JPH0575009A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法Info
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- JPH0575009A JPH0575009A JP3237967A JP23796791A JPH0575009A JP H0575009 A JPH0575009 A JP H0575009A JP 3237967 A JP3237967 A JP 3237967A JP 23796791 A JP23796791 A JP 23796791A JP H0575009 A JPH0575009 A JP H0575009A
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- Japan
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- island
- semiconductor chip
- lead frame
- semiconductor device
- lead
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄形化，ファインピッチ化するインナーリー
ドの変形防止効果を向上と、半導体装置の薄形化への対
応及び接着剤の悪影響の排除並びに半導体チップのアイ
ランドへの位置合せ、固定性の向上を図ることを目的と
する。 【構成】 リードフレームに於いては、熱可塑性樹脂か
ら成るアイランド３をインナーリード４の側面に且つそ
の厚さ範囲内に接続支持し、半導体装置に於いては、こ
のリードフレームを用いる。更に半導体装置の製造方法
に於いては、アイランド３に半導体チップを熱圧着で固
定するようにした。
ドの変形防止効果を向上と、半導体装置の薄形化への対
応及び接着剤の悪影響の排除並びに半導体チップのアイ
ランドへの位置合せ、固定性の向上を図ることを目的と
する。 【構成】 リードフレームに於いては、熱可塑性樹脂か
ら成るアイランド３をインナーリード４の側面に且つそ
の厚さ範囲内に接続支持し、半導体装置に於いては、こ
のリードフレームを用いる。更に半導体装置の製造方法
に於いては、アイランド３に半導体チップを熱圧着で固
定するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム及びそ
れを用いた樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関す
る。
れを用いた樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置及びそれに
用いるリードフレームは、例えば特開昭５９−１７５７
５３号公報に示されるものがあり、図２及び図３を用い
て以下説明する。
用いるリードフレームは、例えば特開昭５９−１７５７
５３号公報に示されるものがあり、図２及び図３を用い
て以下説明する。
【０００３】図２は従来のリードフレームの断面図、図
３は図２のリードフレームを用いた従来の半導体装置の
断面図であり、同一部分には同一符号を付した。
３は図２のリードフレームを用いた従来の半導体装置の
断面図であり、同一部分には同一符号を付した。
【０００４】これらの図に示すように、リードフレーム
１１は半導体チップ１２が固定される内側領域１３を囲
み複数本のインナーリード１４が配置され、各インナー
リード１４の外側に延在してアウターリード１５が配置
される。また、内側領域１３から各インナーリード１４
に及ぶ範囲に各インナーリード１４の下面に接着支持さ
れる樹脂テープから成るアイランド１６が配置される。
１１は半導体チップ１２が固定される内側領域１３を囲
み複数本のインナーリード１４が配置され、各インナー
リード１４の外側に延在してアウターリード１５が配置
される。また、内側領域１３から各インナーリード１４
に及ぶ範囲に各インナーリード１４の下面に接着支持さ
れる樹脂テープから成るアイランド１６が配置される。
【０００５】半導体装置１７は、このリードフレーム１
１のアイランド１６上に半導体チップ１２が接着剤１８
を介し固定されると共にその半導体チップ１２と各イン
ナーリード１４とが夫々ワイヤ１９によって電気的に接
続され半導体チップ１２とワイヤ１９とが樹脂２０によ
って封止される。アウターリード１５は樹脂２０より露
出され、図示しない外部機器と電気的接続されると共
に、半導体装置のタイプによって必要に応じ部分的に折
り曲げられる。
１のアイランド１６上に半導体チップ１２が接着剤１８
を介し固定されると共にその半導体チップ１２と各イン
ナーリード１４とが夫々ワイヤ１９によって電気的に接
続され半導体チップ１２とワイヤ１９とが樹脂２０によ
って封止される。アウターリード１５は樹脂２０より露
出され、図示しない外部機器と電気的接続されると共
に、半導体装置のタイプによって必要に応じ部分的に折
り曲げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のリードフレームでは、各インナーリード同志がアイ
ランドの樹脂テープにより固定されるものの、インナー
リードの薄形化やファインピッチ化に伴ない、その変形
防止については技術的に満足できるものでなかった。
成のリードフレームでは、各インナーリード同志がアイ
ランドの樹脂テープにより固定されるものの、インナー
リードの薄形化やファインピッチ化に伴ない、その変形
防止については技術的に満足できるものでなかった。
【０００７】また、上記構成の半導体装置では、その本
体の薄形化に対し技術的に満足できるものでないと共
に、アイランドに半導体チップを固定する接着剤に含ま
れる不純物が水分と共にワイヤ、半導体チップに浸入し
それらの腐食性が大きくなっていた。更に、この半導体
装置の製造方法に於いては、接着剤により半導体チップ
をアイランドに固定するため、半導体チップは接着剤に
接した後位置合せのため移動すると接着剤が不均一とな
り確実な固定ができなかったという問題点があった。
体の薄形化に対し技術的に満足できるものでないと共
に、アイランドに半導体チップを固定する接着剤に含ま
れる不純物が水分と共にワイヤ、半導体チップに浸入し
それらの腐食性が大きくなっていた。更に、この半導体
装置の製造方法に於いては、接着剤により半導体チップ
をアイランドに固定するため、半導体チップは接着剤に
接した後位置合せのため移動すると接着剤が不均一とな
り確実な固定ができなかったという問題点があった。
【０００８】本発明は、以上述べたように、リードフレ
ームのインナーリード変形、半導体装置の薄形化と接着
剤によるワイヤ、半導体チップの腐食性増大、並びにそ
の製造に於ける半導体チップの位置合せ、固定性の問題
点を除去するため熱可塑性から成るアイランドをインナ
ーリードの側面に且つその厚さ範囲内に接続支持し、そ
の変形防止効果の高いリードフレームを提供すると共
に、そのリードフレームのアイランドに半導体チップを
固定し薄形化に対応した半導体装置を提供し、更に、熱
可塑性樹脂から成るアイランドに半導体チップを熱圧着
で固定し、半導体チップの位置合せ、固定性の良い半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ームのインナーリード変形、半導体装置の薄形化と接着
剤によるワイヤ、半導体チップの腐食性増大、並びにそ
の製造に於ける半導体チップの位置合せ、固定性の問題
点を除去するため熱可塑性から成るアイランドをインナ
ーリードの側面に且つその厚さ範囲内に接続支持し、そ
の変形防止効果の高いリードフレームを提供すると共
に、そのリードフレームのアイランドに半導体チップを
固定し薄形化に対応した半導体装置を提供し、更に、熱
可塑性樹脂から成るアイランドに半導体チップを熱圧着
で固定し、半導体チップの位置合せ、固定性の良い半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した目的
を達成するために、リードフレームに於いて、熱可塑性
樹脂から成るアイランドをインナーリードの側面に且つ
その厚さの範囲内に接続し、また半導体装置に於いてそ
のリードフレームを用い、更にその半導体装置の製造方
法に於いて、半導体チップをアイランドに熱圧着する。
を達成するために、リードフレームに於いて、熱可塑性
樹脂から成るアイランドをインナーリードの側面に且つ
その厚さの範囲内に接続し、また半導体装置に於いてそ
のリードフレームを用い、更にその半導体装置の製造方
法に於いて、半導体チップをアイランドに熱圧着する。
【００１０】
【作用】本発明によれば、リードフレームに於いて、ア
イランドを各インナーリードの側面で接着支持すること
により、各インナーリード間にアイランドの一部が配置
されるので、インナーリードの側面への変形が抑制され
る。
イランドを各インナーリードの側面で接着支持すること
により、各インナーリード間にアイランドの一部が配置
されるので、インナーリードの側面への変形が抑制され
る。
【００１１】又、半導体装置に於いて、インナーリード
の厚さの範囲内にアイランドが形成されることにより、
アイランドの厚さが本体の厚さに加算されない。更に、
半導体チップとアイランドとが熱圧着で固定されること
により、接着剤が不要となる。
の厚さの範囲内にアイランドが形成されることにより、
アイランドの厚さが本体の厚さに加算されない。更に、
半導体チップとアイランドとが熱圧着で固定されること
により、接着剤が不要となる。
【００１２】更に、半導体装置の製造方法に於いて、半
導体チップをアイランドに熱圧着して固定するので、半
導体チップをアイランドに搭載した後固定するまで移動
できる。
導体チップをアイランドに熱圧着して固定するので、半
導体チップをアイランドに搭載した後固定するまで移動
できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明の実施例を示すリードフレー
ムの要部斜視図、図４は図１のリードフレームを用いた
半導体装置の断面図であり、同一部分には同一符号を付
した。
ムの要部斜視図、図４は図１のリードフレームを用いた
半導体装置の断面図であり、同一部分には同一符号を付
した。
【００１５】図１，図４に示すようにリードフレーム１
は半導体チップ２が固定されるアイランド３を囲み複数
本のインナーリード４が配置され、各インナーリード４
の外側に延在してアウターリード５が配置される。
は半導体チップ２が固定されるアイランド３を囲み複数
本のインナーリード４が配置され、各インナーリード４
の外側に延在してアウターリード５が配置される。
【００１６】このアイランド３は熱変形温度が比較的低
く変形加工するに好適な例えばアクリル系樹脂，ポリプ
ロピレン，ポリエチレン等の樹脂板から成り、熱圧着に
より各インナーリード４に、その側面で且つその厚さ範
囲内で接続支持される。
く変形加工するに好適な例えばアクリル系樹脂，ポリプ
ロピレン，ポリエチレン等の樹脂板から成り、熱圧着に
より各インナーリード４に、その側面で且つその厚さ範
囲内で接続支持される。
【００１７】したがって、リードフレーム１は、アイラ
ンド３が各インナーリード４の厚さ範囲から突出するこ
とがなく、その取扱い例えば搬送，収納に好適である。
ンド３が各インナーリード４の厚さ範囲から突出するこ
とがなく、その取扱い例えば搬送，収納に好適である。
【００１８】またアイランド３が各インナーリード４間
に充填されることにより、各インナーリード４の側面へ
の変形が抑制される。
に充填されることにより、各インナーリード４の側面へ
の変形が抑制される。
【００１９】半導体装置６は、上述したリードフレーム
１のアイランド３上に半導体チップ２が固定され、且つ
各インナーリード４とワイヤ７により電気的接続され、
ワイヤ８と共に樹脂８により封止される。
１のアイランド３上に半導体チップ２が固定され、且つ
各インナーリード４とワイヤ７により電気的接続され、
ワイヤ８と共に樹脂８により封止される。
【００２０】アイランド３が各インナーリード４の厚さ
範囲内にあるので、アイランド３の厚さが半導体装置６
の本体の厚さに加算されず、本体の薄形化が図れる。
範囲内にあるので、アイランド３の厚さが半導体装置６
の本体の厚さに加算されず、本体の薄形化が図れる。
【００２１】半導体チップ２は、アイランド３上に熱圧
着により固定することにより、接着剤を用いないのでそ
れに含まれる不純物の悪影響が回避される。また、半導
体チップ２をアイランド３に固定する前、即ち、熱圧着
なのでアイランド３が溶けてから固まる迄の間、半導体
チップ２を位置決めするために移動でき、更に移動して
も半導体チップ２の下面（接続面）全面に亘って確実な
固定ができる。
着により固定することにより、接着剤を用いないのでそ
れに含まれる不純物の悪影響が回避される。また、半導
体チップ２をアイランド３に固定する前、即ち、熱圧着
なのでアイランド３が溶けてから固まる迄の間、半導体
チップ２を位置決めするために移動でき、更に移動して
も半導体チップ２の下面（接続面）全面に亘って確実な
固定ができる。
【００２２】尚、アイランド３と各インナーリード４と
を熱圧着により接続することにより、ここにも接着剤を
用いないので、それに含まれる不純物の悪影響も回避さ
れる。
を熱圧着により接続することにより、ここにも接着剤を
用いないので、それに含まれる不純物の悪影響も回避さ
れる。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、リードフレームに於いて、アイランドを各イン
ナーリードの側面で接着支持するのでインナーリードの
側面への変形が抑制され、インナーリードのより薄形
化、ファインピッチ化に対応できる。また、アイランド
を各インナーリードの厚さ範囲に接着支持するので、リ
ードフレーム全体では平坦度が高くなり、その取扱い性
が向上する。
よれば、リードフレームに於いて、アイランドを各イン
ナーリードの側面で接着支持するのでインナーリードの
側面への変形が抑制され、インナーリードのより薄形
化、ファインピッチ化に対応できる。また、アイランド
を各インナーリードの厚さ範囲に接着支持するので、リ
ードフレーム全体では平坦度が高くなり、その取扱い性
が向上する。
【００２４】半導体装置に於いて、アイランドが各イン
ナーリードの厚さ範囲内に配置するのでアイランドの厚
さが本体の厚さに加算されず、本体のより薄形化が図れ
る。また、半導体チップのアイランドへの固定が熱圧着
によるので、接着剤に含まれる不純物の悪影響が回避さ
れる。
ナーリードの厚さ範囲内に配置するのでアイランドの厚
さが本体の厚さに加算されず、本体のより薄形化が図れ
る。また、半導体チップのアイランドへの固定が熱圧着
によるので、接着剤に含まれる不純物の悪影響が回避さ
れる。
【００２５】半導体装置の製造方法に於いて、半導体チ
ップをアイランドに熱圧着固定するので、半導体チップ
をアイランドに搭載した後硬化して固定するまで移動で
き、半導体チップの位置合せ時期が増え、より精度の高
い位置合せが可能となる。
ップをアイランドに熱圧着固定するので、半導体チップ
をアイランドに搭載した後硬化して固定するまで移動で
き、半導体チップの位置合せ時期が増え、より精度の高
い位置合せが可能となる。
【図１】本発明の実施例を示すリードフレームの要部斜
視図である。
視図である。
【図２】従来のリードフレームの断面図である。
【図３】従来の半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の実施例を示す半導体装置の断面図であ
る。
る。
１，１１ リードフレーム ２，１２ 半導体チップ ３，１６ アイランド ４，１４ インナーリード ６，１７ 半導体装置 ８，２０ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップが搭載される熱可塑性の樹
脂板から成るアイランドと、 搭載された前記半導体チップとワイヤによって電気的接
続され、前記アイランドを囲む周辺に配置される複数本
のインナーリードとを有するリードフレームであって、 前記アイランドは、前記インナーリードの側面に且つそ
の厚さの範囲内に接続支持されて成ることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームと、 前記リードフレームのアイランド上に固定された半導体
チップと、 前記リードフレームのインナーリードと前記半導体チッ
プとを電気的接続するワイヤと、 前記半導体チップと前記ワイヤとを封止する樹脂とを備
えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 熱可塑性の樹脂板から成るアイランドを
有するリードフレームを用意する工程と、 前記アイランド上に半導体チップを熱圧着により載置固
定する工程と、 その後前記半導体チップを樹脂封止する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237967A JP2732731B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237967A JP2732731B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575009A true JPH0575009A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2732731B2 JP2732731B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17023123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3237967A Expired - Fee Related JP2732731B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732731B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005093616A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7078270B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-07-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6282748U (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | ||
| JPS62232951A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6412560A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3237967A patent/JP2732731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6282748U (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | ||
| JPS62232951A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS6412560A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7078270B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-07-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2005093616A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732731B2 (ja) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971125 |
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