JPS61134044A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS61134044A
JPS61134044A JP25664784A JP25664784A JPS61134044A JP S61134044 A JPS61134044 A JP S61134044A JP 25664784 A JP25664784 A JP 25664784A JP 25664784 A JP25664784 A JP 25664784A JP S61134044 A JPS61134044 A JP S61134044A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
stitch
gap
island
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25664784A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Akashi
明石　進一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP25664784A priority Critical patent/JPS61134044A/ja
Publication of JPS61134044A publication Critical patent/JPS61134044A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路装置（以下、ＩＣという）に関し、特
に４０ピン以上の外部導出リードを有するＩＣに用いら
れるリードフレームに関するものでおる。
〔従来の技術〕
従来、ＩＣのリードフレームは４２合金又は銅などの素
材上一定厚及び巾に圧延した後、所定のパターンにプレ
ス加工等で打ち抜くか又は化学的にエツチング全行い、
しかる後に所定の部分にＡｇ等のメッキを施している。
この場合、Ａｇ等のメッキは圧延後に行うこともしばし
ばである。
ところ′ｒ：′４０ビン以上の多ビンＩＣでは、リード
フレームのステッチ部分はリード間隔が非常に狭くなっ
ておシ、高い寸法精度が要求されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら現状では、プレス加工時の歪めるいはエツ
チング時のマスク不良等のため、ＩＣのポンティングに
おいて加熱によるステッチ部に寸法のズレが発生しボン
ティング不良を引き起すことがしばしばでらる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、この様な欠点を解決するために、各リードの
ノードステッチ部間および各アイランド部とリードステ
ッチ部間を絶縁体で埋め込んだことを特徴とするもので
ある。
〔実施例〕
図面によシ本発明の詳細な説明する。第１図は本発明の
一芙施例によるリードフレームの平面図で第２図は第１
図のＡ　−Ａ’線に沿った断面図である。
すなわち、あらかじめ各リードのステッチｆ［ｓ５問お
よびアイランド部３と各ステッチ部５間をエポキシ樹脂
、シリコン樹脂等の絶縁物６により［１ｆｆｉ定してい
る。
このようなリードフレームは次の方法で整造できる。す
なわち、一定厚及び巾に圧延された４２合金又は銅など
の素材を、まず第３図の様に各ステッチ部５及びアイラ
ンド部３ｔ−パターンとなるようにプレスで打ち抜き、
打ち抜いた部分にエポキシ樹脂、シリコン樹脂等の絶縁
物６′ｔ−注入する。
しかる後に第４図の様に珠りのバメーンをプレスで打ち
抜き、所定の部分にＡｇメッキを施す。なお、第１図乃
至第４図において、１にリードフレーム外枠、２はアイ
ランドフリ部、４はタイバ一部である。
〔発明の効果〕
以上のとおシ、本発明によれば、ステッチ部やアイラン
ド部のズレを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例全示す平面図、第２図は第１
図のＡ−に線に沿った断面図、＠３図およびＷ、４図は
本実施例のリードフレームを製造丁ルタメのルスのパタ
ーン図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　各リードのリードステッチ部間および各リードステッ
    チ部とアイランド部との間を絶縁物に埋込み固定したこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP25664784A 1984-12-05 1984-12-05 半導体装置 Pending JPS61134044A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63244658A (ja) * 1987-03-30 1988-10-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2005093616A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US7109064B2 (en) * 2003-12-08 2006-09-19 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor
JP2009016661A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Yazaki Corp メタルコア基板およびプレスフィット構造

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