JPH02228052A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は多ビンのＪベンドリードを有する半導体装置に
好適の半導体装置用リードフレームの製造方法に関する
。

［従来の技術］ 従来、半導体装置用リードフレームは金属の薄板の上に
写真法により所望のリードフレ−ムの耐蝕皮膜を形成し
、これをマスクとしてエツチング（蝕刻）を施すことに
より形成されて〜鳥る。

第７図は、このエツチング加工法により形成されたリー
ドフレームを示す平面図、第８図は第７図の■−■線の
位置におけるインナーリード２２の断面図、第９図は第
７図のＤＣ−ＩＸ線の位置におけるアウターリード２３
の断面図である。

リードフレーム２１の中央には、４本のツリリード２５
により支持されたアイランド２４が形成されている。こ
のアイランド２４の周囲には複数本のインナーリード２
２及び各インナーリード２２と接続されたアウターリー
ド２３が形成されている。そして、各インナーリード２
２及びアウターリード２３はタイバー２６により相互に
接続されている。

半導体素子をアイランド２４上に搭載し、その電極とイ
ンナーリード２２の先端とをワイヤボンディングにより
接続する。次いで、半導体素子、ワイヤ及びインナーリ
ードを樹脂等で封止する。

その後、各リードを接続しているタイバー２６を切断し
、アウターリード２３を所望の形杖に曲げ加工すること
により半導体装置が完成する。

エツチング加工法においては、金属の薄板の不用部分を
その両面からエツチング液等により溶解してリードフレ
ーム２１を所望の形状に加工するため、インナーリード
２２及びアウターリード２３の断面は第８図及び第９図
に示すように凹凸を有する異形の形状になる。このエツ
チング加工法は細密なリードの形成に適した方法である
。

また、所望のリードフレームの形状の金型を使用して金
属の薄板をプレス打抜き加工してリードフレームを形成
する方法もある。

第１０図はこのプレス加工法により形成されたリードフ
レームを示す平面図、第１１図は第１０図のＸＩ−ＸＩ
線の位置におけるインナーリード３２の断面図、第１２
図は第１０図のｘｎ−ｘｎ線の位置におけるアウターリ
ード３３の断面図である。

このプレス加工法は金型により金属の薄板を打ち抜いて
リードフレーム３１を形成するため、インナーリード３
２及びアウターリード３３の断面は第１１図及び第１２
図に示すように、略々矩形の形状になる。このプレス加
工法は大量生産に適した方法であり、リードフレーム３
１を安価で製造することができる。

従来、リードフレームはその用途又は形状により、上述
のエツチング加工法又はプレス加工法のいずれか適した
方法により製造されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、インナーリードがファインパターンであ
るリードフレーム又はインナーリードの先端ピッチが狭
い多ビンのＪベンドリード用のリードフレームを形成す
る場合は、いずれの方法においても以下に説明する問題
点がある。

エツチング加工法により形成されたリードフレーム２１
においては、金属の薄板の表裏に形成されるマスクに位
置ずれが発生すると、インナーリード２２及びアウター
リード２３の断面における両側部の形状が左右対称でな
くなる。そうすると、例えば第１３図にその部分斜視図
を示すＪベンドリードを有する半導体装置においては、
アウターリード２３が第１４図（ｂ）に示すように正し
く成形されずに、第１４図（ａ）に示すように曲がって
成形され、この成形不良が多発するため、半導体装置の
品質が著しく低下する。

また、アウターリード２３の側面に凹凸が形成されるた
め、第１５図に示すように、半導体素子をモールド樹脂
２７により封止したときに、アウターリード２３間に漏
出した樹脂２８を切り落とした後も、第１６図（第１５
図のＸＶＩ−ＸＶＩ線の位置における断面図）に示すよ
うに、アウターリード２３の凹部にこの樹脂２８が残留
する。この封止樹脂残りは高い頻度で発生するため、ア
ウターリード２３の半田付は性が極めて悪いものになる
。

一方、プレス加工法は微細な加工には不向きな方法であ
り、この方法で細密なインナーリード３２を有するリー
ドフレーム３１を形成するとインナーリード３２が変形
してしまう。このため、形成されたリードフレーム３１
はインナーリード３２のボンディング性が劣化しており
、品質が極めて悪いものになる。

また、プレス加工法において、細密な部分の変形を回避
しようとすると極めて加工精度が高い金型が必要であり
、金型の製造コストが著しく上昇する。従って、細密な
インナーリード３２を有するリードフレーム３１を少量
プレス加工法により形成すると、リードフレーム３１の
製造コストが極めて高いものになる。

このように、細密なインナーリードを有する半導体装置
用リードフレームを製造しようとすると、エツチング加
工法及びプレス加工法のいずれも満足できる製造方法で
はない。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
細密なインナーリードを低コストで形成できると共に、
アウターリードの封止樹脂残り及び曲げ不良を回避でき
る半導体装置用リードフレームの製造方法を提供するこ
とを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る半導体装置用リードフレームは、インナー
リードの一部又は全部をエツチング加工により形成する
工程と、インナーリードの残部及びアウターリードをプ
レス加工により形成する工程とを有することを特徴とす
る。

［作用］ 本発明においては、インナーリードの一部又は全部をエ
ツチング加工により形成し、インナーリードの残部及び
アウターリードをプレス加工により形成する。これによ
り、高い加工精度が要求されるインナーリードはエツチ
ング加工で形成するから微細な加工が可能であり、アウ
ターリードをプレス加工により形成するから側面に凹凸
がないアウターリードを形成できる。そして、プレス加
工時に使用する金型は通常の精度のものでよいため、少
量のリードフレームの製造においても製造コストの上昇
を回避できる。

［実施例コ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例方法を工
程順に示す平面図、第２図は第１図（ａ）のＩ［−ｎ線
の位置における断面図、第３図は第１図（ｂ）の■−■
線の位置における断面図である。

先ず、第１図（ａ）に破線で囲んで示すように、リード
フレーム１の所定の領域に、通常のエツチング加工法を
使用してインナーリード２、アイランド４及びツリリー
ド５を形成する。このインナーリード２の断面は第２図
に示すように凹凸を有する異形の形状になる。

次いで、第１図（ｂ）に破線で囲んで示すように、リー
ドフレーム１の所定の領域に、プレス加工法によりアウ
ターリード３を形成する。このアウターリード３の断面
は第３図に示すように略々矩形の形状になる。

本実施例においては、上述の如く、インナーリード２を
エツチング加工法により形成するため、先端ピッチが狭
い細密な形状のインナーリード２を形成することが可能
であると共に、インナーリード２の変形を回避できる。

そして、全てのインナーリード２が同一平面に並ぶため
、半導体素子とインナーリード２とを接続するワイヤボ
ンディングのボンディング性が良好である。

また、アウターリード３はプレス加工法により形成され
るため、第３図に示すように、その断面が略々矩形の形
状に形成される。このため、半導体素子を樹脂封止した
際に、封止樹脂がアウターリード間に残留しても、この
樹脂を容易に除去できると共に、アウターリードの曲げ
加工時においても、曲げ不良の発生を回避できる。

第４図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例方法を工
程順に示す平面図、第５図は第４図の■−Ｖ線の位置に
おける断面図、第６図は第４図の■−Ｖｌ線の位置にお
ける断面図である。

先ず、第４図（ａ）に破線で囲んで示すように、リード
フレーム１１の所定の領域に、通常のエツチング加工法
を使用して、インナーリード１２の先端部分、アイラン
ド１４及びツリリード１５を形成する。

次いで、第４図（ｂ）に破線で囲んで示すように、プレ
ス加工法によりアウターリード１３を形成する。

これにより、インナーリード１２の先端部の断面は、第
５図に示すように、側面に凹凸を有する異形の形状にな
り、アウターリード１３の断面は、第６図に示すように
略々矩形の形状になる。

本実施例においては、上述の如く、インナーリード１２
をその先端部のみエツチング加工法により形成するため
、第１の実施例と同様の効果が得られると共に、エツチ
ング加工面積が小さいため、エツチング時間が短縮され
るという効果も得ることができる。このため、リードフ
レームの製造工期を短縮することができる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、インナーリードの
一部又は全部をエツチング加工により形成し、インナー
リードの残部及びアウターリードをプレス加工により形
成するから、細密なインナーリードを形成できると共に
、樹脂封止後のアウターリード側部の封止樹脂残り及び
アウターリードの曲げ不良の発生を回避できる。これに
より、ファインパターンのリードフレーム又はインナー
リードの先端ピッチが狭い多ピッチのＪベンドリードを
有する半導体装置の品質が向上すると共に、その製造コ
ストを低減できる。また、アウターリードの半田付は性
が向上するという効果も奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例方法を工
程順に示す平面図、第２図は第１図（ａ）の■−■線の
位置における断面図、第３図は第１図（ｂ）の■−■線
の位置における断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は本発明
の第２の実施例方法を工程順に示す平面図、第５図は第
４図（ａ）のＶ−■線の位置における断面図、第６図は
第４図（ｂ）のＶｌ−Ｖｌ線の位置における断面図、第
７図は従来のエツチング加工法により形成されたリード
フレームを示す平面図、第８図は第７図の■−■線の位
置における断面図、第８図は第７図のＩＸ−■線の位置
における断面図、第１０図は従来のプレス加工法により
形成されたリードフレームを示す平面図、第１１図は第
１０図のＸＩ−ＸＩ線の位置における断面図、第１２図
は第１０図のＸ■−Ｘ■線の位置における断面図、第１
３図はＪベンドリードを有する半導体装置を示す部分斜
視図、第１４図（ａ）は曲げ不良が発生したＪベンドリ
ートを示す部分側面図、第１４図（ｂ）は適正に成形さ
れたＪベンドリードを示す部分側面図、第１５図は樹脂
封止後のリードフレームを示す平面図、第１６図は第１
５図のＸＶＩ−ＸＶＩ線の位置における断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）インナーリードの一部又は全部をエッチング加工
   により形成する工程と、インナーリードの残部及びアウ
   ターリードをプレス加工により形成する工程とを有する
   ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
   法。