JPS62114254A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPS62114254A JPS62114254A JP60254330A JP25433085A JPS62114254A JP S62114254 A JPS62114254 A JP S62114254A JP 60254330 A JP60254330 A JP 60254330A JP 25433085 A JP25433085 A JP 25433085A JP S62114254 A JPS62114254 A JP S62114254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- lead frame
- inner leads
- pressing
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、リードフレームの製造方法に関する。
[従来の技術I
IC,LSI等の半導体装置は、半導体集積回路を第1
図に示すようなリードフレームのバッド1に搭載し、こ
の半導体集積回路の端子とリードフレームのインナーリ
ード2とを金線あるいはアルミ線のポンディングにより
接続し、更にこれらを樹脂やセラミックで封入すること
により製造されている。
図に示すようなリードフレームのバッド1に搭載し、こ
の半導体集積回路の端子とリードフレームのインナーリ
ード2とを金線あるいはアルミ線のポンディングにより
接続し、更にこれらを樹脂やセラミックで封入すること
により製造されている。
なお、第1図において、3はアウターリード、4.5は
サイトレール、6aおよび6bはタイバー(ダムバー)
、7はサポートバーである。
サイトレール、6aおよび6bはタイバー(ダムバー)
、7はサポートバーである。
従来、かかるリードフレームを製造する方法としては、
エツチングによって製造する方法と、リードフレーム打
抜用金型を用いたプレス加工によって製造する方法とが
ある。
エツチングによって製造する方法と、リードフレーム打
抜用金型を用いたプレス加工によって製造する方法とが
ある。
[発明が解決しようとする問題点1
前者の製造方法は、インナーリード2の先端部分におけ
る微細な加工には適しているが、エツチング液が劣化す
るとエツチング液を交換しなければならず、製造コスト
が高くなるという問題がある。
る微細な加工には適しているが、エツチング液が劣化す
るとエツチング液を交換しなければならず、製造コスト
が高くなるという問題がある。
一方、後者の製造方法は、製造コストを安くすることが
できるが、微細な加工を行なう場合には、抜きかす上が
りに伴う金型の破損および金型製作の困難性等の問題が
あり、また、製品の精度も前者の製造方法よりも劣る。
できるが、微細な加工を行なう場合には、抜きかす上が
りに伴う金型の破損および金型製作の困難性等の問題が
あり、また、製品の精度も前者の製造方法よりも劣る。
本発明は上記問題点を解消することができるリードフレ
ームの製造方法を提供する事を目的とする。
ームの製造方法を提供する事を目的とする。
[問題点を解決するための手段1
本発明によれば、リードフレームのインナーリードはエ
ツチングによって形成し、前記リードフレームのアウタ
ーリードはプレス加工によって形成するようにしている
。
ツチングによって形成し、前記リードフレームのアウタ
ーリードはプレス加工によって形成するようにしている
。
[作用]
すなわち、リードフレームのインナーリードをエツチン
グによって形成することによりインナーリード先端部に
おける微細な加工を容易にするとともに高精度化を達成
し、比較的粗い加工を伴うアウターリードをプレス加工
によって形成することにより、プレス加工を容易にし、
かつ、エツチングのみに比べてエツチング液の劣化を遅
クシ、製造コストを安くする。
グによって形成することによりインナーリード先端部に
おける微細な加工を容易にするとともに高精度化を達成
し、比較的粗い加工を伴うアウターリードをプレス加工
によって形成することにより、プレス加工を容易にし、
かつ、エツチングのみに比べてエツチング液の劣化を遅
クシ、製造コストを安くする。
[実施例]
以下、本発明を添付図面を参照して詳細に説明する。
第1図はデュアルインライン形のリードフレームの拡大
平面図である。このリードフレームは、半導体集積回路
を搭載するパッド1.40本のインナーリード2および
アウターリード3.2本のサイトレール4,5、各リー
ド間を結び、樹脂モールドの際にモールド部から樹脂が
流出するのを防止するタイバー6a、6bおよびパッド
1を支持するサポートパー7から構成されている。
平面図である。このリードフレームは、半導体集積回路
を搭載するパッド1.40本のインナーリード2および
アウターリード3.2本のサイトレール4,5、各リー
ド間を結び、樹脂モールドの際にモールド部から樹脂が
流出するのを防止するタイバー6a、6bおよびパッド
1を支持するサポートパー7から構成されている。
上記リードフレームを製造する場合、エツチングによる
加工工程と、プレスによる加工工程の2つの加工工程を
用いる。すなわち、サイトレール4.5およびタイバー
6a、6bによって囲まれるパッド1を含む領域10に
おける加工(パッド1、インナーリード2、サポートパ
ー7の形成)は、エツチングによって行なう。一方上記
エッチング領域10以外の部分の加工(アウターリード
3の形成)は、その加工専用の金型を用いたプレス加工
によって行なう。
加工工程と、プレスによる加工工程の2つの加工工程を
用いる。すなわち、サイトレール4.5およびタイバー
6a、6bによって囲まれるパッド1を含む領域10に
おける加工(パッド1、インナーリード2、サポートパ
ー7の形成)は、エツチングによって行なう。一方上記
エッチング領域10以外の部分の加工(アウターリード
3の形成)は、その加工専用の金型を用いたプレス加工
によって行なう。
これら2つの工程は、いずれを先に行なうようにしても
よいが、プレス加工工程→メッキ工程→エッチング工程
の順に行なうようにした場合には、メッキ工程でのハン
ドリングに際してインナーリード先端の微小部分のひっ
かかりが生じないという効果がある。
よいが、プレス加工工程→メッキ工程→エッチング工程
の順に行なうようにした場合には、メッキ工程でのハン
ドリングに際してインナーリード先端の微小部分のひっ
かかりが生じないという効果がある。
第2図はクワッド(QUAD)形のリードフレームの拡
大平面図である。このタイプのリードフレームも前記の
場合と同様にタイバー16a。
大平面図である。このタイプのリードフレームも前記の
場合と同様にタイバー16a。
16b、16c、16dによって囲まれる領域20にお
ける加工すなわちインナーリード部の形成はエツチング
によって行ない、このエツチング領域20以外の部分の
加工、すなわちアウターリード部の形成は、プレスによ
って行なう。
ける加工すなわちインナーリード部の形成はエツチング
によって行ない、このエツチング領域20以外の部分の
加工、すなわちアウターリード部の形成は、プレスによ
って行なう。
なお、上記エツチング領域10および20をひと回り小
さくし、インナーリードの比較的粗い加工部分はプレス
加工するようにしてもよい。
さくし、インナーリードの比較的粗い加工部分はプレス
加工するようにしてもよい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、エツチングのみに
よる場合に比べてその加工精度を同等に維持でき、かつ
エツチング液の劣化が近く、またスクラップ回収昂が大
きいため、製造コストを安くすることができる。
よる場合に比べてその加工精度を同等に維持でき、かつ
エツチング液の劣化が近く、またスクラップ回収昂が大
きいため、製造コストを安くすることができる。
また、金型で微小部分を打抜かないため、抜きかす上が
り等に起因する金型の破損が減少し、かつ高速打抜きお
よび多列同時打抜きが可能である。
り等に起因する金型の破損が減少し、かつ高速打抜きお
よび多列同時打抜きが可能である。
更に、アウターリードの形状はビン数が同じであればパ
ターンはほぼ同一であるため、同一のアウターリード形
成用金型で多品種のリードフレームに対処することがで
きるという効果がある。
ターンはほぼ同一であるため、同一のアウターリード形
成用金型で多品種のリードフレームに対処することがで
きるという効果がある。
第1図および第2図はそれぞれ本発明を説明するために
用いたリードフレームの拡大平面図である。 1・・・パッド、2・・・インナーリード、3・・・ア
ウターリード、4,5・・・サイトレール、5a、5b
。 16a、16b、16c、16d・・・ダイパー、7・
・・サポートパー、10.20・・・エツチング領域。 (こ−:、1 第2図 手続ネ1n正否路(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第254330号 2、発明の名称 リードフレームの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社三井ハイチック 4、代理人 (〒104)東京都中央区銀座2丁目11番2号銀座大
作ビル6階 電話03〜545−3508 (代表)昭
和61年1月8日 (発送日 昭和61年1月28日) 6、補正の対′g!
用いたリードフレームの拡大平面図である。 1・・・パッド、2・・・インナーリード、3・・・ア
ウターリード、4,5・・・サイトレール、5a、5b
。 16a、16b、16c、16d・・・ダイパー、7・
・・サポートパー、10.20・・・エツチング領域。 (こ−:、1 第2図 手続ネ1n正否路(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第254330号 2、発明の名称 リードフレームの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社三井ハイチック 4、代理人 (〒104)東京都中央区銀座2丁目11番2号銀座大
作ビル6階 電話03〜545−3508 (代表)昭
和61年1月8日 (発送日 昭和61年1月28日) 6、補正の対′g!
Claims (1)
- リードフレームのインナーリードはエッチングによつて
形成し、前記リードフレームのアウターリードはプレス
加工によって形成することを特徴とするリードフレーム
の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60254330A JPS62114254A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
US06/875,134 US4704187A (en) | 1985-11-13 | 1986-06-17 | Method of forming a lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60254330A JPS62114254A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62114254A true JPS62114254A (ja) | 1987-05-26 |
JPH036663B2 JPH036663B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=17263503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60254330A Granted JPS62114254A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4704187A (ja) |
JP (1) | JPS62114254A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63148667A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPH02228052A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JPH02229457A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05251603A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4827376A (en) * | 1987-10-05 | 1989-05-02 | Olin Corporation | Heat dissipating interconnect tape for use in tape automated bonding |
US4849857A (en) * | 1987-10-05 | 1989-07-18 | Olin Corporation | Heat dissipating interconnect tape for use in tape automated bonding |
US4845842A (en) * | 1987-11-25 | 1989-07-11 | National Semiconductor Corporation | Process for reducing lead sweep in integrated circuit packages |
US5004521A (en) * | 1988-11-21 | 1991-04-02 | Yamaha Corporation | Method of making a lead frame by embossing, grinding and etching |
US5063432A (en) * | 1989-05-22 | 1991-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit lead assembly structure with first and second lead patterns spaced apart in parallel planes with a part of each lead in one lead pattern perpendicular to a part of each lead in the other lead pattern |
US5233220A (en) * | 1989-06-30 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Balanced capacitance lead frame for integrated circuits and integrated circuit device with separate conductive layer |
US5432127A (en) * | 1989-06-30 | 1995-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for making a balanced capacitance lead frame for integrated circuits having a power bus and dummy leads |
US5253415A (en) * | 1990-03-20 | 1993-10-19 | Die Tech, Inc. | Method of making an integrated circuit substrate lead assembly |
US5053852A (en) * | 1990-07-05 | 1991-10-01 | At&T Bell Laboratories | Molded hybrid IC package and lead frame therefore |
JPH05102364A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Rohm Co Ltd | 電子部品用リードフレームの製造方法 |
US5541447A (en) * | 1992-04-22 | 1996-07-30 | Yamaha Corporation | Lead frame |
JP3083321B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2000-09-04 | 日立建機株式会社 | リードフレームの加工方法 |
DE4429002A1 (de) * | 1994-08-16 | 1996-02-22 | Siemens Nixdorf Inf Syst | Anschlußstiele für elektronische Bausteine mit flächigen Anschlußfeldern |
WO2004014626A1 (en) * | 2002-08-05 | 2004-02-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method |
US7192809B2 (en) * | 2005-02-18 | 2007-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Low cost method to produce high volume lead frames |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5119970A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Nippon Electric Co | Riidofureemuno seizohoho |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3537175A (en) * | 1966-11-09 | 1970-11-03 | Advalloy Inc | Lead frame for semiconductor devices and method for making same |
JPS5946421B2 (ja) * | 1977-07-01 | 1984-11-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPS58173858A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | Tomoegawa Paper Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60254330A patent/JPS62114254A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-17 US US06/875,134 patent/US4704187A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5119970A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Nippon Electric Co | Riidofureemuno seizohoho |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63148667A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
JPH02228052A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JPH02229457A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05251603A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4704187A (en) | 1987-11-03 |
JPH036663B2 (ja) | 1991-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62114254A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JPS6396947A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JP2951308B1 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH0245967A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JPH0661401A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
JPS61170053A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS61134044A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001007266A (ja) | Qon用リードフレーム及びその製造方法 | |
JPS6248053A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JPS61156845A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPH02197158A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH05190719A (ja) | 多ピンリードフレームの製造方法 | |
JPH01111363A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07321276A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JPH02301161A (ja) | トランスファーモールド型混成集積回路 | |
JPH01216563A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPS63148667A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JPH0215661A (ja) | 半導体装置のリード成形方法 | |
JP2784352B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH02228052A (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JPH05206346A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH0312956A (ja) | Sop型リードフレーム | |
JPH098194A (ja) | リードフレーム製造方法 | |
JPH0714960A (ja) | 半導体装置用リードフレーム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |