JPS622560A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS622560A JPS622560A JP14117885A JP14117885A JPS622560A JP S622560 A JPS622560 A JP S622560A JP 14117885 A JP14117885 A JP 14117885A JP 14117885 A JP14117885 A JP 14117885A JP S622560 A JPS622560 A JP S622560A
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- resin
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はフラットパッケージタイプの樹脂封止型半導体
装置に関し、特に配線基板に対する実装面積の縮小を図
る構造に係る。
装置に関し、特に配線基板に対する実装面積の縮小を図
る構造に係る。
フラットパッケージタイプの樹脂封止型半導体装置とし
て、第３図に示すものが従来知られている。
て、第３図に示すものが従来知られている。
第３図において、１は金属製のベッド部であり、２は一
端部をベッド部１の周囲に離間して配置された金属製の
リードである。ベッド部１の上には半導体チップ３がダ
イボンディングされ、該半導体チップの表面に形成され
た内部端子（ポンディングパッド）はボンディングワイ
ヤ４を介してリード２の一端部に接続されている。これ
らの組立て部分は樹脂モールドｌＪ５で封止されると共
に、リード２の他端部は樹脂モールド層５の側壁から外
方に延出されている。また、リード２の封止された部分
はベッド部１と同一レベルであるが、外方に延出された
部分は先端が樹脂モールドＭ５の下面と同一レベルにな
るように折曲げられている。
端部をベッド部１の周囲に離間して配置された金属製の
リードである。ベッド部１の上には半導体チップ３がダ
イボンディングされ、該半導体チップの表面に形成され
た内部端子（ポンディングパッド）はボンディングワイ
ヤ４を介してリード２の一端部に接続されている。これ
らの組立て部分は樹脂モールドｌＪ５で封止されると共
に、リード２の他端部は樹脂モールド層５の側壁から外
方に延出されている。また、リード２の封止された部分
はベッド部１と同一レベルであるが、外方に延出された
部分は先端が樹脂モールドＭ５の下面と同一レベルにな
るように折曲げられている。
上記フラットパッケージタイプの樹脂封止型半導体装置
は、リード２先端の平坦面を配線基板の端子上に載置し
、当該部分を半田付けすることにより実装される。リー
ド２を折曲げて先端を樹脂モールドＮ５の下面と同一レ
ベルにしているのは、こうした実装方法を用いるからで
ある。
は、リード２先端の平坦面を配線基板の端子上に載置し
、当該部分を半田付けすることにより実装される。リー
ド２を折曲げて先端を樹脂モールドＮ５の下面と同一レ
ベルにしているのは、こうした実装方法を用いるからで
ある。
第３図の樹脂封止型半導体装置を配線基板に実装するた
めに必要な面積は、樹脂モールド層５の寸法とり−ド２
の延出部寸法の和によって決まる。
めに必要な面積は、樹脂モールド層５の寸法とり−ド２
の延出部寸法の和によって決まる。
即ち、樹脂モールド層５の寸法をＷ、リード２先端の平
坦面寸法をａ、リード２の折曲げ部分寸法をｂとすれば
、実装に必要な寸法ＷｒはＷ＋ ＝Ｗ＋２ （ａ＋ｂ） となる。しかし、リード２の延出部寸法のうち先端の平
坦面寸法ａは配線基板の端子との接触を取るために必要
な部分であるが、折曲げ部分の寸法すは本来的には不要
なものである。このため、第３図の従来の樹脂封止型半
導体装置は、その実装に際してリードの折曲げ部寸法す
だけ余計な面積を必要とし、実装密度の向上が妨げられ
るという問題があった。
坦面寸法をａ、リード２の折曲げ部分寸法をｂとすれば
、実装に必要な寸法ＷｒはＷ＋ ＝Ｗ＋２ （ａ＋ｂ） となる。しかし、リード２の延出部寸法のうち先端の平
坦面寸法ａは配線基板の端子との接触を取るために必要
な部分であるが、折曲げ部分の寸法すは本来的には不要
なものである。このため、第３図の従来の樹脂封止型半
導体装置は、その実装に際してリードの折曲げ部寸法す
だけ余計な面積を必要とし、実装密度の向上が妨げられ
るという問題があった。
この問題を解決するために、第４図に示すようにリード
２の先端を樹脂モールド層５の下に折曲げたものが知ら
れている。この第４図の樹脂封止型半導体装置では、樹
脂モールド層５の寸法Ｗが同じである限り、実装に必要
な寸法Ｗ２は必ずＷｌよりも小さくなる。しかし、この
場合には実装後の外観検査が困難になるという別の問題
を生じる。
２の先端を樹脂モールド層５の下に折曲げたものが知ら
れている。この第４図の樹脂封止型半導体装置では、樹
脂モールド層５の寸法Ｗが同じである限り、実装に必要
な寸法Ｗ２は必ずＷｌよりも小さくなる。しかし、この
場合には実装後の外観検査が困難になるという別の問題
を生じる。
また、第３図や第４図の従来の樹脂封止型半導体装置の
製造には、金属薄板を打抜き加工してベッド部およびリ
ード部を形成した平板状のリードフレームが用いられる
。従って、リード２は樹脂封止を終了した段階で図示の
ように加工されるが、その際にリードが横方向に曲がっ
てしまい、ピッチが不規則になる問題（所謂「足曲り不
良」）がある。また、フラットパッケージタイプの樹脂
封止型半導体装置はリード２の幅が著しく狭いから、上
記のようにリードの延出部が比較的長いものでは取扱い
中にも「足曲り不良」を生じ易い問題がある。
製造には、金属薄板を打抜き加工してベッド部およびリ
ード部を形成した平板状のリードフレームが用いられる
。従って、リード２は樹脂封止を終了した段階で図示の
ように加工されるが、その際にリードが横方向に曲がっ
てしまい、ピッチが不規則になる問題（所謂「足曲り不
良」）がある。また、フラットパッケージタイプの樹脂
封止型半導体装置はリード２の幅が著しく狭いから、上
記のようにリードの延出部が比較的長いものでは取扱い
中にも「足曲り不良」を生じ易い問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、実装後の外
観検査に支障を生じることなく実装面積の縮小を図るこ
とができ、且つリード変形を防止できるフラットパッケ
ージタイプの樹脂封止型半導体装置を提供しようとする
ものである。
観検査に支障を生じることなく実装面積の縮小を図るこ
とができ、且つリード変形を防止できるフラットパッケ
ージタイプの樹脂封止型半導体装置を提供しようとする
ものである。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、金属製のベッド
部上にマウントされた半導体チップと、該半導体チップ
及び前記ベッド部を封止する樹脂モールド層と、一端部
が該樹脂モールド層内部に封止され且つボンディングワ
イヤを介して前記半導体チップ表面の内部端子に接続さ
れると共に、他端部が樹脂モールド層から外方に延出さ
れたリードとを具備し、該リードの樹脂モールド層で封
止された部分が樹脂モールド層の底面レベルにまで折曲
げられ、前記リードの延出部分が樹脂モールド層の底面
と同じレベルで延出されていることを特徴とするもので
ある。
部上にマウントされた半導体チップと、該半導体チップ
及び前記ベッド部を封止する樹脂モールド層と、一端部
が該樹脂モールド層内部に封止され且つボンディングワ
イヤを介して前記半導体チップ表面の内部端子に接続さ
れると共に、他端部が樹脂モールド層から外方に延出さ
れたリードとを具備し、該リードの樹脂モールド層で封
止された部分が樹脂モールド層の底面レベルにまで折曲
げられ、前記リードの延出部分が樹脂モールド層の底面
と同じレベルで延出されていることを特徴とするもので
ある。
上記構造からなるフラットパッケージタイプの樹脂封止
型半導体装置では、リードの延出部分が何等の折曲げ加
工を要することなくそのまま半田付は実装の端子に使用
できるため、第３図の従来例に比較して実装に要する面
積を縮小することができる。
型半導体装置では、リードの延出部分が何等の折曲げ加
工を要することなくそのまま半田付は実装の端子に使用
できるため、第３図の従来例に比較して実装に要する面
積を縮小することができる。
また、リード延出部の折曲げを要しないことからり一ド
延出部の長さが短縮され、曲げに対する強度が増大して
「足曲り不良」も起き難くなる。
延出部の長さが短縮され、曲げに対する強度が増大して
「足曲り不良」も起き難くなる。
第１図は本発明の一実施例になるフラットパッケージタ
イプの樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。同図
において、第３図および第４図と同じ部分には同一の参
照番号が付しである。即ち、１はベッド部、２はリード
、３は半導体チップ、４はボンディングワイヤ、５は樹
脂モールド層である。図示のように、この実施例ではり
一ド２が樹脂封止された部分で樹脂モールド層の底面レ
ベルにまで折曲げられ、従って樹脂モールド層５の底面
に沿って外方に延出されている。樹脂モールど層５の寸
法Ｗは第３図の従来例と同じであり、リード２の延出部
寸法ａは第３図の従来例における半田付けされる平坦面
寸法と同じである。
イプの樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。同図
において、第３図および第４図と同じ部分には同一の参
照番号が付しである。即ち、１はベッド部、２はリード
、３は半導体チップ、４はボンディングワイヤ、５は樹
脂モールド層である。図示のように、この実施例ではり
一ド２が樹脂封止された部分で樹脂モールド層の底面レ
ベルにまで折曲げられ、従って樹脂モールド層５の底面
に沿って外方に延出されている。樹脂モールど層５の寸
法Ｗは第３図の従来例と同じであり、リード２の延出部
寸法ａは第３図の従来例における半田付けされる平坦面
寸法と同じである。
図から明らかなように、上記実施例になる樹脂封止型半
導体装置の実装に要する寸法はＷ＋２８で、第３図の従
来例に較べてリード延出部の折曲げに要した分２ｂだけ
縮小さすることができる。
導体装置の実装に要する寸法はＷ＋２８で、第３図の従
来例に較べてリード延出部の折曲げに要した分２ｂだけ
縮小さすることができる。
また、半田付けによる実装の形態は第３図の従来例の場
合と同じであるから、第４図の従来例のように実装後の
外観検査に支障をきたすこともない。
合と同じであるから、第４図の従来例のように実装後の
外観検査に支障をきたすこともない。
更に、上記実施例ではリード２の延出部長さがａで、従
来のものに比較して著しく短縮されている。従って、リ
ード延出部の曲げに対する強度が強くなり、取扱い中に
おける「足曲り不良」は生じ難くなっている。なお、こ
の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造に当っては、予
めリード部が折曲げられたリードフレームを用いる。そ
の結果、樹脂封止の侵は個々のり−ド２をフレームから
切断するだけで曲げ加工は不要であるため、製造段階で
の「足曲り不良」発生は著しく低減される。
来のものに比較して著しく短縮されている。従って、リ
ード延出部の曲げに対する強度が強くなり、取扱い中に
おける「足曲り不良」は生じ難くなっている。なお、こ
の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造に当っては、予
めリード部が折曲げられたリードフレームを用いる。そ
の結果、樹脂封止の侵は個々のり−ド２をフレームから
切断するだけで曲げ加工は不要であるため、製造段階で
の「足曲り不良」発生は著しく低減される。
第２図は本発明の他の実施例になる樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。この実施例はリード２の封止部
分を第１図とは逆に上方に折曲げたものである。但し、
リード２の延出部を配線基板上に載置して実装するから
、実装された状態で見れば、第１図の実施例において半
導体チップ３をベッド部１の下面にダイボンディングし
たものと等価になる。
置を示す断面図である。この実施例はリード２の封止部
分を第１図とは逆に上方に折曲げたものである。但し、
リード２の延出部を配線基板上に載置して実装するから
、実装された状態で見れば、第１図の実施例において半
導体チップ３をベッド部１の下面にダイボンディングし
たものと等価になる。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明による樹脂封止型半導体装
置は、実装後の外観検査に支障を生じることなく実装面
積の縮小を図り、且つリードの変形を防止できる等、顕
著な効果を奏するものである。
置は、実装後の外観検査に支障を生じることなく実装面
積の縮小を図り、且つリードの変形を防止できる等、顕
著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
の断面図、１１２図は本発明の他の実施例になる樹脂封
止型半導体装置の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半
導体装置の一例を示す断面図であり、第４図は他の従来
例を示す断面図である。 １・・・ベッド部、２・・・リード、３・・・半導体チ
ップ、４・・・ボンディングワイヤ、５・・・樹脂モー
ルド層。
の断面図、１１２図は本発明の他の実施例になる樹脂封
止型半導体装置の断面図、第３図は従来の樹脂封止型半
導体装置の一例を示す断面図であり、第４図は他の従来
例を示す断面図である。 １・・・ベッド部、２・・・リード、３・・・半導体チ
ップ、４・・・ボンディングワイヤ、５・・・樹脂モー
ルド層。
Claims (1)
- 金属製のベッド部上にマウントされた半導体チップと、
該半導体チップ及び前記ベッド部を封止する樹脂モール
ド層と、一端部が該樹脂モールド層内部に封止され且つ
ボンディングワイヤを介して前記半導体チップ表面の内
部端子に接続されると共に、他端部が樹脂モールド層か
ら外方に延出されたリードとを具備し、該リードの樹脂
モールド層で封止された部分が樹脂モールド層の底面レ
ベルにまで折曲げられ、前記リードの延出部分が樹脂モ
ールド層の底面と同じレベルで延出されていることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14117885A JPS622560A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14117885A JPS622560A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622560A true JPS622560A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15285957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14117885A Pending JPS622560A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622560A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4238646A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-06-03 | Gold Star Electronics | New encapsulated semiconductor memory chip - has chips with bonding pads on central region, lead frame with leads connected to bonding parts, insulating adhesive, metal wire for electrical connection etc. |
| JPH0855934A (ja) * | 1995-09-11 | 1996-02-27 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| US5783861A (en) * | 1994-03-29 | 1998-07-21 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package and lead frame |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP14117885A patent/JPS622560A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4238646A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-06-03 | Gold Star Electronics | New encapsulated semiconductor memory chip - has chips with bonding pads on central region, lead frame with leads connected to bonding parts, insulating adhesive, metal wire for electrical connection etc. |
| USRE36097E (en) * | 1991-11-14 | 1999-02-16 | Lg Semicon, Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
| USRE37413E1 (en) | 1991-11-14 | 2001-10-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
| DE4238646B4 (de) * | 1991-11-14 | 2006-11-16 | Goldstar Electron Co., Ltd., Cheongju | Halbleiter-Bauelement mit spezieller Anschlusskonfiguration |
| US5783861A (en) * | 1994-03-29 | 1998-07-21 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package and lead frame |
| JPH0855934A (ja) * | 1995-09-11 | 1996-02-27 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
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