CN113829011A - 一种中框加工方法、中框及移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种中框加工方法、中框及移动终端，其中，所述中框加工方法包括：CNC制成，对金属中框原料进行加工，制得中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反；氧化处理，在所述中框半成品上形成氧化膜；镭雕整形，对所述显示仓进行镭雕。通过上述的加工方法，在制成所述中框的电池仓和显示仓之后，结合镭雕工艺对所述中框的所述显示仓的凸变面进行整形处理，镭雕工艺可以硬性改变凸变面的结构特性，使其下凹并且不容易发生回弹凸起，提高整形良率，并且，使得凸变面的平面度符合使用要求。
Description
技术领域
本发明涉及移动终端技术领域，尤其涉及一种中框加工方法、中框及移动终端。
背景技术
如今手机已经成为人们日常生活不可缺少的一部分，消费者的不同需求也促使各大手机厂商不断创新，制造出更多能满足用户审美和实用的手机，手机中具有独立的操作系统，独立的运行空间，可以由用户自行安装软件、游戏、导航等第三方服务商提供的程序，并可以通过移动通讯网络来实现无线网络接入手机的类型。
手机中框是手机的重要结构部件，在手机中，手机中框用于固定手机电路板、电池以及显示器等等，手机除了包括手机中框，还包括触控玻璃，在手机中框中设置有电池仓、显示仓和触控玻璃支撑面，电池仓用于安装收容电池，触控玻璃支撑面用于安装连接触控玻璃，显示仓和触控玻璃之间收容限定显示器，电池仓与显示仓之间仅间隔一个面，即电池仓与显示仓位于一面的两侧，触控玻璃与显示仓位于该面的相同一侧。
手机中框在加工出电池仓之后，显示仓会发生凸变，即显示仓朝向触控玻璃支撑面凸起，现有技术中，通过压头的方式对其进行整形，压头整形为在显示仓凸变面上放置外物，通过外物的重力使得凸变面朝向电池仓的方向下凹，但是由于凸变面结构材质较硬，且在撤掉外物之后具有一定的回弹性，使得这种整形方式良率低。
发明内容
本发明实施例提供一种中框加工方法、中框及移动终端，通过镭雕的方式对显示仓的凸变面进行硬性改变结构，提高整形良率。
第一方面，本发明实施例提供一种中框加工方法，所述方法包括以下步骤：
CNC制成，对金属中框原料进行加工，制得中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反；
氧化处理，在所述中框半成品上形成氧化膜；
镭雕整形，对所述显示仓进行镭雕。
可选的，在所述氧化处理步骤之后，在所述镭雕整形步骤之前，所述方法还包括：
平面度测试，通过激光探点的方式采集所述显示仓的平面数据，将所述平面数据与凸变数据进行对比。
可选的，在所述镭雕整形步骤中，镭雕功率为30-60瓦。
可选的，在所述镭雕整形步骤中，镭雕间距为0.02mm-0.06mm。
可选的，在所述镭雕整形步骤中，镭雕次数为1-3次，镭雕角度为0-90°。
可选的，在所述镭雕整形步骤之后，所述方法还包括：
镭雕焊接位，在所述中框上镭雕用于焊接金片的焊接位，所述金片用于导通所述中框和天线支架，所述焊接位设置于所述天线结构内。
可选的，在所述镭雕焊接位步骤之后，所述方法还包括：
激光点焊，将所述金片焊接于所述焊接位上。
可选的，在所述激光电焊步骤之后，所述方法还包括：
导通测试，用于确定所述金片的导通效果。
第二方面，本发明实施例提供一种中框，采用上述的中框加工方法制成。
第三方面，本发明实施例提供一种移动终端，包括上述的中框。
在本发明实施例中，中框加工方法包括CNC制成、氧化处理及镭雕整形等工序，所述CNC制成工序用于对金属中框原料进行加工，制得所述中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反，所述氧化处理工序用于在所述中框半成品上形成所述氧化膜，所述镭雕整形工序用于对所述显示仓进行镭雕。通过上述加工方法，在制成所述中框的电池仓和显示仓之后，结合镭雕工艺对所述中框的所述显示仓的凸变面进行整形处理，镭雕工艺可以硬性改变凸变面的结构特性，使其下凹并且不容易发生回弹凸起，提高整形良率，并且，使得凸变面的平面度符合使用要求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种中框加工方法的一流程图。
图2是本申请实施例提供的一种中框加工方法的另一流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种中框加工方法、中框及移动终端，其中，所述中框加工方法用于制成所述中框，在加工流程中，结合镭雕工艺对显示仓的凸变面进行整形处理，提高整形良率。
本申请实施例提供一种移动终端，所述移动终端可以为智能手机、平板电脑或者可折叠设备。
可选的，在一些实施例中，所述移动终端包括前盖、后盖以及中框，所述前盖和所述后盖均与所述中框连接装配，所述前盖连接于所述中框的一侧，所述后盖连接于所述中框上与所述前盖相对的另一侧。
进一步的，所述中框用于安装电池、天线、金片及触控玻璃等结构，设有电池仓、显示仓、触控玻璃支撑面、天线结构等。
其中，所述电池仓和所述显示仓位于所述中框的相同一面的两侧，并且，所述电池仓和所述显示仓的开口朝向相反，即所述显示仓的底面和所述电池仓的底面为相同一面，所述触控玻璃支撑面和所述显示仓位于该面的相同一面，所述触控玻璃支撑面与该面之间距离设置。
所述电池仓用于安装移动终端的电池，所述触控玻璃支撑面通过粘胶的方式连接固定所述触控玻璃，所述移动终端设置有显示器，所述显示仓用于安装收容所述显示器，所述显示器位于所述显示仓和所述触控玻璃形成的空间内，被所述显示仓和所述触控玻璃限位。
在所述移动终端中，当所述显示仓发生凸变，那么，位于所述显示仓和所述触控玻璃形成的空间内的所述显示器会被顶起，从而与所述触控玻璃接触，会影响所述显示器的显示质量及使用寿命。
而在加工所述中框的过程中，当所述显示仓发生凸变，即所述显示仓发生朝向所述触控玻璃的方向的凸起变形时，所述移动终端的显示器会出现水波纹的现象，或者，在所述移动终端的显示器亮起之后，所述显示器会出现阴影的现象。
可选的，所述显示仓发生凸变的面为凸变面，当所述显示仓发生凸变，则相应的，所述电池仓的底部也发生凸起。
可选的，所述触控玻璃与所述显示器之间应当间隔一定距离，避免接触影响显示效果，在本申请的实施例中，所述触控玻璃与所述显示器之间的间隔距离优选为0.2mm。
可选的，所述中框上除了设置有所述显示仓、触控玻璃支撑面、天线结构以及所述金片等结构之外，所述中框上还设有例如安装孔以安装槽等其它结构，在此不再赘述。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种中框加工方法的一流程图，该方法用于制得上述的中框，所述方法包括以下步骤：
S10、CNC制成。
该步骤用于对金属中框原料进行加工，制得中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反。
在该步骤中，通过CNC数控机床进行加工，在CNC数控机床中，通过计算机数字化进行控制，使得机床根据预先设置的关于中框加工的数据进行自动加工，使得加工后的零部件具备一定的结构。
在该步骤完成之后，会出现所述显示仓凸变的情况，即所述显示仓和所述电池仓的底部共同面朝向所述触控玻璃支撑面的方向凸起变形的情况，所述底部共同面为凸变面。
S20、氧化处理。
该步骤用于在所述中框半成品上形成氧化膜，所述氧化膜具有良好的致密性，对所述中框具有保护的作用，由于所述中框原料为金属材质，在被氧化形成所述氧化膜之后，可以避免在后续的加工及使用中，位于所述氧化膜内的金属被氧化。
所述氧化膜具有一定的厚度，在本申请的实施例中，所述氧化膜的厚度优选为0.012mm。
S30、镭雕整形。
该步骤用于对所述显示仓进行镭雕，通过机械加工的方式硬性改变凸变面的结构，使得凸变面下凹，即使得凸变面朝向所述电池仓的方向凹回，并达到符合要求的平面度，机械加工的方式会改变凸变面的内部结构特性，不容易发生回弹现象，提高整形良率。
镭雕为激光雕刻加工，以激光为媒介进行加工，使得加工材料在激光雕刻照射下瞬间的熔化和气化的物理变性，镭雕加工方式通过镭雕机实现。
在对所述显示仓进行镭雕整形时，会对金属进行加热，从而产生力的作用，在力的作用下，会使得所述凸变面变平。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的镭雕机的镭雕功率的设置范围为30瓦-60瓦，优选的，镭雕功率设置为40瓦。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的镭雕机选择为红光镭雕机，并且，相应的红光镭雕机的镭雕次数的设置范围为1次-3次，优选的，镭雕次数设置为2次。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的红光镭雕机的镭雕角度的设置范围为0-90°，所述镭雕角度根据所述镭雕次数进行设置。
例如，当所述镭雕次数设置为2次，则所述镭雕角度设置为90°和45°，第一次镭雕对应的镭雕角度为90°，第二次镭雕对应的镭雕角度为45°。
例如，当所述镭雕次数设置为3次，则所述镭雕角度设置为90°、45度和0°，第一次镭雕对应的镭雕角度为90°，第二次镭雕对应的镭雕角度为45°，第三次镭雕对应的镭雕角度为0°。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的红光镭雕机的镭雕间距的设置范围为0.02mm-0.06mm，优选的，镭雕间距设置为0.05mm。
本申请实施例的中框加工方法，包括CNC制成、氧化处理和镭雕整形工序，在制作时，通过结合镭雕工艺对所述显示仓的凸变面进行整形处理，硬性改变凸变面的结构特性，使其下凹并且不容易发生回弹凸起，提高整形良率。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的中框加工方法的另一流程图，该方法用于制成上述的盖板，该方法包括：
S10、CNC制成。
该步骤用于对金属中框原料进行加工，制得中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反。
在该步骤中，通过CNC数控机床进行加工，在CNC数控机床中，通过计算机数字化进行控制，使得机床根据预先设置的关于中框加工的数据进行自动加工，使得加工后的零部件具备一定的结构。
在该步骤完成之后，会出现所述显示仓凸变的情况，即所述显示仓和所述电池仓的底部共同面朝向所述触控玻璃支撑面的方向凸起变形的情况，所述底部共同面为凸变面。
S20、氧化处理。
该步骤用于在所述中框半成品上形成氧化膜，所述氧化膜具有良好的致密性，对所述中框具有保护的作用，由于所述中框原料为金属材质，在被氧化形成所述氧化膜之后，可以避免在后续的加工及使用中，位于所述氧化膜内的金属被氧化。
所述氧化膜具有一定的厚度，在本申请的实施例中，所述氧化膜的厚度优选为0.012mm。
S21、平面度测试。
该步骤通过激光探点的方式采集所述显示仓的平面数据，将所述平面数据与凸变数据进行对比。
可选的，所述凸变数据为范围值，包括若干个范围数据，相应的，所述平面数据也包括若干个数据，通过将所述平面数据与凸变数据进行对比，根据对比结果可得知所述凸起面的凸起程度，并且，根据所述凸起程度，在对所述凸起面进行镭雕整形时，结合对比结果对镭雕机的数据参数进行设定。
可选的，在该步骤中，也可以通过CCD相机对所述显示仓的平面数据进行采集，并通过后台计算机程序与所述凸变数据进行自动对比，以及生成相应的报告等。
S30、镭雕整形。
该步骤用于对所述显示仓进行镭雕，通过机械加工的方式硬性改变凸变面的结构，使得凸变面下凹，即使得凸变面朝向所述电池仓的方向凹回，并达到符合要求的平面度，机械加工的方式会改变凸变面的内部结构特性，不容易发生回弹现象，提高整形良率。
镭雕为激光雕刻加工，以激光为媒介进行加工，使得加工材料在激光雕刻照射下瞬间的熔化和气化的物理变性，镭雕加工方式通过镭雕机实现。
在对所述显示仓进行镭雕整形时，会对金属进行加热，从而产生力的作用，在力的作用下，会使得所述凸变面变平。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的镭雕机的镭雕功率的设置范围为30瓦-60瓦，优选的，镭雕功率设置为40瓦。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的镭雕机选择为红光镭雕机，并且，相应的红光镭雕机的镭雕次数的设置范围为1次-3次，优选的，镭雕次数设置为2次。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的红光镭雕机的镭雕角度的设置范围为0-90°，所述镭雕角度根据所述镭雕次数进行设置。
例如，当所述镭雕次数设置为2次，则所述镭雕角度设置为90°和45°，第一次镭雕对应的镭雕角度为90°，第二次镭雕对应的镭雕角度为45°。
例如，当所述镭雕次数设置为3次，则所述镭雕角度设置为90°、45度和0°，第一次镭雕对应的镭雕角度为90°，第二次镭雕对应的镭雕角度为45°，第三次镭雕对应的镭雕角度为0°。
在本申请的实施例中，在对所述显示仓进行镭雕整形时，相应的红光镭雕机的镭雕间距的设置范围为0.02mm-0.06mm，优选的，镭雕间距设置为0.05mm。
S31、镭雕焊接位。
该步骤用于在所述中框上镭雕用于焊接所述金片的焊接位，所述移动终端通过所述金片天线的导通。
进一步的，所述移动终端内设置有天线支架，所述天线支架与所述天线结构对应，所述金片用于导通所述中框与所述天线支架。
S32、激光焊接。
该步骤用于将所述金片焊接于所述焊接位上，使得所述金片可以固定于所述中框上。
该步骤通过激光电焊机实现，激光点焊机主要由激光器、电源及控制、冷却机、导光及调焦、双目体视显微观察几部分构成，具有不需要填充焊料、焊接速度高、接点可靠以及工件变形小等特点。
S33、导通测试。
该步骤用于确认所述金片的导通效果，即确认所述中框与所述天线支架之间的导通效果。
本申请实施例的中框加工方法，包括CNC制成、氧化处理和镭雕整形工序，在制作时，通过结合镭雕工艺对所述显示仓的凸变面进行整形处理，硬性改变凸变面的结构特性，使其下凹并且不容易发生回弹凸起，提高整形良率。
可选的，在本申请的实施例中，在完成导通测试步骤之后，对所述中框进行全检，全检的内容至少包括：检测所述中框的外形尺寸是否满足要求；检测所述中框上的孔位的尺寸及位置，以确认孔位是否满足设置要求；检测所述中框上的毛刺是否去除干净以及检测所述显示仓的平面度。
可选的，在本申请的实施例中，在完成上述全检步骤之后，对所述中框进行组装，包括在所述中框上粘贴泡棉以及热熔螺母等。
需要说明的是，除了上述的加工工序之外，为了使得所述中框的整体性质及效果更佳，还可以进行其他工序，本申请实施例对此不作限制。
本申请实施例提供了一种中框加工方法，该方法制成的所述中框应用于所述移动终端，该方法至少包括CNC制成、氧化处理及镭雕整形等工序，所述CNC制成工序用于对金属中框原料进行加工，制得所述中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反，所述氧化处理工序用于在所述中框半成品上形成所述氧化膜，所述镭雕整形工序用于对所述显示仓进行镭雕。通过上述的加工方法，在制成所述中框时，通过结合镭雕工艺对所述显示仓的凸变面进行整形处理，硬性改变凸变面的结构特性，使其下凹并且不容易发生回弹凸起，提高整形良率，并且，使得凸变面的平面度符合使用要求。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种中框加工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
CNC制成，对金属中框原料进行加工，制得中框半成品，所述中框半成品设有显示仓及电池仓，所述显示仓和所述电池仓位于所述中框半成品的相同一面的两侧，所述显示仓和所述电池仓的开口朝向相反；
氧化处理，在所述中框半成品上形成氧化膜；
镭雕整形，对所述显示仓进行镭雕。
2.根据权利要求1所述的中框加工方法，其特征在于，在所述氧化处理步骤之后，在所述镭雕整形步骤之前，所述方法还包括：
平面度测试，通过激光探点的方式采集所述显示仓的平面数据，将所述平面数据与凸变数据进行对比。
3.根据权利要求1所述的中框加工方法，其特征在于，在所述镭雕整形步骤中，镭雕功率为30-60瓦。
4.根据权利要求1所述的中框加工方法，其特征在于，在所述镭雕整形步骤中，镭雕间距为0.02mm-0.06mm。
5.根据权利要求1所述的中框加工方法，其特征在于，在所述镭雕整形步骤中，镭雕次数为1-3次，镭雕角度为0-90°。
6.根据权利要求1所述的中框加工方法，其特征在于，在所述镭雕整形步骤之后，所述方法还包括：
镭雕焊接位，在所述中框上镭雕用于焊接金片的焊接位，所述金片用于导通所述中框和天线支架，所述焊接位设置于所述天线结构内。
7.根据权利要求6所述的中框加工方法，其特征在于，在所述镭雕焊接位步骤之后，所述方法还包括：
激光点焊，将所述金片焊接于所述焊接位上。
8.根据权利要求7所述的中框加工方法，其特征在于，在所述激光电焊步骤之后，所述方法还包括：
导通测试，用于确定所述金片的导通效果。
9.一种中框，其特征在于，采用权利要求1至8中任一项所述的中框加工方法制成。
10.一种移动终端，其特征在于，包括权利要求9所述的中框。
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- 2021-09-27 CN CN202111137058.7A patent/CN113829011A/zh active Pending
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