JPS6132452A - リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
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- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
- H01F7/16—Rectilinearly-movable armatures
- H01F7/1607—Armatures entering the winding
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49544—Deformation absorbing parts in the lead frame plane, e.g. meanderline shape
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/4912—Layout
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- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
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- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85203—Thermocompression bonding
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- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はリードフレームまたはそれを用いた電子装置(
半導体装置も含む)に関し、たとえば複数のリードを有
し、これらリードと複数電極を有する半導体チップとの
間をワイヤで連結した状態で樹脂モールド封止される半
導体装置を対象とする。
半導体装置も含む)に関し、たとえば複数のリードを有
し、これらリードと複数電極を有する半導体チップとの
間をワイヤで連結した状態で樹脂モールド封止される半
導体装置を対象とする。
樹脂モールド封止タイプのICあるいはLSIなどの半
導体装置においては、組立段階でリードフレームが使わ
れている。
導体装置においては、組立段階でリードフレームが使わ
れている。
このリードフレームは、たとえば、第2図に示すように
半導体素子(チップ)1を取付けるためのタブ2と、タ
ブ20周辺にほぼ放射状に配置した複数のリード3a、
3b (タブつりリード4を含む〕と、複数のリード
間を連結するダム5及び全体を外側で支持する外枠6(
これらをまとめてリードフレームという)とを一体に形
成したものである。モールド段階では、タブ上に配設し
たチップの所望電極と所望リード間をたとえば金(Au
)よりなるワイヤ7で接続した状態で樹脂モールドを行
なう。その後、ダム部分及び外枠を取りさりリード間を
切り離し、電子装置を完成するものである。
半導体素子(チップ)1を取付けるためのタブ2と、タ
ブ20周辺にほぼ放射状に配置した複数のリード3a、
3b (タブつりリード4を含む〕と、複数のリード
間を連結するダム5及び全体を外側で支持する外枠6(
これらをまとめてリードフレームという)とを一体に形
成したものである。モールド段階では、タブ上に配設し
たチップの所望電極と所望リード間をたとえば金(Au
)よりなるワイヤ7で接続した状態で樹脂モールドを行
なう。その後、ダム部分及び外枠を取りさりリード間を
切り離し、電子装置を完成するものである。
このリードフレームにおいて、樹脂モールドされるダム
5より内側にあるリード部分をインナーリード3a、外
側の部分をアウターリード3bとする。
5より内側にあるリード部分をインナーリード3a、外
側の部分をアウターリード3bとする。
このインナーリード3aはその先端部3Cが、第3図に
一部を拡大して示すように、チップ1周辺部の電極とな
るポンディングパッド8に向ってワイヤ7を引き出す方
向になるように曲折枝状に形成されている。
一部を拡大して示すように、チップ1周辺部の電極とな
るポンディングパッド8に向ってワイヤ7を引き出す方
向になるように曲折枝状に形成されている。
ところで、半導体装置のパッケージの動向として日経マ
グロウヒル社発行「日経エレクトロニクス」誌、198
4年6月4日号、P141〜P152にも記載されてい
るごとく以下の2つがあげられる。
グロウヒル社発行「日経エレクトロニクス」誌、198
4年6月4日号、P141〜P152にも記載されてい
るごとく以下の2つがあげられる。
1つは、配線基板(プリント基板)に半導体装置を高密
度に実装するためのパッケージの小型化動向である。
度に実装するためのパッケージの小型化動向である。
他の1つは、半導体チップの高集積化及び半導体装置の
高付加価値化にともなう多ピン化動向である。
高付加価値化にともなう多ピン化動向である。
小屋化の波はDual In −1ine Packa
ge (DIFと称す)にも押しよせている。ピン・ピ
ッチを100ミル(2,54餌)から70ミル(1,7
8m ) Ic L、たシュリンクDIPや、ピン・ピ
ッチは標準並みでパッケージの幅を25〜50%に縮め
たスキニーDIP(スリムDIPともいう)が最近登場
している。
ge (DIFと称す)にも押しよせている。ピン・ピ
ッチを100ミル(2,54餌)から70ミル(1,7
8m ) Ic L、たシュリンクDIPや、ピン・ピ
ッチは標準並みでパッケージの幅を25〜50%に縮め
たスキニーDIP(スリムDIPともいう)が最近登場
している。
本発明者らは上記スキニーDIPについて検討を行なっ
た結果、下記のことがわかった。すなわち、スキニーD
IPにおいて、第3図で示されるダムとタブとの間隔A
が小さく限られ、しかもこの間にインナーリード3aが
多数配線されるようになると、ワイヤの外側のインナー
リードの深さ寸法B、を小さくしてチップ側にインナー
リード先端3cを向けて引き出すことが必要となる。ま
た、リード側ボンディングスペースを確保することから
もこの方法が採られる。
た結果、下記のことがわかった。すなわち、スキニーD
IPにおいて、第3図で示されるダムとタブとの間隔A
が小さく限られ、しかもこの間にインナーリード3aが
多数配線されるようになると、ワイヤの外側のインナー
リードの深さ寸法B、を小さくしてチップ側にインナー
リード先端3cを向けて引き出すことが必要となる。ま
た、リード側ボンディングスペースを確保することから
もこの方法が採られる。
しかしながら寸法B、を小さくすることは、樹脂モール
ドタイプのパッケージの機械的強度を確保する上で、す
なわち、樹脂モールド後にダム5を切断する場合や、樹
脂モールド時のパッケージ内部への機械的熱的ストレス
の影響を極力少なくする上で不利となることがわかった
。又、B、寸法の小さいことはパッケージ外気からの樹
脂モールド体を通じてリードへの湿気進入経路(リーク
バスとも称す。)が短かくなり、半導体装置完成後の耐
湿信頼度の点でも問題になることがわかった。
ドタイプのパッケージの機械的強度を確保する上で、す
なわち、樹脂モールド後にダム5を切断する場合や、樹
脂モールド時のパッケージ内部への機械的熱的ストレス
の影響を極力少なくする上で不利となることがわかった
。又、B、寸法の小さいことはパッケージ外気からの樹
脂モールド体を通じてリードへの湿気進入経路(リーク
バスとも称す。)が短かくなり、半導体装置完成後の耐
湿信頼度の点でも問題になることがわかった。
本発明の一つの目的は上記した問題を克服して、信頼性
をより向上することができるリードフレームやそれを用
いた樹脂封止半導体装置を提供することにある。
をより向上することができるリードフレームやそれを用
いた樹脂封止半導体装置を提供することにある。
本発明の他の一つの目的はチップと複数のリードとの間
をワイヤで結ぶ電子装置であって、小型化、高信頼性に
対応しうる製品を提供することにある。
をワイヤで結ぶ電子装置であって、小型化、高信頼性に
対応しうる製品を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、半導体チップを取付けるためのタブと、タブ
周辺に配置した複数のリードと、複数のリード間を連結
するダムや外枠からなる樹脂封止パッケージ用のリード
フレームにおいて、複数のす+−ドの一部又は全部は、
そのリードからタブ上のチップ周辺部のボンディングバ
ンドへ引き出すワイヤ方向と逆方向に内端を有するもの
で、インナーリードの樹脂内への入りこみ量を十分確保
し、かつ、リークパスを長くとれ、かつ、リード上でボ
ンディングエリヤを確保できることより、機械的強度や
耐湿性の点ですぐれた樹脂封止パッケージ用リードフレ
ームが得られる。
周辺に配置した複数のリードと、複数のリード間を連結
するダムや外枠からなる樹脂封止パッケージ用のリード
フレームにおいて、複数のす+−ドの一部又は全部は、
そのリードからタブ上のチップ周辺部のボンディングバ
ンドへ引き出すワイヤ方向と逆方向に内端を有するもの
で、インナーリードの樹脂内への入りこみ量を十分確保
し、かつ、リークパスを長くとれ、かつ、リード上でボ
ンディングエリヤを確保できることより、機械的強度や
耐湿性の点ですぐれた樹脂封止パッケージ用リードフレ
ームが得られる。
〔実施例1〕
以下、図面に従い本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すものであって、ICの
樹脂モールドパッケージに使用するリードフレームの一
部を拡大した平面図である。
樹脂モールドパッケージに使用するリードフレームの一
部を拡大した平面図である。
同図九おいて、2はタブ、4はタブつりリード、3aは
インナーリード、5はダム、3bはアウターリードであ
って、これらは一体のリードフレームとして形成される
。1は半導体チップで、タブ2上に取り付けられる。こ
のチップ周辺にそって、ポンディングパッド8が設げら
れている。7はボンディングワイヤ(たとえばAuワイ
ヤ)で、インナーリード3a上の内端に近い一点9とチ
ップ1のポンディングパッド8との間に接続される。
インナーリード、5はダム、3bはアウターリードであ
って、これらは一体のリードフレームとして形成される
。1は半導体チップで、タブ2上に取り付けられる。こ
のチップ周辺にそって、ポンディングパッド8が設げら
れている。7はボンディングワイヤ(たとえばAuワイ
ヤ)で、インナーリード3a上の内端に近い一点9とチ
ップ1のポンディングパッド8との間に接続される。
なお、リードフレーム全体はCu系・Cu合金系の金属
薄板を打抜いて又は、エツチングにより形成される。必
要に応じタブ2.インナ−リード3a表面には金(Au
)、銀(Ag )等のメッキ膜が施される。
薄板を打抜いて又は、エツチングにより形成される。必
要に応じタブ2.インナ−リード3a表面には金(Au
)、銀(Ag )等のメッキ膜が施される。
同図に示すように、本発明によりリードフレームの特徴
は、リードフレームのダム部分5から内側のインナーリ
ード3aはタブ2(又はチップ1)方向へのびていった
ん折れ曲がった形状で、その内端3dはタブ2と反対方
向に向いて形成されることである。このインナーリード
3aの内端側の一点9をボンディング座標点としてワイ
ヤ7の一端が熱圧着ボンディングされ、ワイヤの他端が
チップ1側のポンディングパッド8にボンディングされ
る。すなわちインナーリード3aの内端3dはボンディ
ングワイヤ7の延長線上にあることになる。
は、リードフレームのダム部分5から内側のインナーリ
ード3aはタブ2(又はチップ1)方向へのびていった
ん折れ曲がった形状で、その内端3dはタブ2と反対方
向に向いて形成されることである。このインナーリード
3aの内端側の一点9をボンディング座標点としてワイ
ヤ7の一端が熱圧着ボンディングされ、ワイヤの他端が
チップ1側のポンディングパッド8にボンディングされ
る。すなわちインナーリード3aの内端3dはボンディ
ングワイヤ7の延長線上にあることになる。
上記により、ダムとタブとの寸法(A寸法と呼ぶ。)が
短かいスキニーDIPにおいても、インナーリードの深
さく82寸法とする。)を十分に取ることができるため
、パッケージの機械的強度を確保することができる。ま
た、モールド面からポンディング点9までの距離を十分
とれるため、リークパスを長くでき、耐湿性の良い半導
体装置が得られる。
短かいスキニーDIPにおいても、インナーリードの深
さく82寸法とする。)を十分に取ることができるため
、パッケージの機械的強度を確保することができる。ま
た、モールド面からポンディング点9までの距離を十分
とれるため、リークパスを長くでき、耐湿性の良い半導
体装置が得られる。
このようなインナーリードはタブ(チップ)と樹脂モー
ルドライン(ダムライン)との間隔Aが比較的狭い個所
に配置される短かいリード(短リード)に主として採用
されるが上記間隔が広い個所のリードすなわち、第1図
に示すようにたとえばタブつりリード4に沿った長いリ
ード3eの先端にも利用することができる。
ルドライン(ダムライン)との間隔Aが比較的狭い個所
に配置される短かいリード(短リード)に主として採用
されるが上記間隔が広い個所のリードすなわち、第1図
に示すようにたとえばタブつりリード4に沿った長いリ
ード3eの先端にも利用することができる。
なお、短かいリードの場合、第4図や第5(a)図から
第5(g)図に示すような変形例も考えられる。
第5(g)図に示すような変形例も考えられる。
第4図に示すリードは水の浸入経路(リークパスとも称
す。)を長くする構造である。短かいり−ドの場合は特
にリード抜は防止用のヒレ10を側面方向に設けるとよ
い。20は空間部を示し、樹脂モールド時には樹脂が充
てんされることより、耐湿性と信頼性を向上させている
。
す。)を長くする構造である。短かいり−ドの場合は特
にリード抜は防止用のヒレ10を側面方向に設けるとよ
い。20は空間部を示し、樹脂モールド時には樹脂が充
てんされることより、耐湿性と信頼性を向上させている
。
第5(b)図に示す形状としてもよい。この場合忙はリ
ード角部21.22がリード抜は防止を兼ねている。ま
た、注目すべきはボンディング面となるリードがリード
内端3dから、扇状に拡がっていることである。この理
由はポンディングパッド配置自由度を向上させることに
より、設計自由度を向上させるためである。本発明者ら
は高信頼性を得るためのボンディング方法として第12
図に示す技術を採用している。すなわち、ワイヤ流れに
よるワイヤ間ショート及びワイヤとタブとのショートを
防止する目的で、ワイヤ7を同図一点鎖線間にはるもの
である。この一点鎖線は、インナーリード先端の角部2
1,22とボンディング座標点9とを結ぶ直線である。
ード角部21.22がリード抜は防止を兼ねている。ま
た、注目すべきはボンディング面となるリードがリード
内端3dから、扇状に拡がっていることである。この理
由はポンディングパッド配置自由度を向上させることに
より、設計自由度を向上させるためである。本発明者ら
は高信頼性を得るためのボンディング方法として第12
図に示す技術を採用している。すなわち、ワイヤ流れに
よるワイヤ間ショート及びワイヤとタブとのショートを
防止する目的で、ワイヤ7を同図一点鎖線間にはるもの
である。この一点鎖線は、インナーリード先端の角部2
1,22とボンディング座標点9とを結ぶ直線である。
この方法忙よれば、ポンディングパッド7は同図矢印の
範囲内で自由に設けることが出来る。本発明によればボ
ンディング座標点9をチップ1 (又はタブ2)から遠
くしボンディングエリアの拡大を行なうものであるが第
1z図に示すようなリードで単に遠方に座標点9′を設
けたのでは、同図2点鎖線で示すごとく、ポンディング
パッドの設置自由度が減少してしまう。しかし、第13
図に示すようにインナーリードがチップに対して扇状に
なっているため、ボンディング座標点を9′と遠くに設
けても十分なポンディングパッド設置自由度(矢印で示
す)が得られる。
範囲内で自由に設けることが出来る。本発明によればボ
ンディング座標点9をチップ1 (又はタブ2)から遠
くしボンディングエリアの拡大を行なうものであるが第
1z図に示すようなリードで単に遠方に座標点9′を設
けたのでは、同図2点鎖線で示すごとく、ポンディング
パッドの設置自由度が減少してしまう。しかし、第13
図に示すようにインナーリードがチップに対して扇状に
なっているため、ボンディング座標点を9′と遠くに設
けても十分なポンディングパッド設置自由度(矢印で示
す)が得られる。
第5(c)図、第5(d)図は、リード抜は防止用ヒレ
10を設けず、アウターリード3bとインナーリード3
aを略同−の幅としている。リード抜は防止は空間部2
0を太きくし、空間部に入るレジン量を多くすることで
行なっている。このリード形状は、多ビン化に適し、小
屋、多ピン化の傾向にあるパッケージの要求にも十分満
足できるとともに高い信頼性を持つパッケージが得られ
る。
10を設けず、アウターリード3bとインナーリード3
aを略同−の幅としている。リード抜は防止は空間部2
0を太きくし、空間部に入るレジン量を多くすることで
行なっている。このリード形状は、多ビン化に適し、小
屋、多ピン化の傾向にあるパッケージの要求にも十分満
足できるとともに高い信頼性を持つパッケージが得られ
る。
第5(e)図は、第5(b)図に示すリード形状にリー
ド抜げ防止ヒレ10を設げたもので、高信頼性及び高い
設計自由度を有する。
ド抜げ防止ヒレ10を設げたもので、高信頼性及び高い
設計自由度を有する。
第5(f)図は、第5(c)図の変形例でリード内端3
dの一方をアウターリード3bよりはり出させた構造で
、リード抜は防止の働きをもしている。
dの一方をアウターリード3bよりはり出させた構造で
、リード抜は防止の働きをもしている。
第5(c)図〜第5(f)図も、第5(b)図と同様ボ
ンディングリード面が扇状に拡がっているため、同様な
効果が得られる。
ンディングリード面が扇状に拡がっているため、同様な
効果が得られる。
第5(g)図は、インナーリード角部20.21がリー
ド抜は防止の働きをするほか、空間部20を大きくして
さらに信頼性と耐湿性の向上を計っている。
ド抜は防止の働きをするほか、空間部20を大きくして
さらに信頼性と耐湿性の向上を計っている。
第6図は上記実施例で述べたリードフレームを使用した
スキニー(スリム)形デンアルインライン樹脂封止半導
体装置の一部を切り欠いた全体形状を示す斜面図である
。短リード側へ寸法の小さいスキニーDIPに本発明は
特に有効である。第7図は第6図に示される半導体装置
の内部構造を示す断面図である。同図で11は樹脂モー
ルド体である。他の構造部分で第1図で示した構成部分
と共通する部分には同じ指示番号を与えである。
スキニー(スリム)形デンアルインライン樹脂封止半導
体装置の一部を切り欠いた全体形状を示す斜面図である
。短リード側へ寸法の小さいスキニーDIPに本発明は
特に有効である。第7図は第6図に示される半導体装置
の内部構造を示す断面図である。同図で11は樹脂モー
ルド体である。他の構造部分で第1図で示した構成部分
と共通する部分には同じ指示番号を与えである。
同図に示す如く、スキニーDIPでは短リード側でへ寸
法が極めて少ないので従来は耐湿性9機械的強度等が十
分に得られなかったが、本発明のリードフレームを使用
することで耐湿性2機械的強度、信頼性に優れたスキニ
ーDIPが得られる。
法が極めて少ないので従来は耐湿性9機械的強度等が十
分に得られなかったが、本発明のリードフレームを使用
することで耐湿性2機械的強度、信頼性に優れたスキニ
ーDIPが得られる。
上記実施例】のようなインナーリード内端を有するリー
ドフレーム及びこのリードフレームを使用した樹脂モー
ルド半導体装置においては下記のような効果が得られる
。
ドフレーム及びこのリードフレームを使用した樹脂モー
ルド半導体装置においては下記のような効果が得られる
。
(1) チップのポンディングパッドと、リード側の
ボンディング座標点とを結ぶワイヤの延長上に、そし℃
チップとは反対方向にインナーリード端を形成すること
により、リード上でのワイヤボンディングエリアを十分
に確保することができる。
ボンディング座標点とを結ぶワイヤの延長上に、そし℃
チップとは反対方向にインナーリード端を形成すること
により、リード上でのワイヤボンディングエリアを十分
に確保することができる。
(2)インナーリードのチップ側端部から多少(0,4
mmg度)後方(アウターリード側)にボンディング座
標のねらいを設定することが可能となる。これまでは第
8図に示すようにインナーリード3a上のボンディング
座標点9がチップ1に接近して設定されるため、ワイヤ
ボンディングの際にワイヤ7がタブ2とリード3aとの
間に垂れ下がることがある。又、チップ側からのワイヤ
の傾斜度θ、が大きくなるためにワイヤループがくずれ
やすくワイヤがチップ1の縁部に短絡する事故を起しや
すかった。
mmg度)後方(アウターリード側)にボンディング座
標のねらいを設定することが可能となる。これまでは第
8図に示すようにインナーリード3a上のボンディング
座標点9がチップ1に接近して設定されるため、ワイヤ
ボンディングの際にワイヤ7がタブ2とリード3aとの
間に垂れ下がることがある。又、チップ側からのワイヤ
の傾斜度θ、が大きくなるためにワイヤループがくずれ
やすくワイヤがチップ1の縁部に短絡する事故を起しや
すかった。
これに対し、本発明の場合、リード上のボンディング座
標点9を後方に設定することで第9図に示すようにワイ
ヤ7をリード3a上に長く形成することにより、ワイヤ
の下のリードが同図一点鎖線で示す如くワイヤを支える
という作用でワイヤ7の垂れ下がりが少なくなる。又、
ワイヤの傾斜角θ2も小さくなってワイヤループがくず
れにくくなり、チップ1への短絡が少なくなる。
標点9を後方に設定することで第9図に示すようにワイ
ヤ7をリード3a上に長く形成することにより、ワイヤ
の下のリードが同図一点鎖線で示す如くワイヤを支える
という作用でワイヤ7の垂れ下がりが少なくなる。又、
ワイヤの傾斜角θ2も小さくなってワイヤループがくず
れにくくなり、チップ1への短絡が少なくなる。
(3) インナーリードの樹脂モールド体内への入り
こみ量を大きく取ることができる。これによりアウター
リードのつけ根からモード側ボンディング位置までのリ
ークパスが長くなり、耐湿性の上で信頼性が向上する。
こみ量を大きく取ることができる。これによりアウター
リードのつけ根からモード側ボンディング位置までのリ
ークパスが長くなり、耐湿性の上で信頼性が向上する。
(4)インナーリードが「かぎの手」状に曲らた形状を
もつことにより樹脂モールド体からの抜は防止効果をも
つ。
もつことにより樹脂モールド体からの抜は防止効果をも
つ。
(5) ボンディング面となるインナーリードの引き
だし方向を、タブと逆方向にしたことにより、タブとダ
ムの寸法(へ寸法)を大きくすることなくインナーリー
ドの樹脂モールド体内への入りこみ杜を大きくできるこ
とより、パッケージの機械的強度を確保できる。
だし方向を、タブと逆方向にしたことにより、タブとダ
ムの寸法(へ寸法)を大きくすることなくインナーリー
ドの樹脂モールド体内への入りこみ杜を大きくできるこ
とより、パッケージの機械的強度を確保できる。
(6)上記(1) 、 (2) 、 (3) 、 (4
1、(5)より、A、寸法を大きくすることなく高耐湿
性、高信頼性2機械的強度の確保ができることより、A
1寸法の極めて小さい小製パッケージの耐湿性、信頼性
を向上することができる。
1、(5)より、A、寸法を大きくすることなく高耐湿
性、高信頼性2機械的強度の確保ができることより、A
1寸法の極めて小さい小製パッケージの耐湿性、信頼性
を向上することができる。
〔実施例2〕
第10図は本発明の他の一実施例を示すものであって、
リードレスタイプガラス封止パッケージの内部を示す平
面図、第11図は第10図における断面図である。
リードレスタイプガラス封止パッケージの内部を示す平
面図、第11図は第10図における断面図である。
同図において、12はセラミックパッケージペースで、
その内面に半導体チップ1が取付けられる。13は、樹
脂封止の場合のリードに対応するメタライズ膜の配線で
、その一部はセラミックペース12中に埋設され、その
一方はパッケージ内側に露出され、他方はパッケージペ
ース外側の半円形縦溝14に接続される。この縦溝14
内面にはメタライズ膜が被着され、配線基板上のビン(
図示されない)に接触することにより配線接続するよう
になっている。上記メタライズ配線13のパッケージペ
ース内側に露出する部分は第10図に示すようにチップ
に近い内側で折り曲っており、外側に向いた内端部15
をボンディング部としてチップ周辺のポンディングパッ
ドとの間でワイヤ7によるワイヤボンディングしである
。16は金属又はセラミックからなるキャップでセラミ
ックペースとの間はガラス膜17等を介して封止される
。
その内面に半導体チップ1が取付けられる。13は、樹
脂封止の場合のリードに対応するメタライズ膜の配線で
、その一部はセラミックペース12中に埋設され、その
一方はパッケージ内側に露出され、他方はパッケージペ
ース外側の半円形縦溝14に接続される。この縦溝14
内面にはメタライズ膜が被着され、配線基板上のビン(
図示されない)に接触することにより配線接続するよう
になっている。上記メタライズ配線13のパッケージペ
ース内側に露出する部分は第10図に示すようにチップ
に近い内側で折り曲っており、外側に向いた内端部15
をボンディング部としてチップ周辺のポンディングパッ
ドとの間でワイヤ7によるワイヤボンディングしである
。16は金属又はセラミックからなるキャップでセラミ
ックペースとの間はガラス膜17等を介して封止される
。
上記実施例2で示したセラミックパッケージペースのメ
タライズ配線の内端がワイヤボンディングの引き出し方
向と逆の方向(外側)に形成された半導体装置において
は下記の効果が得られる。
タライズ配線の内端がワイヤボンディングの引き出し方
向と逆の方向(外側)に形成された半導体装置において
は下記の効果が得られる。
(1) セラミックペースにおけるメタライズ配線上
でのワイヤボンディングエリアを十分に確保することが
できる。
でのワイヤボンディングエリアを十分に確保することが
できる。
(2) ワイヤの垂れ下がりを少なくしチップ縁部と
ワイヤとの短絡を少なくすることができる。
ワイヤとの短絡を少なくすることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、柔軟性の絶縁フィルム面にリードやタブを印
刷し、タブ上に半導体チップを取り付けた後、チップと
リード間をワイヤボンディングし、その後m脂モールド
するフィルムキャリアタイプの半導体装置において、リ
ード内端部の形状に本発明を応用すればリード上のボン
ディングエリアの確保に前記実施例と同様の効果が得ら
れる。
刷し、タブ上に半導体チップを取り付けた後、チップと
リード間をワイヤボンディングし、その後m脂モールド
するフィルムキャリアタイプの半導体装置において、リ
ード内端部の形状に本発明を応用すればリード上のボン
ディングエリアの確保に前記実施例と同様の効果が得ら
れる。
また、通常のリードと本発明のリードとを交互に配量し
た形状でも同様な効果が得られる。
た形状でも同様な効果が得られる。
本発明は多ビン又は多リードを有し、ワイヤボンディン
グによってチップの電極と接続するタイプの半導体装置
、電子装置全般に適用できる。
グによってチップの電極と接続するタイプの半導体装置
、電子装置全般に適用できる。
本発明は特に高密度実装の目的による小型パッケージた
とえばスリムタイプのごとき細長いパッケージ及び多ビ
ンのパッケージに利用して有利である。
とえばスリムタイプのごとき細長いパッケージ及び多ビ
ンのパッケージに利用して有利である。
第1図は本発明の一実施例を示すリードフレームの部分
拡大平面図である。 第2図はリードフレームの一例を示す全体平面図である
。 第3図は第2図に示されるリードフレームの一部拡大図
である。 第4図及び第5(a)図から第5(g)図は本発明によ
るリードフレームの応用例を示す拡大平面図である。 第6図は本発明によるリードフレーム使用の樹脂封止半
導体装置の一部切欠き全体斜面図、第7図は同縦断面図
、 第8図及び第9図はワイヤボンディングの状態を示す半
導体装置の一部拡大断面図であって、第8図はこれまで
の例、 第9図は本発明の場合の例を示す。 第10図は本発明の他の一実施例を示すガラス封止パッ
ケージ半導体装置の平面図、 第11図は第10図の断面図、 第12図は従来のボンディング状態を示す概念図、 第13図は本発明のボンディング状態を示す概念図であ
る。 1・・・半導体チップ、2・・・タブ、3a・・・イン
ナーリード、3b・・・アクタ−リード、 3c 、3
d・・・インナーリード内端、4・・・タブリード、5
・・・ダム、6・・・外枠(フレーム)、7・・・ワイ
ヤ、8・・・ポンディングパッド、9・・・ボンディン
グ座標点、10・・・ヒレ、11・・・樹脂モールド体
。 \゛・− 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 1 図 第 2 図 第 3 図 一部 第 4 図 第 5 (a)図2、。 第5(b)図 第5(C)図 第5(d=図 第3c′)図 第5C±)図 第5 (%)図 第 6 図 第 7 図 第 8 図 第 9 図 Z ざa第 10
図 第 11 図 第 12 図 イ 第13図
拡大平面図である。 第2図はリードフレームの一例を示す全体平面図である
。 第3図は第2図に示されるリードフレームの一部拡大図
である。 第4図及び第5(a)図から第5(g)図は本発明によ
るリードフレームの応用例を示す拡大平面図である。 第6図は本発明によるリードフレーム使用の樹脂封止半
導体装置の一部切欠き全体斜面図、第7図は同縦断面図
、 第8図及び第9図はワイヤボンディングの状態を示す半
導体装置の一部拡大断面図であって、第8図はこれまで
の例、 第9図は本発明の場合の例を示す。 第10図は本発明の他の一実施例を示すガラス封止パッ
ケージ半導体装置の平面図、 第11図は第10図の断面図、 第12図は従来のボンディング状態を示す概念図、 第13図は本発明のボンディング状態を示す概念図であ
る。 1・・・半導体チップ、2・・・タブ、3a・・・イン
ナーリード、3b・・・アクタ−リード、 3c 、3
d・・・インナーリード内端、4・・・タブリード、5
・・・ダム、6・・・外枠(フレーム)、7・・・ワイ
ヤ、8・・・ポンディングパッド、9・・・ボンディン
グ座標点、10・・・ヒレ、11・・・樹脂モールド体
。 \゛・− 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 1 図 第 2 図 第 3 図 一部 第 4 図 第 5 (a)図2、。 第5(b)図 第5(C)図 第5(d=図 第3c′)図 第5C±)図 第5 (%)図 第 6 図 第 7 図 第 8 図 第 9 図 Z ざa第 10
図 第 11 図 第 12 図 イ 第13図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップを取付けるためのタブと、タブの周辺
に配置した複数のリードと、複数のリード間を連結する
枠部とが一体に形成された樹脂封止電子装置パッケージ
用のリードフレームであって、複数のリードの一部又は
全部がそのリードからタブ上に取付けられるチップ周辺
部へ向けて引き出すワイヤ方向と逆方向に内端を有する
ことを特徴とするリードフレーム。 2、上記リードの一部は、複数のリードのうち主として
短いリード群に属する特許請求の範囲第1項に記載のリ
ードフレーム。 3、複数の電極を有する電子素子チップと、このチップ
の周辺に配置された複数のリードと、これら複数のリー
ドの内端とチップの複数の電極とを選択的に連結するワ
イヤと、上記チップ、ワイヤ及びリード内端を包含する
封止体とからなる電子装置であって、上記リードの一部
又は全部がそのリードからタブ上のチップ周辺部へ引き
出すワイヤの方向と逆の方向に内端を有することを特徴
とする電子装置。 4、上記リードはリードフレームの一部が切除されると
ともに上記封止体は樹脂成形体である特許請求の範囲第
3項に記載の電子装置。 5、上記封止体はセラミックパッケージであり、上記リ
ードはセラミックパッケージ内に形成されたメタライズ
(金属)膜よりなる配線である特許請求の範囲第3項に
記載の電子装置。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15288484A JPS6132452A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置 |
KR1019850004405A KR930011455B1 (ko) | 1984-07-25 | 1985-06-21 | 리이드 프레임과 이것을 사용한 전자장치 |
US06/758,030 US4797787A (en) | 1984-07-25 | 1985-07-23 | Lead frame and electronic device |
EP85109305A EP0173847B1 (en) | 1984-07-25 | 1985-07-24 | Lead frame and electronic device employing the same |
DE8585109305T DE3575239D1 (de) | 1984-07-25 | 1985-07-24 | Leiterrahmen und elektronische vorrichtung mit dessen verwendung. |
MYPI87001900A MY101858A (en) | 1984-07-25 | 1987-09-23 | Lead frame and electronic device employing the same |
US07/286,849 US4907129A (en) | 1984-07-25 | 1988-12-20 | Lead frame and electronic divice |
US07/470,792 US5121300A (en) | 1984-07-25 | 1990-01-25 | Lead frame and electronic device employing the same |
SG974/91A SG97491G (en) | 1984-07-25 | 1991-11-20 | Lead frame and electronic device employing the same |
HK1072/91A HK107291A (en) | 1984-07-25 | 1991-12-23 | Lead frame and electronic device employing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15288484A JPS6132452A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6132452A true JPS6132452A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15550224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15288484A Pending JPS6132452A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US4797787A (ja) |
EP (1) | EP0173847B1 (ja) |
JP (1) | JPS6132452A (ja) |
KR (1) | KR930011455B1 (ja) |
DE (1) | DE3575239D1 (ja) |
HK (1) | HK107291A (ja) |
MY (1) | MY101858A (ja) |
SG (1) | SG97491G (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0493058A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよびこれを使用して製造された半導体装置 |
JP2009200253A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Powertech Technology Inc | 半導体装置 |
Families Citing this family (17)
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---|---|---|---|---|
JPS6132452A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置 |
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US5592130A (en) * | 1987-02-27 | 1997-01-07 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator including a piezoelectric resonator with outer lead |
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JP2515406B2 (ja) * | 1989-09-05 | 1996-07-10 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
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KR0156622B1 (ko) * | 1995-04-27 | 1998-10-15 | 문정환 | 반도체 패키지,리드프레임 및 제조방법 |
US5781682A (en) * | 1996-02-01 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Low-cost packaging for parallel optical computer link |
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US20110012240A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Chenglin Liu | Multi-Connect Lead |
US9978669B2 (en) * | 2016-06-30 | 2018-05-22 | Nxp Usa, Inc. | Packaged semiconductor device having a lead frame and inner and outer leads and method for forming |
Family Cites Families (13)
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BE757101A (fr) * | 1969-10-06 | 1971-03-16 | Grisby Barton Inc | Assemblage de relais |
NL7018378A (ja) * | 1970-12-17 | 1972-06-20 | ||
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US3793474A (en) * | 1971-12-09 | 1974-02-19 | Motorola Inc | Lead configurations for plastic encapsulated semiconductor devices |
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JPS55120152A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
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EP0102988B1 (en) * | 1982-03-08 | 1988-09-21 | Motorola, Inc. | Integrated circuit lead frame |
EP0090503A3 (en) * | 1982-03-25 | 1985-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method of packaging a semiconductor device |
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JPS6132452A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15288484A patent/JPS6132452A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-21 KR KR1019850004405A patent/KR930011455B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-07-23 US US06/758,030 patent/US4797787A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-24 DE DE8585109305T patent/DE3575239D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-24 EP EP85109305A patent/EP0173847B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-23 MY MYPI87001900A patent/MY101858A/en unknown
-
1988
- 1988-12-20 US US07/286,849 patent/US4907129A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-25 US US07/470,792 patent/US5121300A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-11-20 SG SG974/91A patent/SG97491G/en unknown
- 1991-12-23 HK HK1072/91A patent/HK107291A/xx not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0493058A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよびこれを使用して製造された半導体装置 |
JP2009200253A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Powertech Technology Inc | 半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
SG97491G (en) | 1992-01-17 |
US4907129A (en) | 1990-03-06 |
EP0173847B1 (en) | 1990-01-03 |
KR860001478A (ko) | 1986-02-26 |
DE3575239D1 (de) | 1990-02-08 |
MY101858A (en) | 1992-01-31 |
US5121300A (en) | 1992-06-09 |
HK107291A (en) | 1992-01-03 |
KR930011455B1 (ko) | 1993-12-08 |
EP0173847A1 (en) | 1986-03-12 |
US4797787A (en) | 1989-01-10 |
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