JP2005093616A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体チップ１が搭載されたチップ搭載部である絶縁性部材３ｓと、絶縁性部材３ｓの周囲に並んで配置された複数の端子３ａと、隣接する端子３ａ間に配置された絶縁性樹脂３ｂと、半導体チップ１の電極とこれに対応する端子３ａとを電気的に接続する複数の導電性のワイヤ４と、半導体チップ１と複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体６とを有し、前記チップ搭載部である絶縁性部材３ｓと各端子３ａの周囲に埋め込まれた絶縁性樹脂３ｂとが同一の樹脂で一体に形成されており、前記チップ搭載部に金属板が配置されていないことにより、半導体チップ１の上下の樹脂のバランスを良くすることができる。
【選択図】 図２２

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、フレーム体を用いて組み立てられる半導体装置およびその製造方法に適用して有効な技術に関する。

従来、リードフレームをエッチングすることにより外部接続端子を形成する半導体装置の製造工程では、リードフレームを形成するリードフレーム形成工程、端子間樹脂を充填する端子間樹脂充填工程、半導体素子を搭載する半導体素子搭載工程、封止樹脂を形成する樹脂封止工程、リードフレームにエッチング処理を行うことにより柱状端子および枠体部を分離させるエッチング工程を有している（例えば、特許文献１参照）。
特開平９−１６２３４２号公報（図３）

本発明者は、組み立て後にリードフレームを加工（研磨やエッチングなど）して外部端子を形成する半導体装置の製造工程について検討した結果、以下のような問題点を見い出した。

すなわち、組み立て後にリードフレームを研磨して外部端子を独立・形成する方法においては、リードフレームが反っていると研磨箇所によって研磨量に差が生じて研磨量がばらつくという問題が起こる。

また、組み立て後にリードフレームをエッチング加工して外部端子を独立・形成する方法では、ダイボンディング、ワイヤボンディングおよび樹脂モールディングなどの種々の組み立て工程を経た後にエッチング加工となるため、エッチング加工時に、リードフレームの裏面にゴミなどの異物が付着していることがあり、エッチング不良を引き起こすことが問題である。

その結果、半導体装置の信頼性の低下が問題となる。

本発明の目的は、信頼性の向上を図る半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

さらに、本発明のその他の目的は、製造コストの低減化を図る半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、本発明は、半導体チップが搭載されたチップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に並んで配置された複数の端子と、隣接する前記端子間に配置された絶縁性樹脂と、前記半導体チップの電極とこれに対応する前記端子とを電気的に接続する複数の導電性のワイヤと、前記半導体チップと前記複数のワイヤを樹脂封止する封止体とを有し、前記半導体チップの主面と反対側の裏面が絶縁性部材によって覆われており、前記チップ搭載部に金属板が配置されていないものである。

また、本発明は、複数の端子が独立して設けられており、前記複数の端子が絶縁性樹脂によって連結されたフレーム体を準備する工程と、前記フレーム体のチップ搭載部に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの電極とこれに対応する前記端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂封止する工程とを有するものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

複数の端子が独立して設けられ、かつ複数の端子が絶縁性樹脂によって連結されたフレーム体を準備し、このフレーム体を用いて半導体装置を組み立てることにより、組み立て後の外部端子形成のためのフレーム研磨やエッチング加工を行わなくて済むため、フレーム反りに起因する信頼性低下やエッチング不良の発生を防ぐことができ、製品の信頼性の向上を図ることができる。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

［実施の形態１］
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２は図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図３は図１の半導体装置の構造の一例を示す底面図、図４は図２に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図５は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム基材の構造の一例を示す側面図、図６は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における凹部形成時の構造の一例を示す断面図、図７は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における樹脂充填時の構造の一例を示す断面図、図８は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における端子部めっき時の構造の一例を示す断面図、図９は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去時の構造の一例を示す断面図、図１０は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム完成時の構造の一例を示す断面図、図１１は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるリードフレーム準備時の構造の一例を示す断面図、図１２は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング時の構造の一例を示す断面図、図１３は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す断面図、図１４は図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング時の構造の一例を示す断面図、図１５は図１に示す半導体装置の組み立てにおける外装めっき塗布時の構造の一例を示す断面図、図１６は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるパッケージ個片化時の構造の一例を示す断面図、図１７は図１に示す半導体装置の組み立てにおける組み立て完了時の構造の一例を示す断面図、図１８は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図である。

本実施の形態１の半導体装置は、半導体チップ１の周囲に複数の端子３ａが配置された樹脂封止形のものであり、複数の端子３ａが半導体装置の裏面７ａに整列して、かつ露出して配置されたＬＧＡ（Land Grid Array)７である。

図１〜図３に示す本実施の形態１のＬＧＡ７の構造について説明すると、半導体チップ１が搭載されたチップ搭載部であるタブ３ｆと、タブ３ｆの周囲に並んで配置された複数の端子３ａと、隣接する端子３ａ間に配置された絶縁性樹脂３ｂと、半導体チップ１のパッド（電極）１ａとこれに対応する端子３ａとを電気的に接続する複数の導電性のワイヤ４と、半導体チップ１と複数のワイヤ４を樹脂封止する封止体６とからなり、図３に示すようにタブ３ｆの裏面３ｈと複数の端子３ａの裏面３ｑがＬＧＡ７の裏面７ａに露出している。

さらに、タブ３ｆの外周部全周が絶縁性樹脂３ｂによって覆われている。

また、半導体チップ１は、ダイボンド材２を介してタブ３ｆの主面３ｇ上に搭載されている。ダイボンド材２は、導電性もしくは非導電性の接着材などである。

各ワイヤ４は、例えば、金線であり、この金線との接続を良好にするために、図４に示すように各端子３ａの主面３ｐには銀めっき３ｒが塗布されている。一方、各端子３ａの裏面３ｑには、Ｐｂ−Ｓｎなどからなる外装めっき３ｅが塗布されている。

また、封止体６は、エボキシ樹脂などの第１の樹脂によって形成されており、一方、タブ３ｆの外周部や各端子３ａ間に埋め込まれている絶縁性樹脂３ｂは、ポリイミド樹脂などの第２の樹脂によって形成されている。前記第２の樹脂である絶縁性樹脂３ｂは、前記第１の樹脂とは異なった樹脂であってもよいし、同じ樹脂であってもよい。

また、タブ３ｆには、その側面のいずれか一部に、主面３ｇから裏面３ｈに亘って形成された切り欠き部であるインデックス３ｍが形成されており、ＬＧＡ組み立て後においてもＬＧＡ７の裏面７ａを確認することにより、一目でＬＧＡ７の方向が分かるようになっている。

次に、本実施の形態１の半導体装置（ＬＧＡ７）の製造方法について説明する。

まず、図１１に示す薄板状のフレーム体であるリードフレーム３を準備する。リードフレーム３は、例えば、図１０に示すように銅合金や鉄合金からなるフレーム本体部３ｉと、絶縁性樹脂３ｂとからなる。図１８に示すように、リードフレーム３には、１つのＬＧＡ７に対応した領域であるデバイス領域３ｎが複数個マトリクス配置で形成されており、各デバイス領域３ｎにはタブ３ｆと複数の端子３ａとこれらの間に埋め込まれた絶縁性樹脂３ｂ（斜線部）とが配置されている。具体的には、各デバイス領域３ｎには、そのほぼ中央部にタブ３ｆが配置され、かつタブ３ｆの周囲に２列で複数の端子３ａが並んで配置されており、隣接する端子３ａ間および端子３ａとタブ３ｆとの間に絶縁性樹脂３ｂ（斜線部）が埋め込まれている。

したがって、各デバイス領域３ｎでは、複数の端子３ａそれぞれが独立して設けられており、各端子３ａの周囲には絶縁性樹脂３ｂが配置されているため、それぞれの端子３ａは絶縁性樹脂３ｂによって絶縁された状態で連結されている。

ここで、本実施の形態１のリードフレーム（フレーム体）３の製造方法について説明する。

まず、図５に示すように薄板状のフレーム基材３ｃを準備する。フレーム基材３ｃは、銅合金または鉄合金などからなるものである。

その後、図６に示すようにフレーム基材３ｃの一方の面をエッチング加工またはプレス加工により削って凹部３ｄを形成する。すなわち、各デバイス領域３ｎにおいてタブ３ｆと各端子３ａに相当する箇所が残留するようにそれぞれの周囲を削る加工を施す。エッチング加工の場合には、残したい箇所にマスキングを施し、この状態でエッチング液に浸す、もしくはエッチング液の噴霧を行って凹部３ｄを形成する。

その後、図７に示すように、凹部３ｄへの樹脂充填を行う。ここでは、例えば、ポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂（第２の樹脂）３ｂを凹部３ｄに充填する。その際、凹部３ｄに対して上方から絶縁性樹脂３ｂを滴下することにより充填してもよいし、スキージなどを用いた印刷方法で押し広げて充填してもよい。

なお、絶縁性樹脂３ｂとしては、封止体６を形成する第１の樹脂と同じエポキシ樹脂などを用いてもよい。

その後、図８に示すように、各端子３ａの内部面に相当する主面３ｐにワイヤ接続用の銀めっき３ｒを施す。ただし、銀めっき３ｒに限定されるものではなく、金線などのワイヤ４と接続可能なめっきであれば、金めっきやパラジウムめっきなどであってもよい。めっき形成の際には、めっき箇所のみ開口させた絶縁性のマスクを貼り付けて銀めっき３ｒなどのめっきを無電解めっきによって形成する。また、前記めっき工程について、絶縁性のマスクなどを用いずに、絶縁性樹脂３ｂをマスクとして、各端子３ａの露出する部分にめっきを施してもよい。

その後、所望箇所のエッチングまたは研磨を行って、各端子３ａを独立させる。ここでは、図９に示すように、フレーム本体部３ｉの外周部の枠部３ｊのみをマスクし、枠部３ｊの内側領域全体をエッチングもしくは研磨して所望の厚さ削る（除去する）。すなわち、斜線部分のエッチング範囲３ｋを削ることにより、各端子３ａを独立させることができるとともに、リードフレーム３の外周部に端子３ａより厚さの厚い枠部３ｊを形成することができる。

なお、エッチングの際には、前記めっきを形成した面を含めて残留させる箇所にマスクを付けた状態で、エッチング液に浸して削る。すなわち、図９では、エッチング範囲３ｋ以外の全ての領域にマスクを付けてエッチング液に浸す。ただし、シャワー状にエッチング液を噴霧して除去してもよい。

これによって、図１０に示すように、各端子３ａを独立させることができ、かつ外周部の枠部３ｊを各端子３ａより厚く形成したリードフレーム３を形成することができる。このようなリードフレーム３では、外周部の枠部３ｊが各端子３ａより厚いため、リードフレーム３の剛性を高めることができ、その強度を向上させることができる。その結果、半導体装置の組み立て工程でのリードフレーム３の変形を低減することができる。

以上のような製造方法で形成した図１０または図１１に示すリードフレーム（フレーム体）３を準備し、このリードフレーム３を用いて半導体装置であるＬＧＡ７を組み立てる。

リードフレーム３を準備した後、図１２に示すダイボンディングを行う。

ここでは、リードフレーム３のチップ搭載部であるタブ３ｆの主面３ｇにダイボンド材２を介して半導体チップ１を搭載する。

その後、図１３に示すワイヤボンディングを行う。すなわち、半導体チップ１の電極であるパッド１ａと、これに対応する端子３ａとをワイヤ４によって電気的に接続する。

その後、図１４に示すように樹脂モールディングを行う。ここでは、第１の樹脂であるエポキシ樹脂などの封止用樹脂を用いて、それぞれに半導体チップ１が搭載された複数のデバイス領域３ｎを一括で樹脂封止して一括封止体５を形成する。

その後、図１５に示すように、一括封止体５が形成されたリードフレーム３の表裏を反転させ、各端子３ａの外部面である裏面３ｑにＰｂ−Ｓｎなどの外装めっき３ｅを形成する。

その後、図１６に示すように一括封止体５の表面に固定テープ８を貼り付け、ダイシング用のブレード９によって切断し、図１７に示すように個片化する。なお、個片化は、レーザなどで行ってもよく、その際、固定テープ８は貼り付けなくてもよい。

本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、複数の端子３ａがそれぞれ独立して設けられるとともに、それらの端子３ａそれぞれがその周囲に配置された絶縁性樹脂３ｂによって連結されたリードフレーム（フレーム体）３を予め準備し、このリードフレーム３を用いて半導体装置（ＬＧＡ７）を組み立てることにより、樹脂モールディング後に外部端子形成のためのフレーム研磨やエッチング加工を行わなくて済むため、フレーム反りに起因する信頼性低下やエッチング不良の発生を防ぐことができる。

その結果、製品（半導体装置）の信頼性の向上を図ることができる。

すなわち、リードフレーム３に反りが発生しておらず、かつ裏面３ｈ，３ｇに異物が付着する可能性のある、チップ搭載や樹脂モールド、個片化などの工程を施す前の段階で各端子３ａの独立を行うことにより、削り量（除去量）の安定化を図ることができる。したがって、各端子３ａの独立化をより確実に行うことができ、その結果、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。

また、外部端子形成を半導体装置の組み立て後ではなく、組み立て前に行うことにより、半導体装置そのものの組み立てを容易にすることができ、半導体装置の製造コストの低減化を図ることができる。

［実施の形態２］
図１９は本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２０は図１９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図２１は図１９の半導体装置の構造の一例を示す底面図、図２２は図２０に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図２３は図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム基材の構造の一例を示す側面図、図２４は図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における凹部形成時の構造の一例を示す断面図、図２５は図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における樹脂充填時の構造の一例を示す断面図、図２６は図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去時の構造の一例を示す断面図、図２７は図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における端子部めっき時の構造の一例を示す断面図と拡大部分断面図、図２８は図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム完成時の構造の一例を示す断面図である。

図１９〜図２１に示す本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１のＬＧＡ７と同様に半導体チップ１の周囲に複数の端子３ａが配置された樹脂封止形のものであり、複数の端子３ａが半導体装置の裏面１０ａに整列して、かつ露出して配置されたＬＧＡ１０である。なお、実施の形態１のＬＧＡ７と異なる点は、半導体チップ１の裏面１ｃ側に配置されたチップ搭載部が絶縁性部材３ｓによって形成されているとともに、前記チップ搭載部にはＬＧＡ７のタブ３ｆのような金属板が配置されていない構造のものであり、半導体チップ１は絶縁性部材３ｓ上にダイボンド材２を介して搭載されている。

つまり、ＬＧＡ１０では、チップ搭載部の絶縁性部材３ｓと、各端子３ａの周囲に埋め込まれた絶縁性樹脂３ｂとが、図２１に示すように、同一の樹脂で一体に形成されている。

さらに、半導体チップ１の主面１ｂと側面は、封止体６を形成する第１の樹脂によって覆われており、したがって、半導体チップ１は上下左右とも絶縁性の樹脂によって囲まれている。

また、図２２に示すように、各端子３ａの片方の面である裏面３ｑが絶縁性部材３ｓより外側に大きく突出しており、ＬＧＡ１０を実装基板などに実装する際のスタンドオフ（Ｈ）を十分に確保することができる。

本実施の形態２のＬＧＡ１０では、半導体チップ１が上下左右とも絶縁性の樹脂によって囲まれているため、半導体チップ１の上側と下側のレジンバランスが取り易い。これにより、ＬＧＡ１０の反りを低減することができるとともに、半導体チップ１が樹脂によって覆われているため、樹脂クラックの形成を低減できる。

さらに、チップ搭載部が絶縁性部材３ｓによって形成されており、チップ搭載部に金属板が配置されないため、チップ裏面を薄く形成することができ、ＬＧＡ１０の厚さを薄くすることが可能になる。

また、各端子３ａの裏面３ｑがＬＧＡ１０の裏面１０ａから突出しているため、スタンドオフ（Ｈ）を十分に確保することができ、ＬＧＡ１０の実装性の向上を図ることができる。

本実施の形態２のＬＧＡ１０のその他の構造は、実施の形態１のＬＧＡ７と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、ＬＧＡ１０の組み立てにおいて用いられるリードフレーム３の製造方法について説明する。

まず、図２３に示すように薄板状のフレーム基材３ｃを準備する。フレーム基材３ｃは、銅合金または鉄合金などからなるものである。

その後、図２４に示すようにフレーム基材３ｃの一方の面をエッチング加工またはプレス加工により削って凹部３ｄを形成する。すなわち、各端子３ａに相当する箇所が残留するように各端子３ａそれぞれの周囲を削る加工を施す。エッチング加工の場合には、残したい箇所にマスキングを施し、この状態でエッチング液に浸す、もしくはエッチング液の噴霧を行って凹部３ｄを形成する。

その後、図２５に示すように、凹部３ｄへの樹脂充填を行う。ここでは、例えば、ポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂（第２の樹脂）３ｂを凹部３ｄに充填する。なお、凹部３ｄに対して上方から絶縁性樹脂３ｂを滴下することにより充填してもよいし、スキージなどを用いた印刷方法で押し広げて充填してもよい。その際、各端子３ａのスタンドオフ（Ｈ）を十分に確保できるように絶縁性樹脂３ｂの凹部３ｄへの充填深さを調整する。例えば、端子３ａの厚さ（高さ）のうち、その１／２程度をスタンドオフ（Ｈ）として設けたい場合には、凹部３ｄの深さのうち１／２程度のところまで絶縁性樹脂３ｂを充填する。

なお、絶縁性樹脂３ｂとしては、封止体６を形成する第１の樹脂と同じエポキシ樹脂などを用いてもよい。また、絶縁性樹脂３ｂとして、硬化収縮する性質を持つ物を採用することにより、前記硬化収縮する性質を利用してスタンドオフを設けることもできる。この場合には、硬化収縮率と所望のスタンドオフ量との関係によって充填深さを調節すればよい。このような場合、例えば絶縁性樹脂３ｂを充填した段階では、凹部３ｄが絶縁性樹脂３ｂによって完全に充填されている場合ももちろんありうる。

その後、所望箇所のエッチングまたは研磨を行って、各端子３ａを独立させる。ここでは、図２６に示すように、フレーム本体部３ｉの端子突出側全面と側面とをマスクし、端子突出側の面と反対側の面の斜線部分のエッチング範囲３ｋをエッチング加工によって削る。もしくは研磨によって削る。

なお、エッチングの際には、残留させる箇所にマスクを付けた状態で、エッチング液に浸して削る。すなわち、図２６では、エッチング範囲３ｋ以外の全ての領域にマスクを付けてエッチング液に浸す。ただし、シャワー状にエッチング液を噴霧して除去してもよい。

その後、各端子３ａの内部面に相当する主面３ｐおよび外部面に相当する裏面３ｑに、図２７に示すようにめっきを施す。主面３ｐのめっきは、例えば、金、パラジウムまたは銀などであり、裏面３ｑのめっきは、例えば、金またはパラジウムなどである。なお、各端子３ａにおけるエッチングまたは研磨を行わなかった側の面を外部に露出する外部面とし、エッチング側の面を半導体チップ搭載側とすることにより、図２７の部分拡大図に示すように、各端子３ａのスタンドオフ（Ｈ）を十分に確保することができる。

これにより、図２８に示すように各端子３ａそれぞれの両面にめっき（銀めっき３ｒと外装めっき３ｅ）が施されたリードフレーム３を形成することができる。

以上の製造方法で形成した図２８に示すような複数の端子３ａそれぞれの片方の面が絶縁性樹脂３ｂより十分に突出し、かつ予め各端子３ａの両面にめっきが施されたリードフレーム（フレーム体）３を準備し、このリードフレーム３を用いて、前記突出した側の面を外部面として半導体装置であるＬＧＡ１０を組み立てる。

なお、リードフレーム準備後のＬＧＡ１０の組み立てについては、実施の形態１の組み立て手順と同様であるため、その重複説明は省略する。

［実施の形態３］
図２９は本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図３０は図２９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図３１は図２９の半導体装置の構造の一例を示す底面図、図３２は図３０に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図３３は図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム基材の構造の一例を示す側面図、図３４は図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における凹部形成時の構造の一例を示す断面図、図３５は図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における樹脂充填時の構造の一例を示す断面図、図３６は図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去時の構造の一例を示す断面図、図３７は図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去後の構造の一例を示す断面図と拡大部分断面図、図３８は図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における端子部めっき時の構造の一例を示す断面図である。

図２９〜図３１に示す本実施の形態３の半導体装置は、実施の形態１のＬＧＡ７と同様に半導体チップ１の周囲に複数の端子３ａが配置された樹脂封止形のものであり、複数の端子３ａが半導体装置の裏面１１ａに整列して、かつ露出して配置されたＬＧＡ１１である。なお、実施の形態１のＬＧＡ７と異なる点は、各端子３ａおよびタブ３ｆをプレス加工で形成したことにより、図３２に示すように各端子３ａおよびタブ３ｆの垂直方向の断面形状が逆さ台形となっていることである。

すなわち、図３２に示すように、ＬＧＡ１１における各端子３ａは、その封止体６内部に配置された内部面である主面３ｐの幅が、外部に露出した外部面である裏面３ｑの幅より大きく形成されており（Ｐ＞Ｑ）、主面３ｐにワイヤ４が接続されている。

さらに、タブ３ｆの封止体６内部に配置された主面３ｇは、外部に露出した裏面３ｈより大きく形成されている（Ｔ＞Ｕ）。

これにより、絶縁性樹脂３ｂによりその外周が囲まれたタブ３ｆおよび各端子３ａの垂直方向の断面形状が逆さ台形となるため、タブ３ｆや各端子３ａの引き抜き強度の向上を図ることができる。

本実施の形態３のＬＧＡ１１のその他の構造は、実施の形態１のＬＧＡ７と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、ＬＧＡ１１の組み立てにおいて用いられるリードフレーム３の製造方法について説明する。

まず、図３３に示すように薄板状のフレーム基材３ｃを準備する。フレーム基材３ｃは、銅合金または鉄合金などからなるものである。

その後、図３４に示すようにフレーム基材３ｃの一方の面をプレス加工により凹ませて凹部３ｄを形成する。その際、反対側の面にはそれぞれの凹部３ｄに対応した凸部３ｔが形成される。

すなわち、各端子３ａに相当する箇所の周囲を凹ませて凹部３ｄを形成する。

その後、図３５に示すように、凹部３ｄへの樹脂充填を行う。ここでは、例えば、ポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂（第２の樹脂）３ｂを凹部３ｄに充填する。なお、凹部３ｄに対して上方から絶縁性樹脂３ｂを滴下することにより充填してもよいし、スキージなどを用いた印刷方法で押し広げて充填してもよい。

その後、図３６に示すように凸部３ｔが形成された側の斜線部分のエッチング範囲３ｋをエッチング加工によって削る。もしくは研磨によって削る。

なお、エッチングの際には、残留させる箇所にマスクを付けた状態で、エッチング液に浸して削る。すなわち、図３６では、エッチング範囲３ｋ以外の全ての領域にマスクを付けてエッチング液に浸す。ただし、シャワー状にエッチング液を噴霧して除去してもよい。

これにより、各端子３ａおよびタブ３ｆが絶縁性樹脂３ｂによって囲まれるとともに、両面が平坦面となった図３７に示すリードフレーム３を形成できる。

その後、リードフレーム３の表裏を逆転させて、図３８に示すように、各端子３ａの垂直方向の断面形状において裏面３ｑより主面３ｐを幅広（Ｐ＞Ｑ）の主面３ｐ上にワイヤ接続用の銀めっき３ｒ（パラジウムめっきまたは金めっきなどでもよい）を施す。

これにより、タブ３ｆにおいても、チップ搭載側である主面３ｇ（Ｔ）とその反対側の裏面３ｈ（Ｕ）とで、Ｔ＞Ｕとなる。

その結果、各端子３ａの主面３ｐの幅が裏面３ｑの幅より大きく形成されるとともに、タブ３ｆの主面３ｇの幅が裏面３ｈより大きく形成され、さらに各端子３ａの主面３ｐ上にワイヤ接続用の銀めっき３ｒが施されたリードフレーム３を形成することができる。

以上のような製造方法で形成した図３８に示すリードフレーム（フレーム体）３を準備し、このリードフレーム３を用いて半導体装置であるＬＧＡ１１を組み立てる。

リードフレーム３の製造方法としては、上記のものに限らず、各端子３ａの垂直方向の断面形状において裏面３ｑより主面３ｐ幅広（Ｐ＞Ｑ）となり、かつ、タブ３ｆにおいても、チップ搭載側である主面３ｇ（Ｔ）とその反対側の裏面３ｈ（Ｕ）とで、Ｔ＞Ｕとなる形状のリードフレーム３を形成する手段として、エッチングなどの技術を用いてもよい。

また、端子３ａの引き抜き強度を向上する手段として、端子３ａの側面を租面化してもよいし、端子３ａの垂直方向の断面形状において裏面３ｑより主面３ｐを幅広（Ｐ＞Ｑ）にする構造と併せて適用してもよい。

なお、リードフレーム準備後のＬＧＡ１１の組み立てについては、実施の形態１の組み立て手順と同様であるため、その重複説明は省略する。

［実施の形態４］
図３９は本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図４０は図３９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図４１は図３９の半導体装置の構造の一例を示す底面図と拡大部分底面図、図４２は図４０に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図４３は本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図４４は図４３に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図４５は図４３の半導体装置の構造の一例を示す底面図、図４６は図４４に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図４７は図４５に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す拡大部分断面図、図４８は本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図４９は図４８に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図５０は図４８の半導体装置の構造の一例を示す底面図、図５１は図４９に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図５２は本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図５３は図５２に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図５４は図５２に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す断面図、図５５は図５２の半導体装置の構造の一例を示す底面図、図５６は図５３に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図５７は図５４に示す断面の構造を示す拡大部分断面図、図５８は本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図５９は図５８に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図６０は本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図６１は図６０に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。

図３９〜図４２に示す本実施の形態４の半導体装置は、実施の形態１のＬＧＡ７と同様に半導体チップ１の周囲に複数の端子３ａが配置された樹脂封止形のものであり、複数の端子３ａが半導体装置の裏面１２ａに整列して、かつ露出して配置されたＬＧＡ１２である。なお、実施の形態１のＬＧＡ７と異なる点は、図４１に示すように、タブ３ｆの側面全体に凹凸部３ｕが形成されており、かつ図４１の拡大図に示すように、チップ搭載部であるタブ３ｆの４つの角部のうちの所定の１つの角部にインデックス（貫通孔）３ｖが設けられているものである。

すなわち、タブ３ｆの側面全体に凹凸部３ｕが形成されていることにより、タブ３ｆの水平方向に対するタブ３ｆとその周囲の絶縁性樹脂３ｂとの接合力が高まり、その結果、タブ３ｆを剥がれにくくしてタブ３ｆの剥離の発生を防ぐことができる。

さらに、タブ３ｆの所定の１つの角部にインデックス（貫通孔）３ｖが設けられていることにより、ＬＧＡ１２の方向性を明確にすることができ、ＬＧＡ１２の基板実装時の実装不良を低減することができる。

本実施の形態４のＬＧＡ１２のその他の構造と、ＬＧＡ１２の組み立てについては、実施の形態１のＬＧＡ７と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、図４３〜図４６に示す本実施の形態４の変形例の半導体装置は、図３９〜図４２に示す半導体装置とほぼ同様の構造のＬＧＡ１２であるが、図４３〜図４６に示すＬＧＡ１２には、図４５に示すように、その４つの角部に端子３ａより大きな角部端子３ｗが配置されており、さらに４つの角部端子３ｗのうちの何れか１つにインデックス（貫通孔）３ｖが形成されている。

角部端子３ｗは、基板実装時の補強用端子でもあり、半田接続の面積を大きくして実装の信頼性を高めることができ、加えて、図４７の部分断面図に示すように、何れか１つの角部端子３ｗにインデックス３ｖが設けられているため、ＬＧＡ１２の方向性を明確にすることができ、ＬＧＡ１２の基板実装時の実装不良を低減することができる。

本実施の形態４の図４３〜図４６に示す変形例のＬＧＡ１２のその他の構造と、このＬＧＡ１２の組み立てについては、本実施の形態４の図３９〜図４２に示すＬＧＡ１２と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、図４８〜図５１に示す本実施の形態４の変形例の半導体装置は、図３９〜図４２に示す半導体装置とほぼ同様の構造のＬＧＡ１２であるが、図４８〜図５１に示すＬＧＡ１２は、図５０に示すように、裏面１２ａの４つの角部に何れか１箇所にインデックス用端子３ｘが配置されている。

これにより、ＬＧＡ１２の方向性を明確にすることができ、ＬＧＡ１２の基板実装時の実装不良を低減することができる。インデックス用端子３ｘの形状については、ＬＧＡ１２の方向性を確認できるものであればよく、上記形状に限らない。

本実施の形態４の図４８〜図５１に示す変形例のＬＧＡ１２のその他の構造と、このＬＧＡ１２の組み立てについては、本実施の形態４の図３９〜図４２に示すＬＧＡ１２と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、図５２〜図５７に示す本実施の形態４の変形例の半導体装置は、図３９〜図４２に示す半導体装置とほぼ同様の構造のＬＧＡ１２であるが、図５２〜図５７に示すＬＧＡ１２は、図５６および図５７に示すように、タブ３ｆの主面３ｇの周縁部に２種類の凹みである第１周縁凹部３ｙと第２周縁凹部３ｚが設けられているものである。

したがって、タブ３ｆの主面３ｇに第１周縁凹部３ｙと第２周縁凹部３ｚが設けられていることにより、タブ３ｆの垂直方向に対するタブ３ｆと絶縁性樹脂３ｂとの接合力を高めることができ、その結果、タブ３ｆを剥がれにくくしてタブ３ｆの剥離の発生を防ぐことができる。

本実施の形態４の図５２〜図５７に示す変形例のＬＧＡ１２のその他の構造と、このＬＧＡ１２の組み立てについては、本実施の形態１の図１〜図４に示すＬＧＡ７と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、図５８および図５９に示す本実施の形態４の変形例の半導体装置は、図５２〜図５７に示す半導体装置とほぼ同様の構造のＬＧＡ１２であるが、図５８および図５９に示すＬＧＡ１２は、タブ３ｆの主面３ｇの周縁部にリング状凹部１３ａが設けられているものである。

すなわち、タブ３ｆの主面３ｇの半導体チップ１が搭載される領域の外側に凹部が設けられていることにより、レジンとタブの接着面積が拡大し、タブ３ｆの垂直方向に対するタブ３ｆと絶縁性樹脂３ｂとの接合力を高めることができ、その結果、タブ３ｆを剥がれにくくしてタブ３ｆの剥離の発生を防ぐことができる。

本実施の形態４の図５８および図５９に示す変形例のＬＧＡ１２のその他の構造と、このＬＧＡ１２の組み立てについては、本実施の形態１の図１〜図４に示すＬＧＡ７と同様であるため、その重複説明は省略する。

次に、図６０および図６１に示す本実施の形態４の変形例の半導体装置は、図５２〜図５７に示す半導体装置とほぼ同様の構造のＬＧＡ１２であるが、図６０および図６１に示すＬＧＡ１２は、タブ３ｆの主面３ｇの周縁部にリング状凸部１３ｂが設けられているものである。

すなわち、タブ３ｆの主面３ｇにリング状凸部１３ｂが設けられていることにより、タブ３ｆの垂直方向に対するタブ３ｆと絶縁性樹脂３ｂとの接合力を高めることができ、その結果、タブ３ｆを剥がれにくくしてタブ３ｆの剥離の発生を防ぐことができる。また、図６０および図６１の構造においては、端子３ａのワイヤ４が接続する面よりも、タブ３ｆのチップが搭載する面が低くなっているため、ＬＧＡ１２をより薄型化する上で有利である。

本実施の形態４の図６０および図６１に示す変形例のＬＧＡ１２のその他の構造と、このＬＧＡ１２の組み立てについては、本実施の形態１の図１〜図４に示すＬＧＡ７と同様であるため、その重複説明は省略する。

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態１〜４では、半導体装置（ＬＧＡ）の端子の配列として、半導体チップの周囲に２列で並んで配列されている場合を説明したが、前記端子の配列は、１列であってもよく、あるいは３列以上の複数列であってもよい。

本発明は、リード（端子）を有した半導体装置およびその製造方法に好適である。

本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。 図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図１の半導体装置の構造の一例を示す底面図である。 図２に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム基材の構造の一例を示す側面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における凹部形成時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における樹脂充填時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における端子部めっき時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム完成時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおけるリードフレーム準備時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂モールディング時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおける外装めっき塗布時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおけるパッケージ個片化時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てにおける組み立て完了時の構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。 図１９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図１９の半導体装置の構造の一例を示す底面図である。 図２０に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム基材の構造の一例を示す側面図である。 図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における凹部形成時の構造の一例を示す断面図である。 図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における樹脂充填時の構造の一例を示す断面図である。 図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去時の構造の一例を示す断面図である。 図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における端子部めっき時の構造の一例を示す断面図と拡大部分断面図である。 図１９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム完成時の構造の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。 図２９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図２９の半導体装置の構造の一例を示す底面図である。 図３０に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム基材の構造の一例を示す側面図である。 図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における凹部形成時の構造の一例を示す断面図である。 図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における樹脂充填時の構造の一例を示す断面図である。 図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去時の構造の一例を示す断面図である。 図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造におけるフレーム裏面除去後の構造の一例を示す断面図と拡大部分断面図である。 図２９に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの製造における端子部めっき時の構造の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。 図３９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図３９の半導体装置の構造の一例を示す底面図と拡大部分底面図である。 図４０に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 図４３に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図４３の半導体装置の構造の一例を示す底面図である。 図４４に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 図４５に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す拡大部分断面図である。 本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 図４８に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図４８の半導体装置の構造の一例を示す底面図である。 図４９に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 図５２に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図５２に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 図５２の半導体装置の構造の一例を示す底面図である。 図５３に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 図５４に示す断面の構造を示す拡大部分断面図である。 本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 図５８に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態４の変形例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 図６０に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。

符号の説明

１ 半導体チップ
１ａ パッド（電極）
１ｂ 主面
１ｃ 裏面
２ ダイボンド材
３ リードフレーム（フレーム体）
３ａ 端子
３ｂ 絶縁性樹脂（第２の樹脂）
３ｃ フレーム基材
３ｄ 凹部
３ｅ 外装めっき
３ｆ タブ（チップ搭載部）
３ｇ 主面
３ｈ 裏面
３ｉ フレーム本体部
３ｊ 枠部
３ｋ エッチング範囲
３ｍ インデックス（切り欠き）
３ｎ デバイス領域
３ｐ 主面（内部面）
３ｑ 裏面（外部面）
３ｒ 銀めっき
３ｓ 絶縁性部材
３ｔ 凸部
３ｕ 凹凸部
３ｖ インデックス（貫通孔）
３ｗ 角部端子
３ｘ インデックス用端子
３ｙ 第１周縁凹部
３ｚ 第２周縁凹部
４ ワイヤ
５ 一括封止体
６ 封止体（第１の樹脂）
７ ＬＧＡ（半導体装置）
７ａ 裏面
８ 固定テープ
９ ブレード
１０ ＬＧＡ（半導体装置）
１０ａ 裏面
１１ ＬＧＡ（半導体装置）
１１ａ 裏面
１２ ＬＧＡ（半導体装置）
１２ａ 裏面
１３ａ リング状凹部
１３ｂ リング状凸部

Claims (17)

1. 半導体チップが搭載されたチップ搭載部と、
   前記チップ搭載部の周囲に並んで配置された複数の端子と、
   隣接する前記端子間に配置された絶縁性樹脂と、
   前記半導体チップの電極とこれに対応する前記端子とを電気的に接続する複数の導電性のワイヤと、
   前記半導体チップと前記複数の導電性のワイヤを樹脂封止する封止体とを有し、
   前記半導体チップの主面と反対側の裏面が絶縁性部材によって覆われており、前記チップ搭載部に金属板が配置されていないことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップがダイボンド材を介して前記チップ搭載部上に搭載され、前記チップ搭載部は絶縁性部材からなることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１記載の半導体装置において、前記端子は、その封止体内部に配置された内部面の幅が外部に露出した外部面の幅より大きく形成されており、前記内部面に前記ワイヤが接続されていることを特徴とする半導体装置。
4. 主面に半導体チップが搭載されたチップ搭載部であるタブと、
   前記タブの周囲に並んで配置された複数の端子と、
   前記タブの周囲および隣接する前記端子間に配置された絶縁性樹脂と、
   前記半導体チップの電極とこれに対応する前記端子とを電気的に接続する複数の導電性のワイヤと、
   前記半導体チップと前記複数の導電性のワイヤを樹脂封止する封止体とを有し、
   前記タブの主面と反対側の裏面が外部に露出しており、前記タブの封止体内部に配置された前記主面は、外部に露出した前記裏面より大きく形成されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４記載の半導体装置において、前記絶縁性樹脂は、前記封止体を形成する第１の樹脂とは異なった第２の樹脂からなり、前記タブの外周部全周が前記第２の樹脂によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
6. （ａ）複数の端子が独立して設けられており、前記複数の端子が絶縁性樹脂によって連結されたフレーム体を準備する工程と、
   （ｂ）前記フレーム体のチップ搭載部に半導体チップを搭載する工程と、
   （ｃ）前記半導体チップの電極とこれに対応する前記端子とを電気的に接続する工程と、
   （ｄ）前記半導体チップを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの主面と反対側の裏面を絶縁性部材によって覆い、前記チップ搭載部には金属板を配置しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップがダイボンド材を介して前記チップ搭載部上に搭載され、前記チップ搭載部は絶縁性部材からなり、前記チップ搭載部には金属板を配置しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記端子は、その封止体内部に配置された内部面の幅が外部に露出した外部面の幅より大きく形成されており、前記内部面に前記ワイヤを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記端子を独立させる際に前記フレーム体のエッチング加工を施さなかった面を前記半導体装置の外部に露出する外部面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記フレーム体は、その外周部に前記端子より厚さが厚い枠部を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程において前記複数の端子それぞれの片方の面が前記絶縁性樹脂より突出した前記フレーム体を準備し、前記突出した面を前記半導体装置の外部に露出する外部面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程において、前記複数の端子それぞれの両面にめっきが施された前記フレーム体を準備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部がタブであり、前記タブの側面に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部がタブであり、前記タブの主面の周縁部に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記チップ搭載部がタブであり、前記タブの複数の角部のうちの何れか１箇所に貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の端子からなる端子列のうち、端部に前記端子より大きな角部端子が配置されており、複数の前記角部端子のうちの何れか１つに貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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