JPH0215661A - 半導体装置のリード成形方法 - Google Patents
半導体装置のリード成形方法Info
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- JPH0215661A JPH0215661A JP16532788A JP16532788A JPH0215661A JP H0215661 A JPH0215661 A JP H0215661A JP 16532788 A JP16532788 A JP 16532788A JP 16532788 A JP16532788 A JP 16532788A JP H0215661 A JPH0215661 A JP H0215661A
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- semiconductor device
- protrusion
- cut
- mold
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のリード底形加工の改良に関す
るものである。
るものである。
第８図１Ａｌ〜ＩｃＩは、従来の半導体装置の平面図。
側面図及びそのリード成形方法の過程を示す平面図であ
る。
る。
また％第３図Ａは、リード成形前の半導体装置の平面図
、第３図ＢＶｉ、ダムバー切断後の半導体装置の平面図
、第３図Ｃはリード底形完了後の半導体装置を示す平面
図及び（ｌＩ１１而図で面る。
、第３図ＢＶｉ、ダムバー切断後の半導体装置の平面図
、第３図Ｃはリード底形完了後の半導体装置を示す平面
図及び（ｌＩ１１而図で面る。
図において、１ｌｌｉ半導体装置のリード、１２１けモ
ールド％１３１ハリードフレームのダムバーｆｆ７５す
Ｏ 次に作用について説明する。第８図において、リード…
は、モールド（２１より直角方向に配置している。ま走
、リード…の先端は、使用時にプリント基板へはんだ付
けを行うため下方に曲げられている。
ールド％１３１ハリードフレームのダムバーｆｆ７５す
Ｏ 次に作用について説明する。第８図において、リード…
は、モールド（２１より直角方向に配置している。ま走
、リード…の先端は、使用時にプリント基板へはんだ付
けを行うため下方に曲げられている。
第８図Ａの状態はダムバー１３１、リードｉｌ＋を４ａ
えたリードフレーム（４１と半導体本体部のモールド２
１より構成されている。リード…の成形に際してはまず
第８図Ｂに示すごとくダムバー＋８１ ′ｆｔ切断され
る。更ＶＣ第３図に示すごとくリード１りの先端をリー
ドフレーム（４１から切り離し、リード１１を所定の形
状に曲ゲ加工して成形する０通常のリード…は板厚０．
１５〜０．２５５１幅０．８〜１、６ ａｍ、長さ５〜
２０ ｆｌである・〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
加工工程、プリント基板への取付等の取扱い時にリード
部に上、下左右へ変形する力が加わり、リードが変形し
所定の外形寸法規格を満足しないという問題があシ、そ
の対策が課題であった。
えたリードフレーム（４１と半導体本体部のモールド２
１より構成されている。リード…の成形に際してはまず
第８図Ｂに示すごとくダムバー＋８１ ′ｆｔ切断され
る。更ＶＣ第３図に示すごとくリード１りの先端をリー
ドフレーム（４１から切り離し、リード１１を所定の形
状に曲ゲ加工して成形する０通常のリード…は板厚０．
１５〜０．２５５１幅０．８〜１、６ ａｍ、長さ５〜
２０ ｆｌである・〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
加工工程、プリント基板への取付等の取扱い時にリード
部に上、下左右へ変形する力が加わり、リードが変形し
所定の外形寸法規格を満足しないという問題があシ、そ
の対策が課題であった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、現状の生産設備をｌ ｌＩｓ改良して塀工で
きると共にリード変形の少い半導体装置を得ることを目
的とする。
たもので、現状の生産設備をｌ ｌＩｓ改良して塀工で
きると共にリード変形の少い半導体装置を得ることを目
的とする。
この発明は、半導体装置のリードに突起を設けたもので
、上記突起形成ケリード底形過程において実施できるよ
うにしたものである。
、上記突起形成ケリード底形過程において実施できるよ
うにしたものである。
この発明におけるリード突起は、半導体装置の本体ボデ
ィ部のモールドに接することによってリードに加わる変
形応力をリード突起と、リードの両方で受は止めるよう
にしたものである。
ィ部のモールドに接することによってリードに加わる変
形応力をリード突起と、リードの両方で受は止めるよう
にしたものである。
また、上記リード突起形成を、リード底形加工工程中に
行えるよう、リードフレームの１部を用いたものである
。
行えるよう、リードフレームの１部を用いたものである
。
この発明の一実施例ケ第１図及び第２図について説明す
る。第１図はこの半導体装置の・←面図及び側面図、第
２図は半導体装置のリードｊ成形方法の過程を示すもの
で、第２図Ａは、リード成形加工直曲の半導体装置の平
面図、第２図Ｂはダムバー（３）を切断した状態の平面
図、第２図Ｃけ、ダムバー １３１の１部を加工してリ
ード突起Ｃｌ−１） ｉ形成した状態を示すＸＰ−面図
及び１ｌｌｌＩ面図である。Ｉｌｌ 、 １２１ 、１
３１ 、 ＋４１は第８図の従来例に示したものと同等
であるので説明を省略する。
る。第１図はこの半導体装置の・←面図及び側面図、第
２図は半導体装置のリードｊ成形方法の過程を示すもの
で、第２図Ａは、リード成形加工直曲の半導体装置の平
面図、第２図Ｂはダムバー（３）を切断した状態の平面
図、第２図Ｃけ、ダムバー １３１の１部を加工してリ
ード突起Ｃｌ−１） ｉ形成した状態を示すＸＰ−面図
及び１ｌｌｌＩ面図である。Ｉｌｌ 、 １２１ 、１
３１ 、 ＋４１は第８図の従来例に示したものと同等
であるので説明を省略する。
次に、この半導体装置のリード＋１１成形方法及び作用
ＶＣついて説明する。第２図Ａに示すようにダムバー＋
３１ Ｈ、モールド（２）に近接して、設けられている
。次ＶＣ第２図Ｂ ＶＣ示すように、ダムバー１３１の
１ ｉＦＴ＜ ｋ切断する。このとき、ダムバー＋３１
は、リードＩＩ＋の幅に対して１図における上、下方向
に大きくなるよう切断する。次に、第２図Ｃで示すよう
に、リードＩｌ＋より１鴫方向に大きく残して切断され
たダムバー１３）を、リード山の幅方向より、垂直方向
へ曲ゲ却工？行い、リード突起（１−１）を形成する。
ＶＣついて説明する。第２図Ａに示すようにダムバー＋
３１ Ｈ、モールド（２）に近接して、設けられている
。次ＶＣ第２図Ｂ ＶＣ示すように、ダムバー１３１の
１ ｉＦＴ＜ ｋ切断する。このとき、ダムバー＋３１
は、リードＩＩ＋の幅に対して１図における上、下方向
に大きくなるよう切断する。次に、第２図Ｃで示すよう
に、リードＩｌ＋より１鴫方向に大きく残して切断され
たダムバー１３）を、リード山の幅方向より、垂直方向
へ曲ゲ却工？行い、リード突起（１−１）を形成する。
次に、第２図のリードフレーム１４）とリードｉｌ＋を
切り離す。更ＶＣ第１図に示すような半導体装置の所定
の形状とするためのリード１１１の曲ゲ加工を行う。以
上の過程でリードＩＩＩ ［ｉ形を完了する。
切り離す。更ＶＣ第１図に示すような半導体装置の所定
の形状とするためのリード１１１の曲ゲ加工を行う。以
上の過程でリードＩＩＩ ［ｉ形を完了する。
この半導体装置け、成形されたリード…の１部に、リー
ド突起α−１）１に有するので、リード（１１に、左右
、上下方向に、力を加えて変形させようとするとき、リ
ード突起（１−１）とモールド（２１が、干渉し、リー
ドｉｌ＋とモールド（２１の境界付近のり−ド…に集中
する変形応力は、リード突起（１−１）で、緩和される
。
ド突起α−１）１に有するので、リード（１１に、左右
、上下方向に、力を加えて変形させようとするとき、リ
ード突起（１−１）とモールド（２１が、干渉し、リー
ドｉｌ＋とモールド（２１の境界付近のり−ド…に集中
する変形応力は、リード突起（１−１）で、緩和される
。
以上のように、この発明ＶＣよれば、リードの１部に変
形防止の突起を設けたので、リード形状寸法精度の高い
半導体装置が得られる。また、リードフレームのダムバ
ーの１部を用いてリード突起を形成することとしたため
、リード成形方法が簡単で゛ある。
形防止の突起を設けたので、リード形状寸法精度の高い
半導体装置が得られる。また、リードフレームのダムバ
ーの１部を用いてリード突起を形成することとしたため
、リード成形方法が簡単で゛ある。
第１図はこの発明による半導体装置の一例を示す平面図
及び側面図である。 第２図はこの発明によるリード成形方法の過程の一例？
示す平面図及び側面図である。第３図は？，′Ｉ′米の
半導体装置の平面図，側面図，及びそのリード成Ｊヒ方
法の過程を示す平面図である。 図において＋ｌ＋はリード、（１−１）はリード突起、
２｝はモールド、（３１はダムバー、｛４１はリードフ
レームである。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
及び側面図である。 第２図はこの発明によるリード成形方法の過程の一例？
示す平面図及び側面図である。第３図は？，′Ｉ′米の
半導体装置の平面図，側面図，及びそのリード成Ｊヒ方
法の過程を示す平面図である。 図において＋ｌ＋はリード、（１−１）はリード突起、
２｝はモールド、（３１はダムバー、｛４１はリードフ
レームである。 なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- リードのパッケージ近傍において、リードの板厚方向か
ら上、下に突起を形成して成る半導体装置のリード成形
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16532788A JPH0215661A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体装置のリード成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16532788A JPH0215661A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体装置のリード成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215661A true JPH0215661A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15810226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16532788A Pending JPH0215661A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体装置のリード成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193619B2 (en) * | 2009-03-18 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package having the same |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16532788A patent/JPH0215661A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193619B2 (en) * | 2009-03-18 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package having the same |
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