JP3083321B2 - リードフレームの加工方法 - Google Patents

リードフレームの加工方法

Info

Publication number
JP3083321B2
JP3083321B2 JP06512971A JP51297194A JP3083321B2 JP 3083321 B2 JP3083321 B2 JP 3083321B2 JP 06512971 A JP06512971 A JP 06512971A JP 51297194 A JP51297194 A JP 51297194A JP 3083321 B2 JP3083321 B2 JP 3083321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
inner lead
lead frame
metal plate
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP06512971A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO1994013015A1 (ja
Inventor
信彦 多田
直毅 三柳
義昭 下村
茂行 桜井
信也 奥村
義也 長野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Construction Machinery Co Ltd filed Critical Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Publication of JPWO1994013015A1 publication Critical patent/JPWO1994013015A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3083321B2 publication Critical patent/JP3083321B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828—Etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/51—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
    • Y10T29/5147—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling including composite tool
    • Y10T29/5148—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling including composite tool including severing means
    • Y10T29/515—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling including composite tool including severing means to trim electric component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、半導体素子を搭載するリードフレームの加
工方法に係り、特に、高密度、高集積半導体素子等に用
いられる微細な形状かつ高精度な寸法を有するリードフ
レームを加工するのに好適なリードフレームの加工方法
に関する。
背景技術 リードフレームは、薄い金属板に所定の間隙を形成し
てインナーリードやアウターリード等の加工パターンを
施したものである。このリードフレームにおいて、半導
体チップが搭載された後に半導体チップの端子とインナ
ーリードとが電気的に接続される。
近年、半導体素子の高密度実装化、高集積化がより一
層厳しく要求されてきており、これに対応するため半導
体素子を搭載するリードフレームも微細な形状かつ高精
度な寸法を有するものが開発されてきている。特に、QF
Pタイプの半導体装置においては、リードフレームの多
ピン化が重点的に進められており、現在では、リードの
数が300ピンを超えるリードフレームを製造されてい
る。このリードフレームの多ピン化に伴い、リードフレ
ームの半導体素子に臨むインナーリード部分のピッチが
狭く微細なリードフレームの開発が要求されており、例
えば従来では最小でも200μｍ程度のピッチであったも
のが、現在ではさらに狭ピッチのものが要求されてい
る。
このような多ピンでかつ狭ピッチのリードフレームの
加工方法としては、従来、エッチング加工やプレス加工
が主流であった。これらの加工方法によれば比較的能率
よく容易にリードフレームを得ることができる。
また、特開平２−247089号公報に記載のように、アウ
ターリードやダイパッド周辺の切欠き部分等の狭ピッチ
でない部分を上記プレス加工または上記エッチング加工
により形成し、その後インナーリードをレーザ加工によ
り順次形成するものがある。この場合、レーザ加工を施
すのは、狭ピッチであるインナーリードのみである。
また、特開平４−37493号公報に記載のように、狭ピ
ッチであるためにエッチング加工によって板厚方向の全
加工量のうち一部しか加工ができなかった部分、即ち、
板厚方向に貫通しなかった部分に後工程でレーザビーム
を照射し、貫通させるものがある。
また、特開昭62−93095号公報に記載のように、レー
ザビームの断面形状をシリンドリカルレンズを含む光学
系によって細長い楕円形に変化（伸縮）させるものがあ
る。これによれば、微細寸法の加工を行う場合でも、１
回のレーザビーム（以下、楕円形レーザビームという）
照射によって長い間隙が加工できる。
また、レーザ加工を行うものではないが、特開昭59−
72754号公報に記載のように、プレス加工によりリード
フレームを形成する際にインナーリードの先端部付近が
つながるように連結部を残しておき、次にプレス加工に
よって生じた残留歪を熱処理によって除去し、さらに残
しておいた連結部を切り取るものがある。この従来技術
においては、インナーリードの先端部付近に連結部を残
しておけば、プレス加工時に生じた加工ひずみが解放さ
れることが抑えられてリードの変形が起こらず、さらに
この加工ひずみ除去のための熱処理等によってもリード
位置にずれが生じない旨が記載されている。
発明の開示 エッチング加工やプレス加工は、使用される金属板の
板厚程度の間隙しか形成することができず、それ以下の
狭く微細な間隙を良好に加工することは不可能であっ
た。特に、エッチング加工の場合には、エッチング液に
添加剤等を添加することによりエッチングファクターを
向上させることが考えられるが、エッチングファクター
を効果的に向上させるまでには至っていないのが現状で
ある。また、加工基材である金属板として薄い板厚のも
のを使用し、この薄板からリードフレームを形成するこ
とも考えられるが、基材をあまり薄くすると強度が不足
してしまうので、板厚を薄くすることにも限界がある。
また、特開平２−247089号公報や特開平４−37493号
公報に記載の従来技術は、非常に小さなビーム径に集光
できるレーザビームを使用するため微細加工に好適であ
り、狭ピッチで微細なインナーリードの加工を行うこと
ができる。さらに、上記２つの従来技術では比較的加工
能率の高いエッチング加工やプレス加工とレーザ加工と
を組み合わせることにより、リードフレームを能率良く
加工することができる。
しかし、上記２つの従来技術は、レーザ加工に伴う熱
変形に対する配慮がなされておらず、とりわけ高密度、
高集積半導体素子に用いられるリードフレームを加工す
る場合のようにピッチ間隔が狭い時には、レーザ加工に
伴なう熱変形が大きく影響する。特に、特開平２−2470
89号公報に記載のように、インナーリード以外の部分、
即ちアウターリードやダイパッド周辺の切欠き部を含め
た微細でない部分が形成された状態で、レーザ加工によ
り順次インナーリードを形成して行くと、インナーリー
ドの先端が自由端の状態で加工が行われることになるの
で、インナーリードに熱変形による曲がりが生じてしま
い、インナーリードにおいて必要とされる加工形状及び
寸法精度を実現できないという問題があった。
また、レーザ加工を行う場合、レーザビームの照射に
よって生じた溶融金属はそのほとんどが落下するが一部
は残留し、わずかな温度差による表面張力の差によって
不均一な数個の塊に凝集して成長し、そのまま凝固して
ドロスと呼ばれる金属粒を形成する。このドロスは、特
にレーザビームが照射された面とは反対の面（裏面）に
付着しやすく、これを除去することは大変難しい。さら
に、溶融金属が飛散してスパッタとしてリードフレーム
表面に付着したり、リードフレーム表面に酸化膜が形成
されることもある。従って、リードフレームにおいて厳
しく要求される寸法精度や清浄度を維持することができ
ず、品質を著しく損なうことになる。また、上記ドロス
やスパッタは、リードフレームのリード間の短絡等の性
能欠陥の主因となり易い。
また、リードフレームにおいては、半導体チップの各
端子とインナーリードとの接合性を向上させるためにイ
ンナーリードの内側部分に良電導金属のメッキ処理を行
うことが多いが、上記のようにドロスが付着すると、ド
ロスが付着した凸状の部分にメッキ層が集中して局部的
に厚くなり、一方、他の部分では必要とするメッキ層の
厚さが十分得られなくなる。従って、短絡等の性能欠陥
の主因となり易く、他部品との接合時における密着性の
悪化にもつながらり、品質を著しく損うことになる。
また、特開昭62−93095号公報に記載の従来技術によ
れば、レーザビーム断面の長手方向を加工が進行する方
向と一致させ、レーザビームの照射領域を少しずつ重ね
合わせながら加工を行うことにより、丸形のレーザビー
ムを用いるよりも格段に速い速度で切断を行うことがで
きる。また、レーザビームが細長い形状であるため上記
レーザビームの重ね合せ割合がわずかでも切断面の凹凸
が少なくきれいな切断部が得られる。しかし、この場合
もリードフレームにドロスやスパッタが付着しやすく、
これを除去することは大変難しい。また、この場合も金
属板表面には酸化膜が形成される。特に、楕円形レーザ
ビームを用いる場合は１回の照射により加工される範囲
が広いため、付着するドロスやスパッタの量も多くな
る。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、多ピンかつ狭ピ
ッチのリードフレームを高精度に加工でき、かつレーザ
加工に伴う上記のような諸問題を解決することができる
レージ加工方法を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明によれば、金属板に
レーザ加工を施してインナーリードの少なくとも内側部
分を形成することにより、多数のインナーリードとその
外側に連続して位置する多数のアウターリードとを有す
るリードフレームを金属板から形成するリードフレーム
の加工方法において、前記インナーリードの先端部分が
つながるように連結部を残した状態で、前記レーザ加工
により前記インナーリードの内側部分を形成する第１の
工程と、前記インナーリードの外側部分と前記アウター
リードとを同一工程で形成する第２の工程と、前記リー
ドフレームの形成に必要なその他の後工程を行った後
に、前記連結部を切除して前記インナーリードを完成す
る第３の工程とを有することを特徴とするリードフレー
ムの加工方法が提供される。
上記のように構成した本発明においては、第１の工程
で、インナーリードの内側部分が、その先端部が個々に
分割されず自由端にならない状態でレーザ加工により形
成される。これにより、一つのインナーリードについて
みると、その切断面の両方で熱ひずみの残留する条件が
等しくなり、レーザ加工に伴う熱変形の発生が抑制され
る。従って、インナーリードに曲がり等が生じることが
防止され、高精度な加工を行うことが可能となる。この
連結部は、インナーリードの外側部分及びアウターリー
ド等を同一工程で形成する第２の工程も終了した後に、
第３の工程で切除される、そして、インナーリードが個
々に分離される。
インナーリードの外側部分がアウターリードの形成、
及びリードフレームの形成に必要なその他の後加工を行
う時には、上記連結部によってインナーリード相互間が
固定及び拘束され、剛性が維持される。従って、この時
にインナーリードの配列が乱れることが防止されてリー
ドフレームの取扱いが容易になり、その寸法精度が維持
される。
また、上記方法において、前記インナリードの先端部
分がつながるように連結部を残した状態で、前記レーザ
加工により前記インナーリードの内側部分を形成する第
１の工程と、前記インナーリードの外側部分と前記アウ
ターリードとを同一工程で形成する第２の工程と、前記
第１の工程におけるレーザ加工により生じたドロス等の
異物の除去する第３の工程と、前記連結部を切除して前
記インナーリードを完成する第４の工程とを有する。
上記において好ましくは、前記第３の工程は、前記リ
ードフレームの表面に機械的な表面処理を施す工程、又
は化学的な表面処理を施す工程を含む。
これにより、上記連結部によってインナーリード相互
間が固定及び拘束され、剛性が維持された状態で、ドロ
ス等の異物が除去され、表面が清浄となる、従って、こ
の時にもインナーリードの配列が乱れることが防止され
てリードフレームの取扱いが容易になり、その寸法精度
が維持される。上記ドロス等の異物を除去する工程とし
ては、機械的な表面処理または化学的な表面処理を施す
工程を含むことが好ましく、これによってレーザ加工に
よって生じたドロスやスパッタや酸化膜等の異物が除去
される。
また、上記方法において、前記インナーリードの先端
部分がつながるように連結部を残した状態で、前記レー
ザ加工により前記インナーリードの内側部分を形成する
第１の工程と、前記インナーリードの外側部分と前記ア
ウターリードとを同一工程で形成する第２の工程と、前
記インナーリードの先端部分に半導体チップ接続用の良
導電性金属のメッキ端子部を形成する第３の工程と、前
記連結部を切除して前記インナーリードを完成する第４
の工程とを有する。
これにより、上記連結部によってインナーリード相互
間が固定及び拘束され、剛性が維持された状態で良導電
性金属のメッキ端子部が形成される。従って、この時に
もインナーリードの配列が乱れることが防止されてリー
ドフレームの取扱いが容易になり、その寸法精度が維持
される。また、このメッキ端子部を設けることにより半
導体チップの各端子とインナーリードとの接合性が向上
する。
上記の場合、好ましくは、前記第１の工程におけるレ
ーザ加工により生じたドロス等の異物を除去する第５の
工程をさらに有し、前記第３の工程での良導電性金属の
メッキ端子部の形成は、前記第５の工程の後に行う。
これにより、ドロスやスパッタや酸化膜等の異物が取
り除かれ、表面が清浄な状態のインナーリード表面に対
してメッキ端子部が形成される。従って、密着性のよい
良好なメッキ端子部が得ることができる。
また、好ましくは、前記第３の工程の後に、少なくと
も前記メッキ端子部に保護膜を被覆する第７の工程をさ
らに有し、前記連結部を切除する前記第４の工程の後で
前記保護膜を除去する。
上記のように、少なくともメッキ端子部に保護膜を被
覆することにより、このメッキ端子部表面が保護され
る。そして、この状態で連結部の切除を行うことによ
り、連結部の切除時に生じる汚れ等は保護膜上に付着す
る。さらに、その後に上記保護膜を除去することによ
り、保護膜上に付着した汚れ等が一括で除去される。特
に、後述のようにレーザ加工により連結部の切除を行う
場合には、溶融金属がスパッタとして飛散するが、この
スパッタも保護膜上に付着し、この保護膜を除去する時
に一括で除去される。
また、上記方法において、前記インナーリードの先端
部分がつながるように連結部を残した状態で、前記レー
ザ加工により前記インナーリードの内側部分を形成する
第１の工程と、前記インナーリードの外側部分と前記ア
ウターリードとを同一工程で形成する第２の工程と、前
記アウターリードにハンダメッキ処理を施す第３の工程
と、前記連結部を切除して前記インナーリードを完成す
る第４の工程とを有する。
これにより、上記連結部によってインナーリード相互
間が固定及び拘束され、剛性が維持された状態でハンダ
メッキが施される。従って、この時にもインナーリード
の配列が乱れることが防止されてリードフレームの取扱
いが容易になり、その寸法精度が維持される。このハン
ダメッキ処理により、半導体装置のプリント基板への表
面実装時において、アウターリードと回路パターンとの
接合性を向上させることができる。
上記の場合、好ましくは、前記第３の工程は、ハンダ
メッキ処理を施さない領域にハンダメッキ用保護膜を被
覆した後に行い、前記連結部を切除する前記第４の工程
の後で前記ハンダメッキ用保護膜を除去する。
これにより、連結部の切除時に生じる汚れ等はハンダ
メッキ用保護膜上に付着する。そして、このハンダメッ
キ用保護膜を除去することにより、保護膜上に付着した
汚れ等が一括で除去される。
また、上記加工方法において、前記インナーリードの
先端部分がつながるように連結部を残した状態で、前記
レーザ加工により前記インナーリードの内側部分を形成
する第１の工程と、前記インナーリードの外側部分と前
記アウターリードとを同一工程で形成する第２の工程
と、前記連結部をレーザ加工により切除して前記インナ
ーリードを完成する第３の工程とを有する。
これにより、連結部の切除も高精度かつ容易に行うこ
とができる。この場合、熱加工を利用することになる
が、レーザビーム照射による入熱はインナーリード先端
付近の微小な領域のみに限られ、前述の各インナーリー
ドを分割する間隙を形成する場合とは異なってインナー
リードには熱変形による曲がり等が生じない。
また、上記加工方法において、前記インナーリードの
先端部分がつながるように連結部を残した状態で、前記
レーザ加工により前記インナーリードの内側部分を形成
する第１の工程と、前記インナーリードの外側部分と前
記アウターリードとをエッチング加工により形成する第
２の工程と、前記連結部を切除して前記インナーリード
を完成する第３の工程とを有する。
また、上記加工方法において、前記インナーリードの
先端部分がつながるように連結部を残した状態で、前記
レーザ加工により前記インナーリードの内側部分を形成
する第１の工程と、前記インナーリードの外側部分と前
記アウターリードをプレスによる打ち抜き加工により形
成する第２の工程と、前記連結部を切除して前記インン
リードを完成する第３の工程とを有する。
これらエッチング加工やプレスによる打ち抜き加工
は、レーザ加工に比べると加工能率が高く、また非熱加
工であるため熱ひずみや熱変形を生じることない。従っ
て、エッチング加工やプレスによる打ち抜き加工により
狭ピッチでないインナーリードの外側部分やアウターリ
ード部分を形成する第２の工程と、多ピンかつ狭ピッチ
であるインナーリードの内側部分をレーザ加工する第１
の工程とを組み合わせることにより、レーザ加工する部
分を必要かつ最少限に限定することが可能となり、精度
のよいリードフレームを能率良く加工することが可能と
なる。
また、上記加工方法において、前記インナーリードの
外側部分と前記アウターリードとを同一工程で形成する
第１の工程と、前記インナーリードの先端部分がつなが
るように連結部を残した状態で、前記レーザ加工により
前記インナーリードの内側部分を形成する第２の工程
と、前記リードフレームの形成に必要なその他の後加工
を行った後に、前記連結部を切除して前記インナーリー
ドを完成する第３の工程とを有する。
つまり、インナーリードの外側部分やアウターリード
部分を形成する第２の工程は、インナーリードの内側部
分をレーザ加工する第１の工程の前後どちらで実施して
もよく、いずれの場合にも同様の作用が得られる。
また、上記加工方法において、エッチング加工により
前記インナーリードの内側部分における板厚の一部だけ
を加工する第１の工程と、一部だけ加工した前記インナ
ーリードの内側部分における板厚の残りの部分をレーザ
加工により貫通させ、前記インナーリードの先端部分が
つながるように連結部を残した状態で、前記インナーリ
ードの内側部分を形成する第２の工程と、前記インナー
リードの外側部分と前記アウターリードとを同一工程で
形成する第３の工程と、前記連結部を切除して前記イン
ナーリードを完成する第４の工程とを有する。
上記構成においては、第１の工程でエッチング加工に
よって前記インナーリードの内側部分における板厚の一
部だけを加工することにより、この部分に凹部が形成さ
れる。そして、この部分の板厚の残りは第１の工程でレ
ーザ加工によって貫通する。この時には、上記凹部を目
印としてレーザビームを照射することができるので、レ
ーザ加工する箇所の位置合せが容易になる。また、レー
ザ加工する箇所の板厚が薄くなるのでレーザ加工によっ
て生じるドロスの量が減少すると共に、ドロスは上記凹
部に付着するのでリードフレーム表面からドロスが突出
することが避けられ板厚精度の低下を回避できる。
また、上記加工方法において、前記インナーリードの
先端部分がつながるように連結部を残した状態で、前記
レーザ加工により前記インナーリードの内側部分を形成
する工程であって、前記レーザ加工は、横断面形状が細
長いパルス状のレーザビームであって、エネルギ密度が
１パルスだけでは前記金属板の板厚方向に貫通できない
大きさのレーザビームを用い、前記レーザビームの横断
面形状の長手方向と加工が進行する方向とを一致させ、
かつ１パルス毎の前記レーザビームの照射領域が所定の
長さずつ重なるように前記加工が進行する方向に順次ず
らせながらレーザビームを照射することにより行う第１
の工程と、前記インナーリードの外側部分と前記アウタ
ーリードとを同一工程で形成する第２の工程と、前記連
結部を切除して前記インナーリードを完成する第３の工
程とを有する。
上記においては、横断面形状が細長く、エネルギ密度
が１パルスだけでは金属板の板厚方向に貫通できない大
きさのパルス状のレーザビームを使用する。そして、こ
のレーザビームの長手方向と加工が進行する方向とを一
致させると共に、１パルス毎のレーザビームの照射領域
が所定の長さずつ重なるようにレーザビームの照射位置
を順次ずらせながら加工を行う。つまり、１パルスのレ
ーザビーム照射によって板厚方向には貫通しない溝状の
加工部分が形成されるが、この溝状の加工部分に順次レ
ーザビームの照射領域が所定の長さずつ重なるように照
射位置をその進行方向に順次ずらせながら照射を行う。
これにより、金属にはやがて板厚方向に貫通する切断開
口部が形成される。そして、このことを繰り返すことに
より、貫通した切断開口部が加工が進行する方向につな
がって伸延し、所定の間隙が形成されることになる。
例えば、１パルスのレーザビーム照射によって板厚の
約半分強が加工される場合、レーザビームの照射領域を
長手方向の1/2強ずつ重ねながら順次加工を進めると、
レーザビームのエネルギ分布が均一であったとしても板
厚方向に段階状をなす加工部が順次形成される。即ち、
加工が進行する方向の前方に溝部が、後方に貫通した切
断開口部が順次形成されることになる。
レーザビーム照射により発生した溶融金属は金属板が
貫通した時にその大部分が落下するが、ある程度は金属
板に残留し、上記溝部の底面及び切断開口部の壁面下側
に付着する。ここで、加工が進行する方向の前方の溝部
は金属板の板厚方向に貫通しないで残留している部分で
あり、そのため後方の切断開口部の壁面よりも熱が逃げ
やすいため、溝部と切断開口部の間には冷却速度差が生
じ、溝部の方が温度が低くなる。溶融金属の表面張力は
温度の低いものの方が温度の高いものよりも大きいた
め、切断開口部の壁面下側に付着した溶融金属は表面張
力の差によって温度の低い溝部の方へと引きよせられ
る。この結果、ドロスは常に加工が進行する方向の前方
の溝部の底面に付着することになる。さらに、溝部の底
面に付着したドロスは、次のレーザビーム照射で溝部の
金属が溶融して切り落とされる時に一緒に溶融して落下
する。この時になおも残留した溶融金属の挙動は上述と
同様になり、このことが繰り返されることになる。
従って、この構成においては、レーザビーム照射によ
って形成される溶融金属が不均一な数個の塊に凝集した
り大きく成長することがなく、せいぜい残っても加工が
進行する方向の前方の溝部の底面に付着する程度であ
る。つまり、レーザ加工後のインナーリードの内側部分
はドロスの付着の影響を受けず、寸法精度や清浄度を向
上することが可能となる。
また、上記の場合、リードフレームの外方から内方に
向けてレーザ加工を行うことにより、リードフレームの
内方の先端部分、即ち前記連結部の外周部分に溝部が形
成され、この溝部の底面にドロスが集められて付着す
る。上記溝部に付着したドロスは、最終的に連結部を切
除することにより一括で除去される。
図面の簡単な説明 図１は、本発明の第１の実施例によって加工されるリ
ードフレームを示す図である。
図２は、図１に示したリードフレームの製造工程を示
す図である。
図３は、図２のステップS110〜ステップS112の工程を
説明する図であって、図3Aは加工される金属板の断面を
示す図、図3Bは所定のパターンのレジスト膜を形成した
状態を示す図、図3Cはエッチングにより貫通穴を形成し
た状態を示す図、図3Dはレジスト膜を除去した状態を示
す図である。
図４は、図２のステップS110〜ステップS112の工程で
加工されるリードフレームの1/4部分を示す図である。
図５は、図２のステップS120で使用されるレーザ加工
装置の構成を示す図である。
図６は、図５に示すレーザ加工装置による金属板への
レーザビーム照射の状況を説明する図である。
図７は、図２のステップS120で加工されるリードフレ
ームの1/4部分を示す図である。
図８は、レーザ加工などの熱加工を行った場合の温度
履歴とその時の金属板の熱膨張変形、弾性ひずみ及び塑
性ひずみの挙動を示した図であって、図8Aは温度履歴を
示す図、図8Bは図8Aの温度履歴を受けた場合の金属板の
熱膨張変形を示す図、図8Cは金属板を拘束した状態に生
じる弾性ひずみ及び塑性ひずみの挙動を示す図である。
図９は、金属板の端部からレーザビームを照射して順
次切断し、多数の間隙を形成する状況を原理的に説明す
る図であって、図9Aはｎ番目の切断部が形成された状態
を示す図、図9Bはｎ＋１番目の切断部を形成しつつある
状態を示す図、図9Cは図9BのＣ−Ｃ断面図である。
図10は、図２のステップS130における機械的表面処理
で使用される微小粒状体噴射装置を示す図である。
図11は、図２のステップS153が終了した時点での、リ
ードフレームの表面の状況を示す図である。
図12Aは表面にスパッタやドロスが付着した状態のイ
ンナーリードの断面図であり、図12Bは図12Aの状態でメ
ッキ処理を行った場合のインナーリードの断面図であ
る。
図13Aは図２のステップS130における機械的表面処理
や、ステップS140における化学的表面処理を行った後の
インナーリードの断面図であり、図13Bは図13Aの状態で
メッキ処理を行った場合のインナーリードの断面図であ
る。
図14は、図２のステップS161が終了した時点での、リ
ードフレームの表面の状況を示す図である。
図15は、図２のステップS170において、レーザ加工に
より連結部を切除する位置を示す図である。
図16は、図15の位置をレーザ加工し、最終的なリード
フレームパターンが形成された状態を示す図である。
図17は、図１のリードフレームを用いた半導体装置の
一例を示す断面図である。
図18は、図１のリードフレームを用いた半導体装置の
他の例を示す図であって、図18Aはその1/2の部分を示す
断面図、図18Bは図18AのＢ−Ｂ方向からの矢視図であ
る。
図19は、モールドを行う前の図18の半導体装置におけ
る半導体チップとインナーリードとの接続部分の斜視図
である。
図20は、本発明の第２の実施例における製造工程を示
す図である。
図21は、図20のステップS210、ステップS220、及びス
テップS270で加工されるリードフレームの1/4部分を示
す図である。
図22は、本発明の第３の実施例の機械的表面処理に用
いられる研削ベルト式表面処理装置を示す図である。
図23は、本発明の第４の実施例の機械的表面処理に用
いられる円筒状刃物を示す図である。
図24は、本発明の第５の実施例においてインナーリー
ドの内側部分を加工する状況を示す断面図であって、図
24Aは加工される金属板の断面を示す図、図24Bは所定の
パターンのレジスト膜を形成した状態を示す図、図24C
はエッチングにより凹部を形成した状態を示す図、図24
Dはレジスト膜を除去した状態を示す図、図24Eは凹部に
レーザ加工を施し貫通させた状態を示す図である。
図25は、本発明の第６の実施例におけるレーザ加工を
説明する図であって、図25A及び図25Bは金属板を加工す
る途中の状態を示す図であり、図25C、図25D、及び図25
Eはそれぞれ図25BのＣ−Ｃ方向、Ｄ−Ｄ方向、及びＥ−
Ｅ方向の断面図である。
図26は、図25のレーザ加工において使用されるレーザ
加工装置を示す図であって、図26Aはレーザ発振器、加
工ヘッド及びノズルの内部の光学系を模式的に示す図、
図26Bは図26Aにおける凸型シリンドリカルレンズの斜視
図、図26Cは図26Aにおける凹型シリンドリカルレンズの
斜視図である。
図27は、図25のレーザ加工を行う場合の溶融金属（ド
ロス）の挙動について説明する図であって、図27Aは金
属板の表面からみた図、図27B、図27C及び図27Dは金属
板の断面図である。
図28Aは１パルスのレーザビームで金属板の金属厚を
貫通させた状態を示す図であって、金属板の裏側からみ
た図であり、図28は図28AのＢ−Ｂ断面図である。
図29は、図25に示したレーザ加工によるインナーリー
ドの内側部分の加工方法を説明する図である。
発明を実施するための最良の形態 以下、本発明のリードフレームの加工方法の実施例を
図に基づいて説明する。
第１の実施例 始めに、本発明の第１の実施例を図１から図19により
説明する。
まず、本実施例により加工されるリードフレームの構
成について説明する。図１において、リードフレーム１
は所定厚さの金属板、例えば鋼、銅合金、42アロイ、コ
バール等の金属板からなるQFP（Quad Flat Package）タ
イプのリードフレームである。リードフレーム１の中央
部分には、半導体素子を搭載するダイパッド２が配設さ
れている。このダイパッド２を囲むようにして多数のイ
ンナーリード３と、このインナーリード３に連続するア
ウターリード４が配設されており、これら隣合うインナ
ーリード３とアウターリード４とはダムバー５により互
に連結状に支持されている。また、ダイパッド２の周辺
は腕2a以外は切欠き部６が設けられており、この切欠き
部６によりインナーリード３はダイパッド２と切り離さ
れ、かつ隣合うインナーリード３はそれぞれ分割されて
いる。尚、ダムバー５は、半導体素子のモールド時にレ
ジンを堰止める役割とインナーリード３及びアウターリ
ード４を補強する役割を有し、モールド後に除去され
る。
インナーリード３は、ダイパッド２の方へ収束するよ
うに延びており、その先端部は半導体素子をダイパッド
２に搭載した後に行われるワイヤボンディング等の電気
的接続を行うのに十分な幅となっている。従って、イン
ナーリード３の内側部分3aの相隣合うインナーリードの
間隙3cは、インナーリード３の外側部分3bの相隣合うイ
ンナーリードの間隙3dよりも極めて狭い微細な構造とな
っている。
次に、上記リードフレームの製造工程を図２から図16
により説明する。
まず、図２のステップS100において、上記素材、即ち
金属板をレベラーにかけ、材料の曲がりを矯正し所定厚
さt0（図３参照）の平板状に加工する。
次に、以下のようにしてエッチング加工を実施する。
即ち、図２のステップS110において、図3Aに示す所定厚
さt0の金属板11の両面に図3Bに示す所定のパターンのレ
ジスト膜12,13を形成する。これは、フォトエッチング
用の感光性レジスト剤を金属板11の両面に塗付した後、
乾燥し、さらにリードフレームの所定のパターンを感光
性レジスト剤に光転写し、エッチング用パターンとして
金属板11両面に焼付けることにより行われる。この時、
レジスト膜12,13には開口幅W1の開口部24が形成される
ものとする。
次に、図２のステップS111において、図3Bに示すレジ
スト膜12,13の開口部14を、図3Cに示すように金属板11
の両面からエッチングにより貫通させ、開口幅d1の貫通
穴14aを形成する。このようにして所定のパターンが形
成される。最後に、図２のステップS112において、図3D
に示すように金属板11の両面に塗付してあったレジスト
膜12,13を除去する。
上記ステップS110では、図４に示すようにアウターリ
ード４、インナーリード３の微細でない外側部分3b、及
び切欠き部6aが同一工程で加工される。上記切欠き部6a
は図１の切欠き部６の一部分であって、最終的には後述
する図２のステップS170で切欠き部６となる部分であ
る。但し、対称性を考慮し、図４においてはリードフレ
ームの1/4部分を示した（以下、図７、図11、図14、図1
5、図16、図18B、図21についても同様とする）。また、
感光性レジスト剤およびエッチング液は、従来より公知
のものが使用される。尚、上記エッチング加工に代え、
プレスによる打ち抜き加工を採用してもよく、このプレ
ス加工によっても実質的に同様の加工を行うことができ
る。
次に、図２のステップS120において、上記加工した金
属板に対してレーザ加工を実施する。
この時使用されるレーザ加工装置について説明する。
図５に示すように、本装置は、レーザビームを出射する
レーザ発振器21、被加工物である金属板22を搭載し水平
面内（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に移動自在なXYテーブ
ル23、レーザ発振器21を上下方向（Ｚ軸方向）に移動さ
せるＺテーブル24、レーザ発振器21に付設された加工ヘ
ッド25、加工ヘッド25の底面に金属板22に臨むように付
設されたノズル26、レーザ発振器21でのレーザ発振のた
めの電力を供給する電源27、XYテーブル23の水平面内
（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）の移動動作、Ｚテーブル24の
上下方向の移動動作、及びレーザ発振器21の発振動作を
自動または手動で制御するコントローラ28を備えてい
る。
図６は図５に示すレーザ加工装置による金属板へのレ
ーザビーム照射の状況を説明する図である。図６におい
て、レーザ発振器21から加工ヘッド25に対し、レーザビ
ーム29が照射される。加工ヘッド25の内部の光学系に
は、ベンディングミラー30が設けられ、レーザビーム29
を反射させて金属板22の方向に誘導する。また、金属板
22に臨むように位置するノズル26の内部には集光レンズ
31が配設されており、金属板22の加工面での加工を可能
にする所要のエネルギ密度を有するように、この集光レ
ンズ31によって充分に集光される。集光されたレーザビ
ーム29は、ノズル26の先端部から外部に出射され、金属
板22上の加工位置Ａに照射される。さらに、ノズル26に
はアシストガス供給口32が設けられており、ノズル26の
先端部からはアシストガスが上記レーザビーム29と同軸
的に加工位置Ａに噴出される。
上記の構成において、レーザビーム29による加工は次
のように行なわれる。集光レンズ31によって集光された
レーザビーム29が金属板22の加工面上の位置Ａで焦点を
結ぶようにＺテーブル24を動作させ、上下方向の位置関
係を調整することにより位置設定を行う。その後、コン
トローラ28の制御の下で、アシストガスを供給し、レー
ザ発振器21を発振動作させ、レーザビーム29を金属板22
上に照射する。このレーザビーム29は充分な熱エネルギ
になるまで集光されており、金属板22表面の照射された
部分が溶融し、これが熱源となってこの溶融が表面から
順次深さ方向に向って進行し、やがて金属板22を貫通し
て金属板22に穴があけられる。そして、コントローラ28
の制御の下でXYテーブル23を所要の軌跡で移動させ、加
工すべき部分に沿ってレーザビーム29を移動させること
により金属板22の加工が行われる。但し、上記説明にお
いて、レーザ発振器21から出射されるレーザビーム29の
横断面形状はほぼ円形であるものとする。
上記のようにして、図７に示すようにインナーリード
３の狭い間隙3cをレーザ加工し、これによりインナーリ
ードの内側部分3aを形成する。この時、インナーリード
の内側部分3aは、その内方の先端部分がつながるように
連結部７を残した状態でレーザ加工される。また、イン
ナーリードの外側部分3bはダムバー５によって連結され
ている。このように各インナーリードの内側部分3aが個
々に分割されない状態でレーザ加工が行われるので、レ
ーザ加工に伴う熱変形の発生が抑制され、この部分に板
面内の曲がりやねじれ等が生じることを防止することが
できる。但し、腕2aを分離する間隙3cは切欠き部6aにま
で達するようにし、ダイパッド２の４つの頂点より延び
る腕2aによってダイパッド２が支持されるようになる。
また、エッチング加工またはプレスによる打ち抜き加
工等の非熱加工は、レーザ加工に比べると加工能率が高
いので、本実施例のように非熱加工とレーザ加工の両方
の加工方法を加工する部分に応じて組み合わせることに
より、レーザ加工する部分を必要かつ最少限に限定する
ことが可能となり、精度のよいリードフレームを能率良
く加工することができる。
尚、レーザ加工後には、金属板に冷却媒体として基体
や液体を吹きつけたり、冷し金を押し当てたりすること
により冷却することが好ましい。
もし、上記のように連結部７を残さずに、個々のイン
ナーリードの内側部分3aの先端部分を切り離しながらレ
ーザ加工を行ったとすると、熱変形によりインナーリー
ドの内側部分3aに板面内の曲がり等が生じる。この原理
について図８及び図９により説明する。
図8A〜図8Cは、金属板に対して、レーザ加工などの熱
加工を行った場合の温度履歴とその時の金属板内の熱膨
張変形、弾性ひずみ及び塑性ひずみの挙動を示した図で
ある。熱加工を金属板に施すことによって図8Aに示すよ
うな温度履歴を金属板全体に均一に与えた場合には、こ
の温度変化に対応して図8Bに示すような熱膨張変形が発
生する。つまり、金属板を拘束していない場合には図8B
のように熱膨張変形が発生することになる。これに対
し、金属板を板面内の方向に拘束した場合には、図8Cに
示すように、上記熱膨張変形を発生させないように圧縮
方向の弾性ひずみが生じて増加する。但し、図8Cにおい
ては、板面内の引張方向を正の方向で、板面内の圧縮方
向を負の方向で表している。そして、上記弾性ひずみ弾
性限界−esに達したならばそれ以降は圧縮方向の塑性ひ
ずみが生じ、圧縮方向の塑性ひずみが増加している間は
圧縮方向の弾性ひずみは増加せず一定である。
また、図8Aに示すように温度が低下すると、金属板を
拘束していない場合には図8Bのように熱膨張変形も減少
するが、金属板を板面内の方向に拘束した場合には、図
8Cに示すように、上記熱膨張変形を発生させないように
始めは圧縮方向の弾性ひずみが減少し、さらに０を超え
て引張方向の弾性ひずみが生じて増加する。このように
弾性ひずみが変化している間は圧縮方向の塑性ひずみは
変化せず一定である。さらに、引張方向の弾性ひずみが
弾性限界esに達したならば、今度は圧縮方向の塑性ひず
みが減少し、引張方向の弾性ひずみは変化せず一定とな
る。このように、金属板を拘束した状態で熱加工を行っ
た後には、図8Cに示すように、一般に引張方向の弾性ひ
ずみと圧縮方向の塑性ひずみとが残ることが知られてい
る。
但し、本実施例におけるレーザ加工のように、薄い金
属板の限られた部分だけに急速加熱及び急速冷却の温度
履歴を施す場合では、金属板のレーザ加工される部分の
近傍はそのまわりの加熱されない部分に拘束されたのと
同様の状態となるので、金属板に外力を与えて板面内に
拘束しなくても図8A〜図8Cで説明した現象は起こる。
このことをふまえて、次の図9A〜図9Cのように金属51
の端部からレーザビームを照射して順次切断し、多数の
間隙を形成する状況を原理的に説明する。但し、図9A及
び図9Bにおいては、金属板51を含む面内に図のようにｘ
軸及びｙ軸を定める。図9Aに示すように、ｎ番面のレー
ザ加工によりｎ番目の切断部61が金属板51の端部から図
中ｙ軸方向に向って形成された後に、図9Bに示すよう
に、ｎ＋１番目のレーザ加工によりｎ＋１番目の切断部
62が形成され、その結果として、細長い切片52,53が形
成されるものとする。以下ではｎ番目のレーザ加工とｎ
＋１番目のレーザ加工によって形成される切片53につい
て、レーザ加工によって発生する熱ひずみ及び熱変形に
ついて説明する。
図9Aにおいて、切片53の図中右側の切断面には、ｎ番
目の切断部を形成する際にレーザ加工に伴なう回熱によ
り熱膨脹変形が生じる。しかしながら、この時には切片
となる部分53の図中左側の部分は、金属板51、即ち母材
から切り離されていないので、ｙ軸方向の熱変形が抑制
される。その結果、切片となる部分53の右側切断面は熱
変形が抑制されたことに伴なって収縮する方向に塑性変
形する。ｎ番目のレーザ加工完了後、金属板51が冷却さ
れて切断面の温度が下がると、それまで存在した熱膨脹
変形はなくなり元の寸法に戻ろうとする。ところが、レ
ーザ加工中に発生した上記塑性変形により切片となる部
分53の右側切断面の長さは収縮しているため、この切断
面には引張方向の弾性ひずみと圧縮方向の塑性ひずみが
残ることになる（図8C参照）。
次に、図9Bに示すように、ｎ＋１番目の切断部分62を
レーザビームにより順次切断していくと、切片53の左側
切断面は熱膨脹変形によって伸びようとする。この時、
切片53は金属板51から切り離されるから熱膨脹変形が抑
制されない。従って、切片53は図中右方向（ｘ軸の負方
向）に自由に曲がっていくが、切断面には塑性変形がほ
とんど発生しない。ｎ＋１番目のレーザ加工が完了した
金属板51の温度が下がると、切片53の左側切断面に生じ
ていた熱膨張変形がなくなり、寸法が元に戻る。
然るに、図9BのＣ−Ｃ断面図である図9Cで見てみる
と、切片53の右側切断面には引張方向の弾性ひずみが残
っており、切片53の左側切断面には何らのひずみも発生
していない。このように切断面の両側においてひずみの
不釣合が生じた場合、このひずみが釣り合うように断面
においてひずみの再配分が行なわれる。その結果とし
て、切片53の右側切断面の引張方向の弾性ひずみが元の
約1/2となり、その減少分だけ切片53の左側切断面に引
張方向の弾性ひずみが生じる。このことは、切片53の先
端が金属板51の板面内において変形が生じることを意味
しており、切片53は図中右側（時計まわりの方向）に曲
がる。
また、上記においては切断進行方向がｙ軸の正の方向
である場合について説明したが、切断進行方向がｙ軸の
負の方向である場合にも、曲がりの程度は小さいがやは
り切片53の先端が金属板51の板面内において図中右側に
曲がる。
リードフレームの加工においても、個々のインナーリ
ードの内側部分の先端部分を切り離しながらレーザ加工
を行った場合には、上記と同様の原理により、インナー
リードに曲がり等が生じることになる。しかし、本実施
例では、インナーリードの内側部分3aの内方の先端部分
がつながるように連結部７を残した状態でレーザ加工す
るので、インナーリードの内側部分3aにおいて両方の切
断面（例えば、図9Cの切片53における左右両方の切断
面）におけるひずみの残留する条件が等しくなり、熱変
形の発生が抑制され、インナーリード３に板面内の曲が
り等が生じることが防止される。
ところで、特開昭59−72754号公報においては、レー
ザ加工ではなくプレス加工でリードフレームを形成する
際に、インナーリードの先端部付近に連結部を残してお
けば、プレス加工時に生じた加工ひずみが解放されるこ
とが抑えられてリードの変形が起こらず、さらにこの加
工ひずみ除去のための熱処理等によってもリード位置に
ずれが生じない旨の記載がある。本来、プレス加工によ
れば、リードを分割する間隙は同時に形成されるため、
プレス加工時に生じる加工ひずみは板厚方向の加工ひず
みであり、上記従来技術においては主にこの板厚方向の
加工ひずみを除去するための連結部を設けたり、熱処理
を施している。これに対し、本発明者は、熱加工である
レーザ加工によって図9A及び図9Bのような加工を行った
場合に切片（リード）の両側面（図9C参照）で生じるひ
ずみの不均衡の存在、即ちプレス加工では生じることの
ないひずみの不均衡の存在を確認した。つまり、上記の
ようなひずみの不均衡は、レーザ加工によってリードフ
レームを形成する際に初めて生じる問題であって、本発
明では、このひずみの不均衡を解消しインナーリードに
曲がり等が生じることを防止するためにインナーリード
の先端部付近に連結部を残した。
尚、ステップS120におけるレーザ加工の後には、コイ
ニング加工等によりやむおえず生じたひずみを除去する
ことが望ましい。
次に、ステップS130において、機械的表面処理を行
い、レーザ加工の際に、リードフレーム１に付着したド
ロスやスパッタを除去する。この機械的表面処理で使用
される微小粒状体噴射装置（以下、ショットブラスト装
置という）を図10に示す。図10に示すショットブラスト
装置70において、粒状体タンク71に蓄えられた微小粒状
体72が管路73によって粒状体用ノズル74に供給され、高
圧空気源75からの高圧空気76によって微小粒状体72は加
速され粒状体用ノズル74先端部より噴出される。そし
て、この微小粒状体72はリードフレーム１に高速で衝突
し、レーザ加工の際に付着したスパッタ９やドロス10な
どがその運動エネルギにより除去される。この工程は精
密機械加工部品のバリ取りなどに採用されている技術の
応用である。さらに、粒状体用ノズル74をレーザ加工さ
れた部分全体に沿って移動（スキャン）させ、スパッタ
９やドロス10などを全て除去して表面を清浄にする。ま
た、レーザビーム照射によって表面に形成された酸化膜
をある程度除去することができる。但し、図10のショッ
トブラスト装置70は、リードフレーム１の片面から微小
粒状体72を噴出させる構成となっているが、このような
構成のショットブラスト装置をリードフレーム１の両面
に設けてもよい。
この時使用される微小粒状体72は、その粒径がリード
フレーム１における最小のリード（インナーリード）間
の隙間より小さい。これにより、微小粒状体72はいかな
るリード間の隙間をも通過することができ、例えば非常
に大きなドロスがリードの端面に付着していたとしても
これを簡単かつ確実にしかも能率良くかつ低コストで除
去することができる。また、リードフレーム１の片面側
のみから微小粒状体72を衝突させた場合においても、微
小粒状体72がリード間の隙間を通過してリードフレーム
１の反対側にもまわりこみ、反対側の面もある程度処理
することができる。
次に、ステップS140において、化学的表面処理を行
い、リードフレームの表面を清浄にする。即ち、リード
フレーム１の表面に、引き続いて化学的な表面処理方法
である化学研磨処理を施こすことにより、ショットブラ
スト装置70によって生じた多数の微細なキズや凹凸を溶
解除去し、表面を滑らかで清浄にすることができる。ま
た、レーザビーム照射によって表面に形成された酸化膜
も完全に除去することができる。この化学研磨処理とし
ては、従来の化学研磨処理と同様に、ショットブラスト
装置70で処理されたリードフレーム１を化学研磨槽中の
化学研磨液に一定時間浸漬する方法が採用される。
ところで、薄い板厚の金属板を加工して、多ピンかつ
狭ピッチのリードフレームを製作する場合には、インナ
ーリード３の内方の先端部分に連結部７を設けずに個々
のインナーリード３を分離してしまうと、各リードが極
めて細長いものとなり、その剛性が大幅に低下し、取扱
いが難しくなる。これに対し、本実施例の上記ステップ
S130における機械的表面処理、及びステップS140におけ
る化学的表面処理の時には、連結部７（図７参照）はま
だ残っており、この連結部７によってインナーリード３
の先端部が連結されているため、インナーリード３の相
互間が固定及び拘束され、剛性が維持される。従って、
インナーリード３の配列が乱れることが防止されてリー
ドフレーム１の取扱いが容易になり、その寸法精度が維
持される。
次に、図２のステップS150において、インナーリード
３内方の半導体装置の各端子と接続される部分（以下、
インナーリード３の接続部という）以外の領域に金メッ
キ用保護膜を被覆する。この金メッキ用保護膜として
は、例えば油脂系や合成樹脂系のコーティング剤が使用
される。そして、ステップS151において、金メッキ処理
を実施する。これにより、上記金メッキ用保護膜が被覆
されなかったインナーリード３の接続部に金メッキが施
され、メッキ端子部3Aが形成される。次いで、ステップ
S152で金メッキ用保護膜を油脂や溶剤等により除去す
る。さらに、ステップS153で洗浄及び乾燥を行う。ステ
ップS153が終了した時点での、リードフレーム１の表面
の状況を図11に示す。但し、金メッキに代えて、銀メッ
キまたは銅メッキを行ってもよい。このようなメッキ処
理は、半導体チップの各端子とインナーリードとの接合
性を向上させるために行われるものである。
ここで、ステップS130の機械的表面処理やステップS1
40の化学的表面処理を行わずにインナーリード表面にス
パッタやドロスが付着したままの状態で上記メッキ処理
を行った場合について説明する。図12Aに示すように、
インナーリード３の表面にスパッタ９やドロス10が付着
していると、このスパッタ９やドロス10による突起部分
にメッキ層が集中して成長するため、図12Bに示すよう
に、メッキ層8aは突起部分に偏在し、他の部分では必要
とするメッキ層の厚さを十分得ることが難しい。つま
り、上記の場合は、リードフレーム１の表面の凹凸が増
長され、メッキ層の厚さに不均一が生じてしまう。さら
に、ドロスやスパッタが付着した突起部分のメッキ層が
異常に肥大化することがあり、この肥大化が進むと、リ
ード間の隙間がメッキで埋め戻され、隣接するリードが
短絡することにもなる。このような事態が生じると、手
直しすることが不可能となり、このようなリードフレー
ムは、製品として使用することができない。
これに対し、本実施例では、ステップS130の機械的表
面処理、及びステップS140の化学的表面処理のあとに上
記メッキ処理を施すので、図13Aに断面図で示すよう
に、ドロスやスパッタや酸化膜が取り除かれ、表面が清
浄な状態のインナーリード３の表面にメッキ処理が行わ
れる。従って、メッキ処理後は、図13Bに示すように、
厚さが均一で良好なメッキ層８を形成することができ、
メッキ層８の密着性が向上する。このようにインナーリ
ード３の表面に良好なメッキ層８を施すことにより、半
導体チップの各端子との接合性が向上する。その結果、
不良品の発生率が低下して歩留りが向上する。
また、上記メッキ処理はステップS120のレーザ加工の
後で行うので、メッキ層の上にスパッタ、ドロス、酸化
膜、その他のよごれ等が付着することもなく、メッキ層
の品質を損なうことがない。
さらに、ステップS150〜S153においても、ステップS1
30及びステップS140の時と同様に連結部７（図７参照）
はまだ残っており、この連結部７によってインナーリー
ド３の先端部が連結されているため、インナーリード３
の相互間が固定及び拘束され、剛性が維持される。従っ
て、この時にもインナーリード３の配列が乱れることが
防止されてリードフレーム１の取扱いが容易になり、そ
の寸法精度が維持される。
次に、図２のステップS160において、上記金メッキが
施されたインナーリード３の接続部を含むアウターリー
ド４以外の領域にハンダメッキ用保護膜を被覆する。こ
のハンダメッキ用保護膜としては、金メッキ用保護膜と
同様に、油脂系や合成樹脂系等のコーティング剤が使用
される。そして、ステップS161において、ハンダメッキ
処理を実施する。これにより、上記ハンダメッキ用保護
膜が被覆されなかったアウターリード４にハンダメッキ
が施される。ステップS161が終了した時点での、リード
フレーム１の表面の状況を図14に示す。
このハンダメッキ処理は、半導体装置のプリント基板
への表面実装時にアウターリードと回路パターンとの接
合性を向上させるために行われるものである。また、ス
テップS160及びステップS161においても、ステップS13
0、ステップS140、及びステップS150〜S153の時と同様
に連結部７（図７参照）はまだ残っており、この連結部
７によってインナーリード３の先端部が連結されている
ため、インナーリード３の相互間が固定及び拘束され、
剛性が維持される。従って、この時にもインナーリード
３の配列が乱れることが防止されてリードフレーム１の
取扱いが容易になり、その寸法精度が維持される。
次に、図２のステップS170において、インナーリード
３先端に残しておいた連結部７を、図15に示す切断軌跡
7aに沿ってレーザビームを照射することにより切除す
る。これにより、図16に示すように、インナーリード３
が個々に分離されると共に切欠き部６が形成され、最終
的なリードフレームパターンが形成される。但し、図15
では、簡単のため、金メッキ及びハンダメッキが施され
る領域を省略した。上記のように、連結部７の切除時に
レーザビームを利用することにより、連結部７の切除も
高精度かつ容易に行うことができる。切り離されたイン
ナーリード３は後ほどダイパッド２に搭載される半導体
チップの各端子とそれぞれ電気的に接続される。
この場合、熱加工によって連結部７を切除することに
なるが、レーザビーム照射による入熱はインナーリード
３先端付近の微小な領域のみに限られ、前述のインナー
リードの内側部分3aを分割する間隙3cを形成する場合と
は異なってインナーリード３には熱変形による曲がり等
は生じない。また、連結部７をレーザビームによって切
除する際には溶融金属がスパッタとして飛散するが、こ
のスパッタは他の汚れや塵埃等と共にハンダメッキ用保
護膜上に付着する。尚、連結部７はプレスによる打ち抜
き加工等の非熱加工により切除してもよい。この打ち抜
き加工を行う場合に生じる汚れ等は、ハンダメッキ用保
護膜上に付着する。
次に、ステップS180において、ステップS160で被覆し
たハンダメッキ用保護膜を油脂や溶剤等により除去す
る。これにより、上記ステップS170の連結部７の切除時
にハンダメッキ用保護膜上に付着したスパッタや汚れや
塵埃が保護膜と共に一括で除去される。そして、ステッ
プS181において、ハンダメッキ用保護膜を除去したリー
ドフレーム１を洗浄し乾燥する。これにより、リードフ
レーム１の表面は清浄となる。
さらに、ステップS190で上記リードフレーム１の外観
や形状等の検査を行い、ステップS191で包装を行い、リ
ードフレームの製造を完了する。
次に、上記のようにして加工されたリードフレームを
用いた半導体装置の一例を説明する。図17に示すよう
に、リードフレーム１のダイパッド２に半導体チップ10
1が接着剤102によって接着され、インナーリード３の端
部と半導体チッピ101の各端子とが導体ワイヤ103によっ
て接続されている。そして、半導体チップ101、ダイパ
ッド２及びインナーリード３は樹脂モールド104により
一体的にモールドされている。さらに、ダムバー５及び
リードフレーム１の周囲の不要部（図１参照）が切断さ
れ、アウターリード４が折り曲げられている。上記構成
を有する半導体装置100は、プリント基板110上の定位置
に接着剤111で固定され、さらにアウターリード４はプ
リント基板110上の回路パターンに従うランド112にハン
ダ113で接続される。
次に、前述のようにして加工されたリードフレームを
用いた半導体装置の他の例を説明する。
この半導体装置は、インナーリードと半導体チップの
各端子とが直接接続されるリード・オン・チップ（以
下、LOCと略す）方式による半導体装置である。半導体
装置において、半導体チップとインナーリードの接続
は、図17のようにワイヤボンディングによる方法が一般
的であり、そのためにインナーリードが一定以上の幅を
必要とし、半導体装置の小型化や高集積化や高密度化の
障害となっていた。しかし、LOC方式によれば、インナ
ーリードの幅やピッチをさらに狭くすることができ、半
導体装置の小型化や高集積化や高密度化を図ることがで
きる。
従来、このようなLOC方式は、Cu箔でリードを形成し
たポリイミドフィルムを使用するTAB（Tape Auto−mate
d Bonding）型の半導体装置において採用されることが
ほとんどであって、半導体チップが極めて微細な構造を
有しており、インナーリードのピッチが極えて狭ピッチ
となる場合の方式であった。これに対し、本実施例で
は、インナーリードのピッチを従来に比較して極めて狭
ピッチにすることができ、しかも高精度な寸法及び形状
を有するリードフレームを提供することができるため、
従来のTAB方式と同様に、LOC方式によって半導体チップ
の端子とリードフレームの接合が可能であり、TAB方式
と同等に狭ピッチの半導体装置を実現することが可能で
ある。
図18A及び図18Bに示すように、半導体装置120におい
て、半導体チップ121はリードフレーム１のダイパッド
２の裏面に接着剤122で接着されており、また半導体チ
ップ121の各端子はリードフレーム１のインナーリード
３の端部と金バンプ123により接続されている。また、
インナーリード３は補強フィルム124により補強されて
いる。さらに半導体チップ121の裏面には放熱板125が取
り付けられており、半導体チップ121内で発生した熱が
この放熱板125から放出される。これら半導体チップ121
及びその周辺の部材は樹脂モールド126によって一体的
に封止されている。
上記のような構成の半導体装置には以下のような特長
がある。
（１）リードフレーム１の剛性が高くかつ寸法精度がよ
いので、加工後の位置ずれや変形がない。
（２）ダイパッド２によって半導体チップ121が保護さ
れるので外乱に強い。
（３）発熱する半導体チップ121の裏面に放熱板125を取
り付けた構造を容易に実現でき、この放熱板125により
半導体装置の放熱性が向上する他、耐ノイズ性、耐紫外
線効果、耐放射線効果なども向上する。尚、放熱板を半
導体チップ121の片面だけでなく、その両面に取り付け
てもよい。また、発熱が余り多くない場合には放熱板は
省略してもよい。
尚、図18Aのような構造においては半導体チップ121の
上面にリードフレームを配置するので、半導体チップ12
1への外乱があまり問題にならないような場合にはダイ
パッド２は必ずしも必要なく、省略することもできる。
図19に、樹脂モールド126による封止を行う前の半導
体チップ121とインナーリード３との接続部分の斜視図
を示す。インナーリード３は前述したようにピッチが狭
くかつその幅が狭いので、補強フィルム124により補強
され変形やもつれが防止されている。
以上のような本実施例によれば、インナーリードの内
側部分3aの先端部分がつながるように連結部７を残した
状態でレーザ加工を行うので、レーザ加工に伴う熱変形
の発生が抑制され、インナーリードに板面内の曲がり等
が生じることを防止され、高精度な加工を行うことがで
きる。
また、連結部７によってインナーリード３の相互間が
固定及び拘束され、剛性が維持された状態で、インナー
リードの外側部分3bやアウターリード４の形成、レーザ
加工により生じたドロス等の異物を除去する機械的表面
処理や化学的表面処理、インナーリード３の接続部へ金
メッキを施すことによるメッキ端子部3Aの形成、及びア
ウターリード４へのハンダメッキ処理等を行うので、上
記各工程実施例にインナーリード３の配列が乱れること
が防止されてリードフレーム１の取扱いが容易になり、
その寸法精度が維持される。
また、機械的表面処理や化学的表面処理でドロス等の
異物を除去するので、インナーリード３の表面を清浄な
状態にすることができる。さらに、機械的表面処理や化
学的表面処理でドロス等の異物を除去した後に、インナ
ーリード３の接続部への金メッキによるメッキ端子部3A
の形成を行うので、表面が清浄な状態のインナーリード
３表面に対して金メッキが行われ、密着性のよい良好な
メッキ端子部3Aを得ることができる。
また、メッキ端子部3Aを含むアウターリード４以外の
領域にハンダメッキ用保護膜を被覆するので、メッキ端
子部表面が保護されると共に、連結部７の切除時に生じ
る汚れやスパッタ等はハンダメッキ用保護膜上に付着す
る。そして、その後上記ハンダメッキ用保護膜を除去す
るので、この保護膜上に付着した汚れやスパッタ等を一
括で除去することができる。
また、連結部７の切除時にレーザビームを利用するの
で、連結部７の切除も高精度かつ容易に行うことができ
る。この場合、熱加工を利用することになるが、レーザ
ビーム照射による入熱はインナーリード先端付近の微小
な領域のみに限られるので、インナーリード３には熱変
形による板面内の曲がり等が生じない。
また、エッチング加工やプレスによる打ち抜き加工等
の非熱加工は、レーザ加工に比べると加工能率が高いの
で、本実施例のように非熱加工とレーザ加工の両方の加
工方法を加工する部分に応じて組み合わせることによ
り、レーザ加工する部分を必要かつ最少限に限定するこ
とが可能となり、精度のよいリードフレームを能率良く
加工することができる。
また、本実施例によれば、狭ピッチのリードフレーム
を高精度に加工することができるので、この特徴を生か
して半導体装置の一層の小型化や高集積化や高密度化を
図ることができる。
第２の実施例 次に、本発明の第２の実施例を図20及び図21により説
明する。
本実施例は、インナーリード３の微細な内側部分3aを
先にレーザ加工した後にアウターリード４、インナーリ
ード３の微細でない外側部分3b、及び切欠き部6a（図４
参照）の加工を行うものである。
まず、図20のステップS200において、図２のステップ
S100と同様に金属板素材をレベラーにかけ、材料の曲が
りを矯正し平板状に加工する。
次に、ステップS210において、上記金属板に対して図
２のステップ120と同様のレーザ加工を実施する。これ
により、図21に示すインナーリード３の微細な内側部分
3aを分割する間隙3cがスリット状に形成される。この
時、インナーリードの内側部分3aは個々に切り離されな
い状態でレーザ加工が行われる。従って、前述の実施例
と同様に、レーザ加工に伴う熱変形の発生が抑制され、
この部分に板面内の曲がりやねじれ等が生じることを防
止することができる。
次に、ステップS220において、上記レーザ加工した金
属板に対してプレスによる打ち抜き加工を実施する。即
ち、インナーリード３の微細な内側部分3aを延長するよ
うにして、図21に示すアウターリード４及びインナーリ
ード３の微細でない外側部分3b、さらに切欠き部6a（図
４参照）をプレスによる打ち抜き加工によって形成す
る。この時、切欠き部6aが形成されると同時にインナー
リードの内側部分3aの先端部分には連結部７（図７参
照）が残される。ここでは、図２のステップS110〜S112
のエッチング加工と実質的に同じ部分が加工される。但
し、このプレス加工に代え、図２のステップS110〜S112
と同様のエッチング加工を採用してもよい。
次のステップS230〜ステップS261では、図２のステッ
プS130〜ステップS161と同様に、機械的表面処理、化学
的表面処理、金メッキ処理、及びハンダメッキ処理等を
行う。
次に、ステップS270において、図２のステップS170と
同様にインナーリード３先端に残しておいた連結部７
を、レーザビームを照射することにより切除する。これ
により、図21に示すような最終的なリードフレームパタ
ーンが形成される。但し、図21では、簡単のため、金メ
ッキ及びハンダメッキが施される領域を省略した。尚、
前述の実施例と同様に連結部７をプレスによる打ち抜き
加工等の非熱加工により切除してもよい。
次に、ステップS280において、ステップS180と同様に
ハンダメッキ用保護膜を油脂や溶剤等により除去する。
これにより、上記ステップS170の連結部７の切除時にハ
ンダメッキ用保護膜上に付着したスパッタや汚れや塵埃
が保護膜と共に一括で除去される。そして、ステップS2
81において、ハンダメッキ用保護膜を除去したリードフ
レーム１を洗浄し乾燥する。これにより、リードフレー
ム１の表面は清浄となる。
さらに、ステップS290で上記リードフレーム１の外観
や形状等の検査を行い、ステップS291で包装を行い、リ
ードフレームの製造を完了する。
以上のような本実施例によっても、前述の実施例と同
様の効果が得られる。
第３の実施例 次に、本発明の第３の実施例を図22により説明する。
本実施例のおいては、図２のステップS130における機
械的表面処理を、図22に示すようなベルトの片面に微小
粒状体を付着させた研削ベルトを用いて行う。
図22において、研削ベルト式表面処理装置150は、ベ
ルトの片面に微小粒状体を付着せせた研削ベルト151を
リードフレーム１の両面から押さえ込むように取り付け
られる。研削ベルト151は巻出ロール152より巻出され、
押付けロール153によって一定の力でリードフレーム１
に押し付けられ、リードフレーム１表面を研削し、スパ
ッタやドロスを除去した後、巻取ロール154で巻取られ
る。上記において、研削ベルト151はリードフレーム１
の送給方向とは逆の方向に送給され、またリードフレー
ム１は押付けロール153入側の張力付与ロール157及びロ
ール153出側の送給ロール158とによりある一定の張力が
付与される。これにより、リードフレーム１の両面の研
削能率が向上し、確実にスパッタやドロスが除去され
る。
また、除去しにくいスパッタやドロスが付着しやすい
研削ベルト151の裏面には研削液供給ノズル155により研
削液156が供給される。このように研削液156を供給する
ことにより、リードフレーム１と研削ベルト151との接
触を良くすることができ、研削ベルトの研削性能が高め
られる。尚、研削ベルト151の裏面のみならず表面側に
研削液を供給してもよい。また、研削液151と共に微小
粒状体を供給すれば、研削効率がさらに向上する。
さらに、上記においては、研削ベルトを一方向に供給
して巻取る方式を用いたが、長尺の研削ベルトの両端を
連結したエンドレスの研削ベルトを使用し、連続的にこ
れを供給してもよい。また、研削ベルトの代わりにフェ
ルト布を用い、砥粒入りの研削液を上記フェルト布に吹
きつけ、このフェルト布でリードフレーム１を機械的に
表面処理することも可能である。
上記以外の加工方法は、前述の図１〜図19で説明した
実施例と同様である。
以上のような本実施例によっても、図１から図19で説
明した実施例と同様の効果が得られる。
第４の実施例 次に、本発明の第４の実施例を図23により説明する。
本実施例においては、図２のステップS130における機
械的表面処理を、図23に示すような円筒状刃物を備えた
研削機を用いて行う。
図23において、円筒状刃物（以下、平フライスとい
う）160は、表面に螺旋状の刃161を形成した工具であ
り、両端に回転支持軸部162を有している。この回転支
持軸部162を適当な軸受で支持して回転駆動させる研削
機を図10のショットブラスト装置70や図22の研削ベルト
式表面処理装置150の代わりに使用する。このような平
フライス160を使用することにより、リードフレーム１
に突出した状態で付着しているスパッタやドロスは選択
的に研削され、除去される。上記以外の加工方法は、前
述の図１〜図19で説明した実施例と同様である。
以上のような本実施例によっても、図１から図19で説
明した実施例と同様の効果が得られる。
第５の実施例 次に、本発明の第５の実施例を図24により説明する。
前述の図３の場合のように、金属板11の板厚t0に比べ
て開口部14の開口幅W1が十分大きければ、エッチング液
に金属板11の表面が十分浸されるので、速やかに貫通穴
14aを形成することができる。これは、アウターリード
やインナーリードの微細でない外側部分をエッチングに
よって加工した場合である。一方、狭ピッチのインナー
リードの内側部分3aのように開口部の開口幅が金属板11
の板厚t0に比べて小さい部分に対してエッチング加工を
適用しようとする場合には、活性なエッチング液に金属
板11の表面が十分に浸されないので板厚方向の全加工量
のうち一部だけしかエッチングされない。これは、エッ
チング液の循環が不十分であり、劣化したエッチング液
が滞留するためにエッチングの能力が下がるからであ
る。従って、狭ピッチのインナーリードの内側部分3aは
エッチングだけでは貫通させることができず、開口部に
わずかな凹部が形成されるだけである。そこで、本実施
例ではこのような凹部にさらにレーザビームを照射する
ことによって貫通させ、完全に加工を行う。このような
エッチング加工及びこれに続くレーザ加工について説明
する。
まず、図24Aに示すように、図３で説明した方法と同
様の方法により、所定厚さt0の金属板170の両面に図24B
に示す所定のパターンのレジスト膜171,172を形成す
る。この時のレジスト膜171,172の開口部173の開口幅は
金属板170の板厚t0に比べて小さいW2である。次に、レ
ジスト膜171,172の開口部173を、図24Cに示すように金
属板170の両面からケミカルエッチングするが、前述し
たように、開口部173には貫通穴が形成されず、わずか
な凹部174が形成される。次に、図24Dに示すように金属
板170の両面に塗付してあったレジスト膜171,172を除去
する。以上の工程は、アウターリードやインナーリード
の外側部分のエッチング加工と同時に行ってもよい。
次に、図24Eに示すように、上記のようにして加工さ
れた金属板170の凹部174の中央に、集光レンズ31によっ
て集光したレーザビーム29を照射し、凹部174を板厚方
向に貫通させて開口幅d2の貫通穴175を形成する。この
時、凹部174を目印としてレーザビームを照射すること
ができるので、レーザ加工する箇所の位置合せが容易に
なる。この状態でレーザビーム29の集光位置を移動させ
てレーザ加工を行い所定のパターンを形成する。また、
金属板170のレーザ加工する箇所の板厚が薄くなるので
レーザ加工によって生じるドロスの量が減少すると共
に、ドロスが凹部174に付着するのでリードフレーム表
面からドロスが突出することが避けられ板厚精度の低下
を回避できる。
また、本実施例においても、インナーリードの内側部
分3aの内方の先端部分がつながるように連結部を残した
状態でレーザ加工する。これにより、各インナーリード
の内側部分3aは個々に分割されない状態でレーザ加工が
行われるので、レーザ加工に伴う熱変形の発生が抑制さ
れ、この部分に板面内の曲がり等が生じることを防止す
ることができる。そして、上記連結部は、図１から図19
で説明した実施例と同様に最終的にレーザ加工により切
除する。
上記以外の加工方法は、前述の図１〜図19で説明した
実施例と同様である。
以上のように本実施例によれば、前述の実施例と同様
の効果が得られると共に、レーザ加工する前にその部分
にエッチング加工を行うので、レーザ加工部分の位置合
せが容易になるという効果も得られる。また、レーザ加
工する箇所の板厚が薄くなるのでレーザ加工によって生
じるドロスの量が減少すると共に、ドロスが凹部174に
付着するのでリードフレーム表面からドロスが突出する
ことが避けられ板厚精度の低下を回避できる。
第６の実施例 次に、本発明の第６の実施例を図25〜図29により説明
する。
本実施例において金属板上に集光されるレーザビーム
250は、図25Aに示すようにその横断面形状が細長い形状
をしており、そのエネルギ密度はそのビームの横断面に
おいてほぼ均一である。また、このレーザビームのエネ
ルギ密度は、１パルスだけでは金属板の板厚方向に貫通
できない大きさであって、図25Bに示すように、１パル
スのレーザビーム照射によって金属板201の板厚の約半
分強が加工される程度である。上記レーザビームのエネ
ルギ密度は、加工される金属板201の材質や板厚等をも
とに予め設定される。
上記のような細長いレーザビームを用いて、図25Aに
示すように加工が進行する方向（矢印で示す）と細長い
レーザビームの長手方向とを一致させてレーザ加工を行
う。そして、レーザビームの照射領域を長手方向の1/2
強ずつ重ねながら順次加工を進める。即ち、図25Aにお
いて、ｍ−１パルス目のレーザビーム250aを照射した照
射領域に1/2強だけ重ねながらｍパルス目のレーザビー
ム250bを照射し、このｍパルス目のレーザビーム照射領
域に1/2強だけ重ねながらｍ＋１パルス目のレーザビー
ム250cを照射し、このことを繰り返しながらレーザ加工
を進める。
このようにレーザ加工を行った場合、図25Bに断面図
で示すように、ｍパルス目のレーザビーム照射によって
領域202aが除去され、ｍ＋１パルス目のレーザビーム照
射によって領域202bが除去される。つまり、レーザビー
ムのエネルギ分布が均一であったとしても、金属板201
には図25Bのように加工が進行する方向の前方に溝部203
が、後方に貫通した切断開口部204が形成され板厚方向
に段階状をなす加工部が順次形成されることになる。但
し、図25C、図25D、及び図25Eは、それぞれ図25BのＣ−
Ｃ方向、Ｄ−Ｄ方向、及びＥ−Ｅ方向の断面図である。
次に、本実施例において使用されるレーザ加工装置に
ついて説明する。図26Aは、本実施例において使用され
るレーザ加工装置のレーザ発振器、加工ヘッド及びノズ
ルの内部の光学系を模式的に示す図である。本実施例で
使用されるレーザ加工装置は、基本的には図５に示した
レーザ加工装置と同様の構成を有しており、レーザ発振
器の構成のみが異なる。そして、上記レーザ加工の進
行、即ち金属板の201の移動は図５において説明したXY
テーブルによって行う。
図26Aにおいて、レーザ発振器251にはレーザ発振器26
1及びビーム径変換ユニット262が備えられ、加工ヘッド
252にはベンディングミラー253が備えられ、ノズル254
には集光レンズ255及びアシストガス供給口256が備えら
れている。また、ビーム径変換ユニット262は凸型シリ
ンドリカルレンズ263（図3B参照）及び凹型シリンドリ
カルレンズ264（図3C参照）を備え、ビーム径変換ユニ
ット262全体が図示しない駆動モータ等によりレーザビ
ーム250A（250）の光軸まわりに所定角度だけ回転でき
るようになっている。
レーザ共振器261で発生したレーザビーム250Aは、ま
ずビーム径変換ユニット262の凸型シリンドリカルレン
ズ263でビーム断面の一軸方向のみが縮小され、その後
凹型シリンドリカルレンズ264で平行光に矯正される。
凹型シリンドリカルレンズ264を出射したレーザビーム2
50は、加工ヘッド252に入射しベンディングミラー253で
方向で変えられてノズル254内の集光レンズ255に入射す
る。この集光レンズ255により前述の所定のエネルギ密
度を有するようにレーザビーム250が集光され金属板201
表面に照射される。この金属板201に照射されるレーザ
ビーム250の断面は上記シリンドリカルレンズ263,264の
働きによって、図25Aに示すように一軸方向のみが縮小
された細長い楕円形となり、またビーム径変換ユニット
262全体が所定角度だけ回転することにより、楕円形の
レーザビーム250は光軸のまわりに自転する。また、ノ
ズル254先端部付近のアシストガス供給口256からはアシ
ストガスがレーザビームと同軸的に噴出される。尚、上
記のような光学系を用いずに、レーザ共振器をスラブ型
のレーザ活性体を備えたものとし、このレーザ共振器よ
り発生する矩形断面のスラブレーザを使用してもよい。
次に、上記のようにしてレーザ加工を行う場合の溶融
金属（ドロス）の挙動について図27により説明する。但
し、図27Aはレーザ加工の途中の状態を金属板201の表面
からみた図であって、図中矢印で示す加工が進行する方
向の前方には溝部203が、後方には貫通した切断開口部2
04が形成されている。レーザビーム照射により発生した
溶融金属は金属板201が貫通し切断開口部204が形成され
た時にその大部分が落下するが、ある程度は金属板201
に残留し、図27A及び図27Bに示すように、溝部203の底
面では溶融金属203aとなり、切断開口部204の壁面下側
では溶融金属204aとなって付着する。
ここで、加工が進行する方向の前方の溝部203は板厚
方向に貫通しないで残留している部分であって、その底
面の下にある未加工部分201aや201bの存在により、熱の
逃げ場の少ない後方の切断開口部204の壁面よりも熱が
逃げやすい。このため、溝部203と切断開口部204には冷
却速度差が生じ、溝部203の方が温度が低くなる。溶融
金属の表面張力は温度の低いものの方が温度の高いもの
よりも大きいため、図4Cに示すように、切断開口部204
の壁面下側に付着した溶融金属204aは表面張力の差によ
って温度の低い溝部の方へと引きよせられる。この結
果、加工が進行する方向前方の溝部203の底面に溶融金
属が集められ、図4Dのようにドロス205は常に溝部203の
底面に付着することになる。
さらに、溝部203の底面に付着したドロス205は、次の
レーザビーム照射で溝部203が溶融して切り落とされる
時（図25参照）に一緒に溶融して落下する。この時点に
おいてなおも残留した溶融金属の挙動は上記説明した挙
動と同様になり、このことが繰り返されて加工が行われ
る。従って、レーザビーム照射によって形成される溶融
金属が不均一な数個の塊に凝集したり大きく成長するこ
とがなく、レーザ加工後の切断開口部の壁面にはドロス
が付着しない。そして最終的には、ドロス205はせいぜ
い残っても加工が進行する方向の前方の溝部203の底面
に付着する程度となる。
ところで、従来のように１パルスのレーザビームで金
属板の全板厚を貫通させる場合には、落下せずに残留し
た溶融金属が貫通穴（間隙）の端面全長にわたって付着
し、わずかな温度差による表面張力の差によって不均一
な数個の塊に凝集して成長し、例えば図28に示すよう
に、そのまま凝固して不均一なドロス220となる。この
ドロス220はレーザビームが照射された面の反対側の面
（裏側の面）に付着し易い。尚、図28Aはレーザビーム
が照射された面の反対側の面（裏側の面）からみた図で
あり、図中の破線は貫通穴の表側の面における開口部で
ある。また、図28Bは図28AのＢ−Ｂ方向からの断面図で
ある。
これに対し、本実施例では、前述のようにレーザ加工
後の切断開口部の壁面にはドロスが付着しないので、レ
ーザ加工後のインナーリードの内側部分はドロスの付着
の影響を受けず、寸法精度や清浄度を向上することがで
きる。
次に、本実施例におけるインナーリードの内側部分の
加工方法を図29により説明する。図29において、インナ
ーリードの内側部分210を分割する間隙211A〜211Eを、
図25〜図27で説明したレーザ加工方法により図中矢印で
示すようにインナーリードの外方から内方に向けて形成
する。しかも図１〜図19で説明した実施例と同様に、イ
ンナーリードの内側部分3aの内方の先端部分がつながる
ように連結部212を残す。
また、図中一番右側の間隙211Aより加工を開始した場
合、図中右から２番目の間隙211Bを加工する時には図26
で説明したビーム径変換ユニット262を所定角度、即ち
間隙211Aと211Bのなす角度だけ回転させ、楕円形のビー
ム250（図25A参照）を自転させてその長手方向を加工が
進行する方向に一致させる。以下、間隙211C〜211Eにつ
いても同様に加工する。この時、各々の間隙211A〜211E
の突き当たり部分には溝部203A〜203Eが形成されてお
り、さらにこの溝部203A〜203Eの底面には図27で説明し
たようにして集められた溶融金属がドロス205A〜205Eと
して付着している。勿論、レーザ加工後の間隙211A〜21
1Eの壁面にはドロスが付着せず、その寸法精度や清浄度
は良好である。尚、図示しないが、間隙211A〜211E以外
の間隙も同様にして形成される。
上記連結部212は、図１から図19で説明した実施例と
同様に最終的にレーザ加工により切除する。この連結部
212をレーザ加工により切除する際のレーザビームの軌
跡を図中２点鎖線で示す。これにより、インナーリード
の内側部分210が個々に分離されると共に、連結部212と
共に溝部203A〜203Eに付着したドロス205A〜205Eも同時
に一括で除去される。このように、間隙211A〜211Eの内
方の先端部分にドロス205A〜205Eを集めておき、最終的
にこのドロス205A〜205Eも含めて連結部212を一括で切
除するので、インナーリードの内側部分210の形状は、
その途中部分のみならず先端部分も良好になる。
上記以外の加工方法は、前述の図１〜図19で説明した
実施例と同様である。
以上のような本実施例によれば、図１〜図19で説明し
た実施例と同様の効果が得られる他、次のような効果が
得られる。
まず、横断面形状が細長いレーザビーム250を使用
し、レーザビーム250の長手方向と加工が進行する方向
とを一致させるので、高速なレーザ加工が実現できる。
また、レーザビームのエネルギ密度を１パルスだけで
は金属板の板厚方向に貫通できない大きさにし、１パル
ス毎のレーザビームの照射領域が所定の長さずつ重なる
ようにレーザビーム250の照射位置を順次ずらせながら
加工を行うので、段階状をなす加工部が順次形成され、
発生したドロス205は常に加工が進行する方向の前方の
溝部203の底面に付着する。従って、レーザビーム照射
によって形成される溶融金属が不均一な数個の塊に凝集
したり大きく成長することがなく、インナーリードの内
側部分210はドロスの付着の影響を受けず、その寸法精
度や清浄度を向上することができる。
また、インナーリードをレーザ加工する際に、インナ
ーリード210の外方から内方に向けて加工を進め、イン
ナーリードの内側部分3aの内方の先端部分がつながるよ
うに連結部212を残すので、間隙211A〜211Eの突き当た
り部分の溝部203A〜203Eの底面にドロス205A〜205Eが集
められて付着する。従って、最終的に連結部212近傍を
一括で切除することにより、溝部203A〜203Eに付着した
ドロス205A〜205Eを一括で除去することができる。
産業上の利用可能性 本発明によれば、インナーリードの内方の先端部分が
つながるように連結部を残した状態で、レーザ加工によ
りインナーリードの内側部分を形成するので、レーザ加
工に伴う熱変形の発生が抑制され、インナーリードに板
面内の曲がり等が生じることが防止され、高精度な加工
を行うことができる。
また、連結部によってインナーリード相互間が固定及
び拘束され、剛性が維持された状態で、インナーリード
の外側部分やアウターリードの形成、及びリードフレー
ムの形成に必要なその他の加工を行うので、インターリ
ードの配列が乱れることが防止されてリードフレームの
取扱いが容易になり、その寸法精度が維持される。
また、機械的表面処理や化学的表面処理でドロス等の
異物を除去するので、インナーリードの表面を清浄な状
態にすることができる。さらに、この表面が清浄な状態
のインナーリードに良導電性金属のメッキ端子部を形成
するので、密着性のよい良好なメッキ端子部を得ること
ができる。
また、少なくともメッキ端子部に保護膜を被覆するこ
とによってメッキ端子部表面が保護される。そして、連
結部の切除を行った後で保護膜を除去することにより、
保護膜上に付着した汚れ等を一括で除去することができ
る。
また、連結部の切除時にレーザビームを利用するの
で、連結部の切除も高精度かつ容易に行うことができ
る。
また、エッチング加工やプレスによる打ち抜き加工等
の非熱加工と、熱加工であるレーザ加工の両方の加工方
法を、加工する部分に応じて組み合わせるので、精度の
よいリードフレームを能率良く加工することができる。
また、横断面形状が細長いレーザビームを使用し、そ
の長手方向と加工が進行する方向とを一致させるので、
高速なレーザ加工が実現できる。そして、レーザビーム
のエネルギ密度を１パルスだけでは金属板の板厚方向に
貫通できない大きさにし、１パルス毎のレーザビームを
所定の長さずつ重なるように順次ずれせながら加工を行
うので、インナーリードはドロスの付着の影響を受け
ず、その寸法精度や清浄度を向上することができる。
また、本発明によれば、狭ピッチのリードフレームを
高精度に加工することができるので、この特徴を生かし
て半導体装置の一層の小型化や高集積化や高密度化を図
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 信也 茨城県新治郡千代田町稲吉南２丁目４番 １号 (72)発明者 長野 義也 茨城県新治郡千代田町新治1828 日立建 機千代田ハウス３―304 (56)参考文献 特開 平３−123063（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251605（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 B23K 26/00

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】金属板（11）にレーザ加工を施してインナ
    ーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成する
    ことにより、多数のインナーリード（３）とその外側に
    連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有す
    るリードフレーム（１）を金属板から形成するリードフ
    レームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第２の工程と、 前記リードフレーム（１）の形成に必要なその他の後加
    工を行った後に、前記連結部（７）を切除して前記イン
    ナーリード（３）を完成する第３の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  2. 【請求項２】金属板（11）にレーザ加工を施してインナ
    ーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成する
    ことにより、多数のインナーリード（３）とその外側に
    連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有す
    るリードフレーム（１）を金属板から形成するリードフ
    レームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第２の工程と、 前記第１の工程におけるレーザ加工により生じたドロス
    （10）等の異物を除去する第３の工程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第４の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  3. 【請求項３】請求項２記載のリードフレームの加工方法
    において、前記第３の工程は、前記リードフレーム
    （１）の表面に機械的な表面処理を施す工程を含むこと
    を特徴とするリードフレームの加工方法。
  4. 【請求項４】請求項２記載のリードフレームの加工方法
    において、前記第３の工程は、前記リードフレーム
    （１）の表面に化学的な表面処理を施す工程を含むこと
    を特徴とするリードフレームの加工方法。
  5. 【請求項５】金属板（11）にレーザ加工を施してインナ
    ーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成する
    ことにより、多数のインナーリード（３）とその外側に
    連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有す
    るリードフレーム（１）を金属板から形成するリードフ
    レームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第２の工程と、 前記インナーリード（３）の先端部分に半導体チップ接
    続用の良導電性金属のメッキ端子部（3A）を形成する第
    ３の工程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第４の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  6. 【請求項６】請求項５記載のリードフレームの加工方法
    において、前記第１の工程におけるレーザ加工により生
    じたドロス（10）等の異物を除去する第５の工程をさら
    に有し、前記第３の工程での良導電性金属のメッキ端子
    部（3A）の形成は、前記第５の工程の後に行うことを特
    徴とするリードフレームの加工方法。
  7. 【請求項７】請求項５記載のリードフレームの加工方法
    において、前記第３の工程の後に、少なくとも前記メッ
    キ端子部（3A）に保護膜を被覆する第７の工程をさらに
    有し、前記連結部（７）を切除する前記第４の工程の後
    で前記保護膜を除去することを特徴とするリードフレー
    ムの加工方法。
  8. 【請求項８】金属板（11）にレーザ加工を施してインナ
    ーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成する
    ことにより、多数のインナーリード（３）とその外側に
    連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有す
    るリードフレーム（１）を金属板から形成するリードフ
    レームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第２の工程と、 前記アウターリード（４）にハンダメッキ処理を施す第
    ３の工程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第４の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  9. 【請求項９】請求項８記載のリードフレームの加工方法
    において、前記第３の工程は、ハンダメッキ処理を施さ
    ない領域にハンダメッキ用保護膜を被覆した後に行い、
    前記連結部（７）を切除する前記第４の工程の後で前記
    ハンダメッキ用保護膜を除去することを特徴とするリー
    ドフレームの加工方法。
  10. 【請求項１０】金属板（11）にレーザ加工を施してイン
    ナーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成す
    ることにより、多数のインナーリード（３）とその外側
    に連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有
    するリードフレーム（１）を金属板から形成するリード
    フレームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第２の工程と、 前記連結部（７）をレーザ加工により切除して前記イン
    ナーリード（３）を完成する第３の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  11. 【請求項１１】金属板（11）にレーザ加工を施してイン
    ナーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成す
    ることにより、多数のインナーリード（３）とその外側
    に連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有
    するリードフレーム（１）を金属板から形成するリード
    フレームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とをエッチング加工により形成する第２の工
    程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第３の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  12. 【請求項１２】金属板（11）にレーザ加工を施してイン
    ナーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成す
    ることにより、多数のインナーリード（３）とその外側
    に連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有
    するリードフレーム（１）を金属板から形成するリード
    フレームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第１の工
    程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とをプレスによる打ち抜き加工により形成す
    る第２の工程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第３の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  13. 【請求項１３】金属板（11）にレーザ加工を施してイン
    ナーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成す
    ることにより、多数のインナーリード（３）とその外側
    に連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有
    するリードフレーム（１）を金属板から形成するリード
    フレームの加工方法において、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第１の工程と、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する第２の工
    程と、 前記リードフレーム（１）の形成に必要なその他の後加
    工を行った後に、前記連結部（７）を切除して前記イン
    ナーリード（３）を完成する第３の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  14. 【請求項１４】金属板（11）にレーザ加工を施してイン
    ナーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成す
    ることにより、多数のインナーリード（３）とその外側
    に連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有
    するリードフレーム（１）を金属板から形成するリード
    フレームの加工方法において、 エッチング加工により前記インナーリードの内側部分
    （3a）における板厚の一部だけを加工する第１の工程
    と、 一部だけ加工した前記インナーリードの内側部分（3a）
    における板厚の残りの部分をレーザ加工により貫通さ
    せ、前記インナーリード（３）の先端部分がつながるよ
    うに連結部（７）を残した状態で、前記インナーリード
    の内側部分（3a）を形成する第２の工程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第３の工程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第４の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  15. 【請求項１５】金属板（11）にレーザ加工を施してイン
    ナーリード（３）の少なくとも内側部分（3a）を形成す
    ることにより、多数のインナーリード（３）とその外側
    に連続して位置する多数のアウターリード（４）とを有
    するリードフレーム（１）を金属板から形成するリード
    フレームの加工方法において、 前記インナーリード（３）の先端部分がつながるように
    連結部（７）を残した状態で、前記レーザ加工により前
    記インナーリードの内側部分（3a）を形成する工程であ
    って、前記レーザ加工は、横断面形状が細長いパルス状
    のレーザビーム（250）であって、エネルギ密度が１パ
    ルスだけでは前記金属板（201）の板厚方向に貫通でき
    ない大きさのレーザビーム（250）を用い、前記レーザ
    ビームの横断面形状の長手方向と加工が進行する方向と
    を一致させ、かつ１パルス毎の前記レーザビームの照射
    領域が所定の長さずつ重なるように前記加工が進行する
    方向に順次ずらせながらレーザビーム（250,250a,250b,
    250c）を照射することにより行う第１の工程と、 前記インナーリードの外側部分（3b）と前記アウターリ
    ード（４）とを同一工程で形成する第２の工程と、 前記連結部（７）を切除して前記インナーリード（３）
    を完成する第３の工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
  16. 【請求項１６】請求項15記載のリードフレームの加工方
    法において、前記インナーリードの内側部分（3a）を形
    成するためのレーザ加工をリードフレーム（１）の外方
    から内方へと行うことを特徴とするリードフレーム加工
    方法。
JP06512971A 1992-11-24 1993-11-22 リードフレームの加工方法 Expired - Fee Related JP3083321B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-313615 1992-11-24
JP31361592 1992-11-24
JP5-167940 1993-07-07
JP16794093 1993-07-07
PCT/JP1993/001707 WO1994013015A1 (fr) 1992-11-24 1993-11-22 Procede de production d'un cadre de montage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO1994013015A1 JPWO1994013015A1 (ja) 1995-01-05
JP3083321B2 true JP3083321B2 (ja) 2000-09-04

Family

ID=26491830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06512971A Expired - Fee Related JP3083321B2 (ja) 1992-11-24 1993-11-22 リードフレームの加工方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5548890A (ja)
EP (1) EP0623957B1 (ja)
JP (1) JP3083321B2 (ja)
DE (1) DE69323419T2 (ja)
WO (1) WO1994013015A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016039321A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社カネカ リードフレーム、樹脂成型体、表面実装型電子部品、表面実装型発光装置、及びリードフレーム製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3413204B2 (ja) * 1994-10-13 2003-06-03 日立建機株式会社 ダムバー加工装置及びダムバー加工方法
JPH0917809A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 半導体セラミックパッケージの製造方法と装置
KR100392320B1 (ko) * 1996-06-24 2003-11-17 삼성전자주식회사 금도금 단자부 세척장치
US6018865A (en) * 1998-01-20 2000-02-01 Mcms, Inc. Method for calibrating the Z origin position
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
EP1043767A4 (en) * 1998-10-30 2001-12-05 Seiko Epson Corp SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC DEVICE
KR100548014B1 (ko) * 1999-01-25 2006-02-01 삼성테크윈 주식회사 리드프레임 제조방법
US7174626B2 (en) * 1999-06-30 2007-02-13 Intersil Americas, Inc. Method of manufacturing a plated electronic termination
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
SG102609A1 (en) * 2001-01-10 2004-03-26 Aem Tech Engineers Pte Ltd Handling apparatus & method for a lead frame processing system
JP2003045539A (ja) * 2001-05-22 2003-02-14 Enplas Corp コンタクトピン及び電気部品用ソケット
US7102216B1 (en) * 2001-08-17 2006-09-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making
JP2003218620A (ja) 2002-01-24 2003-07-31 Hitachi Cable Ltd 平板アンテナの製造方法
JP2004216385A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ穴明け加工方法
JP2005212582A (ja) 2004-01-29 2005-08-11 Honda Motor Co Ltd スクイブ用の点火回路
JP2005334927A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Yamazaki Mazak Corp レーザ加工機における突起物除去加工装置
US7192809B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-20 Texas Instruments Incorporated Low cost method to produce high volume lead frames
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1921674A4 (en) * 2005-08-10 2010-08-25 Mitsui High Tec SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
DE102005043413A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Robert Bosch Gmbh Grundmodul für einen Bewegungssensor
EP2006909B1 (en) * 2006-06-14 2013-06-05 Panasonic Corporation Heat dissipating wiring board and method for manufacturing same
KR101165029B1 (ko) * 2007-04-24 2012-07-13 삼성테크윈 주식회사 칩 가열장치, 이를 구비한 플립 칩 본더 및 이를 이용한플립 칩 본딩 방법
JP5766423B2 (ja) * 2010-10-15 2015-08-19 三菱重工業株式会社 レーザ切断装置及びレーザ切断方法
US9805956B2 (en) * 2013-01-23 2017-10-31 Asm Technology Singapore Pte Ltd Lead frame and a method of fabrication thereof
JP6671145B2 (ja) * 2015-10-30 2020-03-25 株式会社レーザーシステム 加工樹脂基板の製造方法およびレーザー加工装置
CN112259462B (zh) * 2020-10-14 2022-06-07 天水华洋电子科技股份有限公司 一种引线框架结构、加工装置及加工方法
CN113829011A (zh) * 2021-09-27 2021-12-24 惠州Tcl移动通信有限公司 一种中框加工方法、中框及移动终端
CN114799552A (zh) * 2022-04-21 2022-07-29 南京睿芯峰电子科技有限公司 集成电路封装激光切筋方法、系统和装置
CN116487298B (zh) * 2023-05-17 2024-12-27 东莞奥美特科技有限公司 引线框架蚀刻生产线的烘干、清洗、蚀刻一体式设备
CN117894686B (zh) * 2023-11-23 2024-06-14 天水华洋电子科技股份有限公司 一种集成电镀蚀刻引线框架快速贴干膜工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2156262A (en) * 1932-12-27 1939-05-02 Colin G Fink Process of treating metal articles to alloy constituent metals
JPS6050349B2 (ja) * 1980-07-09 1985-11-08 住友金属鉱山株式会社 リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS58123747A (ja) * 1982-01-20 1983-07-23 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61125161A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Mitsui Haitetsuku:Kk リ−ドフレ−ムの製造方法
US4711700A (en) * 1985-07-03 1987-12-08 United Technologies Corporation Method for densifying leadframe conductor spacing
JPS6293095A (ja) * 1985-10-18 1987-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ加工装置
JPS62114254A (ja) * 1985-11-13 1987-05-26 Mitsui Haitetsuku:Kk リ−ドフレ−ムの製造方法
US4820658A (en) * 1986-04-14 1989-04-11 Gte Products Corporation Method of making a packaged IC chip
US5270570A (en) * 1988-10-10 1993-12-14 Lsi Logic Products Gmbh Lead frame for a multiplicity of terminals
DE3834361A1 (de) * 1988-10-10 1990-04-12 Lsi Logic Products Gmbh Anschlussrahmen fuer eine vielzahl von anschluessen
JPH02137687A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Fuji Electric Co Ltd レーザ集光装置
US4978830A (en) * 1989-02-27 1990-12-18 National Semiconductor Corporation Laser trimming system for semiconductor integrated circuit chip packages
JPH03123063A (ja) * 1989-10-05 1991-05-24 Seiko Epson Corp 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JP2843645B2 (ja) * 1990-05-30 1999-01-06 大日本印刷株式会社 金属板の加工方法
JPH05251605A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Hitachi Cable Ltd リードフレームとその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016039321A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社カネカ リードフレーム、樹脂成型体、表面実装型電子部品、表面実装型発光装置、及びリードフレーム製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0623957A4 (en) 1995-04-19
WO1994013015A1 (fr) 1994-06-09
EP0623957B1 (en) 1999-02-03
EP0623957A1 (en) 1994-11-09
DE69323419D1 (de) 1999-03-18
DE69323419T2 (de) 1999-06-10
US5548890A (en) 1996-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3083321B2 (ja) リードフレームの加工方法
JPWO1994013015A1 (ja) リードフレームの加工方法
JPH11509375A (ja) 基板またはチップにフラックスなしで半田付けする方法および装置
CN111112842A (zh) 一种去金搪锡方法及应用
JPH07124781A (ja) レーザ加工方法及び加工装置
JP2969054B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2933489B2 (ja) リードフレーム加工方法
JPH07106482A (ja) リードフレームの製造方法及び製造装置並びにリードフレーム及び半導体装置
JP2837068B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2969040B2 (ja) ダムバーの切断方法
JPH06277861A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びにリードフレームの加工方法
JP7705818B2 (ja) 加工品の製造方法、半導体装置の製造方法、および加工品の製造装置
TWI744135B (zh) 貫通孔的多焦點雷射形成方法
JP2907699B2 (ja) ダムバーの切断方法及びダムバーの切断装置並びに半導体装置
JPH07323383A (ja) 金属板の加工方法及びリードフレームの加工方法並びにリードフレーム
JPH0817984A (ja) ダムバー切断方法及び半導体装置
JP7595558B2 (ja) レーザ加工装置、および半導体装置の製造方法
JPH0238587A (ja) レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法
JPH08204087A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JPH06302737A (ja) 金属板の加工方法及びリードフレームの加工方法及び半導体装置の製造方法並びにリードフレーム
JPH08279580A (ja) リードフレームの加工方法およびリードフレーム並びに半導体装置
JPH06295966A (ja) 金属板の加工方法及びリードフレームの加工方法並びにリードフレーム
JPH08195460A (ja) ダムバーの切断方法および半導体装置
JPH07116884A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びにダムバーの切断方法及びリードフレームの加工方法
CN113973439A (zh) 一种解决阻焊进孔并增强孔壁爬锡能力的方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees