JPH01206652A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01206652A JPH01206652A JP3074988A JP3074988A JPH01206652A JP H01206652 A JPH01206652 A JP H01206652A JP 3074988 A JP3074988 A JP 3074988A JP 3074988 A JP3074988 A JP 3074988A JP H01206652 A JPH01206652 A JP H01206652A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のパンケーンング技（ホｉに関し
、特に、樹脂封止形半導体装置の信頼性向上に適用して
有効な技術に関するものである。
、特に、樹脂封止形半導体装置の信頼性向上に適用して
有効な技術に関するものである。
樹脂封止形半導体装置のパッケージ形状を改善した従来
技術として、特開昭５５−２１１２７号公報記載の発明
がある。
技術として、特開昭５５−２１１２７号公報記載の発明
がある。
上記文献には、そのパッケージ形状を、パッケージ内に
封止された半導体ペレット（以下、ペレットという）の
上方領域が周辺部よりも高くなるような形状にするとと
もに、パッケージの側面から外方に延在するリードをそ
の先端が上記周辺部上に位置するように折り曲げること
によって、基板実装時の実装面積ならびに実装高さの低
減を図った半導体装置構造が開示されている。
封止された半導体ペレット（以下、ペレットという）の
上方領域が周辺部よりも高くなるような形状にするとと
もに、パッケージの側面から外方に延在するリードをそ
の先端が上記周辺部上に位置するように折り曲げること
によって、基板実装時の実装面積ならびに実装高さの低
減を図った半導体装置構造が開示されている。
半導体装置の高集積化、高密度化によるペレット寸法の
大形化に伴い、半導体装置におけるパッケージの外径寸
法も規格値の最大限度まで拡大されるようになり、これ
に伴って、パッケージの側面から下方に折り曲げられる
リードの曲げ角度も直角に近い急峻なものとなっている
。
大形化に伴い、半導体装置におけるパッケージの外径寸
法も規格値の最大限度まで拡大されるようになり、これ
に伴って、パッケージの側面から下方に折り曲げられる
リードの曲げ角度も直角に近い急峻なものとなっている
。
ところが、リードの曲げ角度が急峻になると、リードを
折り曲げる際、折り曲げ箇所に過大な応力が加わるため
、リードを構成する金属材料に破壊が生じ、極端な場合
には、リードが折れてしまうことになる。
折り曲げる際、折り曲げ箇所に過大な応力が加わるため
、リードを構成する金属材料に破壊が生じ、極端な場合
には、リードが折れてしまうことになる。
また、リードを折り曲げる際、パッケージの側面近傍に
も過大な応力が加わるため、樹脂封止形半導体装置の場
合には、樹脂パッケージとリードとの界面に剥離が生じ
たり、あるいは、樹脂パッケージにクラックが生じる結
果、樹脂パッケージの耐湿性が低下するなどの問題が生
じている。
も過大な応力が加わるため、樹脂封止形半導体装置の場
合には、樹脂パッケージとリードとの界面に剥離が生じ
たり、あるいは、樹脂パッケージにクラックが生じる結
果、樹脂パッケージの耐湿性が低下するなどの問題が生
じている。
本発明は、上記したようなリードの折り曲げに起因する
半導体装置の信頼性低下を有効に防止することができる
技術を提供することにある。
半導体装置の信頼性低下を有効に防止することができる
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、絶縁シートの上面に接合されたペレットと、
この絶縁シートの下面に接合されたリードの一部とを樹
脂パッケージで封止し、この樹脂パッケージの側面から
外方に延在するリードの下方領域における該樹脂パッケ
ージの側面に凹溝を設けてこの凹溝内でリードを下方に
折り曲げるようにした半導体装置である。
この絶縁シートの下面に接合されたリードの一部とを樹
脂パッケージで封止し、この樹脂パッケージの側面から
外方に延在するリードの下方領域における該樹脂パッケ
ージの側面に凹溝を設けてこの凹溝内でリードを下方に
折り曲げるようにした半導体装置である。
上記した手段によれば、リードを下方に折り曲げる際の
曲げ角度を緩やかにすることができるため、リードの折
り曲げ箇所やパ・ソケージの側面近傍に加わる応力が低
減される。
曲げ角度を緩やかにすることができるため、リードの折
り曲げ箇所やパ・ソケージの側面近傍に加わる応力が低
減される。
〔実施例１〕
第１図は本発すの一実施例である半導体装置の部分破断
斜視図、第２図はこの半導体装置を示す第１図Ｉ−Ｉ線
断面図である。
斜視図、第２図はこの半導体装置を示す第１図Ｉ−Ｉ線
断面図である。
本実施例１は、樹脂パッケージ１の内部に、絶縁シート
２と、ペレット３と、多数本のり−ド４とが封止された
デュアルインラインーノ寸・ソケージ（ＤＩＬ−Ｐ）形
の半導体装置である。
２と、ペレット３と、多数本のり−ド４とが封止された
デュアルインラインーノ寸・ソケージ（ＤＩＬ−Ｐ）形
の半導体装置である。
樹脂パッケージ１は、エポキシ樹脂などをトランスファ
モールドしたものであり、絶縁シート２は、ポリイミド
樹脂のような耐熱性樹脂からなる薄いフィルムである。
モールドしたものであり、絶縁シート２は、ポリイミド
樹脂のような耐熱性樹脂からなる薄いフィルムである。
ペレット３は、シリコン単結晶などの半導体基板に所定
の集積回路を形成したもので、この集積回路形成面の裏
側が接着剤５を介して絶縁シート２の上面に接合されて
いる。
の集積回路を形成したもので、この集積回路形成面の裏
側が接着剤５を介して絶縁シート２の上面に接合されて
いる。
絶縁シート２の下面には、銅（Ｃｕ）などの導電性金属
からなる多数本のリード４が所定間隔をおいて接合され
、絶縁シート２の側方から突出しり各リード４の先端と
ペレット３のポンディングパッド６とが金、（Ａｕ）な
どのワイヤ７を介して電気的に接続されている（第１図
）。
からなる多数本のリード４が所定間隔をおいて接合され
、絶縁シート２の側方から突出しり各リード４の先端と
ペレット３のポンディングパッド６とが金、（Ａｕ）な
どのワイヤ７を介して電気的に接続されている（第１図
）。
上記各リード４の他端側は、絶縁シート２の長手方向の
側方から樹脂パッケージ１の側面外方に延在され、さら
に、下方に折り曲げられている。
側方から樹脂パッケージ１の側面外方に延在され、さら
に、下方に折り曲げられている。
ここで、樹脂パッケージ１の側面から外方に延在された
各リード４の下方領域には、内部形状が直方体状をなす
凹溝８が設けられ、各リード４は、この凹溝８の内部で
下方に折り曲げられている。
各リード４の下方領域には、内部形状が直方体状をなす
凹溝８が設けられ、各リード４は、この凹溝８の内部で
下方に折り曲げられている。
このように、絶縁シート２の下面に接合されたリード４
を樹脂パッケージ１の側面外方に延在させ、かつ、樹脂
パッケージ１の側面に設けた凹溝８の内部でリード４を
下方に折り曲げるようにしたことにより、樹脂パッケー
ジ１の幅（Ｗ）、およびリード４の先端どうしの間隔（
Ｌ＞が同一の場合であっても、リード４の曲げ角度（θ
）を従来よりも小さくすることが可能となる。
を樹脂パッケージ１の側面外方に延在させ、かつ、樹脂
パッケージ１の側面に設けた凹溝８の内部でリード４を
下方に折り曲げるようにしたことにより、樹脂パッケー
ジ１の幅（Ｗ）、およびリード４の先端どうしの間隔（
Ｌ＞が同一の場合であっても、リード４の曲げ角度（θ
）を従来よりも小さくすることが可能となる。
従って、本実施例１によれば、次のような効果を得るこ
とができる。
とができる。
（１）、リード４を下方に折り曲げる際の曲げ角度が緩
やかになるので、リード４の折り曲げ箇所や樹脂パッケ
ージ１の側面近傍に加わる応力が低減され、リード４の
破損や樹脂パッケージ１の耐湿性低下をを効に防止する
ことができる。
やかになるので、リード４の折り曲げ箇所や樹脂パッケ
ージ１の側面近傍に加わる応力が低減され、リード４の
破損や樹脂パッケージ１の耐湿性低下をを効に防止する
ことができる。
（２）、上記（１）により、樹脂封止形半導体装置の信
頼性向上が達成される。
頼性向上が達成される。
（３）： 上記（１）により、一定の幅（Ｗ＞の樹脂パ
ツケ−ジ１の内部に封止されるペレット３の寸法を大形
化することができるため、樹脂封止形半導体装置の高集
積化、高密度化が促進される。
ツケ−ジ１の内部に封止されるペレット３の寸法を大形
化することができるため、樹脂封止形半導体装置の高集
積化、高密度化が促進される。
〔実施例２〕
第３図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
本実施例２の樹脂封止形半導体装置は、前記実施例１と
同様、絶縁シート２の下面に接合された多数本のリード
４を樹脂パッケージ１の側面から外方に延在させるとと
もに、これらのリード４を樹脂パッケージ１の側面に設
けた凹溝８の内部で下方に折り曲げるようにしたもので
あるが、さらに、本実施例２では、樹脂パッケージｌの
内部のリード４を一旦、絶縁シート２の下方に折り曲げ
、これを樹脂パッケージ１の側面から外方に延在させて
いる。
同様、絶縁シート２の下面に接合された多数本のリード
４を樹脂パッケージ１の側面から外方に延在させるとと
もに、これらのリード４を樹脂パッケージ１の側面に設
けた凹溝８の内部で下方に折り曲げるようにしたもので
あるが、さらに、本実施例２では、樹脂パッケージｌの
内部のリード４を一旦、絶縁シート２の下方に折り曲げ
、これを樹脂パッケージ１の側面から外方に延在させて
いる。
上記のように、リード４を樹脂パッケージ１の内部で下
方に折り曲げてから外方に延在させた場合には、第３図
に示すように、リード４と絶縁シート２との接合面（Ｓ
ｌ）の下方に凹溝８の上端面（Ｓ２）が位置するように
なる。
方に折り曲げてから外方に延在させた場合には、第３図
に示すように、リード４と絶縁シート２との接合面（Ｓ
ｌ）の下方に凹溝８の上端面（Ｓ２）が位置するように
なる。
ところで、前記実施例１の場合には、凹溝８の上端面（
Ｓ２）がリード４と絶縁シート２との接合面（Ｓｌ）と
一致しているたｔｌ リード４を凹溝８の内部で下方に
折り曲げる際、樹脂パッケージ１に加わる応力がもっば
ら上記接合面（Ｓｌ）に集中することになる。
Ｓ２）がリード４と絶縁シート２との接合面（Ｓｌ）と
一致しているたｔｌ リード４を凹溝８の内部で下方に
折り曲げる際、樹脂パッケージ１に加わる応力がもっば
ら上記接合面（Ｓｌ）に集中することになる。
しかし、熱膨張率が互いに異なるリード４と絶縁シート
２と樹脂パッケージ１との界面となっている接合面（Ｓ
ｌ）は、回路動作時の発熱による熱応力や樹脂パッケー
ジ１が硬化する際の残留応力が集中していることから、
元来、強度の乏しい箇所であり、この接合面（Ｓ、）に
さらにリード４を折り曲げる際の応力が集中すると、ク
ラックや界面剥離が発生し易くなる。
２と樹脂パッケージ１との界面となっている接合面（Ｓ
ｌ）は、回路動作時の発熱による熱応力や樹脂パッケー
ジ１が硬化する際の残留応力が集中していることから、
元来、強度の乏しい箇所であり、この接合面（Ｓ、）に
さらにリード４を折り曲げる際の応力が集中すると、ク
ラックや界面剥離が発生し易くなる。
ところが、本実施例２の場合には、前記のように、凹溝
８の上端面（Ｓ２）が接合面（Ｓｌ）の下方に位置して
いることから、凹溝８の内部でリード４を下方に折り曲
げる際に樹脂パッケージ１に加わる応力が接合面（Ｓｌ
）に集中することなく分散され、これにより、強度の乏
しい接合面（Ｓ、）にクラックや界面剥離が発生するの
を有効に防止することができる。
８の上端面（Ｓ２）が接合面（Ｓｌ）の下方に位置して
いることから、凹溝８の内部でリード４を下方に折り曲
げる際に樹脂パッケージ１に加わる応力が接合面（Ｓｌ
）に集中することなく分散され、これにより、強度の乏
しい接合面（Ｓ、）にクラックや界面剥離が発生するの
を有効に防止することができる。
従って、本実施例２によれば、樹脂パッケージｌの耐湿
性低下がより有効に防止され、樹脂封止形半導体装置の
信頼性が一層向上する、という効果を得ることができる
。
性低下がより有効に防止され、樹脂封止形半導体装置の
信頼性が一層向上する、という効果を得ることができる
。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、実施例では、各リードの下方領域に個別に凹溝
を設けたが、樹脂パッケージ側面のリード下方領域全体
にわたって一つの大きな凹溝を設けてもよい。
を設けたが、樹脂パッケージ側面のリード下方領域全体
にわたって一つの大きな凹溝を設けてもよい。
また、実施例では、本発明をＤＩＬ−Ｐ形の半導体装置
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えば、ＰＬＣＣ形、ＳＯＪ形、ＺＩＰ
形など、樹脂パッケージの側面からリードが下方に折り
曲げられたパッケージ構造を有する各種の樹脂封止形半
導体装置に適用することができる。
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えば、ＰＬＣＣ形、ＳＯＪ形、ＺＩＰ
形など、樹脂パッケージの側面からリードが下方に折り
曲げられたパッケージ構造を有する各種の樹脂封止形半
導体装置に適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、絶縁シートの上面に接合されたペレットと、
この絶縁シートの下面に接合されたリードの一部とを樹
脂パッケージで封止し、この樹脂パッケージの側面から
外方に延在させたリードの下方領域における該樹脂パッ
ケージの側面に凹溝を設けてこの凹溝内でリードを下方
に折り曲げた樹脂封止形半導体装置とすることにより、
リードを下方に折り曲げる際の曲げ角度を緩やかにする
ことができるため、リードの折り曲げ箇所やパッケージ
の側面近傍に加わる応力が低減され、これにより、信頼
性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる。
この絶縁シートの下面に接合されたリードの一部とを樹
脂パッケージで封止し、この樹脂パッケージの側面から
外方に延在させたリードの下方領域における該樹脂パッ
ケージの側面に凹溝を設けてこの凹溝内でリードを下方
に折り曲げた樹脂封止形半導体装置とすることにより、
リードを下方に折り曲げる際の曲げ角度を緩やかにする
ことができるため、リードの折り曲げ箇所やパッケージ
の側面近傍に加わる応力が低減され、これにより、信頼
性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる。
また、その際、樹脂パッケージの内部てリートを下方に
折り曲げてから外方に延在させることによって、リード
と絶縁シートとの接合面への応力集中が防止されるので
、樹脂パッケージにおける耐湿性の低下がより有効に防
止され、その結果、より信頼性の高い樹脂封止形半導体
装置が得られる。
折り曲げてから外方に延在させることによって、リード
と絶縁シートとの接合面への応力集中が防止されるので
、樹脂パッケージにおける耐湿性の低下がより有効に防
止され、その結果、より信頼性の高い樹脂封止形半導体
装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の部分破断
斜視図、 第２図はこの半導体装置を示す第１図Ｉ−Ｉ線断面図ご 第３図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す断
面図である。 １・・・樹脂パッケージ、２・・・絶縁シート、３・・
・ペレット、４・・・リード、５・・・接着剤、６・・
・ポンディングパッド、７・・・ワイヤ、８・・・凹溝
。 Ｊ 、Ｘ ＞
斜視図、 第２図はこの半導体装置を示す第１図Ｉ−Ｉ線断面図ご 第３図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す断
面図である。 １・・・樹脂パッケージ、２・・・絶縁シート、３・・
・ペレット、４・・・リード、５・・・接着剤、６・・
・ポンディングパッド、７・・・ワイヤ、８・・・凹溝
。 Ｊ 、Ｘ ＞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁シートの上面に接合された半導体ペレットと、
前記絶縁シートの下面に接合されたリードとを樹脂パッ
ケージで封止するとともに、前記樹脂パッケージの側面
から外方に延在するリードを前記樹脂パッケージの下方
に折り曲げてなる半導体装置であって、前記樹脂パッケ
ージの側面における前記リードの下方領域に凹溝を設け
、前記凹溝内で前記リードを折り曲げたことを特徴とす
る半導体装置。 ２、樹脂パッケージ内で下方に折り曲げたリードを前記
樹脂パッケージの側面から外方に延在させたことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074988A JPH01206652A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074988A JPH01206652A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206652A true JPH01206652A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12312333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3074988A Pending JPH01206652A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01206652A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950021459A (ko) * | 1993-12-10 | 1995-07-26 | 가나이 쓰토무 | 측면에 플랜지를 가진 패케지 반도체장치 및 그 제조방법 |
| US5554823A (en) * | 1991-12-27 | 1996-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Packaging device and its manufacturing method |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP3074988A patent/JPH01206652A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554823A (en) * | 1991-12-27 | 1996-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Packaging device and its manufacturing method |
| KR950021459A (ko) * | 1993-12-10 | 1995-07-26 | 가나이 쓰토무 | 측면에 플랜지를 가진 패케지 반도체장치 및 그 제조방법 |
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