JPH098194A - リードフレーム製造方法 - Google Patents
リードフレーム製造方法Info
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- JPH098194A JPH098194A JP8174258A JP17425896A JPH098194A JP H098194 A JPH098194 A JP H098194A JP 8174258 A JP8174258 A JP 8174258A JP 17425896 A JP17425896 A JP 17425896A JP H098194 A JPH098194 A JP H098194A
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- leads
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 インナリードのピッチを小さくし微細なイン
ナリードを有する微細リードフレームの製造方法を提供
する。 【解決手段】 リードフレーム素材３０のリードチップ
３３から一定距離Ｄ以上離れた部分では、スタンピング
処理とエッチング処理によりインナリード３１及びアウ
タリード３２を形成する。リードチップから一定距離Ｄ
以内のリードフレーム素材の一部分では、ハーフエッチ
ング及び微細なパンチを用いたスタンピング処理により
インナリード３１を形成する。ハーフエッチングにより
リードフレーム素材の一部の上面の一部のみがエッチさ
れて薄くなり、その薄くなった部分はスタンピング方法
によりパンチで切断される。本方法で実現できるインナ
リードの最小幅は０．０１ｍｍ、最小間隔は０．０５ｍ
ｍであり、リードのピッチは最小０．１５０ｍｍとな
り、従来法に比してピッチが５０％小さい。
ナリードを有する微細リードフレームの製造方法を提供
する。 【解決手段】 リードフレーム素材３０のリードチップ
３３から一定距離Ｄ以上離れた部分では、スタンピング
処理とエッチング処理によりインナリード３１及びアウ
タリード３２を形成する。リードチップから一定距離Ｄ
以内のリードフレーム素材の一部分では、ハーフエッチ
ング及び微細なパンチを用いたスタンピング処理により
インナリード３１を形成する。ハーフエッチングにより
リードフレーム素材の一部の上面の一部のみがエッチさ
れて薄くなり、その薄くなった部分はスタンピング方法
によりパンチで切断される。本方法で実現できるインナ
リードの最小幅は０．０１ｍｍ、最小間隔は０．０５ｍ
ｍであり、リードのピッチは最小０．１５０ｍｍとな
り、従来法に比してピッチが５０％小さい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム製造
方法に関し、更に詳細にはエッチング処理及びスタンピ
ング処理を併用して更に微細なリードフレームを製造す
る方法に関する。
方法に関し、更に詳細にはエッチング処理及びスタンピ
ング処理を併用して更に微細なリードフレームを製造す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームは半導体素子を支持し、
半導体素子の機能を外部回路に伝達する独立した１つの
部品である。リードフレームは通常半導体チップの載置
されるベース部分と、載置されたチップにワイヤボンデ
ィングにより接続されるインナリードと、前記インナリ
ードと外部回路とを相互接続させるアウタリードとから
構成される。このようなリードフレームの製造方法には
スタンピング処理を用いた方法と化学的エッチング処理
を用いた方法とがある。
半導体素子の機能を外部回路に伝達する独立した１つの
部品である。リードフレームは通常半導体チップの載置
されるベース部分と、載置されたチップにワイヤボンデ
ィングにより接続されるインナリードと、前記インナリ
ードと外部回路とを相互接続させるアウタリードとから
構成される。このようなリードフレームの製造方法には
スタンピング処理を用いた方法と化学的エッチング処理
を用いた方法とがある。
【０００３】図１Ａにはスタンピング処理を用いたリー
ドフレームの製造方法が概略的に示されている。スタン
ピング処理を用いた場合、リードフレーム素材１１をダ
イ１２上に載置し、ストリッパ１３で素材を固定させた
後、パンチ１４を用いて素材１１を打抜きして、図１Ｂ
のようにリードフレームを製造する。
ドフレームの製造方法が概略的に示されている。スタン
ピング処理を用いた場合、リードフレーム素材１１をダ
イ１２上に載置し、ストリッパ１３で素材を固定させた
後、パンチ１４を用いて素材１１を打抜きして、図１Ｂ
のようにリードフレームを製造する。
【０００４】これに対して、図示していないエッチング
処理を用いたリードフレーム製造方法においては、リー
ドフレームの素材の表面にフォトレジストを塗布した
後、マスクを被覆し、露光させることによって所定のパ
タ−ンを形成し、リードフレーム素材の両面に一定の圧
力でエッチング液を噴霧して素材をエッチングすること
によってリードフレームを形成する。
処理を用いたリードフレーム製造方法においては、リー
ドフレームの素材の表面にフォトレジストを塗布した
後、マスクを被覆し、露光させることによって所定のパ
タ−ンを形成し、リードフレーム素材の両面に一定の圧
力でエッチング液を噴霧して素材をエッチングすること
によってリードフレームを形成する。
【０００５】最近の半導体チップの小型化及び集積化に
伴ってリードフレームの加工においても一層の高精度が
求められている。特に、リードフレームのインナリード
間のピッチが狭くなる傾向があるが、従来のスタンピン
グ処理やエッチング処理では狭小なピッチのインナリー
ドが製造できない。これはスタンピング処理またはエッ
チング処理の何れか１つの処理を用いてリードフレーム
を製造する場合、狭められ得るインナリ−ドの間隔に限
界があるからである。ここで、ピッチとは、インナリー
ドの間隔とインナリードの幅を合わせた大きさを指す。
伴ってリードフレームの加工においても一層の高精度が
求められている。特に、リードフレームのインナリード
間のピッチが狭くなる傾向があるが、従来のスタンピン
グ処理やエッチング処理では狭小なピッチのインナリー
ドが製造できない。これはスタンピング処理またはエッ
チング処理の何れか１つの処理を用いてリードフレーム
を製造する場合、狭められ得るインナリ−ドの間隔に限
界があるからである。ここで、ピッチとは、インナリー
ドの間隔とインナリードの幅を合わせた大きさを指す。
【０００６】図２はリードフレームの平面図であり、半
導体チップの載置されるベース部分２１の方に近づくほ
どインナリード２２の間隔が狭くなることが判る。従来
のスタンピング処理やエッチング処理を用いて製造され
たリードフレームのインナリード２２の最小幅は０．１
ｍｍ、インナリード２２の最小間隔も０．１ｍｍなの
で、インナリード２２の最小ピッチは０．２ｍｍとな
る。従来のリードフレーム製造方法を用いてはこれ以上
小さいピッチサイズが得られない。
導体チップの載置されるベース部分２１の方に近づくほ
どインナリード２２の間隔が狭くなることが判る。従来
のスタンピング処理やエッチング処理を用いて製造され
たリードフレームのインナリード２２の最小幅は０．１
ｍｍ、インナリード２２の最小間隔も０．１ｍｍなの
で、インナリード２２の最小ピッチは０．２ｍｍとな
る。従来のリードフレーム製造方法を用いてはこれ以上
小さいピッチサイズが得られない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、リードフレームのインナリードピッチを小さくし微
細なインナリードを有するリードフレーム製造方法を提
供することである。
は、リードフレームのインナリードピッチを小さくし微
細なインナリードを有するリードフレーム製造方法を提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、スタンピング処理及びエッチン
グ処理を用いてリードフレームを製造する方法であっ
て、リードフレーム素材の一部をエッチング処理するこ
とにより、その部分の厚みを局部的に薄くするハーフエ
ッチング処理過程と、前記リードフレーム素材の、前記
ハーフエッチング処理によりエッチングされた部分をパ
ンチ手段で切断するスタンピング処理過程とを有するこ
とを特徴とするリードフレーム製造方法が提供される。
めに、本発明によれば、スタンピング処理及びエッチン
グ処理を用いてリードフレームを製造する方法であっ
て、リードフレーム素材の一部をエッチング処理するこ
とにより、その部分の厚みを局部的に薄くするハーフエ
ッチング処理過程と、前記リードフレーム素材の、前記
ハーフエッチング処理によりエッチングされた部分をパ
ンチ手段で切断するスタンピング処理過程とを有するこ
とを特徴とするリードフレーム製造方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照しつ
つ、本発明の実施例を詳細に説明する。
つ、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１０】図３はリードフレーム素材３０の図２のＡ
に該当する部分を示す平面図である。ここで、点線はリ
ードフレームのインナリード３１及びアウタリード３２
となる部分を示す。本発明によれば、インナリード３１
のうち相対的にリード間隔の広い部分は従来の方法で製
造される。即ち、図４に示したように、リードフレーム
素材３０の、リードチップ３３から一定距離Ｄ以上離れ
た部分においては、スタンピング処理やエッチング処理
によりインナリード３１及びアウタリード３２が形成さ
れる。前記距離Ｄは、好ましくは約０．８ｍｍである。
に該当する部分を示す平面図である。ここで、点線はリ
ードフレームのインナリード３１及びアウタリード３２
となる部分を示す。本発明によれば、インナリード３１
のうち相対的にリード間隔の広い部分は従来の方法で製
造される。即ち、図４に示したように、リードフレーム
素材３０の、リードチップ３３から一定距離Ｄ以上離れ
た部分においては、スタンピング処理やエッチング処理
によりインナリード３１及びアウタリード３２が形成さ
れる。前記距離Ｄは、好ましくは約０．８ｍｍである。
【００１１】リードチップ３３からの距離が一定距離Ｄ
の以内のリードフレーム素材３０の一部分３４（図５参
照）においては、ハーフエッチング処理及び微細なパン
チ（図示せず）を用いたスタンピング処理によりインナ
リード３１を形成する。ハーフエッチングはリードフレ
ーム素材３０の厚さの一部のみをエッチングすることを
指し、図６のように、リードフレーム素材３０の一部分
３４の上面の一部のみがエッチングされ、厚さが薄くな
る。
の以内のリードフレーム素材３０の一部分３４（図５参
照）においては、ハーフエッチング処理及び微細なパン
チ（図示せず）を用いたスタンピング処理によりインナ
リード３１を形成する。ハーフエッチングはリードフレ
ーム素材３０の厚さの一部のみをエッチングすることを
指し、図６のように、リードフレーム素材３０の一部分
３４の上面の一部のみがエッチングされ、厚さが薄くな
る。
【００１２】図７を参照すれば、ハーフエッチングによ
り薄くなった部分３４はスタンピング方法によりパンチ
４１で切断される。前記ハーフエッチングされた部分３
４は十分厚さが薄くされているので、極めて薄いパンチ
４１を用いてもこれを切断し得る。前記パンチ４１によ
り切断されたリードフレームのインナリード３１の断面
は図８に示した通りである。
り薄くなった部分３４はスタンピング方法によりパンチ
４１で切断される。前記ハーフエッチングされた部分３
４は十分厚さが薄くされているので、極めて薄いパンチ
４１を用いてもこれを切断し得る。前記パンチ４１によ
り切断されたリードフレームのインナリード３１の断面
は図８に示した通りである。
【００１３】図面に示した本発明の実施例について説明
したが、当業者には、実施例の多様な変形が可能である
ことが理解されよう。
したが、当業者には、実施例の多様な変形が可能である
ことが理解されよう。
【００１４】
【発明の効果】従って、本発明により実現できるリード
３１の最小幅Ｗは０．０１ｍｍ、リード３１の最小間隔
Ｓは０．０５０ｍｍであり、リード３１のピッチＰは最
小０．１５０ｍｍとなった。これは既存のものと比べて
ピッチが最大５０％小さくなったことを示しており、即
ち、従来のリードフレーム製造方法に比べて極めて微細
なインナリードを制作し得ることになる。
３１の最小幅Ｗは０．０１ｍｍ、リード３１の最小間隔
Ｓは０．０５０ｍｍであり、リード３１のピッチＰは最
小０．１５０ｍｍとなった。これは既存のものと比べて
ピッチが最大５０％小さくなったことを示しており、即
ち、従来のリードフレーム製造方法に比べて極めて微細
なインナリードを制作し得ることになる。
【図１】（Ａ）及び（Ｂ）からなり、それぞれ従来のス
タンピング処理を用いたリードフレームの製造方法を説
明するための図である。
タンピング処理を用いたリードフレームの製造方法を説
明するための図である。
【図２】リードフレームの概略的な平面図である。
【図３】図２のＡ部分の拡大図である。
【図４】本発明に基づき、図３のリードフレーム素材を
部分的にスタンピング処理又はエッチング処理した状態
を示す図である。
部分的にスタンピング処理又はエッチング処理した状態
を示す図である。
【図５】図４のリードフレーム素材をハーフエッチング
処理した状態を示す図である。
処理した状態を示す図である。
【図６】図５のVI−VIで切った断面図である。
【図７】図５のハーフエッチング処理された部分をパン
チでスタンピング処理する状態を示す図である。
チでスタンピング処理する状態を示す図である。
【図８】本発明によるリードフレームのインナリードの
部分断面図である。
部分断面図である。
１１ リードフレーム素材 １２ ダイ １３ ストリッパ １４ パンチ ２１ ベース部分 ２２ インナリード ３０ リードフレーム素材 ３１ インナリード ３２ アウタリード ３３ リードチップ ３４ （リードフレーム素材上の）ハーフエッチング処
理される部分 ４１ 薄いパンチ
理される部分 ４１ 薄いパンチ
Claims (3)
- 【請求項１】 スタンピング処理及びエッチング処理
を用いてリードフレームを製造する方法であって、 リードフレーム素材の一部をエッチング処理することに
より、その部分の厚みを局部的に薄くするハーフエッチ
ング処理過程と、 前記リードフレーム素材の、前記ハーフエッチング処理
によりエッチングされた部分をパンチ手段で切断するス
タンピング処理過程とを有することを特徴とするリード
フレーム製造方法。 - 【請求項２】 前記ハーフエッチング処理される部分
のリードチップからの距離は、所定距離以内であること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレーム製造方
法。 - 【請求項３】 前記所定距離が０．８ｍｍであること
を特徴とする請求項２に記載のリードフレーム製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016154A KR0147652B1 (ko) | 1995-06-17 | 1995-06-17 | 리이드 프레임의 제조방법 |
| KR1995P16154 | 1995-06-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098194A true JPH098194A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=19417402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8174258A Pending JPH098194A (ja) | 1995-06-17 | 1996-06-13 | リードフレーム製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098194A (ja) |
| KR (1) | KR0147652B1 (ja) |
| TW (1) | TW297151B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192857A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
| JP2014022399A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
-
1995
- 1995-06-17 KR KR1019950016154A patent/KR0147652B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-11 TW TW085107012A patent/TW297151B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-06-13 JP JP8174258A patent/JPH098194A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192857A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
| JP2014022399A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970003895A (ko) | 1997-01-29 |
| KR0147652B1 (ko) | 1998-08-01 |
| TW297151B (ja) | 1997-02-01 |
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