限於此。舉例來說，通過製造半導體封裝的方法所製造的半導體封裝屬於本公開的範圍內。
在現有技術中，可通過僅焊接其直角拐點或在待于半導體晶片封裝之後利用單獨製程來焊接的部分處形成溝槽來焊接半導體封裝基板。然而，當焊接直角拐點時，可能大大降低焊料可潤濕性，且在通過單獨製程形成溝槽的期間出現金屬毛刺，進而降低半導體封裝的性能。
一般來說，半導體封裝製造商接收已完成的半導體封裝基板（即所謂的引線框架），在其上安裝半導體晶片，並執行後續製程。在這種情況下，半導體封裝製造商可在待于半導體封裝製造之後的半導體封裝的焊接期間焊接的半導體封裝的部分處形成凹槽，且因此可能降低半導體封裝基板和半導體封裝的品質。
相比之下，在製造根據一實施例的半導體封裝的方法中，在半導體封裝基板（即引線框架）的製造期間，在不執行額外製程的情況下形成與切割區域CA相對應的第二凹槽或溝槽100e，且因此可在於半導體晶片封裝之後不執行額外製程的情況下，有效形成可潤濕側翼結構WF。此外，可提供具有可潤濕側翼結構WF的半導體封裝基板，且因而可顯著改進產品競爭力。
根據如上文所描述的一或多個實施例，可實施一種製造以簡易方式對其執行焊接的半導體封裝基板的方法和一種使用所述方法製造的半導體封裝基板，以及一種製造半導體封裝的方法和一種使用所述方法製造的半導體封裝。然而，本公開的範圍不限於此。
雖然已參考圖式描述了一或多個實施例，但本領域具有通常知識者將理解，可在其中作出對形式和細節的各種改變，且可在不脫離如由以下專利範圍所界定的本公開的精神和範圍的情況下，執行與其等效的實施例。因此，本公開的範圍應由所附專利範圍的技術理念來界定。
10‧‧‧半導體封裝基板
20‧‧‧半導體封裝
100‧‧‧基底基板
100a‧‧‧底部表面
100b‧‧‧頂部表面
100c‧‧‧第一凹槽或溝槽
100d‧‧‧部分
110e‧‧‧第二凹槽或溝槽
102、104‧‧‧互連圖案
110‧‧‧樹脂
120‧‧‧鍍層
130‧‧‧半導體晶片
140‧‧‧導線
150‧‧‧模製層
CA‧‧‧切割區域
We、Wc‧‧‧寬度
WF‧‧‧可潤濕側翼結構
x、y、z‧‧‧軸線
根據結合隨附圖式對實施例進行的以下描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見且更容易瞭解，在隨附圖式中： 圖1到圖6是說明根據一實施例的製造半導體封裝基板的製程的示意性橫截面視圖。 圖7和圖8是說明根據另一實施例的製造半導體封裝的製程的部分的示意性橫截面視圖。 圖9是說明根據另一實施例的半導體封裝的結構的示意性橫截面視圖。

Claims (15)

  1. 一種製造半導體封裝基板的方法，所述方法包括： 在基底基板的底部表面中形成多個第一凹槽或多個第一溝槽，所述基底基板具有頂部表面和所述底部表面且由導電材料形成； 用樹脂填充所述多個第一凹槽或溝槽； 固化所述樹脂； 去除過度填充於所述多個第一凹槽或溝槽中的所述樹脂的暴露部分； 對所述基底基板的所述頂部表面進行蝕刻以暴露填充於所述多個第一凹槽或溝槽中的所述樹脂的至少部分；以及 在所述基底基板的所述底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中對所述基底基板的所述頂部表面的所述蝕刻與所述第二凹槽或溝槽的所述形成同時執行。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中所述第二凹槽或溝槽的所述形成包括沿切割線形成所述第二凹槽或溝槽。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，所述第二凹槽或溝槽的所述形成包括在用所述樹脂填充的相鄰的所述多個第一凹槽或溝槽之間形成所述第二凹槽或溝槽。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，在用所述樹脂對所述多個第一凹槽或溝槽進行所述填充之前，還包括使所述多個第一凹槽或溝槽的內部表面粗糙化。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中經由所述多個第一凹槽或溝槽暴露於所述基底基板的所述底部表面上的所述樹脂的面積大於經由所述第二凹槽或溝槽暴露於所述基底基板的所述頂部表面上的所述樹脂的面積。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，更包括在所述基底基板上形成鍍層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的製造方法，其中所述鍍層的所述形成包括在所述第二凹槽或溝槽的內部表面上形成所述鍍層。
  9. 一種半導體封裝基板，通過如申請專利範圍第1項所述的製造方法來製造。
  10. 一種製造半導體封裝的方法，所述方法包括： 在基底基板的底部表面中形成多個第一凹槽或多個第一溝槽，所述基底基板具有頂部表面和所述底部表面且由導電材料形成； 用樹脂填充所述多個第一凹槽或溝槽； 固化所述樹脂； 去除過度填充於所述多個第一凹槽或溝槽中的所述樹脂的暴露部分； 對所述基底基板的所述頂部表面進行蝕刻以暴露填充於所述多個第一凹槽或溝槽中的所述樹脂的至少部分； 在所述基底基板的所述底部表面中形成第二凹槽或第二溝槽； 在所述基底基板上安裝半導體晶片；以及 沿所述第二凹槽或溝槽切割所述基底基板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中對所述基底基板的所述頂部表面的所述蝕刻與溝槽的所述第二凹槽的所述形成同時執行。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中所述第二凹槽或溝槽的所述形成包括在用所述樹脂填充的相鄰的多個第一凹槽或溝槽之間形成所述第二凹槽或溝槽。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的製造方法，其中在所述基底基板的所述切割中，用於切割所述基底基板的切割線的寬度小於所述第二凹槽或溝槽的寬度。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的製造方法，更包括在所述基底基板上形成鍍層。
  15. 一種半導體封裝，通過如申請專利範圍第10項所述的製造方法來製造。
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