JP3983930B2 - 回路部材の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子を搭載した樹脂封止型の半導体装置とそれに用いられる回路部材および樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、高集積化や小型化技術の進歩、電気機器の高性能化と軽薄短小化の傾向(時流)から、LSIのASICに代表されるように、ますます高集積化、高機能化が進んできている。このように高集積化、高機能化された半導体装置においては、信号の高速処理を行うために、チップの発熱、および、パッケージ内のインダクタンスが無視できない状況になってきている。このため、サーマルビアを配設してチップの熱をパッケージ外に逃がしたり、電源、グランドの接続端子数を多くして実質的なインダクタンスを下げ、パッケージ内のインダクタンスを低減することで対応がなされている。このように、半導体装置の高集積化、高機能化は、外部端子(ピン)の総和の増加を来すとともに、更なる多端子(ピン)化が要請されている。
【0003】
上記のような多端子(ピン)化の要請に応えるものとして、多端子(ピン)IC、特にゲートアレイやスタンダードセルに体表されるASIC、あるいは、DSP(Digital Signal Processor)等の半導体装置の製造においてリードフレームを用いたものがある。具体的には、QFP(Quad Flat Package)等の表面実装型パッケージがあり、QFPでは、300ピンクラスのものまで実用化されている。
【0004】
しかし、近年の半導体素子の信号処理の高速化および高性能(機能)化は、更に多くの端子を必要としている。QFPでは、外部端子ピッチを狭めることにより更なる多端子化に対応できるが、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅も狭める必要があり、外部端子強度の低下を来すことになる。その結果、端子形成(ガルウイング化)の位置精度あるいは平坦精度において問題を生じることになる。また、QFPでは、外部端子のピッチが0.3〜0.4mmへと更に狭くなるにつれて、実装工程が難しくなり、高度なボード実装技術を実現する必要がある等の障害(問題)を生じている。
【0005】
また、リードフレームを用いた封止型の半導体装置に対する小型化・薄型化の要請から、その開発のトレンドが、QFPやSOJ(Small Outline J−Leaded Package)のような表面実装型のパッケージを経て、TSOP(Thin Small Outline Package)の開発による薄型化を主軸としたパッケージの小型化へ、さらにはパッケージ内部の3次元化によるチップ収納効率向上を目的としたLOC(Lead On Chip)の構造へと進展してきた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のパッケージにおいても半導体素子外周部分のリードの引き回しがあるため、パッケージの小型化に限界が見えてきた。また、TSOP等の小型パッケージにおいては、リードの引き回し、ピンピッチの点で、多ピン化に対しても限界が見えてきた。
【0007】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、半導体素子の占有率が高く小型化が可能で、回路基板への実装密度を向上させることができ、さらに、多ピン化、薄型化への対応が可能な樹脂封止型半導体装置と、これに用いられる回路部材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明の樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法は、(A)導電性基板の裏面を耐エッチング性のフィルムで被覆し表面をエッチングして、表面側に内部端子を裏面側に外部端子を表裏一体的に有する複数の端子部と、ダイパッドと、前記端子部と前記ダイパッドの外側に位置する外枠部材とを、裏面側で連結された状態で備える外形加工部材を作成する第1の工程と、(B)前記外形加工部材のエッチングがなされた表面側に電気絶縁性の樹脂層を設ける第2の工程と、(C)各端子部の内部端子面を露出させるように前記樹脂層をレーザー照射により除去し、その後、前記樹脂層を覆うように前記外形加工部材の表面を耐エッチング性のフィルムで被覆するとともに、前記外形加工部材の裏面を被覆している耐エッチング性の前記フィルムを取り去り、前記外形加工部材の裏面をエッチングして外枠部材と各端子部とダイパッドとを電気的に独立させる第3の工程と、を備えるような構成とした。
【0014】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法は、(A)導電性基板の表面を耐エッチング性のフィルムで被覆し裏面をエッチングして、表面側に内部端子を裏面側に外部端子を表裏一体的に有する複数の端子部と、ダイパッドと、前記端子部と前記ダイパッドの外側に位置する外枠部材とを、表面側で連結された状態で備える外形加工部材を作成する第1の工程と、(B)前記外形加工部材のエッチングがなされた裏面側に電気絶縁性の樹脂層を設ける第2の工程と、(C)各端子部の外部端子面を露出させるように前記樹脂層をレーザー照射により除去し、その後、前記樹脂層を覆うように前記外形加工部材の裏面を耐エッチング性のフィルムで被覆するとともに、前記外形加工部材の表面を被覆している耐エッチング性の前記フィルムを取り去り、前記外形加工部材の表面をエッチングして外枠部材と各端子部とダイパッドとを電気的に独立させる第3の工程と、を備えるような構成とした。
【0015】
さらに、本発明の樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法は、内部端子面に貴金属めっき層を形成する工程を有するような構成、外部端子面に半田からなる外部電極部材を形成する工程を有するような構成とした。
【0016】
このような本発明では、回路部材にリードの引き回しがなく、樹脂封止型半導体装置の小型化が可能であり、回路部材に設けられている樹脂部材は微細な端子部をダイパッドや外枠部材から電気的に独立して保持する作用とともに、回路部材に強度を付与する作用もなし、さらに、外部端子に外部電極を形成することにより、BGA(Ball Grid Array)タイプの半導体装置が可能となり取扱性、ショート防止性が向上する。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0018】
回路部材
図1は本発明の回路部材の一実施形態を示す平面図であり、図2は図1に示される回路部材のA−A線における縦断面図である。尚、図1および図2では、説明を容易にするために端子数を少なくして簡略化している。
【0019】
図1および図2において、本発明の回路部材1は、外枠部材2と、この外枠部材の内側に独立して配設されたダイパッド3と、外枠部材2の内側の略一平面上に相互に独立して配設された複数の端子部4と、外枠部材2とダイパッド3と各端子部4との間に介在する電気絶縁性の樹脂部材5とを備えるものである。
【0020】
外枠部材2は、図示例では外形形状および内側開口形状が矩形であるが、外形形状が帯状の連続体であり、矩形の内側開口が所定の間隔で設けられたものであってもよい。
【0021】
ダイパッド3は、外枠部材2の内側開口の略中央に位置し、表面3A側の半分を樹脂部材5により覆われ、裏面3B側の半分が回路部材1の裏面側に露出している。
【0022】
端子部4は、表面側に内部端子4Aを裏面側に外部端子4Bを表裏一体的に有し、図示例では、ダイパッド3を囲むように各端子部4が配列されている。また、各内部端子4A面は、樹脂部材5の間に凹部を形成するように露出しており、このような各内部端子4A面と各外部端子4B面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0023】
このような回路部材1の材質は、42合金(Ni41%のFe合金)、銅、銅合金等とすることができる。
【0024】
また、樹脂部材5は、ポリイミド樹脂、エポキシ系のソルダーレジスト等のような電気絶縁性樹脂を用いることができる。樹脂部材5の厚みは20〜100μm程度が好ましい。
【0025】
本発明の回路部材1は、ダイパッド3の表面3Aを覆う樹脂部材5上に電気絶縁性の両面接着テープを設けたものであってもよい。使用する両面接着テープとしては、電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着剤層を備えたもの、例えば、ユーピレックス(宇部興産(株)製の電気絶縁性のベースフィルム)の両面にRXF((株)巴川製紙所製の接着剤)層を備えたUXIW((株)巴川製紙所製)のような両面接着テープを挙げることができる。
【0026】
また、本発明の回路部材1は、図3に示されるように、端子部4の外部端子4B面に半田からなる外部電極部材7を備えるものであってもよい。
【0027】
さらに、本発明の回路部材1は、図4に示されるように、ダイパッド3の厚みが外枠部材2の厚みよりも薄い薄肉形状であってもよく、図示例ではダイパッド3の裏面3B側のみが回路部材1の裏面側に露出したものとなっている。また、本発明の回路部材1は、図4に示されるように、端子部4の外部端子4B面に貴金属めっき層8を備えるものであってもよい。
【0028】
尚、上述の回路部材1における端子数、端子配列等は例示であり、本発明がこれに限定されないことは勿論である。
【0029】
回路部材
図5は本発明の回路部材の他の実施形態を示す平面図であり、図6は図5に示される回路部材のB−B線における縦断面図である。尚、図5および図6では、説明を容易にするために端子数を少なくして簡略化している。
【0030】
図5および図6において、本発明の回路部材11は、外枠部材12と、この外枠部材の内側に独立して配設されたダイパッド13と、外枠部材12の内側の略一平面上に相互に独立して配設された複数の端子部14と、外枠部材12とダイパッド13と各端子部14との間に介在する電気絶縁性の樹脂部材15とを備えるものである。
【0031】
外枠部材12は、図示例では外形形状および内側開口形状が矩形であるが、外形形状が帯状の連続体であり、矩形の内側開口が所定の間隔で設けられたものであってもよい。
【0032】
ダイパッド13は、外枠部材12の内側開口の略中央に位置し、裏面13B側の半分を樹脂部材15により覆われ、表面13B側の半分が回路部材11の表面側に露出している。
【0033】
端子部14は、表面側に内部端子14Aを裏面側に外部端子14Bを表裏一体的に有し、図示例では、ダイパッド13を囲むように各端子部14が配列されている。そして、各外部端子14B面は、樹脂部材15の間に凹部を形成するように露出しており、また、各内部端子14A面と各外部端子14B面は、それぞれ同一平面上に位置している。
【0034】
このような回路部材11の材質、樹脂部材15の材質は、上述の回路部材1、樹脂部材5と同様のものとすることができる。また、樹脂部材15の厚みは20〜100μm程度が好ましい
【0035】
また、本発明の回路部材11は、ダイパッド13の表面13A上に電気絶縁性の両面接着テープを設けたものであってもよい。使用する両面接着テープとしては、上述の回路部材1の場合と同様である。
【0036】
また、本発明の回路部材11は、図7に示されるように、端子部14の外部端子14B面に半田からなる外部電極部材17を備えるものであってもよい。
【0037】
さらに、本発明の回路部材11は、図8に示されるように、ダイパッド13の厚みが外枠部材12の厚みよりも薄い薄肉形状であってもよく、図示例では表面13A側のみが回路部材11の表面側に露出したものとなっている。また、本発明の回路部材11は、図8に示されるように、端子部14の外部端子14B面に貴金属めっき層18を備えるものであってもよい。
尚、上述の回路部材1における端子数、端子配列等は例示であり、本発明がこれに限定されないことは勿論である。
【0038】
樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法
次に、本発明の回路部材の製造方法について説明する。
【0039】
図9および図10は、図1および図2に示される回路部材1を例とした本発明の回路部材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。各工程は、上記の図2に対応する樹脂封止型半導体装置の縦断面図で示してある。
【0040】
まず、第1の工程として、導電性基板21の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥して感光性レジスト層31を形成し(図9(A))、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン31A,31Bを形成する(図9(B))。導電性基板21としては、上述のように42合金(Ni41%のFe合金)、銅、銅合金等の金属基板(厚み100〜250μm)を使用することができ、この導電性基板21は、両面を脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。また、感光性レジストとしては、従来公知のもの、例えば、東京応化工業(株)製OFPR1305等を使用することができる。
【0041】
次に、レジストパターン31Bが形成された導電性基板21の裏面を、耐エッチング性を有するフィルム32で覆い、レジストパターン31Aを耐腐蝕膜として導電性基板21の表面側から腐蝕液でエッチングを行う(図9(C))。腐蝕液は、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、導電性基板21の表面へのスプレーエッチングにて行う。このエッチング工程におけるエッチング量は、導電性基板21の厚み方向に貫通しない程度に調整する。これにより、ダイパッド23と、内部端子24Aを表面にもつ複数の端子部24と、これらの外側に位置する外枠部材22とを、裏面側で連結した状態で備える外形加工部材21′が得られる。
【0042】
次いで、第2の工程として、レジストパターン31Aを剥離して除去した後、外形加工部材21′の表面(エッチング加工がなされた面)側の外枠部材22を除いた領域に電気絶縁性の樹脂層25を形成する(図9(D))。電気絶縁性の樹脂は、従来公知の樹脂を使用することができ、例えば、熱硬化型ポリイミドペースト330(宇部興産(株)製ユピタイトUPAシリーズ)等を挙げることができる。樹脂層25は、例えば、スクリーン印刷法により塗布し、必要に応じて硬化処理を施して形成することができ、厚みは10〜100μm程度とすることが好ましい。
【0043】
次いで、第3の工程として、各端子部24の内部端子24Aを露出させるように上記の樹脂層25を除去して開口部25aを形成する(図10(A))。この樹脂層25の除去は、例えば、レーザー照射により行うことができる。形成する開口部25aの大きさは、既に形成した端子部24に応じて適宜設定することができる。次に、樹脂層25を覆うように外形加工部材21′の表面を耐エッチング性を有するフィルム33で覆い、また、裏面のフィルム32を取り去る(図10(B))。次いで、レジストパターン31Bを耐腐蝕膜として導電性基板21の裏面側から腐蝕液でエッチングを行う。腐蝕液は、上記のエッチングと同様であり、外形加工部材21′の裏面へのスプレーエッチングにて行う。このエッチング工程におけるエッチング量は、導電性基板21の厚み方向で上記の樹脂層25(外枠部材22とダイパッド23と各端子部24の間に介在する樹脂層)が露出する程度に調整する。その後、レジストパターン31Bを剥離して除去し、上記のフィルム33も除去することにより、本発明の回路部材1が得られる(図10(C))。尚、得られた回路部材1の端子部4の内部端子4Aと外部端子4Bに金めっき層6を形成することも可能である(図10(D))。また、外部端子4Bに半田からなる外部電極部材7を形成することにより、図3に示される回路部材1が得られる。
【0044】
上述の図4に示されるようなダイパッド3の厚みが外枠部材2の厚みよりも薄い薄肉形状である回路部材も、裏面に形成するレジストパターン31Bのパターン形状を変える(ダイパッドの形成位置にあたる部位にレジストパターンを設けない)ことにより、上述と同様に作製することができる。
【0045】
樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法
図11および図12は、図5および図6に示される回路部材11を例とした本発明の回路部材の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。各工程は、上記の図6に対応する樹脂封止型半導体装置の縦断面図で示してある。
【0046】
まず、第1の工程として、導電性基板41の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥して感光性レジスト層51を形成し(図11(A))、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン51A,51Bを形成する(図11(B))。使用する導電性基板41、感光性レジストは、上述の製造方法と同様とすることができる。
【0047】
次に、レジストパターン51Aが形成された導電性基板41の表面を、耐エッチング性を有するフィルム52で覆い、レジストパターン51Bを耐腐蝕膜として導電性基板41の裏面側から腐蝕液でエッチングを行う(図11(C))。使用する腐蝕液、エッチング方法は上述の製造方法と同様とすることができる。このエッチング工程におけるエッチング量は、導電性基板41の厚み方向に貫通しない程度に調整する。これにより、ダイパッド43と、外部端子44Bを裏面にもつ複数の端子部44と、これらの外側に位置する外枠部材42とを、表面側で連結した状態で備える外形加工部材41′が得られる。
【0048】
次いで、第2の工程として、レジストパターン51Bを剥離して除去した後、外形加工部材41′の裏面(エッチング加工がなされた面)側の外枠部材42を除いた領域に電気絶縁性の樹脂層45を形成する(図11(D))。使用する電気絶縁性の樹脂、樹脂層25の形成方法、厚み等は、上述の製造方法と同様とすることができる。
【0049】
次いで、第3の工程として、各端子部44の外部端子44Bを露出させるように上記の樹脂層45を除去して開口部45aを形成する(図12(A))。この樹脂層45の除去は、例えば、レーザー照射により行うことができ、形成する開口部45aの大きさは、既に形成した端子部44に応じて適宜設定することができる。次に、樹脂層45を覆うように外形加工部材41′の裏面を耐エッチング性を有するフィルム53で覆い、また、表面に存在するフィルム52を取り去る(図12(B))。次いで、レジストパターン51Aを耐腐蝕膜として導電性基板41の表面側から腐蝕液でエッチングを行う。腐蝕液は、上記のエッチングと同様であり、外形加工部材41′の裏面へのスプレーエッチングにて行う。このエッチング工程におけるエッチング量は、導電性基板41の厚み方向で上記の樹脂層45(外枠部材42とダイパッド43と各端子部44の間に介在する樹脂層)が露出する程度に調整する。その後、レジストパターン51Aを剥離して除去し、上記のフィルム53も除去することにより、本発明の回路部材11が得られる(図12(C))。尚、得られた回路部材11の端子部14の内部端子14Aと外部端子14Bに金めっき層16を形成することも可能である(図12(D))。また、外部端子14Bに半田からなる外部電極部材17を形成することにより、図7に示される回路部材11が得られる。
【0050】
さらに、上述の図8に示されるようなダイパッド13の厚みが外枠部材12の厚みよりも薄い薄肉形状である回路部材も、表面に形成するレジストパターン51Aのパターン形状を変える(ダイパッドの形成位置にあたる部位にレジストパターンを設けない)ことにより、上述と同様に作製することができる。
【0051】
樹脂封止型半導体装置
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置を、その製造方法を示しながら説明する。
【0052】
図1および図2に示される本発明の回路部材1を用いた樹脂封止型半導体装置について図13を参照しながら説明する。
【0053】
まず、本発明の回路部材1のダイパッド3の表面側に半導体素子65を接着剤66を用いて搭載する(図13(A))。この場合、半導体素子65は樹脂部材5を介してダイパッド3上に搭載されている。
【0054】
次いで、搭載した半導体素子65の端子65aと、回路部材1の端子部4の内部端子4Aとを、ワイヤ67で電気的に接続する(図13(B))。
【0055】
次に、外部端子4Bおよびダイパッドの裏面3Bを外部に露出させるようにして、ダイパッド3、端子部4、樹脂部材5、半導体素子65およびワイヤ67を封止部材68で封止する(図13(C))。
【0056】
次いで、回路部材1の外枠部材2を除去して、本発明の半導体装置61とする(図13(D))。また、外部に露出している外部端子4Bに半田からなる外部電極69を形成することができる(図13(E))。これにより、BGA(Ball Grid Array)タイプの半導体装置となっている。
【0057】
図3および図4に示される回路部材を用いても、上記と同様に本発明の樹脂封止型半導体装置を作製することができる。
尚、上述の樹脂封止型半導体装置1における端子数、端子配列等は例示であり、本発明がこれに限定されないことは勿論である。
【0058】
樹脂封止型半導体装置
次に、図5および図6に示される本発明の回路部材11を用いた樹脂封止型半導体装置について図14を参照しながら説明する。
【0059】
まず、本発明の回路部材11のダイパッド13上に半導体素子75を電気絶縁性の両面接着テープ76を用いて搭載する(図14(A))。
【0060】
次いで、搭載した半導体素子75の端子75aと、回路部材11の端子部14の内部端子14Aとを、ワイヤ77で電気的に接続する(図14(B))。
【0061】
次に、外部端子14Bと樹脂部材15の裏面15Bを外部に露出させるようにして、ダイパッド13、端子部14、樹脂部材15、半導体素子75およびワイヤ77を封止部材78で封止する(図14(C))。
【0062】
次いで、回路部材11の外枠部材12を除去して、本発明の半導体装置71とする(図14(D))。また、外部に露出している外部端子14Bに半田からなる外部電極79を形成することができる(図14(E))。これにより、BGA(Ball Grid Array)タイプの半導体装置となっている。
【0063】
図7および図8に示される回路部材を用いても、上記と同様に本発明の樹脂封止型半導体装置を作製することができる。
尚、上述の樹脂封止型半導体装置1における端子数、端子配列等は例示であり、本発明がこれに限定されないことは勿論である。
【0064】
【実施例】
次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
【0065】
回路部材の作製
導電性基板として厚み0.125mmの銅合金板(古河電気工業(株)製EFTEC64T−1/2H)を準備し、脱脂処理、洗浄処理を行った後、この銅合金板の両面に紫外線硬化型レジスト(東京応化工業(株)製OFPR1305)を掛け流し法により塗布して乾燥した。次いで、表面側および裏面側のレジスト層をそれぞれ所定のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターンを形成した。次に、裏面を耐エッチング性をもつフィルム(日立化成(株)製ヒタレックス)で被覆し、その後、銅合金板の両面から塩化第二鉄水溶液を使用してスプレーエッチングを行った。このエッチングは、銅合金板の厚み方向で貫通しない程度とした。次いで、洗浄後、有機アルカリ溶液を用いて表面側のレジストパターンを剥離除去した。これにより、ダイパッドと、内部端子を表面にもつ複数の端子部と、これらの外側に位置する外枠部材とを、裏面側で連結した状態で備える外形加工部材が得られた。
【0066】
次に、上記の外形加工部材の表面側の外枠部材を除いた領域に、熱硬化型ポリイミドペースト330(宇部興産(株)製)をスクリーン印刷法に塗布(厚み50μm)し、熱硬化して樹脂層を形成した。
【0067】
次いで、上記の樹脂層のうち、各端子部の内部端子に相当する位置にレーザーを照射して、直径0.25mmの開口を形成することにより、内部端子を露出させた。
【0068】
次に、樹脂層を覆うように上記と同じ耐エッチング性フィルムを外形加工部材の表面に重ね、また、裏面側を覆っている耐エッチング性フィルムを剥離した。その後、裏面側のレジストパターンを耐腐蝕膜として銅合金板の裏面側からエッチングを行った。次いで、洗浄後、有機アルカリ溶液を用いて裏面側のレジストパターンを剥離除去するとともに、表面側の耐エッチング性フィルムを剥離除去して、本発明の回路部材を得た。さらに、この回路部材の内部端子面と外部端子面に金めっき層(厚み約5μm)を形成した。
【0069】
樹脂封止型半導体装置の作製
上述のように作製した本発明の回路部材のダイパッドを覆う樹脂部材(ポリイミド樹脂)上に、ダイアタッチ剤(エイブルスティック(株)製 エイブルボンド8390)を用いて半導体素子(厚み約0.25mm)の回路形成面の反対側を圧着して搭載した。
【0070】
次いで、回路部材の内部端子上の金めっき層と、搭載した半導体素子の端子とを金ワイヤー(田中電子工業(株)製 FA−30)により結線した。その後、外部端子面を外部に露出させるようにして、端子部、ダイパッド、半導体素子および金ワイヤーを樹脂材料(日東電工(株)製MP−7400)で封止した。
【0071】
次に、回路部材の外枠部材をプレスにより除去し、外部に露出している外部端子に半田からなるボール(直径0.3mm)を固着して外部電極を形成した。
【0072】
このようにして作製した樹脂封止型半導体装置は外部電極数が60ピンであり、その外形寸法は5mm四方と小型であり、非常に小型の樹脂封止型半導体装置が実現できた。
【0073】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば回路部材にリードの引き回しがないので半導体素子の占有率が高くなり小型化が可能となって回路基板への実装密度を向上させることができ、また、回路部材に設けられている樹脂部材により回路部材が補強されているので、微細化による回路部材の変形が防止され、さらに、外部端子に外部電極を形成することにより、BGA(Ball Grid Array)タイプの半導体装置が可能となり、本発明の樹脂封止型半導体装置は実装作業性、ショート防止性が向上するとともにさらに、多ピン化への対応が可能となり、本発明の回路部材は、本発明の製造方法により簡便に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路部材の一実施形態を示す平面図である。
【図2】図1に示される回路部材のA−A線における縦断面図である。
【図3】本発明の回路部材の他の実施形態を示す縦断面図である。
【図4】本発明の回路部材の他の実施形態を示す縦断面図である。
【図5】本発明の回路部材の他の実施形態を示す平面図である。
【図6】図5に示される回路部材のB−B線における縦断面図である。
【図7】本発明の回路部材の他の実施形態を示す縦断面図である。
【図8】本発明の回路部材の他の実施形態を示す縦断面図である。
【図9】本発明の回路部材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図10】本発明の回路部材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図11】本発明の回路部材の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図12】本発明の回路部材の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図13】本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施形態を説明するための製造工程図である。
【図14】本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態を説明するための製造工程図である。
【符号の説明】
1,11…回路部材
2,12…外枠部材
3,13…ダイパッド
4,14…端子部
4A,14A…内部端子
4B,14B…外部端子
5,15…樹脂部材
24A…内部端子
44B…外部端子
21,41…導電性基板
21′,41′…外形加工部材
25,45…樹脂層
61,71…樹脂封止型半導体装置
65,75…半導体素子
65a,75a…端子
67,77…ワイヤ
68,78…封止部材
69,79…外部電極
Claims (4)
- 樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法において、
(A)導電性基板の裏面を耐エッチング性のフィルムで被覆し表面をエッチングして、表面側に内部端子を裏面側に外部端子を表裏一体的に有する複数の端子部と、ダイパッドと、前記端子部と前記ダイパッドの外側に位置する外枠部材とを、裏面側で連結された状態で備える外形加工部材を作成する第1の工程と、
(B)前記外形加工部材のエッチングがなされた表面側に電気絶縁性の樹脂層を設ける第2の工程と、
(C)各端子部の内部端子面を露出させるように前記樹脂層をレーザー照射により除去し、その後、前記樹脂層を覆うように前記外形加工部材の表面を耐エッチング性のフィルムで被覆するとともに、前記外形加工部材の裏面を被覆している耐エッチング性の前記フィルムを取り去り、前記外形加工部材の裏面をエッチングして外枠部材と各端子部とダイパッドとを電気的に独立させる第3の工程と、を備えることを特徴とする回路部材の製造方法。 - 樹脂封止型半導体装置用の回路部材の製造方法において、
(A)導電性基板の表面を耐エッチング性のフィルムで被覆し裏面をエッチングして、表面側に内部端子を裏面側に外部端子を表裏一体的に有する複数の端子部と、ダイパッドと、前記端子部と前記ダイパッドの外側に位置する外枠部材とを、表面側で連結された状態で備える外形加工部材を作成する第1の工程と、
(B)前記外形加工部材のエッチングがなされた裏面側に電気絶縁性の樹脂層を設ける第2の工程と、
(C)各端子部の外部端子面を露出させるように前記樹脂層をレーザー照射により除去し、その後、前記樹脂層を覆うように前記外形加工部材の裏面を耐エッチング性のフィルムで被覆するとともに、前記外形加工部材の表面を被覆している耐エッチング性の前記フィルムを取り去り、前記外形加工部材の表面をエッチングして外枠部材と各端子部とダイパッドとを電気的に独立させる第3の工程と、を備えることを特徴とする回路部材の製造方法。 - 内部端子面に貴金属めっき層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路部材の製造方法。
- 外部端子面に半田からなる外部電極部材を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の回路部材の製造方法。
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