JPS6143455A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPS6143455A JPS6143455A JP16492084A JP16492084A JPS6143455A JP S6143455 A JPS6143455 A JP S6143455A JP 16492084 A JP16492084 A JP 16492084A JP 16492084 A JP16492084 A JP 16492084A JP S6143455 A JPS6143455 A JP S6143455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- lead frame
- parts
- etching
- guide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野〕
本発明は、半導体用セラミックパッケージに使用するリ
ードフレームのＩ２遣方法に係り、特にリード数が多く
、リード幅が細幅化されるリードフレームの作製に好適
なリードフレームの製造方法に関するものである。
ードフレームのＩ２遣方法に係り、特にリード数が多く
、リード幅が細幅化されるリードフレームの作製に好適
なリードフレームの製造方法に関するものである。
近年、ペレットに形成した集積回路の高密度化に伴ない
、リード数（ビン数）が増大し、、１００ピン、２００
ピン級のものが提供されてきている。
、リード数（ビン数）が増大し、、１００ピン、２００
ピン級のものが提供されてきている。
このため、同一寸法のパッケージを前提とすれば。
リード数の増大に伴なってリード幅寸法を小さくする必
要がある。このようなリードフレームの製造には０通常
、プレス又はホトエツチング後必要に応じて表面処理し
て完成させるか、あるいは表面処理後プレス加工して完
成させる等の方法があるが、いずれも１例えば、エツチ
ング−曲げ加ニー表面処理のように、中間に機械加工工
程が介されるのが一般的である。このような方法に基く
リードフレームの製法を、第２図によって説明すると、
ＩはＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等を素材ど
するリードフレーム基板、２はそのリード部、３はガイ
ド孔、４は曲げ加工先端部、５はメッキ層、モして６は
ダミーリード部である。
要がある。このようなリードフレームの製造には０通常
、プレス又はホトエツチング後必要に応じて表面処理し
て完成させるか、あるいは表面処理後プレス加工して完
成させる等の方法があるが、いずれも１例えば、エツチ
ング−曲げ加ニー表面処理のように、中間に機械加工工
程が介されるのが一般的である。このような方法に基く
リードフレームの製法を、第２図によって説明すると、
ＩはＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等を素材ど
するリードフレーム基板、２はそのリード部、３はガイ
ド孔、４は曲げ加工先端部、５はメッキ層、モして６は
ダミーリード部である。
作成にあっては、まずホットエツチングによりリードフ
レームの不要部分を全て除去し１次に曲げ加工で残りの
リードフレーム基板を折り曲げ、その後メッキによりメ
ッキ層５を被着し、て完成する。
レームの不要部分を全て除去し１次に曲げ加工で残りの
リードフレーム基板を折り曲げ、その後メッキによりメ
ッキ層５を被着し、て完成する。
上記の方法によれば、ホトエツチングが完了し。
た状態では、エツチングで残っている部分が少なく、特
にダミーリード部６は機械的強度が弱くて曲り易く、ハ
ンドリングには細心の注意を払わなければならない６ま
た０曲げ加工工程においては。
にダミーリード部６は機械的強度が弱くて曲り易く、ハ
ンドリングには細心の注意を払わなければならない６ま
た０曲げ加工工程においては。
リード部２の先端部分をｔヤックし・で曲げ加工を行う
ためチャックエリアが少なく、充分なチャックができず
、すベリが生じて異常変形が発生し。
ためチャックエリアが少なく、充分なチャックができず
、すベリが生じて異常変形が発生し。
また、ガイドはガイド孔３による端面ガイドとなるため
、曲げが始まるとガイドができなくなりフリーとなり、
さらに、メッキでは曲り易い状態になっているため、メ
ッキ治具への脱着時、あるいはメッキ中の液の攪拌によ
ってもリードが曲がるなどのおそれがあった。また５治
具への装着がガイド孔を使用して行われると、ガイド孔
周辺のメッキ異常がそのまま残り、製品とし・て不良品
を作りかねないということもあった。
、曲げが始まるとガイドができなくなりフリーとなり、
さらに、メッキでは曲り易い状態になっているため、メ
ッキ治具への脱着時、あるいはメッキ中の液の攪拌によ
ってもリードが曲がるなどのおそれがあった。また５治
具への装着がガイド孔を使用して行われると、ガイド孔
周辺のメッキ異常がそのまま残り、製品とし・て不良品
を作りかねないということもあった。
特開昭５８−１２３７４７号公報は曲げた後にチップ搭
載エリアの部分を除去する技術を開示しているが、ガイ
ドが十分とはいえない。
載エリアの部分を除去する技術を開示しているが、ガイ
ドが十分とはいえない。
本発明の目的は１曲げ加工１表面被覆加工を伴うリード
フレームの製造方法において１曲げ加工によっても異常
変形等を生じない新規なリードフレームの製造方法を提
供することにある。
フレームの製造方法において１曲げ加工によっても異常
変形等を生じない新規なリードフレームの製造方法を提
供することにある。
近年要求が亮まっている板厚０．２ｍｍ、 リード幅
０．２ｍｍ、リード数５０本以上、つまりリード幅とリ
ード厚が同じで、かつ精度が±０．０２ｍｍ以下という
高精度多リードのリードフレームにおいては、その製造
過程中にどうしても異常変形が生じ、この回避が緊急の
課題であるが、従来の外形ガイド法によっては、曲げが
始まるとガイド不能となることに鑑み、これを内形ガイ
ド法にすることにより回避するようにし、たちのである
。
０．２ｍｍ、リード数５０本以上、つまりリード幅とリ
ード厚が同じで、かつ精度が±０．０２ｍｍ以下という
高精度多リードのリードフレームにおいては、その製造
過程中にどうしても異常変形が生じ、この回避が緊急の
課題であるが、従来の外形ガイド法によっては、曲げが
始まるとガイド不能となることに鑑み、これを内形ガイ
ド法にすることにより回避するようにし、たちのである
。
ｉ１図は７本発明の実施例を示したもので、符号１〜６
は、第２図に示し、たちのと同じであり。
は、第２図に示し、たちのと同じであり。
７は４角形のリードフレーム基板の、該リードフレーム
がパッケージ（図示せず）と共にセラミックベース（図
示せず）に固着されたとき、該パッケージの位置に相当
する部分に設けられたガイド孔である。８は後に切除さ
れる不要部分である。
がパッケージ（図示せず）と共にセラミックベース（図
示せず）に固着されたとき、該パッケージの位置に相当
する部分に設けられたガイド孔である。８は後に切除さ
れる不要部分である。
本発明によりリードフレームを作成するには。
まず、リードフレーム基板の半導体パッケージが置かれ
る部分に相当する部分に、ガイド孔７を設けたあと、鎖
孔を含む後に切除される部分を除いた必要最小限の部分
にエツチングをする。すなわち、プレス切断可能部分は
エツチングしない０次に、前記ガイド孔７をガイドとし
２てリードフレーム基板１を曲げ加工し、続いて、メッ
キを行ってメッキｆｆ５を被着し、！ｆ＆に、リード部
２を残して不要部分８を金型で切断して完成する。
る部分に相当する部分に、ガイド孔７を設けたあと、鎖
孔を含む後に切除される部分を除いた必要最小限の部分
にエツチングをする。すなわち、プレス切断可能部分は
エツチングしない０次に、前記ガイド孔７をガイドとし
２てリードフレーム基板１を曲げ加工し、続いて、メッ
キを行ってメッキｆｆ５を被着し、！ｆ＆に、リード部
２を残して不要部分８を金型で切断して完成する。
本発明によれば、エツチングにおいては、あとで切除す
る部分には、これを行なわないので、エツチング後の状
態でもエツチング前のリードフレーム基板の強度にほぼ
等し、い状態を保つことができる。また、曲げ加工にお
いては、ガイド孔７をガイドとしつつ、鎖孔を含む広い
部分をチャック部分として曲げ加工を行なうので、チャ
ック不足によるすべりは起らず、精度のよい曲げ加工を
行なうことができる。さらに、あとで切除する部分を残
したままメッキを行なうので、前述の強度は保持された
ままであるから、メッキによる曲がりも生じない。
る部分には、これを行なわないので、エツチング後の状
態でもエツチング前のリードフレーム基板の強度にほぼ
等し、い状態を保つことができる。また、曲げ加工にお
いては、ガイド孔７をガイドとしつつ、鎖孔を含む広い
部分をチャック部分として曲げ加工を行なうので、チャ
ック不足によるすべりは起らず、精度のよい曲げ加工を
行なうことができる。さらに、あとで切除する部分を残
したままメッキを行なうので、前述の強度は保持された
ままであるから、メッキによる曲がりも生じない。
以上により、全体として異常変形の少ない１品質の均一
なリードフレームを作製することができる。
なリードフレームを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は１本発明のリードフレームの作製工程の説明図
、第２図は、従来の工程の説明図である。 ■・・・リードフレーム基板、 ２・・・リード部。 ３・・・ガイド孔、 ４・・・曲げ加工先端部、５・・
・メッキ層、 ６・・・ダミーリード。 ７・・・ガイド孔、 ８・・・不要部分。 第１図 １ ：： 第 ２ 図
、第２図は、従来の工程の説明図である。 ■・・・リードフレーム基板、 ２・・・リード部。 ３・・・ガイド孔、 ４・・・曲げ加工先端部、５・・
・メッキ層、 ６・・・ダミーリード。 ７・・・ガイド孔、 ８・・・不要部分。 第１図 １ ：： 第 ２ 図
Claims (1)
- （１）リードフレーム基板を、順次、エッチング工程、
曲げ加工工程、メッキ工程、切断除去工程を経て、リー
ドフレームに仕上げるリードフレームの製造方法におい
て、はじめに前記基板の半導体パッケージが位置する後
で切除される部分に相当する部分にガイド孔を設け、該
ガイド孔をガイドとして前記各工程の加工を行うことを
特徴とするリードフレームの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16492084A JPS6143455A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16492084A JPS6143455A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143455A true JPS6143455A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15802358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16492084A Pending JPS6143455A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315454A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16492084A patent/JPS6143455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315454A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
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